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1、基础电子技术基础电子技术逸夫楼60713845105454yrfhit.edu本节内容本节内容 场效应晶体管场效应晶体管特性、规律总结特性、规律总结双极型和场效应晶体管的比较双极型和场效应晶体管的比较场效应管放大电路场效应管放大电路共源组态基本放大电路共源组态基本放大电路偏置、放大电路偏置、放大电路性能指标计算性能指标计算总结总结1：根据符号识别管子：根据符号识别管子（1）PN结结箭头总是表示箭头总是表示PN结，由结，由P指向指向NPN结总是反偏截止状态，结总是反偏截止状态，栅极无电流栅极无电流（2）沟道）沟道DS间的连线表示沟道间的连线表示沟道沟道为虚线：沟道为虚线：Ugs=0时沟道不存在，
2、只有增强电压才时沟道不存在，只有增强电压才能感应出电荷形成沟道能感应出电荷形成沟道增强型增强型沟道为实线：沟道为实线：Ugs=0时沟道存在，外加电压可形成电时沟道存在，外加电压可形成电流流结型、耗尽型。结型、耗尽型。总结总结2：P沟道沟道 VS N沟道沟道N沟道沟道Ugs越越大大，导电沟道越宽，导电沟道越宽，iD越大越大uDS0，iD实际流向为实际流向为DS总结总结3：工作区域判断：工作区域判断（1）两端均开启（或均未夹断）：可变电阻区）两端均开启（或均未夹断）：可变电阻区DS间等效为电阻间等效为电阻RdsRds大小取决于大小取决于UgsiD=UDs/Rds（2）一端开启（导通），一端夹断：恒
3、流区）一端开启（导通），一端夹断：恒流区DS间等效为受控电流源间等效为受控电流源iD=gm* ug放大状态应工作区域放大状态应工作区域（3）两端未开启（或均夹断）：截止区）两端未开启（或均夹断）：截止区iD=0P沟道沟道转移特性曲线和漏极输出特性曲线与转移特性曲线和漏极输出特性曲线与N沟道型场效沟道型场效应管应管以纵轴左右对称以纵轴左右对称，即上述结论为：，即上述结论为：Ugs越越小小，导电沟道越宽，导电沟道越宽，iD越大越大uDSD另：另：NPN型晶体管与型晶体管与PNP型晶体管特性曲线型晶体管特性曲线也以纵轴对称也以纵轴对称BJT VS FET晶体管晶体管类型型 项 目目 双极型晶体管双极
4、型晶体管(BJT) 场效效应晶体管晶体管(FET) 结构构NPN型型PNP型型结 型：型：N沟道沟道, P沟道沟道绝缘栅增增强强型：型： N沟道沟道 ,P沟道沟道绝缘栅耗尽型：耗尽型： N沟道沟道, P沟道沟道电极倒置极倒置C、E不可倒置使用不可倒置使用D、S一般可倒置使用一般可倒置使用载流子流子多子多子扩散、少子漂移（两散、少子漂移（两种）种）多子漂移（一种）多子漂移（一种）输入量入量电流流电压控制控制电流控制流控制电流源流源CCCS()电压控制控制电流源流源VCCS(gm)噪声噪声较大大较小小热稳定性定性差差较好好输入入电阻阻低（几十到几千欧姆）低（几十到几千欧姆）高（几兆欧姆以上）高（几兆欧姆以上）静静电影响影响不易受静不易受静电影响影响易受静易受静电影响影响集成工集成工艺不易大不易大规模集成模集成适宜大适宜大规模和超大模和超大规模集成模集成大大电流特性流特性好好次之次之场效应管放大电路场效应管放大电路共源组态基本放大电路共源组态基本放大电路自给偏置自给偏置分压偏置及共源组态基本放大电路分压偏置及共源组态基本放大电路
