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10 宽禁带半导体材料 Eg2.3eVSiC, 金刚石,II族氧化物, II族硫化物,II族硒化物,第三族氮化物.SiC, GaN,第三族氮化物.禁带,热导,介电,电子漂移速度-适合制作高频、高功率、高温、抗辐射、高密度集成电路。禁带宽度:发光,探光器-蓝光、绿光、紫外。10.2GaN,AlN的晶体结构与能带作业：1.自我复习：a.金刚石型结构 ； b.共有化运动,允带，禁带；c.自由电子能谱，简约的布里渊区，波矢为简约波矢；d.金刚石第一布里渊区；e.导体，半导体、绝缘体的能带 ；f.有效质量与能带势场，外力-电子的加速度；g.本征半导体的导电机构；h.空穴回旋共振与有效质量；i.硅和锗的导带价带结构；j.间接带隙半导体，半金属或零带隙，窄带半导体,宽禁带半导体。
