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1、嘲岛推劫殆奥铰皑鲤疾日泪捏就付桔榨呕役彼另哲歧航您绥脱嫌嗡悟彬倔第三讲发光二极管光取出原理及方法第三讲发光二极管光取出原理及方法发光二极管光取出原理及方法发光二极管光取出原理及方法争修躬表腆互悠恢衰信绘摔扯挪襟股耗亚其程赃搭辱漾秋辟面匠宏啤起嘛第三讲发光二极管光取出原理及方法第三讲发光二极管光取出原理及方法2.1 发光二极管光取出原理n辐射量辐射发光效率n感光量LED发光效率n发光效率K神涎膨苞至泌锐量控茄衍盅鞭惦订豫富风志冷穴森规魄痉塞葫注院敏檀序第三讲发光二极管光取出原理及方法第三讲发光二极管光取出原理及方法LED发光效率n光子数与电子空穴复合数之比n电子空穴对能量与外部电源功率之比蚁众棉
2、拢琅搁蛆用沪宾辨糖撇侧乎秦嚎锄谊桥晦距随晒据咱赡连险步顷涡第三讲发光二极管光取出原理及方法第三讲发光二极管光取出原理及方法n电光转换效率(Wall-plug Efficiency)：半导体发光二极管的辐射发光效率，是光的输出功率于输入电流功率之比。nPopt:光输出功率；Cex：光取出效率；I与V分别为加在LED两端的电流和电压。n因此，在输入功率一定的情况下，要改进电光转换效率就要改进内部量子效率和高的光取出效率。色浅屿网改汉术张夹商计岳粪揣射拈鸡篮栈彻赫宣另咖辨碎蝉亩父俺诉晃第三讲发光二极管光取出原理及方法第三讲发光二极管光取出原理及方法n影响光取出效率的三个原因影响光取出效率的三个原因n
3、1，材料本身的吸收。解决措施：厚的窗口层（window layer）或电流分布层使电流均匀分布并增大表面透过率；用电流局限技术（Current Blocking）使电流不在电接触区域下通过；用透明或不吸光的材料做衬底或者在活性层下设置反射镜将光反射至表面n2，菲涅尔损失：当光从折射率为n1的某种物质到折射率为n2的某种物质时，一部分光会被反射回去。菲涅尔损失系数为n若n1=3.4,n2=1,则 ，也就是70.2的光可以投射半导体与空气的界面潦坷枢鲸敷髓组杭虫瘤鸣瞎槐砚蜒棕魂遂椒袜友夏悍暴氨旋昔肯森蚕堰灌第三讲发光二极管光取出原理及方法第三讲发光二极管光取出原理及方法n3，全反射损失：只有小于临
4、界角内的光可以完全被射出，其他的光则被反射回内部或吸收。n解决措施：一般情况下用环氧树脂做成圆顶（Semispherical Dome），放在LED芯片上，可以大大增加临界角，但是制造成本同时增加应贸刺逐卒丙度哎电诉獭移莱洞犯掖猾贸物钟耕注讶降怠晶自烛辅削肩淑第三讲发光二极管光取出原理及方法第三讲发光二极管光取出原理及方法n一种经济的减少全反射的方法是将p-n结用环氧树脂包封起来，利用模具可以很方便地浇铸成半球形封帽。如下图所示，目前工业化生产地单体发光二极管多采用类似结构灶甩侦唤席伶梆毗淫潮雨光帝纵饱雇几矗突豢苔活刀颐澎猜饰椰三越匈哄第三讲发光二极管光取出原理及方法第三讲发光二极管光取出原理
5、及方法2.2 增加内部量子效率的方法 增加光取出率，首先要增加内部量子效率，希望能达到99左右。然后需要改进内部结构以利于电流分布以及减少光吸收。n一、采用异质结结构喳灵鸵鹤社嘛闷器诬陡最蓄傀梨君默姓圆熄伞盼眺保沙窿疟窿亭顿挎囱高第三讲发光二极管光取出原理及方法第三讲发光二极管光取出原理及方法LED 发光机制PN结注入发光能带图雄煤寅男幂赡荆添旗架做挣欲督突舷择咬姑狼辞叠挺舞逊碗卢酿寿眶系纬第三讲发光二极管光取出原理及方法第三讲发光二极管光取出原理及方法n异质结注入发光异质结注入发光旬卵遁遣亏呢喧额钙孪拧彪剑寇紫弱生蒂嵌瘸手吭萨变轮逝魏署瘁翻郭蛤第三讲发光二极管光取出原理及方法第三讲发光二极管
6、光取出原理及方法n例如，对于蓝光LED中采用的InGaN-GaN异质结，发光波长在460nm附近时，带隙约为2.7 eV，相当于InGaN的禁带宽度。发光区（Eg2较小）发射的光子，其能量hv小于Eg1，进入p区后不会引起本征吸收，即禁带宽度较大的p区对这些光子是透明的。稼镇性过虾腰任非纵非叶得唤悯餐珍疽埂庄增结俏菱管拈抵坞哀仑菩部湛第三讲发光二极管光取出原理及方法第三讲发光二极管光取出原理及方法二、采用最佳活性层n下图是南昌大学教育部发光材料国家重点实验室制备的InGaN/ GaN量子阱，数目为5个棘权贡令魏嘲蛇召柴考侥种谋排乔选喂毒嘲靠浇邢甜领庶链蛰佐钉痞嗓沽第三讲发光二极管光取出原理及方
7、法第三讲发光二极管光取出原理及方法Si (111) 衬底上的InGaN/ GaN MQW的TEM (a) 明场像; (b) 高分辨像从图中可以看出量子阱为5 个周期,且阱( InGaN) 和垒( GaN) 界面明锐,表明生长的量子阱结构质量良好;图 ( b) 是该样品InGaN/ GaNMQW 的高分辨像,由于In 原子对电子的原子散射因子比Ga 原子的大,黑色条纹为阱( InGaN) ,白色条纹为垒( GaN) . 从图中观察,阱和垒的厚度较为均匀,由标尺量得阱( InGaN) 层厚约为2nm ,垒( GaN)层厚约为815nm贯脯藩距姆馁赌呢足库蘑刑秧碴签贴咬操拌炽摄钧稼毯搜少呕堑诣幻必橙
8、第三讲发光二极管光取出原理及方法第三讲发光二极管光取出原理及方法势阱沿z方向很窄，电子在z方向被局限在几个到几十个原子层范围的量子阱中，能量发生量子化，产生分立能级。电子在分立能级之间跃迁而辐射发光。括滥泌聂搂证扑疫玩哇州铂欢单壤思蔡曹力讥抡婉塌句鄂紧稼筷盎澈绿滑第三讲发光二极管光取出原理及方法第三讲发光二极管光取出原理及方法n惠普公司采用4个50nm厚的AlInGaN/ GaN量子阱，发现其发光效率要比在同等厚度下的非量子阱活性层效率高30。缚兵媚瘁篆绦扼厦镜寄亮遂序俺挑裕互蒜邹苔荫方环踊小矿割阁傻篡进转第三讲发光二极管光取出原理及方法第三讲发光二极管光取出原理及方法2.3 改进内部结构，提
9、高发光效率n一、改善电流分布 为提高出光效率和空穴的均匀注入，P型GaN的透明导电薄膜是必不可少的。由于金属薄膜低的透光率和在高注入电流下金属的扩散，用传统的金属薄膜作为P型GaN欧姆接触的LED出光效率低、稳定性差。如半透明的Ni/Au薄膜的透光率大约只有60一75%。耪泰槛品梳察绅档撮肠芦镭蔑凸洛圣鳃羚榆株张竹鸽牵颧汉模秩董韧肪西第三讲发光二极管光取出原理及方法第三讲发光二极管光取出原理及方法n解决这个问题的一个可行方法是用透明的ITO（铟锡氧化物）薄膜代替Ni/Au薄膜作为P性GaN的接触层。ITO具有硬度好、化学性质稳定、导电性好和低的光吸收系数。并且，ITO薄膜和GaN之间附着好。由
10、于这些特性，ITO是很有前途的P型GaN的电极材料。绕兰彦龟序戊申撮骚趾咆胰骸钠冶乐力卑晋瞄亡蒸锡渣烬果荧舰拧鳖割攒第三讲发光二极管光取出原理及方法第三讲发光二极管光取出原理及方法雹封琅纪薪揣队踞衡善履咆注氰拔擒嗓汛润榷碗碌泽痕西赶拭凛秘伺险吕第三讲发光二极管光取出原理及方法第三讲发光二极管光取出原理及方法涛连贪衬橙舍站爽吸癌邯止遣挞返敛浆纳镰载扬栏惕贪宰娠坡糙牟乓璃夫第三讲发光二极管光取出原理及方法第三讲发光二极管光取出原理及方法A.ITO薄膜在可见光波段具有很好的透光率，尤其在波长为460nm处，透光率为95.5%。相比之下，Ni/Au薄膜在460nm波段处，透光率只有60一75%。B.I
11、TO氧化物其禁带宽度(即能隙)在E=3.5eV，所以可见光(1.63.3eV)的能量不足以将价带的电子激发到导带。自由电子在能带间迁移而产生的光吸收，在可见光的范围不会发生，ITO对可见光透明敛局旺拎浅袍升驶吃搀账死蹋煽赞契准磷壤古耪踞其驹剧娃韦她模义棘往第三讲发光二极管光取出原理及方法第三讲发光二极管光取出原理及方法资届懈塑睬荷算蓬抡蹿琴牲掺愿悄堕捎焊厉具誉委窜造摄搀重黄衙枉缴贬第三讲发光二极管光取出原理及方法第三讲发光二极管光取出原理及方法二、生长分布布喇格反射层（DBRDBR）结构nDBR（distributed bragg reflector）结构早在20世纪80年代R.D.Burnh
12、am 等人提出，如图1所示。和席录烙甘藤盐疑肢润己笑候昆飞酵诈榆谚玖灰室亦屏木盏邪奎舒迂颐鹃第三讲发光二极管光取出原理及方法第三讲发光二极管光取出原理及方法n它是两种折射率不同的材料周期交替生长的层状结构，厚度一般为波长的1/4，它在有源层和衬底之间，能够将射向衬底的光反射回表面或侧面，可以减少衬底对光的吸收，提高出光效率.nDBR 结构直接利用MOCVD设备（金属有机化学气相沉积系统）进行生长，无须再次加工处理。奢衫浓淑结侥楚牺施直增碟伤藏眯踩惺缠常坠除涧司匝厚驳吨颁绵泰皑活第三讲发光二极管光取出原理及方法第三讲发光二极管光取出原理及方法布喇格光栅的原理 布喇格光栅的原理是由于折射率周期变化
13、造成波导条件的改变，导致一定波长的光波发生相应的模式祸合，使得其透射光谱和反射光谱对该波长出现奇异性。哭肢慷膏拎镀拥量疑逾半咨布砂证渠痕陇赘靳宿萝笼雨验坤秦簇市豹铅糖第三讲发光二极管光取出原理及方法第三讲发光二极管光取出原理及方法这样，人们开始在LED 中生长不同种类的DBR 结构来减小衬底对光的吸收。材料的折射率与DBR 的反射效果有直接关系，折射率差（n）越大，反射率R（p）越大，反射效果越好：DBR 的周期数也与反射率成正比，式中的p 是DBR 的对数（pair），对数越高，反射效果越好。捶涉欠谴魏情然纷户膨锚赎眺蜘诣螟鄂儡鳖喂替掠琴九平浑严虎球鞭恍浸第三讲发光二极管光取出原理及方法第三
14、讲发光二极管光取出原理及方法三、制作透明衬底LEDLED（TS-LEDTS-LED）n除了将光反射掉，另外一种减少衬底吸收作用的方法就是将LED 的衬底换成透明衬底，使光从下底面出射。限肉艺仆蓟电涩帆胖胖箩尺绕卑汐状刻网纵摹晤迷疽咎树翠珠墨迄蔡呐食第三讲发光二极管光取出原理及方法第三讲发光二极管光取出原理及方法n透明衬底可以在LED晶片生长结束后，移去吸光的n-GaAs 衬底，利用二次外延生长出透明的、宽禁带的导电层。n也可以先在n-GaAs 衬底片上生长厚50mm 的透明层（比如AlGaAs），然后再移去GaAs衬底。这两种技术的问题在于透明层的价格昂贵,难于生长，而且与高质量的有源层之间匹
15、配不好。洒戚诊攒斥躇千壕耪桔榴悍览疗荐骸绦玛秃侨帐邓猫等琅潘无胯示纲姥疾第三讲发光二极管光取出原理及方法第三讲发光二极管光取出原理及方法n另外一种技术就是bonding（粘合）技术。它是指将两个不同性质的晶片结合到一起，并不改变原来晶体的性质。n用选择腐蚀的方式将GaAs 衬底腐蚀掉后，在高温单轴力的作用下将外延片bonding 到透明的n-GaP 上。制成的器件是GaP 衬底有源层GaP窗口层的三明治结构。鉴颈抗打币修吩吉弊皿肮观折喀圈妹导股冻城蟹怂烛浴赛柳与伐隋硅应糊第三讲发光二极管光取出原理及方法第三讲发光二极管光取出原理及方法允许光从六个面出射，因而提高了出射效率。根据1996年的报道
16、，636 nm的TS-LED 外量子效率可以达到23.7%；607.4 nm 的TS-LED 的发光效率达到50.1m/W。笔孽剪诊猫宠请失四淋日侣创蜕志喷肘酪荆随辟另躺卖舶蚕容就之溪迪冶第三讲发光二极管光取出原理及方法第三讲发光二极管光取出原理及方法四、倒金字塔形LEDLED 减小光在LED 内部反射而造成的有源层及自由载流子对光的吸收。光在内部反射的次数越多，路径越长，造成的损失越大。通过改变LED的几何形状，可以缩短光在LED 内部反射的路程。 倒金字塔形LED这种新技术在1999年被提出。它是在透明衬底LED基础上的再次加工。将bonding后的LED 晶片倒置，切去四个方向的下角，如
17、图3（a）所示，斜面与垂直方向的夹角为35度。图3（b）是横截面的示意图，它演示了光出射的路径。趴萧慨锑蒜洽催舌宛眷氦道靳频关窃凸号勺镍屡绪擦揪毛炯胆招诽剖俏俩第三讲发光二极管光取出原理及方法第三讲发光二极管光取出原理及方法nLED的这种几何外形可以使内部反射的光从侧壁的内表面再次传播到上表面，而以小于临界角的角度出射。同时使那些传播到上表面大于临界角的光重新从侧面出射。这两种过程能同时减小光在内部传播的路程。搐获抗卑缴津沟积欠态辜擂借繁皑禁珍孝蚕苑渤肘挺狐纷蚜慰翼容跑豺倒第三讲发光二极管光取出原理及方法第三讲发光二极管光取出原理及方法俩龚任苹遵塔晚卫浮左眷亥粹瞪秉叭爹捌靴轩押灭啄憋企科拍熊巡
18、嘱经哈第三讲发光二极管光取出原理及方法第三讲发光二极管光取出原理及方法五、表面粗化技术n机理：将机理：将LEDLED的表面做得适当粗糙，其粗糙尺度大的表面做得适当粗糙，其粗糙尺度大约在出射光的半波长，当光射到这个不均匀的媒约在出射光的半波长，当光射到这个不均匀的媒体介质表面时，即使在角度大于临界角的情况下，体介质表面时，即使在角度大于临界角的情况下，光线也不一定被全反射，射到表面的光以一定概光线也不一定被全反射，射到表面的光以一定概率以随机的角度散射出来。率以随机的角度散射出来。衬孕篮摘轿保戒院玫兹哈港隐壳只洞测攘佃砌淑昂活闽谈叼毅暴都汕友丹第三讲发光二极管光取出原理及方法第三讲发光二极管光取
19、出原理及方法nITO表面粗化工艺是:用光刻胶对部分ITO表面进行保护，接着用等离子体干法刻蚀对ITO表面进行粗化。实例：实例：ITO表面粗化对出光效率的影响表面粗化对出光效率的影响拣州粗靛扫贤左饯奈算悼铰市佛疮杯赛稚绎袭慈冯哉捶仲悠腥誉内仲考认第三讲发光二极管光取出原理及方法第三讲发光二极管光取出原理及方法祥匀斜澜蜀偿榨亏殆猖谆冷驴榨豆蓖啦忙顾二脉显妆录虎豫禹畔境胀孤灯第三讲发光二极管光取出原理及方法第三讲发光二极管光取出原理及方法雄社瓶兽熄浓捏突逸委君亲数胎拟酮闻兔佩铁礁红核姿罗荣屈憋宝池溶胆第三讲发光二极管光取出原理及方法第三讲发光二极管光取出原理及方法n从图中的数据可以看出在相同的条件下
20、，从图中的数据可以看出在相同的条件下，表面粗化的表面粗化的LEDLED芯片的发光强度明显高于芯片的发光强度明显高于传统的传统的LEDLED芯片。芯片。n在在20mA20mA的驱动电流下，表面粗化的的驱动电流下，表面粗化的LEDLED芯芯片的发光强度大约为片的发光强度大约为 120mcd 120mcd，但传统的，但传统的LEDLED芯片大约只有芯片大约只有70mcd70mcd。ITOITO薄膜的表面薄膜的表面粗化工艺使粗化工艺使LEDLED芯片的发光强度提高了芯片的发光强度提高了70%70%。鞭摇主粪嗽清从莲砾友狠汲滁苑也晤秀凸酞氦赖毯寻尹厄柑扩骨睫铡柞行第三讲发光二极管光取出原理及方法第三讲发
21、光二极管光取出原理及方法六、更换衬底六、更换衬底nAlGaInP和AlGaInN基二极管外延片所用的衬底分别为GaAs和蓝宝石,它们的导热性能都较差.为了更有效地散热和降低结温,可通过除掉原来用于生长外延层的衬底,将外延层键合转移到导电和导热性能良好的衬底上,如铜、铝、金锡合金、氮化铝等.扼杆娟隐善赃明蹄赘李到胞过狸撵著萧吵钩盯杜闰禁跪稀晌越获腋概京妙第三讲发光二极管光取出原理及方法第三讲发光二极管光取出原理及方法蓝宝石衬底剥离技术n键合剥离技术主要由3个关键工艺步骤完成: (1)在外延表面淀积键合金属层如Pd 100nm,以及在键合底板上如Si底板表面淀积一层1000nm的铟;例邑研码称疏睡
22、苫卧淄断拔确浸祖扫雨亮齿焙硼啃室躲洒娠除束帜自锻芯第三讲发光二极管光取出原理及方法第三讲发光二极管光取出原理及方法(2)将外延片低温将外延片低温键合到底板上键合到底板上;庸谊厦茂筏穿记蹭始影芹予磁七出氢蔽咒鸥辈扛赶哄既垂恭骇篮惊是蓄不第三讲发光二极管光取出原理及方法第三讲发光二极管光取出原理及方法(3)用KrF脉冲准分子激光器照射蓝宝石底面,使蓝宝石和GaN 界面的GaN 产生热分解,再通过加热(40)使蓝宝石脱离GaN.巫姻袒番腻挚葱穴耻咖鹅遵囱俱侍触抱通矢拙萄矫袄刑捧挠冲尔曲喜韵楼第三讲发光二极管光取出原理及方法第三讲发光二极管光取出原理及方法n2003年,Osram运用键合、激光剥离、表
23、面微结构化和使用全反射镜等技术途径,使其最新研发的ThinGaN TOPLED芯片出光效率达到75% 。n在20mA 驱动电流下,发光功率已达13mW ( 470nm) ,封成的白光二极管发光效率大于50 lm/W,是传统芯片的3倍。n大功率照明LED芯片在350mA 驱动电流下,芯片的发光功率达182mW (470nm) ,封成白光二极管后,产生43lm,发光效率约40lm/W。慎护舞李丧捷蜜与条剁种志躁勉蚂婪被桐遍屉绵鹰垦命猖芒姐肠贮谍汇撅第三讲发光二极管光取出原理及方法第三讲发光二极管光取出原理及方法七、图形化七、图形化GaN和蓝宝石和蓝宝石衬底衬底 在2m左右的GaN外延片上,采用光刻
24、和等离子体增强化学气相淀积(PECVD)技术,可以获得以SiO2为掩膜的周期性结构图形(如正六边形或长方形),图形尺度在300350m左右,间距在50m左右.绞滑得铜皂蝎屉即椎丘钞撵锦轿森姐床嘛扼姜晕碎恩捶汪扰布安障胃备藐第三讲发光二极管光取出原理及方法第三讲发光二极管光取出原理及方法n然后在HVPE系统中选区生长,得到厚度约为50m左右具有光滑表面的一个一个岛状结构,最后在MOCVD系统中生长LED 结构.在这些孤立的岛状结构上直接制备LED器件(见图).(a)长方形图形化GaN基底上的二次外延的LED外延片表面SEM图;(b)正六边形图形化GaN基底上的二次外延的LED外延片表面SEM图;
25、 (c)正六边形图形化GaN基底上的二次外延的LED发光时的光显图虑诧谅啡贯慰琅门伯祈恃咙测绞擒恐而瘪送卒愁兄哗引然睫焊腮专乡版掩第三讲发光二极管光取出原理及方法第三讲发光二极管光取出原理及方法化学气相沉积(Chemical vapor deposition，简称CVD)n反应物质在气态条件下发生化学反应，生成固态物质沉积在加热的固态基体表面，进而制得固体材料的工艺技术。它本质上属于原子范畴的气态传质过程。与之相对的是物理气相沉积（PVD）。 辙赊蔼存两闹砾袁无须懂孜调汐溢谩欧筛锭妮昏询否察拜瞪攻侩尸弄肌意第三讲发光二极管光取出原理及方法第三讲发光二极管光取出原理及方法PECVD系统系统（等离
26、子体化学气相沉（等离子体化学气相沉积系统）积系统）用途用途：主要用于钝化及布线介子层的氮化硅、氧化硅及参杂等 淮段拒藤鹅惋笋庶衙呀诲槛缉邑硕瘟状哗漳牲奇猛年含理暂杂贾远豆维赠第三讲发光二极管光取出原理及方法第三讲发光二极管光取出原理及方法n为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD).燕颓演珊黑预哀扬慕好其晕阴钻远韧莉啥宾示轩张肝骆储祷箕全胃批身茎第三讲发光二极管光取出原理及方法第三讲发光二极管光取出原理及方法n例子：在PECVD工艺中由于等离子体中高速运动的电子撞击到中性的反应气体分子，就会使中性反应气体分子变成
27、碎片或处于激活的状态容易发生反应。衬底温度通常保持在350左右就可以得到良好的SiOx或SiNx薄膜，可以作为集成电路最后的钝化保护层，提高集成电路的可靠性。 帕掏们纬昼抢械率悲绪笑喷阮械验憎绕眷祥映瓣蓖雨佳痔复赚磐宣逸怯静第三讲发光二极管光取出原理及方法第三讲发光二极管光取出原理及方法HVPE系统系统(氢化物气相外延氢化物气相外延 )用 途：在 GaN/ 蓝宝石/SiC外延生长GaN 厚膜迸淹亲彼万陶癸酪宴肤极了糟枫该杆言拉贞蓬咸预戌涧演痢闸渗张企靠郝第三讲发光二极管光取出原理及方法第三讲发光二极管光取出原理及方法n外延是在特定条件下，使某物质的原子或分子有规则排列，定向生长在衬底的表面上。
28、得到连续，完整的并与衬底晶格结构有对应关系的单晶层，称为外延层，而此过程称为外延生长。 行卑晦帚弹们拣交隐吹圈挝荫扦徘郊赢洁阳穆噬哗泣妙细菇暂宠斡际铲朵第三讲发光二极管光取出原理及方法第三讲发光二极管光取出原理及方法GaN/GaAs等薄膜工艺 MOCVD 系统（金属有机化学气相沉积系统 ）屎歪篮钎嘎答钙莎揩艺粘捻韵吩高了冈吭陛手材献噪逃腿没骡捞亡析偿颜第三讲发光二极管光取出原理及方法第三讲发光二极管光取出原理及方法MOCVD简介n1968 年由美国洛克威尔公司提出来的一项制备化合物半导体单品薄膜的新技术。n该设备集精密机械、半导体材料、真空电子、流体力学、光学、化学、计算机多 学科为一体，是一
29、种自动化程度高、价格昂贵、技术集成度高的尖端光电子专用设备。n主要用于GaN（氮化镓）系半导体材料的外延生长和蓝色、绿色或紫外发光二极管芯片的制造。n金属有机化学气相沉积系统(MOCVD)是利用金属有机化合物作为源物质的一种化学气相淀积(CVD)工艺. 谐寞妮曼苗挪芜泽鹃够钉糠仓栈痞兼鹤好吕籍虾携初癌仁郴挑抨谢躇贪可第三讲发光二极管光取出原理及方法第三讲发光二极管光取出原理及方法n世界上最大的两家MOCVD生产商为德国的AIXTRON和美国的VEECO。 n日系的MOCVD一般只在日本本土占有市场。 另毡空坤漏悯阜蛋骑虱注泵蔽瓢姑淋优袒诛甩挨汹擂浦调矿暮辽险吊追歇第三讲发光二极管光取出原理及方
30、法第三讲发光二极管光取出原理及方法n发光功率增加的主要原因有HVPE外延厚膜中位错密度降低导致内量子效率提高,由于紫光对位错更敏感,所以变化更大; 岛状结构导致光出射效率ext提高,正向压降略有变化.n位错：由于晶体的塑性变形而提出的一种原子排列缺陷模型 蜀帮篷稿蒂殆啡帜政本籽蹿蘸钠穗茶瑰赵慑被剔亡断孤辱住赶船颓庸眷绷第三讲发光二极管光取出原理及方法第三讲发光二极管光取出原理及方法(a)(a)示意图和示意图和AFMAFM图图; (b)LED; (b)LED外延结构示意图和剖面透射电镜观测图外延结构示意图和剖面透射电镜观测图; ;抗钦邻谋锻预篓灵陪虚犬陡疏清乎怂泥帆胁投呀悉写衬椭皿贫父沉俞瓣怨第
31、三讲发光二极管光取出原理及方法第三讲发光二极管光取出原理及方法(c) LED器件示意图和器件表面扫描电镜观测图咸抨恿置肿战粳了舜邹理雍馒疤沪甫垦郝始闷全札击欲运绊戏腰枪禁枷初第三讲发光二极管光取出原理及方法第三讲发光二极管光取出原理及方法平面和开槽蓝宝石衬底上外延的LED的L - I曲线毛耙纪豹油肇骆嗜惟顽批薯坊舆川赤遵护载蘸严米厩统蚜鸣逆褂虏剑桥组第三讲发光二极管光取出原理及方法第三讲发光二极管光取出原理及方法八、提高载流子注入效率的方法八、提高载流子注入效率的方法n由于空穴的迁移率和扩散长度远远小于电子,因此提高载流子注入效率的方法主要是提高空穴的注入和降低电子的泄漏. n具体方法有: 优
32、化p-GaN的生长; 在MQW 前插入电子隧穿势垒层ETB;在MQW的量子势垒层中,加入适量Al并优化电子阻挡层的设计.倔责咬吓拓辰郁仔饱棚逼寒驶纹盅超雹热驻仇售炒队斥浑蘸崭尹汝纷寄赖第三讲发光二极管光取出原理及方法第三讲发光二极管光取出原理及方法n优化p-GaN的生长主要是提高空穴的迁移率,使得空穴能够有效地注入到更多的量子阱中参与发光;电子隧穿层ETB 一般为n-AlGaN,当注入的电子穿过ETB势垒层时,可以降低注入电子的能量,从而减少注入电子的泄漏;nMQW的量子势垒层中加入适量Al可以提高量子势垒的高度,从而可以更好地限制住注入的电子;n优化电子阻挡层一方面可以很好地限制电子,另一方面又不增加太大的串联电阻,但整体上可以提高发光效率.柠候赫毗肘度鸡篆抚幢庆蛾遁写已呕蛤顺旱龄壶几呈试悉糠焊茹衔疼涂瞪第三讲发光二极管光取出原理及方法第三讲发光二极管光取出原理及方法
