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1、第九章半导体异质结构9.1 9.1 半导体异质结及其能带图半导体异质结及其能带图9.1 半导体异质结及其能带图1 半导体异质结两种不同半导体材料接触形成的结反型异质结：由导电类型相反的两种不同的半导体 单晶材料所形成的异质结 如p-Ge和n-GaAs 记为p-nGe-GaAs 如p-nGe-Si, n-pGe-GaAs 同型异质结：导电类型相同的两种半导体材料所形 成的异质结 如n-nGe-Si, p-p Ge-GaAs ,p-pSi-GaP一般把禁带宽度较小的半导体材料写在前面。2. 2. 理想异质结的能带图理想异质结的能带图形成突变pn异质结之前的平衡能带图9.1 半导体异质结及其能带图9
2、.1 半导体异质结及其能带图窄带隙材料和宽带隙材料在接触前的能带图窄带隙材料和宽带隙材料在接触前的能带图形成突变pn异质结之后的平衡能带图由于p区和n区的电子亲和势和禁带宽度不同，使异质结在界面处的能带突变，EC和EV的出现将阻碍载流子通过界面，这种对载流子的限制作用是同质结中所没有的。p-nGe-GaAs异质结的平衡能带图9.1 半导体异质结及其能带图热热平平衡衡状状态态下下的的一一个个典典型型的的np异异质质结结能能带带图图9.1 半导体异质结及其能带图Nn异质结在热平衡状态下的理想能带图9.1 半导体异质结及其能带图n-AlGaAs, n-GaAs异质结的导带边缘图本章小结一一 重要术语解释重要术语解释1异质结：两种不同的半导体材料接触形成的结。2反型异质结： 由导电类型相反的两种不同的半 导体单晶材料所形成的异质结。 如：p(Ge)-n(GaAs); p(Ge)-n(Si)等。3同型异质结：由导电类型相同的两种不同的半导 体单晶材料所形成的异质结。 如：n(Ge)-n(GaAs); p(Ge)-p(Si)等。二二 知识点知识点学完本章后，读者应具备如下能力：1会画理想突变反型异质结的能带图2会画理想突变同型异质结的能带图本章小结三三 复习题复习题什么是异质结？本章小结
