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1、2024/9/51功能(gngnng)转换材料 利用能量转换效应制造具有特殊功能元器件的材料叫功能转换材料。该类材料能实现不同形式的能量转换，在测量(cling)技术、传感器技术中有广泛应用。第1页/共46页第一页，共47页。2024/9/52 13-1 压电材料(cilio)+- 一、压电效应(y din xio yng) 某些电介质晶体在机械外力作用下发生(fshng)形变时，电极化强度发生(fshng)变化，因而在某些对应表面产生异号电荷。 这种没有电场作用而只由于形变使晶体电极化状态发生变化的现象叫做压电效应，即因形变产生的电效应。也称为正压电效应。 反之，如将一块压电晶体置于外电场中
2、，由于电场的作用也会引起晶体的极化。 正负电荷的重心位移将导致晶体形变，这种现象称为逆压电效应。如加交变电场，产生机械振动。 压电效应使机械能和电能发生转化。第2页/共46页第二页，共47页。2024/9/53二、压电机制(jzh)1、非铁电晶体（如石英(shyng)） 不受外力作用时，晶体内正负电荷中心重合，总电矩为0，晶体表面无电荷。当受到外力作用时，晶格(jn )变形，正负电荷中心不重合，出现电极化，表面呈现束缚电荷。第3页/共46页第三页，共47页。2024/9/542、铁电晶体 当加电场后再撤去，铁电体有剩余极化强度，处于极化状态，在表面上有异号极化电荷。极化电荷吸附空气中的自由电荷
3、而中和（空气中总存在微量正负离子和电子），铁电体不呈电性。当铁电体作机械变形时，极化强度（包括极化电荷）随之变化。导致表面吸附的自由电荷随之而变。变化着的自由电荷便从一个(y )极移至另一极形成电流。从而实现机械能向电能转变即压电效应。 铁电晶体一定有压电效应(y din xio yng)，但有压电效应(y din xio yng)的晶体不一定是铁电体。 铁电体中有许多自发极化小区域(qy)，称为电畴。电畴取向混乱，总电矩为0。经电场处理后的铁电体可以成为压电材料。电极电极 反之，接入电源，电极上呈现电压，压电体就会变形（压缩或伸长）。加交变电源，压电体交替出现伸缩即发生振动。第4页/共46页
4、第四页，共47页。2024/9/55三、压电材料工作(gngzu)参数1、机械(jxi)品质因数 当输入电信号时，压电晶片产生振动，会产生内耗（发热(f r)），造成机械能损耗。反映损耗程度的参数称为机械品质因数。2、机电耦合系数第5页/共46页第五页，共47页。2024/9/56四、压电材料(cilio)种类 1、非铁电压(diny)电晶体 石英(shyng)（SiO2）、酒石酸钾钠（NaKC4H64H2O)、锗酸铋（Bi12Ge20）等。 压电半导体CdS、ZnO、ZnS等。 2、铁电晶体（压电陶瓷） 钛酸钡（BaTiO3）、锆钛酸铅Pb（ZrxTi1-x）O3即PZT、钛酸铅PbTiO3
5、等。第6页/共46页第六页，共47页。2024/9/573、压电聚合物 几乎(jh)所有聚合物都有压电性，但有实用价值的不多。 1940年，俄罗斯人发现木材压电性后，相继发现苎麻、丝竹、动物某些(mu xi)生物组织有压电性。1960年，人工合成了聚合物有压电性。 1969年，日本河合平司发现聚偏四氟乙烯（极化处理后）有强压电性，使压电聚合物逐步进入实用化。 与压电陶瓷相比：柔性(ru xn)、耐冲击、能制成大面积薄膜传感材料。第7页/共46页第七页，共47页。2024/9/58 一些结晶聚合物化学(huxu)结构不对称，有极性基团。未拉伸时，微晶取向随机，总极化强度为0。 拉伸时，晶粒有压电
6、响应，不经极化也有压电性。称为固有压电聚合物。 如木材、丝竹、动物骨骼、肌肉、皮、头发等，在自然生长条件下，微晶粒已择优取向。 某些合成聚合物拉伸后，也显示压电性。两类：（1）固有(gyu)压电性聚合物第8页/共46页第八页，共47页。2024/9/59 聚乙烯、聚丙烯等，分子中无极性基团，在电场中无偶极取向极化。这类材料本身无压电性。但由于材料在加工过程中存在不对称杂质(zzh)电荷或由外界注入的电荷在电场中不对称分布而引起压电性。但压电常数低，重复性差，难于实用。 聚氯乙烯（PVC）、聚偏二氟乙烯（PVDF）、尼龙等是极性高分子。若在高温下用高直流电压使之极化，并在冷却后撤出电压，使极化状
7、态冻结下来，就成为半永久性极化且有半永久性表面电荷的介质材料。称为驻极体聚合物。 PVDF驻极体有很强的压电效应，已实用化。 聚合物除PVDF等少数品种外，一般压电常数小，应用受限。而压电陶瓷质脆，不易加工。因此开发具有优良加工性能和高压电性的聚合物-陶瓷复合压电材料应用前景广泛。（2）驻极体聚合物第9页/共46页第九页，共47页。2024/9/5102、高电压(diny)发生装置（机械能 电能） 压电点火器（打火机、煤气灶、汽车火花塞，高压使空气(kngq)发生火花） 引燃引爆、压电开关、小型(xioxng)电源、压电变压器等3、电声设备扬声器、话筒等4、滤波器 各种无线电通讯和测量仪器（电
8、能 机械能 电能）。压电振子对某些频率信号衰减大，而对另一些衰减小，从而滤波。5、压电传感器 非电信号 电信号。力敏传感器、应变仪、血压计、压力计等。 五、压电材料的应用1、水声、超声换能器 发射、接收声波，完成水下观察、通讯、探测。第10页/共46页第十页，共47页。2024/9/511 13-2 热释电材料(cilio)一、热释电效应(xioyng) 一些材料由于温度变化而引起电极化状态(zhungti)改变，在某些相对应表面产生异号电荷。该现象叫热释电效应。 其逆效应为电生热效应外加电场变化，引起材料温度变化。 最早在电气石晶体中发现热释电效应 重要应用：热敏传感器（用作温度计、红外探测
9、器等）电介质压电体热释电铁电体第11页/共46页第十一页，共47页。2024/9/512电介质压电体热释电铁电体 1、热释电晶体前提是具有自发极化(j hu)，但压电晶体不一定都有自发极化(j hu)。 所以，必须有自发极化即晶体某些方向存在固有电矩。故有对称中心的晶体无热释电效应。 温度变化引起自发极化强度变化，而在晶体一定方向上产生表面电荷。 压电效应反映晶体电量与机械应力间的关系，机械应力有方向，引起正负电荷相对位移。 热释电效应中晶体电荷变化来自于温度变化。热膨胀各向同性。只有晶体存在着与其他极轴不同(b tn)的唯一极化轴，才有可能发生热释电。二、热释电机制(jzh)与压电机制(jz
10、h)比较 2、热释电晶体一定存在压电效应，但压电晶体不一定存在热释电效应。第12页/共46页第十二页，共47页。2024/9/513三、热释电材料(cilio) 1、有自发极化(j hu)的非铁电性晶体 如CaS、CuSe、ZnO、电气石等 2、有自发极化(j hu)的铁电性晶体 LiNbO3（铌酸锂）、LiTaO3、PbTiO3、BaTiO3、PLZT透明铁电陶瓷。 3、聚合物材料PVDF4、铁电陶瓷-聚合物复合材料 如Pb（Zr，Ti）O3-硅橡胶复合物。电介质压电体热释电铁电体应用： 红外光谱仪、红外遥感、热辐射探测器（防火用）第13页/共46页第十三页，共47页。2024/9/514
11、13-3 光电材料(cilio)一、光电效应(un din xio yng) 物质受光照后引起某些电学性质变化的现象叫光电效应(un din xio yng)，包括光电导、光生伏特、光电子发射三种。1、光电导物质（主要是半导体）受光照而电导率增加的现象。原因：半导体吸收光子引起载流子激发（载流子浓度变化）第14页/共46页第十四页，共47页。2024/9/515（1）本征光电导价电子从价带 导带，出现(chxin)一个自由电子和空穴，都参与导电。（2）杂质(zzh)光电导 附加载流子来自禁带中的杂质(zzh)能级上的电子或空穴，从而改变导电率。2、光生伏特 光照射下，半导体p-n结产生电势差的
12、现象。机理：第15页/共46页第十五页，共47页。2024/9/516npnp 载流子扩散，形成(xngchng)p-n结空间电荷区。自建电场从n p,阻止扩散，最后平衡。自建电场(din chng)作用：（1）阻止(zzh)：n区电子向p区扩散；（2）驱使：p区空穴向n区扩散n区空穴向p区扩散p区电子向n区扩散；势垒np 当光照在p-n结附近， ，p-n结附近形成电子空穴对。光生电子和空穴扩散到势垒区，内建电场使：空穴扫向p区；电子扫向n区。npnpnp第16页/共46页第十六页，共47页。2024/9/517npnpnp 则p区积累正电荷，n区积累负电荷，产生光生电动势。接通(ji tn)
13、外电路，由p经外电路达到n区形成电流。3、光电子发射(fsh)（外光电效应） 金属（或半导体）受光照，电子吸收光子被激发，激发了的电子有足够能量越过(yu gu)表面势垒（逸出功）从表面离开（初动能），称为光电子发射。第17页/共46页第十七页，共47页。2024/9/5181、光电导材料(cilio)及应用 CdS,CdSe,CdTe,ZnSe,HgSe,HgTe,PbS,PbSe,InP,InAs,InSb,GaAs,GaSb,Ge,Si. 光电探测器（光敏器件），光电导摄像管，固体(gt)图像传感器。2、结型光电二极管（1）高速(o s)响应的光电探测器 对非结型光电探测器，光电子在外电
14、路中产生光电流的响应慢。光照停止时，载流子平均寿命内仍存在光电子，故有延迟光电流产生。 对结型光电二极管，光电子主要产生于结中吸收区内。二、光电子材料及其应用第18页/共46页第十八页，共47页。2024/9/519 空间电荷层产生的光生载流子在高电场（自建电场）中穿行距离(jl)不大于空间电荷层厚度。所以，对光响应快（实用中尽量使光生载流子产生于结区）。 用作高速响应光电探测器。 （2）光电池 也是p-n结二极管。 对太阳能电池(dinch)，要研究Eg小的材料，以充分利用太阳光谱。 Eg在0.91.5eV内最好。Si是最理想材料。 还有：硫化镉，鍗化镉，砷化镓。第19页/共46页第十九页，
15、共47页。2024/9/5203、光电子发射(fsh)应用 光电管是利用(lyng)光电子发射（外光电效应）制成。用于光控继电器（自动报警器等）、光电光度计（光电流反应入射光强度） 光电倍增管（非常弱的光照，产生很大电流），在工程、天文、军事上有重要应用。 电视摄像管。第20页/共46页第二十页，共47页。2024/9/521 13-4 热电材料(cilio)一、热电效应(r din xio yng)（温差电效应） 用不同导体构成回路，两接头保持温差，则闭合回路中有电流(dinli)流过。该现象叫温差电效应或热电效应。回路中的电动势叫温差电动势。1、塞贝克效应 两种不同材料A、B构成开路，接点
16、保持不同温度，则回路产生电动势，称为塞贝克效应。实质：两接头处帕尔贴效应+两金属中汤姆逊效应第21页/共46页第二十一页，共47页。2024/9/5222、帕尔贴效应(xioyng) 两种不同导体A、B构成回路，接电源。则一个接点吸热，另一个放热，该现象称为帕尔贴效应。（电流(dinli)反向时，吸放热相反）。 原因(yunyn)：接头处有接触电势差（接触电动势）帕尔贴电动势。 两金属A、B接触，电子相互扩散。由于电子密度不同，交换电子数不同。 接头处非静电力，一个做正功，吸热；一个做负功，放热。A到B的电子数多第22页/共46页第二十二页，共47页。2024/9/523 接触处形成电荷(di
17、nh)层，产生电场，阻止扩散，达平衡，形成电势差即帕尔贴电动势。用 表示（与温度T有关）两接触点温度不同， ，方向(fngxing)相反。存在(cnzi)于两金属接触面上第23页/共46页第二十三页，共47页。2024/9/524原因(yunyn)：棒ab存在电动势（汤姆逊电动势） 温度(wnd)高处（a）电子动能较大，向低温处扩散，形成电动势。非静电力（扩散力）做负功，吸热；电流反向时，非静电力做正功，放热。流过电流，棒吸热(x r)，电流反向时放热。称为汤姆逊效应。3、汤姆逊效应 金属棒 ，两端第24页/共46页第二十四页，共47页。2024/9/525 金属棒中，两端温度(wnd)不同，
18、电子扩散形成的电动势即汤姆逊电动势。发生在同种金属两端之间。回路(hul)总电动势： 所以，只有不同(b tn)金属构成回路，总电动势才不为0.第25页/共46页第二十五页，共47页。2024/9/526二、热电材料(cilio)及其应用1、用于测温恒温(hngwn)装置电位差计 热电偶：通过测电动势来测温。把热学(rxu)量变为电学量测量。 非电量电测法2、用做温差电源第26页/共46页第二十六页，共47页。2024/9/5273、用于制冷(zhlng) 利用半导体帕尔贴效应（比金属强得多），实现热、电能转换，制成半导体制冷机（电流(dinli)流过时，低温端吸热，高温端放热） 优点：寿命长
19、，可靠，小型化，无空气污染4、材料(cilio) 热电偶：铜-康铜（60%Cu，40%Ni），200-4000C；镍铬（90%Ni，10%Cr）-镍铝（95%Ni，5%Al），010000C；铂-铑，达15000C；金-铁，低温、超低温测量。 制冷和低温温差电源：鍗化铋，硒化铋，鍗化锑。第27页/共46页第二十七页，共47页。2024/9/528 最多的应用是温差发电，但效率低，成本高。然而在一些场合其它能源无法使用时，便成为独一无二的发电方式，如南极、高山、空间(kngjin)及月球工作的大功率电源必须采用它。第28页/共46页第二十八页，共47页。2024/9/529 13-5 电光(di
20、ngung)材料一、电光(dingung)效应 电光效应物质光学特性(txng)受电场影响而发生改变的现象。 研究证实：折射率受电场影响 右边第一项：线性电光效应（压电晶体）（波克尔效应） 右边第二项：二次电光效应（各向同性物质）（克尔效应）第29页/共46页第二十九页，共47页。2024/9/530 对上述两种效应：在与入射光垂直的方向上加电压(diny)，物质发生双折射。电极(dinj)异常(ychng)光正常光压电晶体入射光电极电极异常光正常光各向同性物质入射光电极波克尔效应克尔效应第30页/共46页第三十页，共47页。2024/9/531不同(b tn)材料表现不同(b tn)效应：
21、波克尔效应只存在于无对称中心的晶体中，所有压电晶体。 克尔效应存在于各向同性物质（固体、液体(yt)、气体）中，强电场下，在压电晶体中较波克尔效应弱得多，忽略不计。还有电旋光效应(xioyng)： 线性偏振光通过外加电场的压电晶体时，偏振面发生旋转。第31页/共46页第三十一页，共47页。2024/9/532大部分为晶体(jngt) KH2PO4, NH4H2PO4,BaTiO3,SrTiO3, LiTiO3, ZnS, GaAs等三、应用(yngyng)1、电场测定 因为电场大小(dxio)影响双折射程度。2、电光器件（1）电光开关（快门） 基本思想：利用脉冲电信号控制光信号（通信和微波技术
22、，Q开关）二、电光材料第32页/共46页第三十二页，共47页。2024/9/533V晶体(jngt)光源(gungyun)00900调制(tiozh)光两偏振片正交 不加电压：无光输出（关） 加电压：电光效应使偏振方向旋转，有光输出。改变电压，输出光强变化。可以证明：VT理想情况下，开关频率可达1010次/秒。任何机械快门难于达到。第33页/共46页第三十三页，共47页。2024/9/534电极(dinj)异常(ychng)光正常(zhngchng)光各向同性物质入射光电极克尔效应： 光轴沿电场方向 电压 变化，光程差 变化，透过 光强变化。因此可以通过电压对偏振光强进行调制。克尔效应产生和消
23、失时间极短（10-9s），随着电场的产生和消失迅速开和关。 应用：用于高速摄影、激光通信、光速测量及电影、电视，更多地用作脉冲激光器的Q开关等。第34页/共46页第三十四页，共47页。2024/9/535（2）电光(dingung)调制器 在电光晶体上加交变调制信号(xnho)电压。折射率随电信号(xnho)交替变化。此时若有光波通过，则原来不带信号(xnho)的光波会含有调制信号(xnho)。 光波载电信号(xnho) 光通信技术第35页/共46页第三十五页，共47页。2024/9/536 13-6 磁光材料(cilio)一、磁光效应 磁光效应物质受磁场影响(yngxing)而光学特性发生变
24、化的现象 材料在外磁场下呈光学各向异性，本质上是磁场和光波电场(din chng)共同作用产生的非线性极化过程。1、磁光法拉第效应 线偏振光通过磁性物体（沿磁场方向通过介质），偏振面转一角度。第36页/共46页第三十六页，共47页。2024/9/537 原因(yunyn)：线偏振光通过磁性物体时，分解成左旋和右旋圆偏振光。因磁场作用，两者传播速度不同，出射合成的光偏振(pin zhn)面发生了偏转。 偏转角 与磁场强度 、通过介质的长度(chngd) 关系为：2、磁克尔效应 光照到强磁体表面反射后，偏振面转一角度。偏转方向与磁场强弱有关。第37页/共46页第三十七页，共47页。2024/9/5
25、383、振荡(zhndng)磁光效应 在与入射光垂直的方向上，对有冷却气体吹过的的物体加上磁场(cchng)，物体对光的吸收系数随光的频率呈振荡变化的现象，叫振荡磁光效应。冷气(lngq)入射光透射光吸收系数波长波长吸收系数4、科顿蒙顿效应、磁致双折射 芳香族化合物在外磁场中具有双折射性质叫科顿蒙顿效应。光波垂直磁化强度方向通过磁光晶体时，产生双折射。第38页/共46页第三十八页，共47页。2024/9/539二、磁光材料(cilio)种类亚铁磁石榴石：稀土过渡(gud)金属膜：Cd-Co，Ho-Co，Cd-Fe尖晶石型铁磁材料(cilio)：CdCr2S4，CoCrS4等半导体材料：锗、硅、
26、硫化铅等三、应用 目前最多的是利用法拉第旋转。用于激光器件：Q开关、调制器、隔离器、环形器等。还可以用于高密度存储器（磁光存储介质）。也可以用于激光雷达、测距、光通信、红外探测等第39页/共46页第三十九页，共47页。2024/9/540P1P2激光(jgung)反射(fnsh) 磁光晶体(jngt)以光隔离器为例说明应用： 激光通过P1，再通过晶体偏振面转一角度（如450），然后过同偏振方向的P2。光反射，通过P2和晶体，再转450.两次共转900，则不通过P1。达到了反射光与激光隔离的目的。第40页/共46页第四十页，共47页。2024/9/541 13-7 声光(shn un)材料一、声
27、光效应 声光效应声波作用于物质使其光学特性发生改变的现象。超声波引起的效应尤其显著(xinzh)。 超声波可以引起物质密度周期性变化，形成超声光栅，引起光的衍射（声光衍射效应）。两类衍射(ynsh)形式： 一是类似于普通光栅衍射的拉曼-纳斯衍射； 二是类似于晶体x射线衍射即布拉格衍射。1、拉曼-纳斯衍射第41页/共46页第四十一页，共47页。2024/9/542 物质内形成(xngchng)的疏密波相当于光栅，光栅常数即声波波长超声振子(zhn z)超声波2、布拉格衍射(ynsh)光在介质中波长满足该式，强反射。超声振子超声波第42页/共46页第四十二页，共47页。2024/9/543二、声光
28、(shn un)材料（两大类）1、声光(shn un)玻璃 常用材料(cilio)：熔融石英玻璃，Te玻璃等 优点：易生产加工，退火后光学均匀性好，损耗小，价廉。 缺点：可见光区，难获得折射率2.1的玻璃2、声光晶体 主要是氧化物晶体，其中重要的是：二氧化碲（TeO2）、钼酸铅（PbMoO4）、锗酸铋（Bi12GeO20） 氧化物晶体一般具有长波吸收带，很难用于红外，特别是10.6微米波段。（红外吸波）第43页/共46页第四十三页，共47页。2024/9/544三、应用(yngyng)1、声光(shn un)调制器 衍射效率与超声功率有关。采用(ciyng)强度调制的超声波可以对衍射光强度进行
29、调制。（激光器光开关、锁模技术）2、声光偏转器 声光衍射时，声波频率会改变衍射光束方向。所以，调频声波可以做随机偏转器、连续扫描偏转器，用于光信号显示和记录。 声光调制器和声光偏转器结合，在激光印刷、记录、传真等方面已有实际应用。第44页/共46页第四十四页，共47页。2024/9/545 声光衍射分光作用类似于透射光栅。用滤波器可以进行光谱分析。声光常数(chngsh)可电控改变，可以制作电子调谐分光计。4、声光(shn un)信息处理 利用声光调制功能实现(shxin)乘法“和”“与”操作，制作乘法器用于高速并行计算。 还有许多用途，前景广阔。3、声光滤波器第45页/共46页第四十五页，共47页。2024/9/546感谢您的观赏(gunshng)第46页/共46页第四十六页，共47页。内容(nirng)总结2021/11/11。该类材料能实现不同形式的能量转换，在测量技术、传感器技术中有广泛应用。温度变化引起自发极化强度变化，而在晶体一定方向上产生表面电荷。二、热释电机制与压电机制比较。原因：半导体吸收光子引起载流子激发（载流子浓度变化）。接通外电路，由p经外电路达到n区形成电流。此时若有光波通过(tnggu)，则原来不带信号的光波会含有调制信号。材料在外磁场下呈光学各向异性，本质上是磁场和光波电场共同作用产生的非线性极化过程第四十七页，共47页。
