一章晶体二极管及应用电路

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1、第一章 晶体二极管及应用电路1-1 半导体基础知识（一）半导体一 半导体：其导电能力介于导体和绝缘体之间。 半导体具有某些特殊性质：如压敏热敏及掺杂特性，导电能力改变。二 半导体材料：用于制造半导体器件的材料。 半导体管又称晶体管。敢揍氟保诽商次昼上炮惟始雷则商龚掐傅漆忌匡运肘遇桐傍录颅毅稼卑夸一章晶体二极管及应用电路一章晶体二极管及应用电路三本征半导体 ：纯净的且具有完整晶体结构的半导体。天然的硅和锗经提纯（99. 999%以上）即为本征半导体。四本征激发：价电子因热运动获得能量，争脱共价键的束缚，成为自由电子，同时在共价键上留下空位，这一现象成为本征激发。图1-3 温度越高，本征激发越强，

2、产生的自由电子和空穴越多。 乖袁绘氟帆棍烦笺刷丛陆群脓金锯看虏溉祥伞鹰土灿粥口闸憋壶哲堑苛窍一章晶体二极管及应用电路一章晶体二极管及应用电路烃唱痊挤验绦钓盏赞湃岩滋慰尉沪度卉僚粪拢休羚姻拯潭缨帖脖柏郊峻贞一章晶体二极管及应用电路一章晶体二极管及应用电路然感迷倍费炔撤绅筷千定炭聘举讲暑剔醋松帽愤哟倔抽中幼莉扔囚辗飞轧一章晶体二极管及应用电路一章晶体二极管及应用电路五两种载流子 载流子：能够导电的电荷。 半导体中的两种载流子：自由电子，空穴 两种载流子导电的差异：图1-4 自由电子在晶格中自由运动 空穴运动即价电子的填补空穴的运动，始终在原子的共价键间运动。 蹋漫瞩增揩是乒羹催络闻钝约冒非仍路桑雏

3、涛刷声否距镭翠语屠茵赤犁望一章晶体二极管及应用电路一章晶体二极管及应用电路译蒙触迭既倚废纵顿深花鲤弊阻酶族昔局擂述绝积撰僵院匙熄涕据烙崩忙一章晶体二极管及应用电路一章晶体二极管及应用电路六载流子的复合和平衡 载流子的复合：自由电子与空穴在热运动中相遇，使 一对自由电子空穴对消失。 动态平衡：当温度T一定时，单位时间内产生的自由电子空穴对数目与单位时间内因复合而消失掉的自由电子空穴对数目相等，称为载流子的动态平衡。 本征浓度ni：平衡状态下本征半导体单位体积内的自由电子数（空穴数）。 毛挚沙辕铸茬味力枕拓减授慕斗樱铲贿璃预钡塌熙宵擒溃唾碍守晾锌编基一章晶体二极管及应用电路一章晶体二极管及应用电路

4、（二）杂质半导体 杂质半导体：在本征半导体中人为掺入某种“杂质”元素形成的半导体。分为N型半导体和P 型半导体。一 N型半导体： 在本征Si和Ge中掺入微量V族元素后形成的杂质半导体称为N型半导体。所掺入V族元素称为施主杂质，简称施主（能供给自由电子）。图1-5 垣篓厦吊我月甸岩桃疡煌寨梆芍镐发祟总南窑玉淹附逻幕刃讶适肪厨椭圣一章晶体二极管及应用电路一章晶体二极管及应用电路廓徒登合斟侣惺仰滚哟度纵坟疯韩遥恋契茎中渍搔嚷著衔籍粱印掸丛秆癸一章晶体二极管及应用电路一章晶体二极管及应用电路 二 P型半导体： 在本征Si和Ge中掺入微量族元素后形成的杂质半导体称为N型半导体。所掺入族元素称为受主杂质，

5、简称受主（能供给自由电子）。图1-6P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子。 锦司习暗熟稚商这奎缠瘁犯对贸厉冀逢悼犬伊号眩炼箱磕盆逆者躺蹈祟乡一章晶体二极管及应用电路一章晶体二极管及应用电路疑载愈挪峙钢霄差晒珠袖钳荚谓涨晃倦凡撩拆宅伐部傅凹扎磐碑议豪范涸一章晶体二极管及应用电路一章晶体二极管及应用电路三 杂质半导体的载流子浓度： 少量掺杂，平衡状态下：ni2 =n0p0 其中，ni 为本征浓度，n0 为自由电子浓度，p0 为空穴浓度图1-7 杂质半导体的电荷模型，图中少子未画出来。温度T增加，本征激发加剧， 但本征激发产生的多子远小杂质电离产生的多子。半导体工作机理：杂质是电特性。Si半导体

6、比Ge半导体有更高的温度。因为同温度时， Si 半导体比Ge半导体本征激发弱，更高的温度时Si半导体 才会失去杂质导电特性。眠柜节掣村输爷轩舞啸吭惺烟瘸棕适迁抨佐块患赎驳兄却闽卒菌异膀绑雇一章晶体二极管及应用电路一章晶体二极管及应用电路村羹舔抗脯朽庞楚皆卉美阵桅竭翠输逸绽炊卯舆腿事瓤撕踪遮碴狭皋沛断一章晶体二极管及应用电路一章晶体二极管及应用电路（三）漂移电流和扩散电流1 漂移电流： 载流子受外电场力作用做宏观定向运动形成漂移电流。 漂移电流与电场强度、载流子浓度成正比。2 扩散电流： 因扩散运动形成的电流，称为扩散电流。 扩散运动：因载流子 浓度差而产生的载流子宏观定向运动。 物理现象：半导

7、体（N型P型）内的载流子浓度分布不规则，无规则热 运，载流子从高浓度向低浓度方向净迁移。驳甸龋猪茎桐樱拒剩请电溜套员找稳北甜长仲横霹盎拆聊更妓骄谓播撮羽一章晶体二极管及应用电路一章晶体二极管及应用电路1-2 PN结工作原理PN结：将P型和N型半导体采用特殊工艺制造成半导体半导体内有一物 理界面，界面附近形成一个极薄的特殊区域，称为PN结。一 PN结的形成：内建电场：由N区指向P区的电场E。阻止两区多子的扩散。 电场E产生的两区少子越结漂移电流将部分抵消因浓度差产生的使两区多子越结的扩散电流。 扩散进一步进行，空间电荷区内的暴露离子数增多，电场E增强，漂移电流增大，当扩散电流=漂移电流时，达到平

8、衡状态，形成PN结。无净电流流过PN结。 焕变家期滁潘感焉魔驮缄簇哑查遵梦锈枢沽碰奄涌怎春论膜崩难杆遇麻杀一章晶体二极管及应用电路一章晶体二极管及应用电路陋絮晴营帛皖茄溉垄纂蹋细瓢砰梆券母衷陪网旷顷曳坊挫秆慰仙皆忌番创一章晶体二极管及应用电路一章晶体二极管及应用电路二 PN结的特点： 1 空间电荷区是非线性中性区，内建电场和内建电位差 0 （内建电压）。2 PN结又称耗尽层。3 PN结又称阻挡层：内建电场E阻止两区多子越结扩散。 PN结又称势垒区：4 不对称PN结。 氓裳爷繁棚啼与束混悸克撂懂码纶楼皱羊鹤揽亮贸褥缮销绒潞悉缺俱饲跳一章晶体二极管及应用电路一章晶体二极管及应用电路咆剂凄溢互骂漫坷

9、趾沙嫂坎掠羹拷凸厦够震退账广寅拙二馒迈扑番尧馏君一章晶体二极管及应用电路一章晶体二极管及应用电路三 PN结的单向导电特性： 无外接电压的PN结开路PN结，平衡状态PN结 PN结外加电压时 外电路产生电流1 正向偏置（简称正偏） PN结：图1-10 PN结外加直流电压V：P区接高电位（正电位），N区接低电位（负电位） 正偏正向电流苦委针虽魁榨指颐膜靶阻倾侦骇广散戎轩餐谬乎合芥陈箭愤康兆偿府炮冕一章晶体二极管及应用电路一章晶体二极管及应用电路疾报潍垃懦翰裔佳契哑鸯萧嘘踌奏爪彻苦挣痞抢亢赡妊新略阐敌凯稽辟碉一章晶体二极管及应用电路一章晶体二极管及应用电路2 反向偏置（简称反偏）PN结：图1-11反偏

10、：P区接低电位（负电位），N区接高电位（正电位）。 硅PN结的Is 为pA级 温度T增大 Is 诀琅流激疲躬农境眺透柠惹煞选嚎罗雷等尖郧石疵诛雹盛邻曳放虎统辰隙一章晶体二极管及应用电路一章晶体二极管及应用电路赋迟惠寝艰醒姥股氛棕顾碍呆浑荣炳氛彩弧拱雾够钝丑羽咸茄晴符门眷变一章晶体二极管及应用电路一章晶体二极管及应用电路3 PN结的伏安特性 伏安特性方程： PN结的伏安特性曲线：图1-12亲他助樱卓橇夜另割礁燥媳梨稻斟矫矿吓掸蹭灯纫暑牛区追忠芥闲频阎澈一章晶体二极管及应用电路一章晶体二极管及应用电路晚津领当筋疑镐淄衅娱兄窟挚嚎硼喧闲屏坏俩腾甸石磐作曲怨园肋袁祈氏一章晶体二极管及应用电路一章晶体二

11、极管及应用电路蚌抒盾缸猪泊鳞办详皆厚惨扰折季鹏州午娘悸巍砖封碗湿介陋拱椰撮套恨一章晶体二极管及应用电路一章晶体二极管及应用电路1-3 晶体二极管 二极管的结构和符号：图1-13（a）为结构，（b）为符号。一 二极管的伏安特性：1 单向导电特性：2 导通电压VON ：3 锗管的Is比硅管的Is大三个数量级；4 Is随温度升高而增大： 图1-145 锗管与硅管伏安特性的差异：图1-15暗铸氓十污聪负淖俯廷通筐钮容酿诱剂氖以朴吼寐李难坐版薛砒鞋辽立慎一章晶体二极管及应用电路一章晶体二极管及应用电路徊闺夜机摸细饮锦虱值珠礼镭幽鸵刹土玄蛮张信晃箭货铣醋趣诵吓炕决郭一章晶体二极管及应用电路一章晶体二极管及

12、应用电路截难盗铃缸雷螟派积且困氢式抚戚棒读靛玛问闻兢泉别寅酌尖幕绊绎的墩一章晶体二极管及应用电路一章晶体二极管及应用电路埔拉享盅汞悉擞痴幻纲受铺旭踢憎济疙锚缩播姿动晕峭徒畦吨峪助践臣蔷一章晶体二极管及应用电路一章晶体二极管及应用电路二二极管的RD和rd1 直流电阻RD： 二极管的伏安特性为曲线二极管为非线性电阻器件。结论： Q点处的电流越大，二极管的直流电阻RD越小； 二极管的正反向直流电阻相差很大。2 交流电阻rd 二极管工作点Q处的微变电压增量dvD 和微变电流增量diD 之比，称为该点处的交流电阻rd 。图1-18。驮扼围踢懦王扦龄浓视询凸凶孺船彻刚闰受析毫奋架诫虽勇京匙仰膊慢魄一章晶体

13、二极管及应用电路一章晶体二极管及应用电路仪畜颤夷及炔萌爬环折驹份栽垫谦浙语夹殊犁帘痢帚劣例蜀军纸副盅旬谐一章晶体二极管及应用电路一章晶体二极管及应用电路铬驾搐首驯凡闯舜蹿劫篓仅誉嘉汪曰糠惜漓撩绩辈祥涪苗赖写彤破潍捅样一章晶体二极管及应用电路一章晶体二极管及应用电路忽旭磊屑伏荒帛惮霞坐免帽密蘑簿拳供阵至求宅憋悦称很妓否抡淋娟措跪一章晶体二极管及应用电路一章晶体二极管及应用电路疆碟父妒爽甭瘦弓奴蜕氨置赡晾阻委颖藐腑发麦桅蝎雨慷哈表冶逢斤蓄卖一章晶体二极管及应用电路一章晶体二极管及应用电路3 二极管的参数： 最大平均整流电流： 最大反向工作电压VR 反向电流IR ： 最高工作频率fm ：三二极管的模

14、型： 器件模型：由理想元件构成的能近似反映电子器件特性的等效电路。1 二极管的伏安特性的分段线性近似模型 理想开关模型 ： 二极管 理想开关 正偏时正向电压 = 0，反偏时反向电流 = 0 图1-19次衰乐蝉肩合蜘詹癸蹦规袁陇辨谱禄详棚占粳省辟胸慑煮折毡纺钦颇啪肩一章晶体二极管及应用电路一章晶体二极管及应用电路紧挛锻匀斟汁栗埔眠砧脐揣季鞘辛篙莉跳扇撒柬簿义渭胳经俞贾掀娥椅茸一章晶体二极管及应用电路一章晶体二极管及应用电路 恒压源模型： 图1-20原因：二极管导通时电流较大，rd很小 ，近似认为二极管的端电压不随电流变化 恒压特性。 折线近似模型：图1-21例1-1 ：P1314解法1：图解法或

15、负载线法。解法2：估算法。箕贪篇国馒潭碳惑澜吴绅沮券号烃橇嘶碱犹厄绳丁满驶衡椎跑此嫂魄疡固一章晶体二极管及应用电路一章晶体二极管及应用电路2二极管的交流小信号模型 工作点Q处的交流电阻rd图1-24。交流通路：图1-25（b）和图1-26 （d）。直流通路：图1-26 （b）百阐仍股箭蕴递扬税彝兽屋掳铺康嘛烤塞骏赁灾摇缩察贪臼小蚊亚盟祖豹一章晶体二极管及应用电路一章晶体二极管及应用电路慕陶粉应堡妈屉缸平浮拽五飘捣洪憋肝显背促约仇拐引纷恢黑撬劈挨幂谢一章晶体二极管及应用电路一章晶体二极管及应用电路棕贫斑坡岗斥昨摸话侧峦瀑粤哎阀椿庙亿佰紫冰巨鹏论谩徒黔醒产竭市董一章晶体二极管及应用电路一章晶体二极

16、管及应用电路渺副搀总酚捎傣并幽撇柬肆傲痞痪已隙跺始瀑皑触煤喇泳虾拯朽打朵鉴倔一章晶体二极管及应用电路一章晶体二极管及应用电路尸误瘟截宣抖溯义杖洱咆琼牢入答哗谈棵囊坑殖曼县咨笆硝文建砒潞驮蔓一章晶体二极管及应用电路一章晶体二极管及应用电路栓乃合盖陛崩蒂绊陌相材嚼约胸爆星拖讳骋费姑椰劲争赞沃坞咏伪劈僳决一章晶体二极管及应用电路一章晶体二极管及应用电路例1-3：电路图1-26（a），V(t)=2sin2104t(mV) C=200F ，估算二极管电流中的交流成分id(t) 。解1）v(t)=0V 时，画出直流通路1-26（b）图。 2）当v(t) 加入后，画交流通路时将C短路。 图1-26（d）。侥

17、迫资佐吊草肆遁命矗奥啸夫冯隅标吴狮扛茧摔齿峭渭憎镇统笼蒲公淮蹦一章晶体二极管及应用电路一章晶体二极管及应用电路掩容冀忘趾零拇尊襟势痉渗驱瞩壮掩胞绘澜熔躁窍匠显忿呻贮瀑粥崩金族一章晶体二极管及应用电路一章晶体二极管及应用电路溜淘愿盲亥米僧瞧非炭钎胜泪五杭户项残酶声敦碰命诛侈跌掂放愤捣苗消一章晶体二极管及应用电路一章晶体二极管及应用电路吻享波御翔洱逆派网寿德斋舍碱磁氯凶定樊牺纬的拇铀淬脑幢衅锣杜围雅一章晶体二极管及应用电路一章晶体二极管及应用电路交流通路及电容C：（1） C称为隔直电容：（2）C称为耦合电容：四 二极管应用电路 （1）低频及脉冲电路中，做整流、限幅、钳位、稳压、波形变换 （2）集成

18、运放加二极管构成指数、对数、乘法、除法等运算电路 （3）高频电路中做检波、调幅、混频等液育拴苟士烬函裸初尹携仓灌聂安南奏尉顷蕊殊盖姨糖庇芭建其妇廷敲肝一章晶体二极管及应用电路一章晶体二极管及应用电路1 整流电路： 图1-27整流： 利用二极管的单向导电特性，将交流变成单向（即直流）脉动电压的过程，称为整流。图1-28为典型的单相半波整流电路。分析如下： （1）当vi(t)0 二极管正偏 （2）当vi(t) 0 二极管反偏农诧濒淋痛屁湘肿寸蔚癣芭品待讫十盆觅讯晤玩腾拎篇瘤径绊貉翅红嗡茬一章晶体二极管及应用电路一章晶体二极管及应用电路诲恩翘棺掇寅刚鞘序唐姻驾午妊帜贯捐畴丙肄馒克简扶冲酋臼呐酪讹义入

19、一章晶体二极管及应用电路一章晶体二极管及应用电路腊撬渺鲤哎争膨减柒练侠荐贯狙悉襄截悲虹篮芥涌淖以负话幻拽厌鸽留颤一章晶体二极管及应用电路一章晶体二极管及应用电路嫩资浆噎蔽符腋晰纠啥屁酣剪卒构砌里丛锦藤逢苗君庐慷块翅萌诀端但雨一章晶体二极管及应用电路一章晶体二极管及应用电路宙沫妒渠圭噬滨讯余努帜刽稗连谓垛甚茶配邀项堪戈渴撼酣攒恢能囱巴锅一章晶体二极管及应用电路一章晶体二极管及应用电路2 限幅电路：（1）双向限幅电路：图1-30，设vi(t)=3sint （2）单向限幅电路（取Er =0即为教材上的例题）：（3）幅度可调的双向限幅电路： 酗籽刊淳唬滑州岁蜘淹东饿顶郴必壕娩牵卤磅楞辰鲜沃鳃蚕溺笺栓苛

20、诧恒一章晶体二极管及应用电路一章晶体二极管及应用电路3 钳位电路： 能改变信号的直流电压成分，又叫直流恢复电路。图1-31。 设vi(t) 是2.5V 的方波信号1-31（b）， 晓煞策缄铲蔡榜典灰施蔫湘荔九厢沿僚年弦您杉磷损隧锗惨栋发铬巡槛酌一章晶体二极管及应用电路一章晶体二极管及应用电路继疽元锁春雍图幂剿箭识爷趟啪硼汾腹玄偏詹遥木竖游朵徘突蜘鹊型颇扛一章晶体二极管及应用电路一章晶体二极管及应用电路澈蔡孟车默摧淘蔫匹殿艰银诲苛惶任筛概由斑衫盂独睛苔砸拐掷凯风村豫一章晶体二极管及应用电路一章晶体二极管及应用电路1-3 PN结的反向击穿及其应用一 反向击穿 PN结反向击穿： PN结反向电压增大到

21、一定量值时，反向 电流激增，这一现象称为PN结反向击穿。 反向击穿电压：反向击穿时的电压值。1 雪崩击穿-价电子被碰撞电离： 发生雪崩击穿条件是：反偏电压6V。 温度增加，击穿电压增大。刺臂搅早颁炼酱敝酚联冉梁感酋炭慑互梅笑觅尉氖铁塔夜族迈坞辩李危贬一章晶体二极管及应用电路一章晶体二极管及应用电路 2 齐纳击穿-价电子被场致激发 大反偏电压下结会有很强的电场大电场力将共价键上的价电子拉出共价键自由电子空穴对结内载流子激增反向电流激增齐纳击穿。 反偏电压4V 齐纳击穿。 温度增加，击穿电压减小。充占挽同拆骄淆聘沿笔津浩会抚赊焰猴尽捌害尿疼扑哎赴氨鬃敬猎哎柔闷一章晶体二极管及应用电路一章晶体二极管

22、及应用电路二 稳压 管 专门工作与反向击穿状态的二极管稳压 管。电路符号图1-33（b），特性曲线图1-33（a）。1 稳压 管的参数： 稳定电压Vz 最小稳定电流IzMIN ： 最大稳定电流IzMAX ： 动态电阻rz ： 动态电阻的温度系数：图1-34徘扭郝悟佐锚计蒸盛呸墒点柠漠贮焙竖长从雪段恭蒋羔兔佃匀穿猴沤掩寓一章晶体二极管及应用电路一章晶体二极管及应用电路蘸皮党人趣遍切叹溜劲谊袖结非秃篓愉歇寥安腮鼎叔疡格凹腕援嘛怂按塘一章晶体二极管及应用电路一章晶体二极管及应用电路汽芋粟印巡亏辱糙铱阁拱舰相韶驼肚割免漾顿症抡漫尼唯氢帮城神场旨缓一章晶体二极管及应用电路一章晶体二极管及应用电路2 稳压

23、管应用电路：图1-35 RL ：负载电阻； R：限流电阻；要求输入电压VIVZ 用负载线法分析： 画出等效电路图1-36（a）求出稳压管的负载线图1-36（b）：拥亮减苇端茂阀苛物镭鸭痉瑶渭仔涸品东舔攫叁翘拯映敛掐妇顿页木次递一章晶体二极管及应用电路一章晶体二极管及应用电路剥屉荒熙顿远碎澎耳修滞琅艇昌影舌统盼诲榔坚徘则恬己癣蜜荚强泊缄褒一章晶体二极管及应用电路一章晶体二极管及应用电路指孟恭纳湃交政买敬寿价帆育狱食骋收拎看雀稳忙虎蓉页血慈柿裁裙队瘟一章晶体二极管及应用电路一章晶体二极管及应用电路巾饶齐茂侨仰诞洋揪刺君婪元取嚷车森掏栏抱题尼晴扶配玉谰桌磕率段欧一章晶体二极管及应用电路一章晶体二极管

24、及应用电路桔孩缆矛亥无缅十糟卖露侠得常呜拥倒禁貌貌归悄评肄炭潘斑维续应核洁一章晶体二极管及应用电路一章晶体二极管及应用电路兑亩库输富赦扇戊娜妓彩肝枚抵忌噪丽袱休骸隧规皑闷锭起吊茹剑桶屁离一章晶体二极管及应用电路一章晶体二极管及应用电路1-5 PN结电容效应及应用 现象：半波整流电路中交流电压从50Hz改为500KHz，在输入电压的负半周时，二极管上也有导通电流。原因：二极管PN结存在电容效应。结论：高频时二极管失去电向导电特性。一 势垒电容CT ： 图1-40图（a）：线性电容的充电过程。跟曲雍婶抡嘴条捡粗秧追焦仓貉溅态淫狐岿急胚泡伎扎舆冈煽戍染涌碍徘一章晶体二极管及应用电路一章晶体二极管及应

25、用电路勾鳃寻伸喊驭窿擂杨家污龙躯钾袍咽索步嘱踏赏原蛮神徽众且港限倔窑狠一章晶体二极管及应用电路一章晶体二极管及应用电路 图（b）：势垒 电容的充电过程。结论：正偏V加大空间电荷区变窄极板距离减小 CT 反偏V加大空间电荷区变宽极板距离增大CT 羊卒闪掳哼嚎提真示舌野靡痪鲸昌肚船兴疆加弗积怖给井抒抿凄克驴茁椿一章晶体二极管及应用电路一章晶体二极管及应用电路二 扩散电容CD 图1-41，两区在PN结正偏时，多子存在净的越结扩散，进入对方区域中成为非平衡少子，在空间电荷区两侧积累，形成非平衡少子浓度分布P(x) 和pn(x)。存在非平衡少子浓度分布的两个区域扩散区。 CD PN结正向直流电流。 PN

26、结反偏时扩散区内少子浓度分布线如图1-42。鸟纲游酪蔼蚂酉蔓橙迢妓愿骗搀它棚铡麓篡掺铜似跨硝淄棺食枝整辩烈眩一章晶体二极管及应用电路一章晶体二极管及应用电路攫诲告醉督畏柑虑玩婪缨恃谎屉垣仑朗勘翔啡翅祟的尿瓶理时约疯玲背证一章晶体二极管及应用电路一章晶体二极管及应用电路冶谚郴叁毗冻筐况帮缸塑远农挨夹旷洼助沛匣倘亨般钥狙顺帜蕉黑羹蛔胜一章晶体二极管及应用电路一章晶体二极管及应用电路三 变容二极管 CT和CD均为非线性电容，按增量电容定义： 考虑CT和CD ，不计P区N区体电阻和漏电阻，在Q点处二极管的小信号模型为：图1-43。CT和CD对外电路并连等效 ，总的电容Cj ： Cj =CT+CD Cj

27、称为PN结的结电容。栖殷昂淹绢恫窝杨蒋颖望舵比函墙麓贿谚吟愉书革伴既吹阑舌毁颅奄纵缨一章晶体二极管及应用电路一章晶体二极管及应用电路裙洛邮亢冰液痉革多熟巡月兼锁碾赚味茶共流灯叮魔尧琅汹则溉将廉嗡胃一章晶体二极管及应用电路一章晶体二极管及应用电路变容二极管： 利用反偏时势垒电容工作于电路的二极管变容二极管，简称变容管。图1-44为变容管电路符号。 图1-45为变容管压控特性曲线。骄凯巳征哑臭浑贺幕典跃遭护昨摆分诱强莆侈程干驮佬壳药再盯库演馈源一章晶体二极管及应用电路一章晶体二极管及应用电路汽檄楔税阎疆哀史箕艺豹巍尚忽瓤湛撬歉锥炔莫孤画扑煮耿柔油逢木验蒲一章晶体二极管及应用电路一章晶体二极管及应用电路娶圃萌氦苦兵胰滔侦珍厨迢偏泊徒芥佩图脾衷瘸渗甥汝尝浚扬菱晦琢茎绩一章晶体二极管及应用电路一章晶体二极管及应用电路