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1、无机太阳能电池资料环化学院资料化学系傅毛生2019年1月本章 根本要求教学目的：教学内容：重点与难点重点：难点：课时安排：1课时第8章 带硅资料前言8.1 带硅资料的制备8.2 带硅生长的根本问题8.3 带硅资料的缺陷和杂质8.4 带硅资料的氢钝化和吸杂前言1带硅资料的优势特点2) 带硅资料面临的共同问题及其开展8.1 带硅资料的制备制备方法的两大分类制备方法的两大分类 按晶体生长方式可分：按晶体生长方式可分： (1) 垂直提拉生长垂直提拉生长 (2) 程度横向生长程度横向生长8.1.1 边缘限制薄膜带硅生长技术EFG法EFG法的产生EFG法设备和工艺特点EFG带硅的尺寸与外形EFG法的特点8
2、.1.2 线牵引带硅生长技术SRG法SRG法的产生SRG法设备和工艺特点SRG带硅的尺寸与外形SRG法的特点8.1.3 枝网带硅工艺DWG法DWG法的产生DWG法的特点8.1.4 衬底上的带硅生长技术RGS法RGS法的产生RGS法设备和工艺特点RGS法的特点8.1.5 工艺粉末带硅生长技术SSP法SSP法的产生SSP法的特点8.2 带硅生长的根本问题三大问题：三大问题： 1. 边缘稳定性边缘稳定性 2. 压力控制：冷却速率大，要设计后加热压力控制：冷却速率大，要设计后加热处处 理，减少热应力理，减少热应力 3. 产率产率 带硅晶体的生长参数比较8.3 带硅资料的缺陷和杂质8.3.1 晶界 带硅为多晶资料8.3.2 位错 有更多的位错8.3.3 杂质 碳浓度很高，金属杂质也较高8.4 带硅资料的氢钝化和吸杂8.4.1 带硅的氢钝化 带硅的氢钝化的尤为必要性： 氢钝化工艺：结合SiN减反射膜制备进 行氢钝化工艺8.4.2 带硅的吸杂Dream with the Sea
