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1、主要内容ESD的产生原理几种常见的ESD模型ESD的防护ESD防护器件的摆放ESD的产生原理ESD：Electrostatic Discharge，即是静电放电通过摩擦使得A物体的电荷移动，从而A带有静电；A周边的电磁场发生改变，导致A带有静电；当A接触B时，A的静电流入B。ESD的放电过程很短，一般是ns级别，但是放电瞬间会产生很高的电流几种常见的ESD模型人体放电模型人体放电模型(Human-Body Model, HBM)机器放电模型机器放电模型(Machine Model, MM)元件充电模型元件充电模型(Charged-Device Model, CDM)电场感应模型电场感应模型(F
2、ield-Induced Model, FIM)几种常见的ESD模型人体放电模型(Human-Body Model, HBM)人体放电模型(HBM)的ESD是指人体在地上走动摩擦或其他因素在人体上累积了静电，当此人去触碰IC时，人体上的静电便经由IC的pin脚进入IC内部，再经由IC内部放电到地。放电过程会在几百ns的时间内产生数安培的瞬间放电电流，此电流可能会把IC内的元件给烧毁。几种常见的ESD模型人体放电模型(Human-Body Model, HBM)几种常见的ESD模型人体放电模型(Human-Body Model, HBM)工业标准 MIL-STD-883C method 3015
3、.7 中HBM的等效线路图，其中人体的等效电容定义为100pF,人体的等效放电电阻定义为1.5kohm几种常见的ESD模型机器放电模型(Machine Model, MM)机器放电模型的ESD是指机器本身也积累了静电，当此机器去触碰IC时，静电便经由IC的pin脚放电。机器放电的放电过程时间更短，在几十ns的时间内会有数安培的瞬间放电电流产生。工业标准 EIAJ-IC-121 method 20 中MM的等效电路图，其中机器的等效电容定义为200pF，机器的等效放电电阻为0ohm几种常见的ESD模型机器放电模型(Machine Model, MM)人体放电模型2kV和机器放电模型200V的放电
4、电流比较图几种常见的ESD模型机器放电模型(Machine Model, MM)几种常见的ESD模型元件充电模型(Charged-Device Model, CDM)元件充电模型是指IC本身先因摩擦或其它因素而在IC内部累积了静电，但在静电累积的过程中IC并未损伤。在处理此IC的过程中，IC的pin脚触碰到了地，IC内部的静电便经由IC内部的pin脚流出来，而造成了放电现象。此种模式的放电时间更短，仅约为几ns，而且放电现象更难以被真实的模拟。因为IC内部积累的静电会因IC内部的等效电容的不同而改变。几种常见的ESD模型元件充电模型(Charged-Device Model, CDM)两种常见
5、的CDM的放电情况几种常见的ESD模型元件充电模型(Charged-Device Model, CDM)CDM测试标准几种常见的ESD模型元件充电模型(Charged-Device Model, CDM)HBM 2kV,MM 200V,CDM 1kV三种模型的放电电流比较图CDM更容易造成IC的损伤几种常见的ESD模型电场感应模型(Field-Induced Model, FIM)FIM的静电放电是因电场感应而引起的。当IC因传输带或其它因素，经过一个电场时，其相对极性的电荷可能会从IC的pin脚排放掉，这样当IC通过电场以后，IC便累积了静电。此静电再以类似CDM放电模型的情况放电出来。ES
6、D的防护器件选型时必须认证ESD等级IO接口线路上摆放ESD防护器件做好EMI防护ESD的防护常用的ESD防护器件：二极管阵列ESD的防护ESD防护器件的一般连接方式ESD的防护ESD防护器件可以有效的抑制由ESD放电产生的直接电荷注入PCB设计中更重要的是克服放电电流产生的电磁干扰效应-EMI措施：通用的PCB板布线准则；ESD防护器件的摆放位置ESD防护器件的摆放ESD电流路径上寄生自感的影响被保护IC所承受的电压 Vx其中VF1为D1的正向导通电压ESD防护器件的摆放在PCB 布线时，遵循几个简单的规则就可以使这些寄生自感最小：1、尽可能地，用Vcc 和地平面充当电源和地分散能量。2、要
7、确保印刷电路上的走线从ESD 保护二极管阵列的Vp 和Vn 到Vcc 和地平面间走线尽量地短、宽。理想情况是，将Vp 和Vn 直接通过多个口连到Vcc 和地平面。3、在Vp 和地平面间连入一个高频旁路电容-用最短的走线使自感最小ESD与EOS的区别EOS: Electrical Over Stress 指所有的过度电性应力，超过其最大指定极限后，器件功能会减弱或损坏ESD: Electrical static Discharge 静电放电， 电荷从一个物体转移到另一个物体。区别：EOS通常产生于 电源 测试装置 其过程持续时间可能是几微妙到几秒，很短的EOS脉冲导致的损坏与ESD损坏相似。 E
8、SD属于EOS的特例，能量有限，由于静态电荷引起。其持续过程为几PS到NS。其可见性不强。通常导致晶体管级别的损坏。导致EOS的原因：*由于测试程序切换（热切换）导致的瞬变电流/峰值/低频干扰*电源(AC/DC) 干扰和过电压。*测试设计欠佳，例如，在器件尚未加电或已超过其操作上限的情况下给器件发送测试信号。*从其他装置发送的脉冲。*工作流程不甚合理*接地反弹（由于接地点不够，快速电流切换导致电压升高）4、EOS的避免*电源 确保交流电源配备了瞬态电流抑制器（滤波器） 电源过压保护 交流电源稳压器（可选）。 电源时序控制器，可调整时序 不共用滤波器和稳压器*工作流程 将正确流程存档。 确保针对
9、以下内容进行培训并给出警示标志：%电源开/关顺序%不可“热插拔”%正确的插入方向 定期检查以确保遵守相关规定随着半导体行业的发展，微电路制造工艺不断提高（国外普遍采用0.8-1.0um，国内也达到2-3um的水平），以硅半导体为基础的微细工艺技术更加突显ESD对电子工业的危害，主要表现在：大规模集成电路IC的pin脚和I/O接口越来越多，pin间距越来越小，受到ESD时，其放电回路的阻抗非常小，无法限制放电电流的突变，使得IC的相关pin脚瞬间达到几十安培的大电流，过流和过热会导致IC严重损坏。另外ESD会使IC工作不正常，高电压在CMOS器件内会形成大电流通道，引起IC逻辑电路锁死。、问：1M 电阻在半导体装配过程中的作用是什么？答：假设1：我们正谈论ESD 控制问题；假设2：人体与半导体及带有半导体的器件接触，在防静电腕、防静电鞋、拉链、地线等地方均可发现1M 串联电阻，其作用是限制可通过人体的电流量，保护人体安全。1M 电阻的主要限定要求是：在250V 交流有效值时，电流被限制到250 微安，正好是大多数人的感知水平（神经系统发生反射的临界值）。电流在体表及体内物理感知的不同取决于人体大小、重量、水份、皮肤条件等。谢谢！谢谢！谢谢！谢谢！谢谢！谢谢！谢谢！谢谢！谢谢！谢谢！
