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1、模拟电子和数字电子讲课简要+4+4+4+4+4+4+4+4+4 完完全全纯纯净净的的、不不含含其其他他杂杂质质且且具具有有晶晶体体结结构构的的半半导导体体称为本征半导体称为本征半导体 将将硅硅或或锗锗材材料料提提纯纯便便形形成成单单晶晶体体，它它的的原原子子结结构构为为共价键结构。共价键结构。价价电电子子共共价价键键图图 1.1.1本征半导体结构示意图本征半导体结构示意图二、本征半导体的晶体结构二、本征半导体的晶体结构当当温温度度 T = 0 K 时时，半半导导体不导电，如同绝缘体。体不导电，如同绝缘体。模拟电子和数字电子讲课简要+4+4+4+4+4+4+4+4+4图图 1.1.2本征半导体中
2、的本征半导体中的 自由电子和空穴自由电子和空穴自由电子自由电子空穴空穴 若若 T ，将将有有少少数数价价电电子子克克服服共共价价键键的的束束缚缚成成为为自自由由电电子子，在在原原来来的的共共价价键键中中留留下下一一个个空空位位空穴。空穴。T 自自由由电电子子和和空空穴穴使使本本征征半半导导体体具具有有导导电电能能力力，但很微弱。但很微弱。空空穴穴可可看看成成带带正正电电的的载流子。载流子。三、本征半导体中的两种载流子三、本征半导体中的两种载流子（动画1-1） （动画1-2）模拟电子和数字电子讲课简要四、本征半导体中载流子的浓度本征半导体中载流子的浓度在一定温度下本征半导体中载流子的浓度是一定的
3、，在一定温度下本征半导体中载流子的浓度是一定的，并且自由电子与空穴的浓度相等。并且自由电子与空穴的浓度相等。本征激发本征激发复合复合动态平衡动态平衡模拟电子和数字电子讲课简要1. 半导体中两种载流子半导体中两种载流子带负电的自由电子带负电的自由电子带正电的空穴带正电的空穴 2. 本本征征半半导导体体中中，自自由由电电子子和和空空穴穴总总是是成成对对出出现现，称为称为 电子电子 - 空穴对。空穴对。3. 本征半导体中自由电子和空穴的浓度用本征半导体中自由电子和空穴的浓度用 ni 和和 pi 表示，显然表示，显然 ni = pi 。4. 由由于于物物质质的的运运动动，自自由由电电子子和和空空穴穴不
4、不断断的的产产生生又又 不不断断的的复复合合。在在一一定定的的温温度度下下，产产生生与与复复合合运运动动会达到平衡，载流子的浓度就一定了。会达到平衡，载流子的浓度就一定了。5. 载载流流子子的的浓浓度度与与温温度度密密切切相相关关，它它随随着着温温度度的的升升 高，基本按指数规律增加。高，基本按指数规律增加。小结小结模拟电子和数字电子讲课简要杂质半导体杂质半导体杂质半导体有两种杂质半导体有两种N 型半导体型半导体P 型半导体型半导体一、一、 N 型半导体型半导体(Negative)在在硅硅或或锗锗的的晶晶体体中中掺掺入入少少量量的的 5 价价杂杂质质元元素素，如如磷磷、锑锑、砷砷等等，即即构构
5、成成 N 型型半半导导体体( (或或称称电电子子型型半导体半导体) )。常用的常用的 5 价杂质元素有磷、锑、砷等。价杂质元素有磷、锑、砷等。模拟电子和数字电子讲课简要 本本征征半半导导体体掺掺入入 5 价价元元素素后后，原原来来晶晶体体中中的的某某些些硅硅原原子子将将被被杂杂质质原原子子代代替替。杂杂质质原原子子最最外外层层有有 5 个个价价电电子子，其其中中 4 个个与与硅硅构构成成共共价价键键，多多余余一一个个电电子子只只受受自身原子核吸引，在室温下即可成为自由电子。自身原子核吸引，在室温下即可成为自由电子。 自由电子浓度远大于空穴的浓度，即自由电子浓度远大于空穴的浓度，即 n p 。电
6、子称为多数载流子电子称为多数载流子( (简称多子简称多子) )，空穴称为少数载流子空穴称为少数载流子( (简称少子简称少子) )。5 价杂质原子称为施主原子。价杂质原子称为施主原子。模拟电子和数字电子讲课简要+4+4+4+4+4+4+4+4+4+5自由电子自由电子施主原子施主原子图图 1.1.3N 型半导体型半导体模拟电子和数字电子讲课简要二、二、 P 型半导体型半导体+4+4+4+4+4+4+4+4+4在在硅硅或或锗锗的的晶晶体体中中掺掺入入少少量量的的 3 价价杂杂质质元元素素，如如硼、镓、铟等，即构成硼、镓、铟等，即构成 P 型半导体。型半导体。+3空空穴穴浓浓度度多多于于电电子子浓浓度
7、度，即即 p n。空空穴穴为为多多数数载载流流子子，电电子子为为少数载流子。少数载流子。3 价价杂杂质质原原子子称称为为受受主原子。主原子。受主受主原子原子空穴空穴图图 1.1.4P 型半导体型半导体模拟电子和数字电子讲课简要说明：说明：1. 掺掺入入杂杂质质的的浓浓度度决决定定多多数数载载流流子子浓浓度度；温温度度决决定少数载流子的浓度。定少数载流子的浓度。3. 杂质半导体总体上保持电中性。杂质半导体总体上保持电中性。 4. 杂质半导体的表示方法如下图所示。杂质半导体的表示方法如下图所示。2. 杂杂质质半半导导体体载载流流子子的的数数目目要要远远远远高高于于本本征征半半导导体，因而其导电能力
8、大大改善。体，因而其导电能力大大改善。( (a) )N 型半导体型半导体( (b) ) P 型半导体型半导体图图 杂质半导体的的简化表示法杂质半导体的的简化表示法模拟电子和数字电子讲课简要 在在一一块块半半导导体体单单晶晶上上一一侧侧掺掺杂杂成成为为 P 型型半半导导体体，另另一一侧侧掺掺杂杂成成为为 N 型型半半导导体体，两两个个区区域域的的交交界界处处就就形形成成了了一个特殊的薄层，称为一个特殊的薄层，称为 PN 结。结。 PNPN结结图图 PN 结的形成结的形成一、一、PN 结的形成结的形成PN结结模拟电子和数字电子讲课简要 PN 结中载流子的运动结中载流子的运动耗尽层耗尽层空间电荷区空
9、间电荷区PN1. 扩散运动扩散运动2. 扩扩散散运运动动形成空间电荷区形成空间电荷区电电子子和和空空穴穴浓浓度度差差形形成成多多数数载载流流子的扩散运动。子的扩散运动。 PN 结结，耗耗尽层。尽层。PN （动画1-3）模拟电子和数字电子讲课简要3. 空间电荷区产生内电场空间电荷区产生内电场PN空间电荷区空间电荷区内电场内电场Uho空间电荷区正负离子之间电位差空间电荷区正负离子之间电位差 Uho 电位壁垒；电位壁垒； 内电场；内电场阻止多子的扩散内电场；内电场阻止多子的扩散 阻挡层。阻挡层。4. 漂移运动漂移运动内内电电场场有有利利于于少少子子运运动动漂漂移。移。 少少子子的的运运动动与与多多子
10、子运运动动方方向向相反相反 阻挡层阻挡层模拟电子和数字电子讲课简要5. 扩散与漂移的动态平衡扩散与漂移的动态平衡扩散运动使空间电荷区增大，扩散电流逐渐减小；扩散运动使空间电荷区增大，扩散电流逐渐减小；随着内电场的增强，漂移运动逐渐增加；随着内电场的增强，漂移运动逐渐增加；当当扩扩散散电电流流与与漂漂移移电电流流相相等等时时，PN 结结总总的的电电流流等等于零，空间电荷区的宽度达到稳定。于零，空间电荷区的宽度达到稳定。对称结对称结即扩散运动与漂移运动达到动态平衡。即扩散运动与漂移运动达到动态平衡。PN不对称结不对称结模拟电子和数字电子讲课简要二、二、 PN 结的单向导电性结的单向导电性1. PN
11、PN结结结结 外加正向电压时处于导通状态外加正向电压时处于导通状态又称正向偏置，简称正偏。又称正向偏置，简称正偏。外电场方向外电场方向内电场方向内电场方向耗尽层耗尽层VRI空间电荷区变窄，有利空间电荷区变窄，有利于扩散运动，电路中有于扩散运动，电路中有较大的正向电流。较大的正向电流。PN什么是什么是PN结的单向结的单向导电性？导电性？有什么作用？有什么作用？模拟电子和数字电子讲课简要在在 PN 结加上一个很小的正向电压，即可得到较大的结加上一个很小的正向电压，即可得到较大的正向电流，为防止电流过大，可接入电阻正向电流，为防止电流过大，可接入电阻 R。2. PN PN 结结结结外加反向电压时处于
12、截止状态外加反向电压时处于截止状态( (反偏反偏) )反反向向接接法法时时，外外电电场场与与内内电电场场的的方方向向一一致致，增增强强了了内内电场的作用；电场的作用；外电场使空间电荷区变宽；外电场使空间电荷区变宽；不不利利于于扩扩散散运运动动，有有利利于于漂漂移移运运动动，漂漂移移电电流流大大于于扩扩散电流，电路中产生反向电流散电流，电路中产生反向电流 I ；由于少数载流子浓度很低，反向电流数值非常小。由于少数载流子浓度很低，反向电流数值非常小。模拟电子和数字电子讲课简要耗尽层耗尽层图图 1.1.7PN 结加反相电压时截止结加反相电压时截止 反向电流又称反向饱和电流。对温度十分敏感，反向电流又
13、称反向饱和电流。对温度十分敏感，随着温度升高，随着温度升高， IS 将急剧增大。将急剧增大。PN外电场方向外电场方向内电场方向内电场方向VRIS模拟电子和数字电子讲课简要 当当 PN 结结正正向向偏偏置置时时，回回路路中中将将产产生生一一个个较较大大的的正正向电流，向电流， PN 结处于结处于 导通状态；导通状态； 当当 PN 结结反反向向偏偏置置时时，回回路路中中反反向向电电流流非非常常小小，几乎等于零，几乎等于零， PN 结处于截止状态。结处于截止状态。 （动画1-4） （动画1-5）综上所述：综上所述：可见，可见， PN 结具有单向导电性。结具有单向导电性。模拟电子和数字电子讲课简要四、
14、四、PN结的伏安特性结的伏安特性i = f ( (u ) )之间的关系曲线。之间的关系曲线。604020 0.002 0.00400.5 1.02550i/ mAu / V正向特性正向特性死区电压死区电压击穿电压击穿电压U(BR)反反向向特特性性图图 1.1.10PN结的伏安特性结的伏安特性反向击穿反向击穿齐纳击穿齐纳击穿雪崩击穿雪崩击穿模拟电子和数字电子讲课简要五、五、PN结的电容效应结的电容效应当当PN上的电压发生变化时，上的电压发生变化时，PN 结中储存的电荷量结中储存的电荷量将随之发生变化，使将随之发生变化，使PN结具有电容效应。结具有电容效应。电容效应包括两部分电容效应包括两部分势垒
15、电容势垒电容扩散电容扩散电容1. 势垒电容势垒电容Cb是由是由 PN 结的空间电荷区变化形成的。结的空间电荷区变化形成的。( (a) ) PN 结加正向电压结加正向电压（b) ) PN 结加反向电压结加反向电压- -N空间空间电荷区电荷区PVRI+UN空间空间电荷区电荷区PRI+- -UV模拟电子和数字电子讲课简要空空间间电电荷荷区区的的正正负负离离子子数数目目发发生生变变化化，如如同同电电容容的的放电和充电过程。放电和充电过程。由由于于 PN 结结 宽宽度度 l 随随外外加加电电压压 u 而而变变化化，因因此此势势垒垒电电容容 Cb不不是是一一个个常常数数。其其 Cb = f ( (U) )
16、 曲线如图示。曲线如图示。OuCb图图 1.1.11（b)模拟电子和数字电子讲课简要2. 扩散电容扩散电容 Cd Q是由多数载流子在扩散过程中积累而引起的。是由多数载流子在扩散过程中积累而引起的。在在某某个个正正向向电电压压下下，P 区区中中的的电电子子浓浓度度 np( (或或 N 区区的的空空穴穴浓浓度度 pn) )分布曲线如图中曲线分布曲线如图中曲线 1 所示。所示。x = 0 处处为为 P 与与 耗耗尽层的交界处尽层的交界处当当电电压压加加大大，np ( (或或 pn) )会会升升高高，如曲线如曲线 2 所示所示( (反之浓度会降低反之浓度会降低) )。OxnPQ12 Q当当加加反反向向
17、电电压压时时，扩扩散散运运动动被被削削弱弱，扩散电容的作用可忽略。扩散电容的作用可忽略。 Q正正向向电电压压变变化化时时，变变化化载载流流子子积积累累电电荷荷量量发发生生变变化化，相相当当于于电电容容器器充充电电和和放电的过程放电的过程 扩散电容效应。扩散电容效应。PNPN 结结模拟电子和数字电子讲课简要综上所述：综上所述：PN 结总的结电容结总的结电容 Cj 包括势垒电容包括势垒电容 Cb 和扩散电容和扩散电容 Cd 两部分。两部分。Cb 和和 Cd 值值都都很很小小，通通常常为为几几个个皮皮法法 几几十十皮皮法法， 有些结面积大的二极管可达几百皮法。有些结面积大的二极管可达几百皮法。当反向
18、偏置时，势垒电容起主要作用，可以认为当反向偏置时，势垒电容起主要作用，可以认为 Cj Cb。一般来说，当二极管正向偏置时，扩散电容起主要作一般来说，当二极管正向偏置时，扩散电容起主要作用，即可以认为用，即可以认为 Cj Cd；在信号频率较高时，须考虑结电容的作用。在信号频率较高时，须考虑结电容的作用。模拟电子和数字电子讲课简要 1.1 1.1 数字电路的基本概念数字电路的基本概念5V(V)0t(ms)1020304050数字信号在电路中常表现为突变的电压或电流。数字信号在电路中常表现为突变的电压或电流。 一、模拟信号与数字信号一、模拟信号与数字信号模拟信号模拟信号时间连续数值也连续的信号。如速
19、度、压时间连续数值也连续的信号。如速度、压力、温度等。力、温度等。数字信号数字信号在时间上和数值上均是离散的。如电子表在时间上和数值上均是离散的。如电子表的秒信号，生产线上记录零件个数的记数信号等。的秒信号，生产线上记录零件个数的记数信号等。模拟电子和数字电子讲课简要 有两种逻辑体制：有两种逻辑体制： 正逻辑体制规定：高电平为逻辑正逻辑体制规定：高电平为逻辑1，低电平为逻辑，低电平为逻辑0。 负逻辑体制规定：低电平为逻辑负逻辑体制规定：低电平为逻辑1，高电平为逻辑，高电平为逻辑0。 下图为采用正逻辑体制所表的示逻辑信号：下图为采用正逻辑体制所表的示逻辑信号：二、正逻辑与负逻辑二、正逻辑与负逻辑
20、 数字信号是一种二值信号，用两个电平（高电平和低电数字信号是一种二值信号，用两个电平（高电平和低电平）分别来表示两个逻辑值（逻辑平）分别来表示两个逻辑值（逻辑1和逻辑和逻辑0）。）。 逻辑逻辑0 逻辑逻辑0 逻辑逻辑0 逻辑逻辑1 逻辑逻辑1 模拟电子和数字电子讲课简要 三、数字信号的主要参数三、数字信号的主要参数 一个理想的周期性数字信号，可用以下几个参数来描绘：一个理想的周期性数字信号，可用以下几个参数来描绘： Vm信号幅度。信号幅度。 T信号的重复周期。信号的重复周期。 tW脉冲宽度。脉冲宽度。 q占空比。其定义为：占空比。其定义为： 5V(V)0t(ms)twTVm模拟电子和数字电子讲
21、课简要 图中所示图中所示为三个周期相为三个周期相同同（T T=20ms=20ms），），但幅度、脉冲但幅度、脉冲宽度及占空比宽度及占空比各不相同的数各不相同的数字信号。字信号。模拟电子和数字电子讲课简要 1.2 1.2 数数 制制 将二进制数将二进制数10011.10110011.101转换成十进制数。转换成十进制数。 解：解：将每一位二进制数乘以位权，然后相加，将每一位二进制数乘以位权，然后相加，可得可得 (10011.101)(10011.101)B B12124 402023 302022 212121 112120 01212 1 102022 212123 3 （19.625)19.
22、625)D D一、几种常用的计数体制一、几种常用的计数体制 1.1.十进制十进制(Decimal)(Decimal) 2. 2.二进制二进制(Binary)(Binary) 3. 3.十六进制十六进制(Hexadecimal)(Hexadecimal)与八进制（与八进制（OctalOctal）二、不同数制之间的相互转换二、不同数制之间的相互转换 1 1二进制转换成十进制二进制转换成十进制模拟电子和数字电子讲课简要 将十进制数将十进制数2323转换成二进制数。转换成二进制数。解：解： 用用“除除2 2取余取余”法转换法转换: : 2.2.十进制转换成二进制十进制转换成二进制则（则（23)23)D
23、 D = =（10111)10111)B B模拟电子和数字电子讲课简要 1.3 1.3 二二十进制码（十进制码（ BCD BCD码）码） BCDBCD码码用二进制代码来表示十进制的用二进制代码来表示十进制的0 09 9十个数。十个数。 要用二进制代码来表示十进制的要用二进制代码来表示十进制的09十个数，至少要用十个数，至少要用4位二进制数。位二进制数。 4位二进制数有位二进制数有16种组合，可从这种组合，可从这16种组合中选择种组合中选择10种种组合分别来表示十进制的组合分别来表示十进制的09十个数。十个数。 选哪选哪10种组合，有多种方案，这就形成了不同的种组合，有多种方案，这就形成了不同的
24、BCD码。码。模拟电子和数字电子讲课简要位权位权0123456789十进制数十进制数8 4 2 10 0 0 00 0 0 10 0 1 00 0 1 10 1 0 00 1 0 10 1 1 00 1 1 11 0 0 01 0 0 18421码码2 4 2 10 0 0 00 0 0 10 0 1 00 0 1 10 1 0 01 0 1 11 1 0 01 1 0 11 1 1 01 1 1 12421码码0 0 1 10 1 0 00 1 0 10 1 1 00 1 1 11 0 0 01 0 0 11 0 1 01 0 1 111 0 00 0 0 00 0 0 10 0 1 00
25、0 1 10 1 0 01 0 0 01 0 0 11 0 1 01 0 1 111 0 05 4 2 15421码码无权无权余余3码码 常用常用BCDBCD码码模拟电子和数字电子讲课简要 1.4 1.4 数字电路中的二极管与三极管数字电路中的二极管与三极管(1)(1)加正向电压加正向电压V VF F时，二极管导通，管压降时，二极管导通，管压降V VD D可忽略。二极可忽略。二极管相当于一个闭合的开关。管相当于一个闭合的开关。一、二极管的开关特性一、二极管的开关特性1 1二极管的静态特性二极管的静态特性模拟电子和数字电子讲课简要 可可见见，二二极极管管在在电电路路中中表表现现为为一一个个受受外
26、外加加电电压压vi控控制制的的开开关关。当当外外加加电电压压vi为为一一脉脉冲冲信信号号时时，二二极极管管将将随随着着脉脉冲冲电电压压的的变变化化在在“开开”态态与与“关关”态态之之间间转转换换。这这个个转转换换过过程程就就是二极管开关的动态特性。是二极管开关的动态特性。(2)(2)加反向电压加反向电压V VR R时，二极管截止，反向电流时，二极管截止，反向电流I IS S可忽略。二可忽略。二极管相当于一个断开的开关。极管相当于一个断开的开关。模拟电子和数字电子讲课简要2 2二极管开关的动态特性二极管开关的动态特性 给二极管电路加入给二极管电路加入一个方波信号，电流的一个方波信号，电流的波形怎
27、样呢？波形怎样呢？ts为存储时间，为存储时间，tt称为渡越时间。称为渡越时间。trets十十tt称为反向恢复时间称为反向恢复时间模拟电子和数字电子讲课简要反向恢复时间：反向恢复时间：t treret ts s十十t tt t产生反向恢复过程的原因：产生反向恢复过程的原因：反向恢复时间反向恢复时间t trere就是存储电荷消散所需要的时间。就是存储电荷消散所需要的时间。 同理，二极管从截止转为正向导通也需要时间，这段时同理，二极管从截止转为正向导通也需要时间，这段时间称为开通时间。开通时间比反向恢复时间要小得多，一般间称为开通时间。开通时间比反向恢复时间要小得多，一般可以忽略不计。可以忽略不计。
28、模拟电子和数字电子讲课简要 二、三极管二、三极管的开关特性的开关特性1 1三极管的三种工作状态三极管的三种工作状态 （1 1）截止状态：）截止状态：当当V VI I小于三极管发射结死区电压时，小于三极管发射结死区电压时，I IB BI ICBOCBO00， I IC CI ICEOCEO00，V VCECEV VCCCC，三极管工作在截止区，对应图中的，三极管工作在截止区，对应图中的A A点。点。 三极管工作在截止状态的条件为：发射结反偏或小于死区电压三极管工作在截止状态的条件为：发射结反偏或小于死区电压模拟电子和数字电子讲课简要工作状态工作状态截截 止止放放 大大饱饱 和和条条 件件工工作作
29、特特点点偏值情况偏值情况集电极电集电极电流流管压降管压降近似的等近似的等效电路效电路C、E间等间等效电阻效电阻 三种工作状态比较三种工作状态比较发射结电压发射结电压死区电压死区电压发射结正偏发射结正偏集电结反偏集电结反偏发射结正偏发射结正偏集电结正偏集电结正偏很大很大相当开关断开相当开关断开可变可变很小很小相当开关闭合相当开关闭合模拟电子和数字电子讲课简要 2 2三极管的动态特性三极管的动态特性（1）延迟时间）延迟时间td从从vi正跳变正跳变的瞬间开始，到的瞬间开始，到iC上升到上升到ICS所需的时间所需的时间 （2）上升时间）上升时间triCICSICS所所需的时间。需的时间。（3）存储时间
30、）存储时间ts从从vi下跳变下跳变的瞬间开始，到的瞬间开始，到iCICS所需的所需的时间。时间。（4）下降时间）下降时间tfCICSICS所需所需的时间。的时间。 开通时间开通时间ton= td +tr关断时间关断时间toff= ts +tf模拟电子和数字电子讲课简要一、基本逻辑运算一、基本逻辑运算设：开关闭合设：开关闭合=“1”=“1” 开关不闭合开关不闭合=“0”=“0” 灯亮，灯亮，L=1L=1 灯不亮，灯不亮，L=0 L=0 1.5 1.5 基本逻辑运算基本逻辑运算 与与逻逻辑辑只只有有当当决决定定一一件件事事情情的的条条件件全全部部具具备备之之后后，这件事情才会发生。这件事情才会发生
31、。1 1与运算与运算与逻辑表达式：与逻辑表达式：AB灯灯L不闭合不闭合不闭合不闭合闭合闭合闭合闭合不闭合不闭合闭合闭合不闭合不闭合闭合闭合不亮不亮不亮不亮不亮不亮亮亮0101BLA0011输输 入入0001输出输出 与逻辑真值表与逻辑真值表模拟电子和数字电子讲课简要2 2或运算或运算或逻辑表达式：或逻辑表达式： LA+B 或或逻逻辑辑当当决决定定一一件件事事情情的的几几个个条条件件中中，只只要要有有一一个或一个以上条件具备，这件事情就发生。个或一个以上条件具备，这件事情就发生。AB灯灯L不闭合不闭合不闭合不闭合闭合闭合闭合闭合不闭合不闭合闭合闭合不闭合不闭合闭合闭合不亮不亮亮亮亮亮亮亮0101
32、BLA0011输输 入入0111输出输出 或逻辑真值表或逻辑真值表模拟电子和数字电子讲课简要3 3非运算非运算非逻辑表达式：非逻辑表达式： 非非逻逻辑辑某某事事情情发发生生与与否否，仅仅取取决决于于一一个个条条件件，而而且且是是对对该该条条件件的的否否定定。即即条条件件具具备备时时事事情情不不发发生生；条件不具备时事情才发生。条件不具备时事情才发生。A灯灯L闭合闭合不闭合不闭合不亮不亮亮亮LA0110非逻辑真值表非逻辑真值表模拟电子和数字电子讲课简要 二、其他常用逻辑运算二、其他常用逻辑运算 2 2或非或非 由或运算和非由或运算和非运算组合而成。运算组合而成。 1 1与非与非 由与运算由与运算
33、 和和非运算组合而非运算组合而成。成。0101BLA0011输输 入入1110输出输出 “与与非非”真值真值表表0101BLA0011输输 入入1000输出输出 “或或非非”真值真值表表模拟电子和数字电子讲课简要3 3异或异或 异或是一种二变量逻辑运算，当两个变量取值相同时，逻异或是一种二变量逻辑运算，当两个变量取值相同时，逻辑函数值为辑函数值为0 0；当两个变量取值不同时，逻辑函数值为；当两个变量取值不同时，逻辑函数值为1 1。0101BLA0011输输 入入0110输出输出 “异或异或”真值真值表表异或的逻辑表达式为：异或的逻辑表达式为：模拟电子和数字电子讲课简要 1.6 1.6 逻辑函数
34、及其表示方法逻辑函数及其表示方法解：第一步：设置自变量和因变量。解：第一步：设置自变量和因变量。 第二步：状态赋值。第二步：状态赋值。 对于自变量对于自变量A、B、C设：设： 同意为逻辑同意为逻辑“1”， 不同意为逻辑不同意为逻辑“0”。 对于因变量对于因变量L设：设： 事情通过为逻辑事情通过为逻辑“1”， 没通过为逻辑没通过为逻辑“0”。一、逻辑函数的建立一、逻辑函数的建立 三个人表决一件事情，结果按三个人表决一件事情，结果按“少数服从多数少数服从多数”的原则决定，试的原则决定，试建立该逻辑函数。建立该逻辑函数。第三步：根据题义及上述规定第三步：根据题义及上述规定 列出函数的真值表。列出函数
35、的真值表。0 0 00 0 10 1 00 1 11 0 01 0 11 1 01 1 1A B C00010111 L三人表决电路真值表三人表决电路真值表模拟电子和数字电子讲课简要 一一般般地地说说，若若输输入入逻逻辑辑变变量量A、B、C的的取取值值确确定定以以后后，输输出出逻逻辑辑变变量量L的的值值也也唯唯一一地地确确定定了了，就就称称L是是A、B、C的的逻逻辑辑函函数数，写作：写作： L=f（A，B，C） 逻逻辑辑函函数数与与普普通通代代数数中中的的函函数数相相比比较较，有有两两个个突出的特点：突出的特点：（1 1）逻辑变量和逻辑函数只能取两个值）逻辑变量和逻辑函数只能取两个值0 0和和1 1。（2 2）函函数数和和变变量量之之间间的的关关系系是是由由“与与”、“或或”、“非非”三种基本运算决定的。三种基本运算决定的。模拟电子和数字电子讲课简要
