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1、第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏第3次课常用电子元器件第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应用 v2.1 2.1 电阻器电阻器v2.2 2.2 电容器电容器 v2.3 2.3 电感器电感器v2.4 2.4 晶体管晶体管v2.5 2.5 表面贴装元器件表面贴装元器件v2.6 2.6 光电耦合器光电耦合器v2.7 2.7 继电器继电器v2.8 2.8 功率驱动功率驱动v2.9 2.9
2、显示器件显示器件第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏2.3 电感器电感器v2.3.1 2.3.1 电感器在电子电路中的应用电感器在电子电路中的应用1.1.直流电源滤波直流电源滤波2.2.高频滤波高频滤波3.3.谐振电路谐振电路4.4.振荡器振荡器5.5.陷波器陷波器6.6.高频补偿高频补偿第第3次课次课第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏v2.3.1 2.3.1 电感器在电子电路中的应用电感器在电子电路中的应用7 7. .阻抗匹配阻抗匹配8
3、.8.延迟线延迟线9.9.耦合与隔直耦合与隔直10.10.形成磁场形成磁场11.11.电源滤波器电源滤波器第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏v2.3.2 2.3.2 电感器的主要技术参数电感器的主要技术参数1.1.标称电感量标称电感量2.2.允许误差允许误差3.3.额定工作电流额定工作电流4.4.品质因数品质因数5.5.分布电容分布电容第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏v2.3.3 2.3.3 电感器的种类电感器的种类1.1.立式密封固
4、定电感器立式密封固定电感器2.2.卧式密封固定电感器卧式密封固定电感器3.3.可调电感器可调电感器4.4.磁珠磁珠第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏 固定电感固定电感 可变电感可变电感第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏 变压器变压器脉冲变压器脉冲变压器匹配变压器匹配变压器阻抗变换变压器阻抗变换变压器电源变压器电源变压器第第2
5、 2部分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏v2.3.4 2.3.4 电感器的应用电感器的应用1.1.根据电路要求选用电感器根据电路要求选用电感器2.2.据误差要求，按系列值选用电感器据误差要求，按系列值选用电感器3.3.电流值要减额电流值要减额4.4.注意品质因数注意品质因数 Q Q值值5.5.在在LCLC去耦时，考虑直流电阻去耦时，考虑直流电阻6.6.感抗感抗 X XL L=2=2fLfL7.7.感性负载驱动感性负载驱动第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年
6、夏年夏图2.3.14 感性负载的驱动第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏补充补充-元件值的表示方法元件值的表示方法容量：容量：精度：精度：5耐压：耐压：63V阻值：阻值：精度：精度：5功率：功率：5W 直标直标第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏 数码数码- 有效数字有效数字- “0”的个数的个数阻值：阻值：精度：精度： 5%容量：容量：精度：精度：20%耐压：耐压：1000V第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应用（2
7、 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏 色码色码颜色颜色数字数字倍率倍率偏差偏差(%)棕棕红红橙橙黄黄绿绿蓝蓝紫紫灰灰白白黑黑无色无色银银金金第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏阻值：阻值：精度：精度：5阻值：阻值：精度：精度：2第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏习惯标识习惯标识电容电容省略省略F用用无倍率符号表示无倍率符号表示电阻电阻省略省略用用无倍率符号表示无倍率符号表示电感通常不省略电感通常不省略第第2 2部分部分 常用
8、电子元器件的应用常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏补充补充-连接器连接器1. 矩形连接器矩形连接器2. D形连接器形连接器第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏3. IC插座插座4. 压接端子排压接端子排第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏5. 插接端子排插接端子排6. 跳线开关跳线开关第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏2.
9、4 2.4 晶体管晶体管v2.4.1 2.4.1 硅二极管和硅整流桥硅二极管和硅整流桥1 1硅整流二极管硅整流二极管硅硅整整流流二二极极管管除除主主要要用用于于电电源源电电路路做做整整流流元元件件外外，如如图图2.4.12.4.1所所示示还还可可以以做做限限幅幅、钳钳位、保护、隔离等多种灵活应用。位、保护、隔离等多种灵活应用。返回返回返回返回第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏图图（c c）中中J J为为电电磁磁继继电电器器线线圈圈，二二级级管管将将抑抑制制此此感感性性负负载载在在晶晶体体管管T T由由饱饱和和跳跳变
10、变到到截截止止时时所所产产生生的的大大幅幅度度的的反反向向电电动动势势，从从而保护而保护T T。图图（d d）为为脉脉冲冲微微分分限限幅幅电电路路，将将在在输输出出削去负尖脉冲。削去负尖脉冲。第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏图图（e e）为为RAMRAM数数据据保保持持电电路路。后后备备银银锌锌电电池池E=3.6VE=3.6V，在在RAM RAM 正正常常工工作作时时，RAM RAM 由由+5V+5V电电源源供供电电，且且可可通通过过D D 对对E E充充电电。断断电电时时，RAM RAM 由由E E 供供电电，
11、D D 将将E E 和和电电路路+5V+5V端隔离。端隔离。图图（f f）为为RC RC 充充放放电电电电路路。充充电电通通过过D1R1D1R1进进行行，而而放放电则通过电则通过D2R2 D2R2 进行。进行。 第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏3 3硅整流桥硅整流桥 v常用硅整流桥分为单相半桥、单相全桥和三相常用硅整流桥分为单相半桥、单相全桥和三相全桥几种，如图全桥几种，如图2.4.22.4.2所示。所示。v其中单相全桥在小功率整流电流中应用广泛，其中单相全桥在小功率整流电流中应用广泛，而三相全桥则在电力整流器、
12、逆变器等大功率而三相全桥则在电力整流器、逆变器等大功率设备中使用。设备中使用。 第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏常见硅整流桥的外形第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏4 4肖特基（肖特基（SchottkyScho
13、ttky）二极管）二极管v肖特基二极管是由金属和半导体接触形成的，肖特基二极管是由金属和半导体接触形成的，其制造工艺与其制造工艺与TTLTTL电路相类似，工艺步骤比较电路相类似，工艺步骤比较复杂。它不是利用复杂。它不是利用PNPN结的单向导电性，而是利结的单向导电性，而是利用势垒的整流作用和多数载流子导电，因而没用势垒的整流作用和多数载流子导电，因而没有少数载流子的存储效应。因此具有反向恢复有少数载流子的存储效应。因此具有反向恢复时间短（最低可达时间短（最低可达10ns10ns）和正向压降低（可达）和正向压降低（可达0.2V0.2V）的突出优点。它主要用于开关稳压电流）的突出优点。它主要用于开
14、关稳压电流做整流和逆变器中作续流二极管。做整流和逆变器中作续流二极管。 第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏5 5快恢复快恢复（Fast RecoveryFast Recovery）二极管二极管v快恢复二极管工作原理与普通二极管相似，亦是利快恢复二极管工作原理与普通二极管相似，亦是利用用PNPN结单向导电性，但制造工艺与普通二极管不同。结单向导电性，但制造工艺与普通二极管不同。v它的扩散深度及外延层（外延型）可以精确控制，它的扩散深度及外延层（外延型）可以精确控制，因而可获得较高的开关速度，同时，在耐压允许范因而可获
15、得较高的开关速度，同时，在耐压允许范围内，外延层可做得较薄，正向压降较低。围内，外延层可做得较薄，正向压降较低。v它的反向时间约为它的反向时间约为0.20.20.750.75 s s。v和肖特基二极管相比，其耐压高得多。它主要也用和肖特基二极管相比，其耐压高得多。它主要也用在逆变电源中做整流元件，以降低关断损耗，提高在逆变电源中做整流元件，以降低关断损耗，提高效率和减少噪声。效率和减少噪声。v高速恢复二极管反向恢复时间可达高速恢复二极管反向恢复时间可达25ns25ns。 第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏设计电路选
16、用各种二极管时应注意以下几点：设计电路选用各种二极管时应注意以下几点：v（1 1）电流减额）电流减额电电流流减减额额因因子子S0.5S0.5。如如图图2.3.12.3.1（a a）的的全全波波整整流流电电路路，若若通通过过负负载载R RL L的的平平均均电电流流I IL L0.5A4.8V4.8V，则则可可以以选选用用正正向向压压降降在在0.10.10.2V0.2V之间的肖特基二极管。之间的肖特基二极管。v（5 5）工作频率）工作频率二二极极管管的的最最高高工工作作频频率率与与其其结结构构与与工工艺艺密密切切相相关关，例例如如普普通通硅硅整整流流管管PN PN 结结为为平平台台结结构构，结结电
17、电容容大大，正正向向整整流流大大，工工作作频频率率低低。2AP2AP型型锗锗二二极极管管为为点点接接触型，结电容小、工作频率高，正向压降也小。触型，结电容小、工作频率高，正向压降也小。v（6 6）反向漏电流）反向漏电流 第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏2.4.2 2.4.2 半导体三极管半导体三极管v1 1常用小功率半导体三极管常用小功率半导体三极管第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器
18、件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏金属封装第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏塑料封装第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏贴片三极管贴片三极管贴片第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏2通用功率管通用功率管第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏塑料封装第第2 2部
19、分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏金属封装第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏达林顿（达林顿（Darlingtons）功率管）功率管第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏3 3双极性半导体三极管选用时的注意事项双极性半导体三极管选用时的注意事项 v（1 1）确定三极管的类型）确定三极管的类型首首先先必必须须根根据据电电路路的的要要求求确确定定三三极极管管的的类类型型。多多数数
20、场场合合设设计计者者喜喜欢欢选选用用NPNNPN型型。但但是是如如果果需需要要低低电电平平使使三三极极和和导导通通或或需需要要采采用用互互补补推推拉拉式式（pull-pushpull-push）输输出出，则必需使用则必需使用PNPPNP型晶体管。型晶体管。第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏v（1 1）确定三极管的类型）确定三极管的类型v（2 2）极限参数）极限参数晶晶体体管管特特性性表表一一般般均均会会给给出出极极限限参参数数，设设计计时时必必须须对对I ICMCM、P PCMCM、BVBVCEOCEO（或或V V
21、( (BRBR) )CEOCEO基基极极开开路路时时的的集集电电极极发发射射极极间间的的击击穿穿电电压压）、BVBVEBOEBO、I ICBOCBO、 、f fT T（特特征征频频率率，f fT T= =f f ，f f为为工工作作频频率率 ） 等等 参参 数数 进进 行行 减减 额额 使使 用用 。 其其 中中 由由 于于BVBVCEOCEO BVBVCESCES BVBVCERCER BVBVCEOCEO，所所以以只只要要BVBVCEOCEO满满足足要要求求就就可可以以了了。一一般般高高频频工工作作时时，f fT T的的减减额额因因子可选为子可选为0.10.10.20.2。第第2 2部分部
22、分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏v（1 1）确定三极管的类型）确定三极管的类型v（2 2）极限参数）极限参数v（3 3）开关参数）开关参数晶晶体体管管工工作作于于开开关关状状态态时时，一一般般应应选选用用开开关关参参数数（t tonon、t toffoff、C Ccbcb、f fT T）好好的的开开关关晶晶体体管管。若若选选用用普普通通晶晶体体管管，则则需需选选用用f fT T100MHz100MHz的的管管子子。而而且且实实用用时时，其其开开关关参参数数（如如t tr r、t tf f）和和集集电电极极负负载载电电阻阻、负负载
23、载电电容容密密切切相相关关。集集电电极极电电阻阻愈愈小小，开开关关速速度度愈愈快快，但但I IC C和和管管耗耗都会增加，应权衡决定。都会增加，应权衡决定。第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏v（1 1）确定三极管的类型）确定三极管的类型v（2 2）极限参数）极限参数v（3 3）开关参数）开关参数v（4 4）共射极交流小信号电流放大系数）共射极交流小信号电流放大系数 （h hFEFE）小小功功率率晶晶体体管管的的共共射射极极交交流流小小信信号号电电流流放放大大系系数数 （h hFEFE）较较高高，数数字字万万用用表表
24、测测的的是是直直流流h hFEFE，和和交交流流h hFE FE 接接近近，但但有有差差异异。大大功功率率晶晶体体管管h hFEFE要要低低得得多多。特特别别值值得得注注意意的的是是：即即使使是是小小功功率率晶晶体体管管在在开开关关应应用时，饱和状态的用时，饱和状态的h hFEFE，也远较正常值为小。，也远较正常值为小。第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏v（1 1）确定三极管的类型）确定三极管的类型v（2 2）极限参数）极限参数v（3 3）开关参数）开关参数v（4 4）共射极交流小信号电流放大系数）共射极交流小信号
25、电流放大系数 （h hFEFE）v（5 5）发热及散热问题）发热及散热问题v（6 6）部分晶体管内部并联高速反向保护二极管）部分晶体管内部并联高速反向保护二极管小功率晶体管应避免靠近发热元件，以减小温度小功率晶体管应避免靠近发热元件，以减小温度对性能的影响。大功率晶体管必须根据实际耗散对性能的影响。大功率晶体管必须根据实际耗散功率，固定在足够面积的散热器上。功率，固定在足够面积的散热器上。部分通用型和达林顿型晶体管的集电极与发部分通用型和达林顿型晶体管的集电极与发射极之间在管子内部并联了一只高速反向保射极之间在管子内部并联了一只高速反向保护二极管。部分晶体管没有这只二极管，需护二极管。部分晶体
26、管没有这只二极管，需要时在外部并联之。要时在外部并联之。第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏2.4.3 2.4.3 场效应管场效应管v场场效效应应管管（FETFET）因因为为通通过过它它的的电电流流只只能能是是空空穴穴电电流流或或电电子子电电流流的的一一种种，故故又又称称为为单单极极性性器器件件。又又因因为为流流经经该该器器件件的的电电流流受受控控于于外外加加电电压压所形成的电场，故称为场效应管。所形成的电场，故称为场效应管。v各各种种场场效效应应管管的的共共同同特特点点是是：输输入入阻阻抗抗极极高高，噪噪声声小小，
27、特特性性受受温温度度和和辐辐射射的的影影响响小小，因因而而特特别适用于高灵敏度、低噪声的电路里。别适用于高灵敏度、低噪声的电路里。1 1结型场效应管结型场效应管2 2绝缘栅金属氧化物场效应管绝缘栅金属氧化物场效应管 第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏1结型场效应管结型场效应管第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏1结型场效应管结型场效应管第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室121
28、2年夏年夏1结型场效应管结型场效应管第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏2绝缘栅金属氧化物场效应管绝缘栅金属氧化物场效应管 第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏 3 3FETFET应用时的注意事项应用时的注意事项（1 1）不同类型）不同类型FETFET应加电压的极性应加电压的极性 （2 2）不不论论是是哪哪一一类类FETFET，它它的的栅栅极极基基本本上上不不消消耗耗电电流流，故故要要求求输输入入电电阻阻很很高高时时，应应选用选用FETFE
29、T。（3 3）由由于于FET FET 传传输输特特性性的的非非线线性性，其其跨跨导导与工作点有关，与工作点有关，| |V VGSGS| |愈低，愈低，g gfs fs 愈高。愈高。第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏注意事项（续）注意事项（续）（4 4）MOSMOS FET FET 珊珊极极的的绝绝缘缘性性质质，易易在在外外电电场场的的作作用用下下绝绝缘缘被被击击穿穿，故故保保存存和和焊焊接接时时均均应应采采取取相相应应措措施施。焊焊接接时时电电路路铁铁应应妥妥善善接接地地或络铁断电焊接。或络铁断电焊接。（5 5）F
30、ET FET 是是多多子子导导电电，受受温温度度影影响响小小。在在工作温度变化剧烈的场合，宜选用工作温度变化剧烈的场合，宜选用FETFET。（6 6）FET FET 的低噪声，使其特别适合在信噪的低噪声，使其特别适合在信噪比要求高的电路里使用，如高增益放大器的比要求高的电路里使用，如高增益放大器的前级。前级。第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏2.4.4 2.4.4 功率功率VMOS VMOS 场效应晶体管场效应晶体管第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1
31、212年夏年夏第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏2.3.4 2.3.4 功率功率VMOS VMOS 场效应晶体管场效应晶体管v1 1VMOS VMOS 器件的特点器件的特点v（1 1）开关速度非常快）开关速度非常快vVMOS VMOS 器器件件为为多多数数载载流流子子器器件件，不不存存在在存存贮贮效效应应，故故开开关关速速度度快快。一一般般低低压压器器件件开开关关时时间间为为10ns10ns数数量量级级，高高压压器器件件为为100ns100ns数数量量级级。适合于做高频功率开关。适合于做高频功率开关。第第2 2部分
32、部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏VMOS VMOS 器件的特点器件的特点v（2 2）高输入阻抗和低驱动）高输入阻抗和低驱动其其输输入入电电阻阻通通常常10107 7以以上上，直直流流驱驱动动电电流流在在0.10.1 A A的的数数量量级级，故故只只要要逻逻辑辑幅幅值值超超过过VMOSVMOS的的阈阈电电压压（3.5V3.5V4V4V），则则可可直直接接被被CMOSCMOS和和LSTTLLSTTL、标标准准TTL TTL 等等器器件件直直接接驱驱动动，驱驱动动电电路路简简单单。可可以以用用上上拉拉电电阻阻提提高高驱驱动动电电平平
33、。上上拉拉电电阻阻值值影影响响VMOS VMOS 管管开关时间。开关时间。v（3 3）安全工作区大）安全工作区大VMOS VMOS 器件无二次击穿，安全工作区由器件的峰值器件无二次击穿，安全工作区由器件的峰值电流、击穿电压的额定值和功率容量来决定，故电流、击穿电压的额定值和功率容量来决定，故工作安全，可靠性高。工作安全，可靠性高。 第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏VMOS VMOS 器件的特点器件的特点v（4 4）热稳定性好）热稳定性好VMOS VMOS 器器件件的的最最小小导导通通电电压压由由导导通通电电阻阻r
34、 rDS(on)DS(on)决决定定。低低压压器器件件的的r rDS(on)DS(on)甚甚小小，但但是是随随着着漏漏源源间间电电压压的的增增加加而而增增加加，即即漏漏极极电电流流有有负负的的温温度度系系数数，使管耗随温度的变化得到了一定的自补偿。使管耗随温度的变化得到了一定的自补偿。v（5 5）易于并联使用）易于并联使用VMOS VMOS 可可简简单单并并联联，以以增增加加其其电电流流容容量量。而而双双极极型型器器件件并并联联使使用用须须增增加加均均流流电电阻阻、内内部部网网络络匹匹配以及其它额外的保护装置。配以及其它额外的保护装置。第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应
35、用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏VMOS VMOS 器件的特点器件的特点v（6 6）跨导高度线性）跨导高度线性VMOS VMOS 器件是一种短沟道器件，当器件是一种短沟道器件，当V VGSGS上升到一定值上升到一定值后，跨导基本为一恒定值，这就使其做为线性器后，跨导基本为一恒定值，这就使其做为线性器件使用时，非线性失真大大减小。件使用时，非线性失真大大减小。v（7 7）管内存在漏源二极管）管内存在漏源二极管VMOS VMOS 器器件件内内部部漏漏源源之之间间“寄寄生生”了了一一个个反反向向的的漏漏源源二二极极管管，它它的的正正向向开开关关时时间间小小于于10ns10ns
36、，和和快快速速恢恢复复二二极极管管类类似似也也有有一一个个100ns100ns数数量量级级的的反反向向恢恢复复时时间间t trrrr。此此二二极极管管在在实实际际电电路路中中可可起起钳钳位位和和消消振振的作用。的作用。第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏VMOS VMOS 器件的特点器件的特点v（8 8）注意防静电破坏）注意防静电破坏尽管尽管VMOS VMOS 器件有很大的输入电容，不象一般器件有很大的输入电容，不象一般MOS MOS 器件那样对静电放电很敏感，但由于它的栅源最器件那样对静电放电很敏感，但由于它的栅源
37、最大额定电压约为大额定电压约为 20V20V，远远低于，远远低于1001002500V2500V的静的静电电压，因此要注意采取防静电措施：运输时器电电压，因此要注意采取防静电措施：运输时器件应放在抗静电包装或导电的泡沫塑料中。拿取件应放在抗静电包装或导电的泡沫塑料中。拿取器件时要带接地手镯。最好在防静电工作台上操器件时要带接地手镯。最好在防静电工作台上操作。焊接要用接地电铬铁。在栅源间应接一个电作。焊接要用接地电铬铁。在栅源间应接一个电阻保持低阻抗，必要时并阻保持低阻抗，必要时并20V20V的稳压管加以保护。的稳压管加以保护。 第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应用（2
38、2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏2. VMOS特性表第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏3. VMOS 3. VMOS 应用实例应用实例vVMOS VMOS 器件由于具有双极性晶体管不可比拟的优器件由于具有双极性晶体管不可比拟的优点，其应用十分广泛。图点，其应用十分广泛。图2.3.62.3.6为几种应用实例。为几种应用实例。图（图（a a）为灯泡寿命延长器。）为灯泡寿命延长器。图中图中L L为为15W15W250W250W的钨丝白炽灯，的钨丝白炽灯，R Rt t为负温度系数为负温度系数的热敏电阻，冷态
39、电阻约的热敏电阻，冷态电阻约1.65M1.65M 。初通电时，由于。初通电时，由于R Rt t很大，通过很大，通过L L 的电流很小，随着能电时间的增长，的电流很小，随着能电时间的增长，R Rt t电阻逐渐减小，电阻逐渐减小，L L 亮度逐步增加，约亮度逐步增加，约0.5s0.5s后降低后降低至至150k150k，L L 到达正常亮度。到达正常亮度。该电路可控制加于灯泡的该电路可控制加于灯泡的10101515倍额定值的冲击电倍额定值的冲击电流和降低由交流电源在灯丝上引起的机械应力（振流和降低由交流电源在灯丝上引起的机械应力（振动）动） 第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应
40、用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏灯泡寿命延长器灯泡寿命延长器第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏v图（图（b b）为某电池供电的便携式仪器利用）为某电池供电的便携式仪器利用VMOS VMOS 做做为模拟开关的应用。由于电源开关为单触点的薄为模拟开关的应用。由于电源开关为单触点的薄膜开关而非双触点的机械开关，故使用了此电路。膜开关而非双触点的机械开关，故使用了此电路。40434043为四重为四重RS RS 触发器。电路接通瞬间由触发器。电路接通瞬间由0.10.1 F F电电容和容和100k100
41、k 电阻使其电阻使其Q=1Q=1，VMOS VMOS 管断。接下管断。接下“开开”按钮时，按钮时，R=0R=0，Q=0Q=0，VMOS VMOS 管通，电源通往用电管通，电源通往用电回路。选用大电流管回路。选用大电流管TP8P10TP8P10（R RDSDS 0.40.4 ）以减小）以减小VMOS VMOS 管导通损耗。管导通损耗。第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏v图（图（c）为）为VMOS简单逆变简
42、单逆变电源。电源。4011电路电路组成不对称组成不对称RC多谐振荡器，它多谐振荡器，它输出的二个反相输出的二个反相脉冲分别脉冲分别v驱动驱动T1和和T2两只两只VMOS，在升压变压，在升压变压器的次级可产器的次级可产生生220V、50Hz的交流的交流电。电。第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏v图（图（d）中的）中的RC不对称多沿振荡器产生约不对称多沿振荡器产生约100kHz的的方波控制方波控制VMOS管的通断。管的通断。D1、D2和二只和二只0.1 F的的电容构成二倍压整流电路。利用稳压管可获得电容构成二倍压整流电
43、路。利用稳压管可获得(35)V的输出。的输出。第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏2.4.5 2.4.5 晶体管阵列晶体管阵列 v1 1MCMC1411/1412/1413/14161411/1412/1413/1416七七重重达达林林顿顿晶体管阵列晶体管阵列晶体管阵列与普通晶体管相比具有体积小，晶体管阵列与普通晶体管相比具有体积小，参数一致和可靠性高等优点，在微机后向参数一致和可靠性高等优点，在微机后向通道中应用较多，可直接驱动灯、继电器通道中应用较多，可直接驱动灯、继电器或其它大电流负载。内部的钳位二极管特或其它
44、大电流负载。内部的钳位二极管特别适用于驱动感性负载。别适用于驱动感性负载。 第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏ULN2003 也是晶体管阵列也是晶体管阵列第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏晶体管阵列晶体管阵列v2 2功率功率MOSFET MOSFET 阵列阵列图图2.3.102.3.10为为P P沟道功率沟道功率MOSFET
45、 MOSFET 阵列的封阵列的封装及电连接图，内部封装了装及电连接图，内部封装了4 4只只MOSFETMOSFET。主要用于电机、灯泡的驱动。它应用于主要用于电机、灯泡的驱动。它应用于开关状态，驱动电平开关状态，驱动电平4V4V。导通电性达。导通电性达0.80.8 。输入电容。输入电容190pF190pF。 第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏2.5 2.5 表面贴装元器件表面贴装元器件 v表表面面贴贴装
46、装元元件件（SMCSMC）、表表面面贴贴装装器器件件（SMDSMD）又又称称为为片片状状无无引引脚脚LLLL（Lead-LessLead-Less），元元器器件件外外形形尺尺寸寸只只有有几几毫毫米米、由由于于特特殊殊的的工工艺艺及及结结构构，加加上上表表面面焊焊接接技技术术（SMTSMT），具具有有重重量量很很轻轻、高高频频噪噪声声小小、抗抗干干扰扰能能力力强强而而且且耐耐振振动动冲冲击击性性能能好好、便便于于全全自自动动化化生生产产等等一一系系列列突突出出的的优优点点，使电子系统的质量产生了一个飞跃。使电子系统的质量产生了一个飞跃。v表贴元器件分为无源元件（电阻器、电容器、表贴元器件分为无源
47、元件（电阻器、电容器、电感器）和有源器件（晶体管、集成电路）二电感器）和有源器件（晶体管、集成电路）二种。其外形有矩形、园柱形和异形三种。种。其外形有矩形、园柱形和异形三种。 返回返回返回返回第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏表表2.5.1 2.5.1 表面贴装元器件的分类表面贴装元器件的分类返回返回返回返回第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏2.5.1 2.5.1 表贴无源元器件表贴无源元器件v1 1矩形片状电阻矩形片状电阻矩矩形形片片
48、状状电电阻阻是是片片状状元元器器件件中中用用量量最最大大的的一一种种元元器器件件，矩矩形形片片状状电电阻阻的的外外形形如如图图2.4.12.4.1所所示示。它它是是在在一一个个基基础础瓷瓷片片上上用用蒸蒸发发的的方方式式形形成成一一层层电电阻阻膜膜层层，在在电电阻阻膜膜层层上上面面再再敷敷加加一一层层保保护护膜膜，保保护护膜膜采采用用玻玻璃璃或环氧树脂，两端夹以引线电极。或环氧树脂，两端夹以引线电极。片状电阻阻值常常直接标注在电阻外面，用片状电阻阻值常常直接标注在电阻外面，用3 3位数字位数字表示，前两位数表示，前两位数 字表示阻值的有字表示阻值的有 效数，第三位表效数，第三位表 示有效数字后
49、面示有效数字后面 零的个数。零的个数。第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏 2 2片状电位器（可调电阻器）片状电位器（可调电阻器）v片片状状电电位位器器有有片片状状的的，圆圆柱柱形形的的和和无无引引线线扁扁平平结结构构等等多多种种。主主 要要 采采 用用 玻玻 璃璃 釉釉 作作 为为 电电 阻阻 体体 材材 料料 ， 其其 尺尺 寸寸 为为4mm5mm2.5mm4mm5mm2.5mm。片状电位器的外形如图。片状电位器的外形如图2.4.22.4.2所示。所示。v其其高高频频特特性性好好，可可达达100MHz100MHz
50、，阻阻值值范范围围从从10102M2M，额额定定功功率率有有1/20W1/20W、1/8W1/8W、1/4W1/4W等等多多种种，最最大大的的1/2W1/2W，电电流流可可达达100mA100mA。 第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏3 3矩形片状陶瓷电容器矩形片状陶瓷电容器v它它也也有有矩矩形形和和圆圆柱柱形形两两种种，矩矩形形采采用用多多层层叠叠层层结结构构，具具有有体体积积小小容容最最大大的的特特点点，体体积积容容量量比比可可达达1010 F/cmF/cm2 2。矩形片状陶瓷电容器的外形如图矩形片状陶瓷电容器
51、的外形如图2.4.32.4.3所示。所示。v其其内内电电极极与与介介质质材材料料是是共共同同烧烧结结而而成成的的，具具有有良良好好的的防潮性能和高可靠性。防潮性能和高可靠性。 第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏4 4片状固体钽电解电容器片状固体钽电解电容器v传统的铝液体电解电容在片状元件中已不再采用，取而代之传统的铝液体电解电容在片状元件中已不再采用，取而代之的是体积更小、性能更高的固体钽电解电容器。的是体积更小、性能更高的固体钽电解电容器。v片状固体钽电解电容器的外形及结构如图片状固体钽电解电容器的外形及结构如图
52、2.4.42.4.4所示。所示。v其额定耐压为其额定耐压为4 450V50V之间，最大容量可做到之间，最大容量可做到330330 F F，标称值，标称值直接打印在元件表面，如直接打印在元件表面，如107107表示表示101010107 7pFpF，即，即100100 F F。 第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏5 5陶瓷微调电容器陶瓷微调电容器v陶瓷微调电容器分为有极性和无极性两种。陶瓷微调电容器分为有极性和无极性两种。v陶瓷微调电容器的外形如图陶瓷微调电容器的外形如图2.4.52.4.5所示。所示。v其容量为其容
53、量为1010120pF120pF，耐压大于，耐压大于25V25V。 第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏6 6片状电感器片状电感器v将将电电感感线线圈圈做做成成细细小小的的长长方方体体，片片状状电电感感器器的的外外形形与与结构如图结构如图2.4.62.4.6所示。所示。第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏图图2.4.6 2.4.6 片状电感器的外形与结构片状电感器的外形与结构 v图图（a a）为为模模压压电电感感，它它采采用用树树脂脂外外壳
54、壳，内内部部为为片片状状螺旋电感，电感之外有磁屏蔽层和绝热层。螺旋电感，电感之外有磁屏蔽层和绝热层。v图图（b b）为为电电感感线线圈圈，将将线线圈圈绕绕在在细细小小的的铁铁氧氧体体磁磁心心之之上上，引引线线从从两两端端引引出出，电电感感量量可可以以做做到到1 11,0001,000 H H，Q Q值为值为5050100100。v图图（c c）为为可可变变电电感感，其其内内部部结结构构相相似似于于晶晶体体管管收收音音机机用用的的中中周周变变压压器器，在在“I I”字字形形磁磁心心上上绕绕有有线线圈圈，调调节节磁磁心心可可以以调调节节电电感感量量大大小小。其其电电感感量量为为1 1 H H5.6
55、mH5.6mH，Q Q值值为为4040130130。只只是是体体积积比比中中周周更更小小，更更扁扁、更精细而已。更精细而已。第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏图图2.5.6 2.5.6 片状电感器的外形与结构片状电感器的外形与结构 第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏2.5.2 2.5.2 表贴有源器件表贴有源器件 v1 1表贴二极管和三极管表贴二极管和三极管 v2 2表贴小型集成电路表贴小型集成电路SOP SOP 第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏3. 3. 3. 3. 表面贴装元件电路板表面贴装元件电路板表面贴装元件电路板表面贴装元件电路板第第2 2部分部分 常用电子元器件的应用常用电子元器件的应用（2 2）电子技术教研室电子技术教研室1212年夏年夏 表面贴装元件表面贴装元件表面贴装元件表面贴装元件6
