《陶瓷电容与钽质电容及电解电容简介课件》由会员分享,可在线阅读,更多相关《陶瓷电容与钽质电容及电解电容简介课件(91页珍藏版)》请在金锄头文库上搜索。
1、一.電容概述1.電容結構自1746年荷蘭科學家發現電容以來,經過不斷的發展,電容種類已經非常豐富,但其基本結構仍然保持不變,如下圖所示:电容用于存储電荷 ,它只能允许交流电经过,直流电被阻挡。在电路中,通常用于调谐、滤波、极间耦合等方面,是主要元件之一。12.容值、電壓、電量關係 當對電容進行充電時,兩個電極分別聚集了等量 的正負電荷,從而在兩極之間產生一個電壓,電壓與電量的關係可以用如下公式表示: Q=CVV表示電容兩極之間的電壓Q表示電容兩極閒的電荷,單位是庫侖,1庫侖=61019個電荷。C是電容的容值,是一個常數。23.电容的分类与符号按电容量可否调整分为:固定电容器、可变电容器和微调电
2、容器固定电容可变电容微调电容电解电容按所用介质不同分为:有机介质电容器、无机介质电容器、电解电容器和空气介质电容器等。按用途分有:高频旁路、低频旁路、滤波、调谐、高频耦合、低频耦合、小型电容器。按电容有無極性分为:無極性電容和有極性電容兩大類 3电容器的单位是法拉(F),常用单位还有微法(F)、纳法(nF)和皮法(pF),换算:1F=106F=109 nF=1012 pF4.电容器的单位与标示电容器的标识方法有三种:直标法:直接标注在表面,如果数字是整数,则单位是pF;数字带小数点,单位是F。文字符号法:用文字与数字混合标注,若字母在中央,则充当小数点。色标法:与电阻相同,读取方向由电容体 引
3、脚。4电容器的参数标称容量:在外壳上标明的,由国家规定的电容器电容量的标准值。允许误差范围:实际电容量与标称电容量的允许最大偏差范围,分三级I-5%,II-10%,III-20%。额定工作电压:在允许的环境温度范围内,能够长期施加在电容器上的最大电压有效值称为额定电压(一般为直流电压)。温度系数:在一定温度范围内,温度每变化1,电容量的相对变化值。绝缘电阻:指两个电极间绝缘介质的电阻,越大越好。损耗:在电场的作用下,电容器在单位时间内发热而消耗的能量。频率特性:电容器的电参数随电场频率而变化的性质。等效串聯阻抗:對非理想電容,其內部電極與端電極之間存在的電阻值.51.定义:片式多层瓷介电容器(
4、MLCC)-简称片式电容器,是由印好电极(内电极)的陶瓷介质膜片以错位的方式叠合起来,经过一次性高温烧结形成陶瓷芯片,再在芯片的两端封上金属层(外电极),从而形成一个类似独石的结构体,故也叫独石电容器。二、片式多层瓷介电容器(MLCC)62.1 尺寸根據EIA分法有13种通用的SIZE:英制:01005, 0201, 0402, 0603, 0805, 1206, 1210, 1805, 1808, 1812, 1825, 2220, 2225公制:0402, 0603, 1005, 1608, 2012, 3216, 3225, 4512, 4520, 4532, 4564, 5650, 5
5、6642.2外形7结构主要包括三大部分:陶瓷介质,金属内电极,金属外电极。而多层片式陶瓷电容器它是一个多层叠合的结构,是由多个简单平行板电容器的并联体。3.结构8内部構造9電極材質10 陶瓷是一个绝缘体,而作为电容器介质用的陶瓷除了具有绝缘特性外,还有一个很重要的特性:就是极化。即它在外加电场的作用下,正负电荷会偏离原有的位置,从而表现出正负两个极性。绝缘体的极化特性我们一般用介电常数来表示,即介质的K值。4.陶瓷介质的特性下面例举不同材料的介电常数:真空: 1.0 空气: 1.004纸: 46玻璃: 3.719三氧化二铝(Al2O3): 9钛酸钡(BaTiO3): 1500结构陶瓷: 102
6、0000115.瓷介的分类陶瓷是一种质硬、性脆的无机烧结体,一般分为两大类:功能陶瓷和结构陶瓷。用来制造片式多层瓷介电容(MLCC)的陶瓷是一种结构陶瓷,是电子陶瓷,也叫电容器瓷。1)照EIA三級分類,有五种通用的介質,COG(NPO),X7R,X5R, Z5U,Y5V类电容器瓷(COG),它是順電材料类电容器瓷(X7R、 X5R 、),它是鉄電物質材料类电容器瓷( Y5V、Z5U ),它是鉄電物質材料 126.瓷介代号陶瓷介质的代号是按其陶瓷材料的温度特性来命名的。目前国际上通用美国EIA标准的叫法,用字母来表示。常用的几种陶瓷材料的含义如下:Y5V:温度特性Y代表 25; 5代表85; 温
7、度系数V代表 80 30 Z5U:温度特性Z代表 10; 5代表85; 温度系数U代表 56 22 X5R: 溫度特性X代表-55C; 5代表+85 溫度係數R代表 15 X7R:温度特性X代表 55; 7代表125 温度系数R代表 15 NPO:温度系数是30ppm/(-55125)137.电气特性电容量:电容量的大小表示电容器贮存电荷的能力。7-1.电容量(C)14MLCC介質厚度和層數的發展15MLCC介質常數k與溫度穩定性1.介質常數k越高, MLCC体極效率越高;但介質常數k增加時,溫度穩定性変差;2.如下所示為COG, Z5U,X7R,Y5V介質的MLCC介 質常數與溫度,容值與溫
8、度的曲綫圖:16 由圖可知,EIA 類順電材料介質COG(NPO),它的介質常數k几乎不隨溫度變動,EIA 類鉄電材料介質X7R的介質常數變動不大, EIA 類鉄電材料介質Z5U,Y5V,溫度越高,介質常數K變小.17影響電介常數k的因素電介質有4种基本的極化結構:電子,原子,偶極或方向性,空間電荷EIA 類電介質是電子或原子支配的極化結構;它可以獲的優秀的溫度穩定性和低的k值(580),很低的損耗.EIA / 類是偶極或方向性支配的極化結構;它可以獲的最高介電常數k.例如:BaTiO3有高的k值,适合x7r電介質.18MLCC 制造流程19影響電容量的因素:片式电容器的电容量除了由它本身的设
9、计与材料特性所决定外,在很大程度下同它的测试条件、温度、电压和频率有很大的关系。20電容量與溫度的關係:温度是影响电容器电容量的一个重要因素,我们把电容量同温度的这种关系特性叫做电容器的温度特性(Temperature Coefficient)。对于较为稳定的类电容器,其影响相对较小,几乎没有变化;对于类电容器,其影响相对较大。21电容量与直流电压的关系:在电路的实际应用中,电容器两端可能要放加一个直流电压,我们把电容器的这种情况下的特性叫做直流偏压特性。对于较为稳定的类电容器,其影响相对较小,几乎没有变化;对于类电容器,其影响相对较大。介质厚度越厚,产品的偏压特性就越好。22电容量与交流电压
10、的关系:类电容器的交流特性比较好,基本不随施加电压的变化而变化。但是,对于类电容器,其容量基本是随所加电压的升高而加速递升的,特别X7R此特性比较明显。交流特性图23电容量与工作频率的关系:对于类电容器其应用频率的增加,它的容值不会有什么变化,但对于类电容器,容值下降较为明显。电容量与频率的关系曲线图24频率响应(串联谐振)25频率响应(并联谐振):267-2.绝缘電阻(IR)体内漏电流:在电介质中通常或多或少存在正、负离子,这些离子在电场作用下将定向迁移,形成离子电流,我们称之为体内漏电流。表面漏电流:在电容器的表面,也会或多或少地存在正负离子,这些离子在外电场的作用下,会发生定向迁移,形成
11、表面漏电流。电容器的漏电流:是陶瓷介质中体内漏电流与芯片表面的漏电流两部分组成。介质的绝缘电阻:加在介质两端的电压和漏电流之比称之为介质的绝缘电阻,即 电容器的绝缘电阻除了同其本身所固有介质特性相關外,同外界环境温度、湿度等有很大的关系。 温度升高时,瓷介的自由离子增多,漏电流急剧增加,介质绝 缘电阻迅速降低。 湿度对电容器电性能影响最大,会因表面吸潮使表面绝缘电阻 下降。277-3.损耗(DF)DF损亦称损失角正切:因为电容用于交流电路中时会在电路中产生一个相位角,此相位角的余角即为损失角。DF=tanDF(耗散因素)用来表明电容将输入功率转化为热量的百分()28介质损耗同温度的关系:介质损
12、耗同温度的关系曲线图29介质损耗同交流电压/密尔厚度的关系:介质损耗同交流电压/密尔厚度的关系曲线图30介质损耗同频率的关系介质损耗同频率的关系曲线图317-4.等效串联电阻ESR: ESR:ESR的损耗由介质损耗(Rsd)和金属损耗(Rsm)两部分组成。即:ESR = Rsd + Rsm32MLCC等效電路33ESR對電路的影響34交域下之電容器等效電如右圖;其中等效電阻(RS),將會隨同頻而有所改變。各頻點之等效電阻(ESR)如右曲線圖所示。ESR越高,通過電所消耗功亦越高,元件越容發熱。隨著疊層層增加,容值亦增加ESR隨著並而下。MLCC相同設計下,容值越高,ESR越低,Ripple C
13、urrent特性越好。357-5.品质因素(Q)品质因素:Q值就是介质损耗DF的倒数。即:Q = 1/DF。一般高Q即具备低ESR的特性。在设计时,高频下我们应考虑ESR和Q值对电路设计的影响;低频下应考虑损耗(DF)对电路设计的影响。367-6.耐电压(DWV)电容器的耐电压:是指电容器的陶瓷介质在工作状态中能够承受的最大电压,即击穿电压,也就是电容器的极限电压电容器的标称电压即电容器的工作电压,标称电压一般是相对于直流来说的。而电容器的耐电压常规也是相对直流来说的,但有时也常用交流来表示。电容器的标称电压远远低于其瓷介的耐电压。标称电压远远低于芯片的耐电压。比如,1206B102K101N
14、T其标称电压为100V,也就是其工作直流电压要低于100V,而实际上其耐电压直流可达1200V左右;交流可达500V左右。378.應用其中高容量,低ESR,ESL的X7R MLCC電容堆,主要用于開關電源的濾波,低ESL允許在高頻濾波38三、鉭質電容定義:钽电解电容是用金属钽作电极、氧化钽作介质的电容器,其示意圖如下特点:化学稳定性高,额定耐压高,耐高温性能好,机械强度高,体积小。 1.定義 2.外形393.各种類型的鉭電容結構1)二氧化錳鉭電容( MnO2 )402)有機聚合体鉭電容(KO)413)鋁有機聚合体鉭電容(AO)42鉭電容的制造流程1)制壓陰極432)焊接陽極444.各類型鉭電容
15、特性n鉭電容具有低的ESR,低的漏電流,no ignition failure mode,高的溫度穩定性;在ESR,no ignition failure mode方面,KO和AO具有更佳的表現.454.鉭質電容的基本電氣參數4.1 Cp(Capacitance)容值 一般電解電容器的電容量範圍為其容量从0.47uF到1000uF , 測試頻率為120Hz。 4.2電容值誤差Tolerance 4.3 D.F(Disspation Factor) 損失因素4.4 UR(Voltage Rating) 額定電壓 电容器在电路中能够长期稳定、可靠工作,所承受的最大直流 电压。額定電壓压主要有6.3
16、V、10V、16V、63V几种。 4.5 LC(Leakage Current)漏電流4.6 ESR(Equivalent Series Resistance)等效串聯阻抗4.7 RC(Ripple Current)紋波/濾波電流 常指微小的脈沖電流,表示其在電路中之耐沖擊性能。465.溫度及頻率特性鉭質電容的以上電氣參數通常規定在20,120Hz條件下測得,它們隨溫度及頻率的變化而變化。5.1溫度對參數的影響溫度升高,Cp值及LC會增大47溫度對容量的影響:溫度升高,Cp值增大48溫度對漏電流的影響:溫度升高,LC值增大495.2頻率對參數的影響頻率升高,Cp值及ESR值會減小,但DF會增大
17、50頻率對ESR的影響:頻率升高,ESR值減小51頻率對損失因素的影響:頻率升高,DF值會增大526.貼片鉭質電容使用注意事項反相電壓不允許 鉭質電容有極性,有絲印的一方為正極,插入時要確認極性的正確性。過壓 不要提供超過額定電壓最大值的電壓,即如圖所示:脈沖電壓的峰值加上直流電壓之和不要超過電容本身的額定電壓。53脈沖電流 不要提供超過規格最大值的脈沖電流產品在長時間放置之后,在使用之前一定要確認是 否有反常現象54四.鋁電解電容Aluminum CAP1.鋁電解電容有液態和固態兩類,固態又有OS-Con和聚合体兩類.2.液態鋁電解電容的結構553.等效線路564.固態鋁電解電容1)OS-C
18、on鋁電解電容結構,該類電容的電解液為固態電解液572)鋁聚合體電解電容結構該類電容的電解液為固態電解液(聚合体電解液).585.鋁電解電容的特性鋁電解電容具有高容值,高的額定電壓,較小的ESR值,較小的漏電流.固態鋁電解電容和鋁聚合體電解電容具有更小的ESR值,更佳的溫度穩定性.596.電解電容的基本電氣參數 :5.1 Cp(Capacitance)容值 一般電解電容器的電容量範圍為0.47uF-10000uF, 測試頻率為120Hz。5.2 (Tolerance)電容值誤差Tolerance 一般電解電容器的電容值誤差範圍為M 即 +/-20% 5.3 D.F(Disspation Fac
19、tor) 損失因素 一般電解電容器因為內阻較大故D值較高, 其規格視電容值高低決定, 為0.1-0.24以下。 5.4 UR ( Voltage Rating) 額定電壓 电容器在电路中能够长期稳定、可靠工作,所承受的最大直流 电压。对于结构、介质、容量相同的器件,耐压越高,体积越大。5.5 LC(Leakage Current)漏電流 在規定的環境溫度中,最大連續直流電壓下通過電容的電流。此為電解電容器之特定規格, 一般以電容器本身額定電壓加壓3 Min後, 串接電流表測試, 其漏電流量需在0.01CV ( uF電容量值與額定電壓相乘積) 或3uA以下 (取其較大數值)。特定低漏電流量使用
20、(Low leakage type) 則其漏電流量需在0.002CV或0.4uA以下。605.6 ESR(Equivalent Series Resistance)等效串聯阻抗 對非理想電容,其內部電極與端電極之間存在的電阻值,它表 示轉化成熱能的損失量。 ESR=DF/2fc5.7 DS(Dielectric Strength)耐電壓 電容的選擇,其耐電壓應大於電路所要求的電壓。 注意:但對電解電容而言,高耐電壓值的電容用於低電壓電路 中,額定電容量會減少。如一個5V電源電路中用50V額定電壓 的電容,其電容量約減少一半。5.8 SV(Surge Voltage)浪涌電壓 給其加的一個沖擊電
21、壓(一般為1.3倍RV,充放電1000個循環)617.溫度及頻率特性:電解電容的以上電氣參數通常規定在20,120Hz條件下測得,它們隨溫度及頻率的變化而變化.7.1溫度對參數的影響A.溫度升高,Cp值及LC會增大,但ESR會減小.B.溫度降低,Cp值及LC會減小,但ESR會增大.62溫度對容量的影響:溫度升高,Cp值增大63溫度對ESR的影響:溫度升高,ESR值減小64溫度對漏電流的影響:溫度升高,LC值增大65溫度對損失因素的影響:溫度升高,DF值減小667.2 頻率對參數的影響A. 頻率升高,Cp值及阻抗會減小,但DF會增大.B. 頻率降低,脈衝電流產生熱量增加將導致ESR增大678.貼
22、片電解電容使用注意事項8.1 反相電壓不允許 電解電容有極性,黑色絲印的一方為負極,插入 時要確認極性的正確性8.2 充/放電使用 標准的電解電容不適合重複充/放電使用8.3 過壓 不要提供超過規格電壓最大值的電壓8.4 脈沖電流 不要提供超過規格最大值的脈沖電流68五、电容器的特性比较表69电容器的性能比较表类型典型介质吸收优点缺点NPO陶瓷电容器吸收0.1%外型尺寸小、价格便宜、稳定性好、电容值范围宽、 销售商多、电感低通常电容值很低,但又无法限制到很小的数值(10nF)单片陶瓷电容器0.2%电感低、电容值范围宽稳定性差、DA性能差、电压系数高铝电解电容器很高电容值高、电流大、电压高、尺寸
23、小泄漏大、通常有极性、稳定性差、精度低钽电解电容器很高尺寸小、电容值大、电感适中泄漏很大、通常有极性、价格贵、稳定性差、精度差70MLCC與鉭質电容的頻率特性及溫度特性比较71电容器的Z值比较表72电容器的ESR的频率特性比较表73去紋波能力比較(Input pulse 1MHz)74去紋波能力比較(Input pulse 500KHz)756.電容的失效模式1.液態電解電容失效模式主要有:電極損壞,焊接過熱電解液蒸發,漏電流變大,DF,ESR,Z變大等762.MLCC電容失效模式主要有:變形破裂,短路,IR值變小,漏電流,ESR,DF值變大等773.鋁聚合體鉭電容失效模式主要有:短路,容值,
24、IR變小,ESR,DF變大等78 7.電容器的選用陶瓷電容的應用適用頻率 :1KHz-1GHz, 主要應用在耦合,去耦,波形整形,旁路,諧振等電路.鉭質電容的應用適用頻率 :1Hz-1GHz,電容主要應用在濾波,低頻旁路的電路.鋁質電容的應用適用頻率 :1Hz-5KHz,主要應用在電源濾波電路.79電容應用實例1)耦合:如下所示的晶體管放大電路的極之間,以起到交流信號的耦合傳輸.802)去耦可以去掉射頻噪聲,RC的延遲,信號的droop,IC電源電壓的傳遞,補充.如后所示:A.)射頻噪聲813.RC的延遲824.信號的droop835.IC電源電壓的傳遞,能量補充84以下為用於IC電源電壓的傳
25、遞,補充的電容放置原則:856.波形整形867.濾波濾波有頻率選擇性濾波和AC平滑性濾波.頻率選擇性濾波有低通慮波,高通慮波, 帶通慮波.AC平滑性濾波是抑制從低到尖峰的脈波A.)低通慮波87B.) AC平滑濾波888.電容與電壓,電流紋波1.PWM開關電源充,放電電路如圖:892.電容ESR影響充,放電1)電容ESR抑制電容充電與放電:開關閉合,電流導通對電容充電,由於ESR會有電壓drop的原因,在電容兩端會得到低一些的充電電壓Vc=VL(closed)-VESR;開關斷開時,電容輸出電壓;開關斷開時,電容輸出電壓由於由於ESR的存在,也會產生一個壓降,的存在,也會產生一個壓降,VO=VC-VESR。ESR懟紋波的影響如下圖所示:懟紋波的影響如下圖所示:90電容ESL對紋波的影響ESL感應電壓尖峰(spikes):在電容充放電進行切換的過程中,電容電流方向也在切換,在電容ESL端會感應到尖峰電壓V=Ldi/dt.Induced by Ldi/dt 91