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1、无线电基础知识无线电基础知识一、无线电通信基础知识一、无线电通信基础知识二、常用电子线路二、常用电子线路 三、晶体二极管和三极管三、晶体二极管和三极管 一、无线电通信基础知识一、无线电通信基础知识1.1、无线电波的划分、无线电波的划分1.2、无线电波的传播、无线电波的传播1.3、无线电发送与接收、无线电发送与接收Date: 2无线电波：无线电波：在电磁场里，磁场的任何变化会产生电场，电场的任何变化也会产生磁场。交变的电磁场不仅可能存在于电荷、电流或导体的周围，而且能够脱离其产生的波源向远处传播，这种在空间以这种在空间以定速度传播的交变电磁场，定速度传播的交变电磁场，就称为电磁波就称为电磁波。无
2、线电技术中使用的这一段电磁波通常称为无线电波。1.1.1、无线电波、无线电波Date: 31.1.2无线电波的波段无线电波的波段cTcfDate: 41.1.31.1.3无线电波的应用无线电波的应用Date: 51.21.2无线电波的传播无线电波的传播频率从几十Hz(甚至更低)到3000GHz左右，波长从几十Mm到0.1mm左右的频谱范围内的电磁波，称为无线电波无线电波。电波旅行不依靠电线，也不象声波那样，必须依靠空气媒介帮它传播，有些电波能够在地球表面传播地球表面传播，有些波能够在空间直线传播空间直线传播，也能够从大气层上空反射传播大气层上空反射传播，有些波甚至能穿透大气层，飞向遥远的宇宙空
3、间。发信天线或自然辐射源所辐射的无线电波，通过自然条件下的媒质到达收信天线的过程，就称为无线电波的传播无线电波的传播。Date: 61)地波地波:这是沿地球表面传播的无线电波。（中波、长波）这是沿地球表面传播的无线电波。（中波、长波）2)天波天波:也即电离层波。地球大气层的高层约也即电离层波。地球大气层的高层约100Km存在存在着着“电离层电离层”。无线电波进入电离层时其方向会发生改。无线电波进入电离层时其方向会发生改变，出现变，出现“反射反射”。因为电离层折射效应的积累，电波。因为电离层折射效应的积累，电波的入射方向会连续改变，最终会的入射方向会连续改变，最终会“拐拐”回地面，电离层回地面，
4、电离层如同一面镜子会反射无线电波。我们把这种经电离层反如同一面镜子会反射无线电波。我们把这种经电离层反射而折回地面的无线电波称为射而折回地面的无线电波称为“天波天波”。受气候、季节、。受气候、季节、昼夜等因素影响。（中、短波）昼夜等因素影响。（中、短波）无线电波的传播方式（一）无线电波的传播方式（一）Date: 73）空间波：空间波：由发射天线直接到达接收点的电波，被称为由发射天线直接到达接收点的电波，被称为直射波。有一部分电波是通过地面或其他障碍物反射到直射波。有一部分电波是通过地面或其他障碍物反射到达接收点的，被称为反射波。直射波和反射波合称为空达接收点的，被称为反射波。直射波和反射波合称
5、为空间波。（电视广播、微波中继、移动通信）间波。（电视广播、微波中继、移动通信）4）散射波：散射波：当大气层或电离层出现不均匀团块时当大气层或电离层出现不均匀团块时（1216Km），无线电波有可能被这些不均匀媒质向），无线电波有可能被这些不均匀媒质向四面八方折射和散射，使一部分能量到达接收点，这就四面八方折射和散射，使一部分能量到达接收点，这就是散射波。是散射波。 （波长较短的波段）（波长较短的波段）5) 外球层传播：外球层传播：离开地面离开地面1000Km以外的宇宙间通信称为以外的宇宙间通信称为外球层传播。卫星通讯和卫星直播电视就是利用这种传外球层传播。卫星通讯和卫星直播电视就是利用这种传播
6、方式。播方式。无线电波的传播方式（二）无线电波的传播方式（二）Date: 81.3.1、无线电传送的好处 1）电波传输不依靠电线。 2）也不象声波那样，必须依靠空气媒介帮它传播。 3）传播距离远、速度快，而且衰减小。 4）频段宽。1.3.2 1.3.2 有效的向外发射电磁波的条件有效的向外发射电磁波的条件 1）要有足够高的振荡频率，因为频率越高，发射电 磁波的本领越大。 2）振荡电路的电场和磁场必须分散到尽可能大的 空间，才有可能有效的将电磁场的能量传播出去。1.3无线电的发送与接收无线电的发送与接收Date: 92）无线电的）无线电的发信部分发信部分 信号源，低频放大器，调制器，信号源，低频
7、放大器，调制器， 高频信号振荡器，高频放大器，高频信号振荡器，高频放大器， 发射天线发射天线1.3.3 1.3.3 无线电传输无线电传输 任何一种无线电信号传输系统均由发信部分、收信部分和 传输媒质三部分组成。1 1）无线电的）无线电的传输媒质传输媒质 输无线电信号的媒质主要有地表、对流层和电离层等， 这些媒质的电特性对不同波段的无线电波的传播有着不 同的影响。3）无线电的）无线电的收信部分收信部分接收天线，输入电路，高频放接收天线，输入电路，高频放大器，变频器，中频放大器，大器，变频器，中频放大器，解调器，低频放大解调器，低频放大Date: 10 A. 常以一个高频正弦信号或脉冲信号作为载体
8、，这个载体称为载波载波信号信号。 B. 用需要传输的信号去改变载波信号的某一参数，如幅值、频率、相位。这个用来改变载波信号的某一参数的信号称调制信号调制信号。 C. 在测控系统中需传输的是测量信号，通常就用测量信号作调制信号。经过调制的载波信号叫已调信号已调信号。Date: 111.3.4 1.3.4 无线电信号的调制无线电信号的调制1 1）调幅）调幅AMAM：使高频振荡的振幅使高频振荡的振幅随信号而改变叫做调幅。随信号而改变叫做调幅。任何一种非线性器件都可以用来产生调幅彼。晶体管是一种非线性器件，只要让其工作在非线性（甲乙类，乙类或丙 类）状态下，即可用它构成调幅电路。一般总是把高频载波信号
9、和调制信号分别加在谐振功率放大器的晶体管的某个电极上，利用晶体管的发射结进行频率变换，并通过选频放大，从而达到调幅的目的。根据信号所加的电极不同，可分为基极调幅，集电极调幅和发射极调幅等多种调幅电路。调制调制：用传递信号去调制载波的过程。调制又有调幅与调频和调相之分。Date: 122）调频调频FM：使高频振荡的频率随使高频振荡的频率随信号而改变叫做调频。信号而改变叫做调频。调频波（调频信号）的特点是：其频率随调制信号振幅的变化而变化，而它的幅度却始终保持不变。当调制信号的幅度为零时，调频波的频率称为中心频率0。当调制信号向正的方向增大时，调频波的频率就高于中心频率；反之，当调制信号向着负的方
10、向变化时，调频波的频率就低于中心频率。 Date: 131 1）发射的无线电波如何被接收到：发射的无线电波如何被接收到：电磁波在空间传播时，如果遇到导体，会使导体产生感应电流，感应电流的频率跟激起它的电磁波的频率相同。因此利用放在电磁波传播空间中的导体，就可以接收到电磁波了。1.3.5 1.3.5 无线电信号的解调无线电信号的解调2）无线电波的调谐装置（天线）无线电波的调谐装置（天线）通过改变可变电容的电容大小改变调谐电路的固有频率，进而使其、与接收电台的电磁波频率相同，这个频率的电磁波就在调谐电路里激起较强的感应电流，这样就选出了电流最大的电磁波。解调解调：将调制信号还原出来的过程。解调又有
11、检波与鉴频和鉴相之分。3）变频（混频）变频（混频）将一定频率范围的已调制高频信号变成固定的中频信号。调幅收音机中频：465KHz调频收音机中频：10.7MHz电视图象中频： 38MHzDate: 14幅度检波幅度检波：从调幅波中取出调制信号的过程,称为幅度检波。从高频调幅波中解调出原调制信号4）无线电波的调幅解调（检波一）无线电波的调幅解调（检波一）常用的检波电路三种:小信号平方律检波,大信号包络全波和乘积检波。分类分类Date: 15调幅检波的过程：调幅检波的过程：Date: 165）无线电波的调频解调（检波二）无线电波的调频解调（检波二）Date: 17 二、常用电子线路二、常用电子线路2
12、.1、整流电路、整流电路2.2、滤波电路、滤波电路2.3、稳压电路、稳压电路2.4、振荡电路、振荡电路Date: 182.1整流电路整流电路1） 半波整流2） 全波整流3） 桥式整流整流整流： 利用整流元件（通常是整流二极管）的单向导电性，实现将交流电变换成单向的脉动直流电。单相桥式整流桥式整流电路的变压器中只有交流电流流过，而半波和全波整流电路中均有直流分量流过。所以单相桥式整流电路的变压器效率较高，在同样功率容量条件下，体积可以小一些。单相桥式整流电路的总体性能优于单相半波和全波整流电路，故广泛应用于直流电源之中。Date: 19半波整流：半波整流：Date: 20全波整流：全波整流：Da
13、te: 21桥式整流：桥式整流：Date: 22滤波：滤波：将脉动直流中的交流成分滤除，减少交流成分，增加直流成分。滤波电路利用电抗性元件对交、直流阻抗的不同，实现滤波。2.2、滤波电路、滤波电路电容器C对直流开路，对交流阻抗小，所以C应该并联在负载两端。电感器L对直流阻抗小，对交流阻抗大，因此L应与负载串联。经过滤波电路后，既可保留直流分量，又可滤掉一部分交流分量，改变了交直流成分的比例，减小了电路的脉动系数，改善了直流电压的质量。Date: 23电容滤波电路：电容滤波电路： 电容滤波电路原理：电容滤波电路原理： 若v2处于正半周，二极管D1、D3导通，变压器次端电压v2给电容器C充电。此时
14、C相当于并联在v2上，所以输出波形同v2 ，是正弦波。 当v2到达wt=p/2时，开始下降。先假设二极管关断，电容C就要以指数规律向负载L放电。指数放电起始点的放电速率很大。在刚过wt=p/2时，正弦曲线下降的速率很慢。所以刚过wt=p/2时二极管仍然导通。在超过wt=p/2后的某个点，正弦曲线下降的速率越来越快，当刚超过指数曲线起始放电速率时，二极管关断。所以在t2到t3时刻，二极管导电，充电，Vi=Vo按正弦规律变化；t1到t2时刻二极管关断，Vi=Vo按指数曲线下降，放电时间常数为RLC。Date: 24电感滤波电路原理：电感滤波电路原理：电感滤波电路：电感滤波电路： 利用储能元件电感器
15、的电流不能突变的性质，把电感与整流电路的负载L相串联，也可以起到滤波的作用。 当v2正半周时，D1、D3导电，电感中的电流将滞后v2。当负半周时，电感中的电流将更换经由D2、D4提供。因桥式电路的对称性和电感中电流的连续性，四个二极管D1、D3；D2、D4的导电角都是180。Date: 252.3、稳压电路、稳压电路引起输出电压变化的原因是负载电流的变化和输入电压的变化理想的稳压电路输出电阻Ro=0,则Vo与负载RL无关，为了降低Ro,稳定Vo,高质量的稳压电路必须采用深度电压负反馈以改善电路性能。2.3.1 二极管稳压电路二极管稳压电路2.3.2 串联型稳压电路串联型稳压电路2.3.3 三端
16、集成稳压电路三端集成稳压电路Date: 262.3.1 二极管稳压电路：二极管稳压电路：它是利用稳压二极管的反向击穿特性稳压的，由于反向特性陡直，较大的电流变化，只会引起较小的电压变化。当输入电压变化时如何稳压：当输入电压变化时如何稳压： IVOVZIZIRVRVO 当负载电流变化时如何稳压：当负载电流变化时如何稳压：IOIRVRVZ（VO）IZIRVRVO Date: 27稳压二极管的缺点是工作电流较小，稳定电压值不能连续调节。线性串联型稳压电源工作电流较大，输出电压一般可连续调节，稳压性能优越。目前这种稳压电源已经制成单片集成电路，广泛应用在各种电子仪器和电子电路之中。线性串联型稳压电源的
17、缺点是损耗较大、效率低。2.3.2 串联型稳压电路：串联型稳压电路：显然，VO =VI- VR，当VI增加时，R受控制而增加，使VR增加，从而在一定程度上抵消了VI增加对输出电压的影响。若负载电流IL增加，R受控制而减小，使VR减小，从而在一定程度上抵消了因IL增加（或VI减小）对输出电压的影响。Date: 28 在实际电路中，可变电阻R是用一个三极管来替代的，控制基极电位，从而就控制了三极管的管压降VCE，VCE相当于VR。要想输出电压稳定，必须按电压负反馈电路的模式来构成串联型稳压电路。典型的串联型稳压电路如图16.04所示。它由调整管调整管、放大环节、比较环节、基放大环节、比较环节、基准
18、电压源准电压源几个部分组成。Date: 29VIVOVFVO1VCEVO 输入电压变化，负载电流保持不变输入电压变化，负载电流保持不变 负载电流变化，输入电压保持不变负载电流变化，输入电压保持不变 ILVIVOVFVO1VCEVODate: 30VFVREF VF =Vo(R2 + R3)/(R1+R2+R3)=nVo 其中n为取样系数，n=(R2+ R3)/(R1+R2+R3) 所以， Vo=VREF / n调节R2显然可以改变输出电压。Date: 31 串联型稳压电源的内阻很小，如果输出端短路，则输出短路电流很大。同时输入电压将全部降落在调整管上，使调整管的功耗大大增加，调整管将因过损耗发
19、热而损坏，为此必须对稳压电源的短路进行保护。过载也会造成损坏。稳压电路的保护环节 保护的方法有反馈保护型反馈保护型和温度保护型温度保护型两种。反馈保护型又分截流型截流型和限流型限流型两种。温度保护型是利用集成电路制造工艺，在调整管旁制作PN结温度传感器，当温度超标时，启动保护电路工作，工作原理与反馈保护型相同。Date: 32截流型是当发生短路时，通过保护电路使调整管截止，从而限制了短路电流，使之接近为零。截流特性如图2.31所示。 限流型是当发生短路时，通过电路中取样电阻的反馈作用，使输出电流得以限制。限流特性如图2.32所示。图2.31 截流型特性 图2.32 限流型特性 Date: 33
20、将线性串联稳压电源和各种保护电路集成在一起就得到了集成稳压器。早期的集成稳压器外引线较多，现在的集成稳压器只有三个外引线：输入端、现在的集成稳压器只有三个外引线：输入端、输出端和公共端输出端和公共端。2.3.3 三端集成稳压电路：三端集成稳压电路：Date: 34振荡电路振荡电路：是一种自激振荡电路，它的特点是利用“自激振荡”原理工作的，其实质是放大器引正反馈的结果。振荡电路是不需要输入信号，自己就可以产生一定输出信号的电子电路。2.4、振荡电路、振荡电路振荡电路的振荡条件：振荡电路的振荡条件：相位平衡条件相位平衡条件和幅值平衡条件幅值平衡条件 1）振幅平衡条件(AF=AF=1) 2）其二为相
21、位平衡条件(a+f=2n，n=0，1，2，)。自激振荡：自激振荡：是指在不外加信号的条件下，放大电路就能够产生某一频率和一定幅度的输出信号，这种现象称“自激振荡”。Date: 35振荡电路的组成部分振荡电路的组成部分：由四部分组成，即放大电路、反馈网络、选频即放大电路、反馈网络、选频网络和稳幅环节网络和稳幅环节。(1)放大电路放大电路具有一定的电压放大倍数，其作用是对选择出来的某一频具有一定的电压放大倍数，其作用是对选择出来的某一频率的信号进行放大。根据电路需要可采用单级放大电路或多级放大率的信号进行放大。根据电路需要可采用单级放大电路或多级放大电路。电路。(2)反馈网络反馈网络是反馈信号所经
22、过的电路，其作用是将输出信号反馈到输是反馈信号所经过的电路，其作用是将输出信号反馈到输入端，引入自激振荡所需的正反馈，一般反馈网络由线性元件入端，引入自激振荡所需的正反馈，一般反馈网络由线性元件R、L和和C按需要组成。按需要组成。(3)选频网络选频网络具有选频的功能，其作用是选出指定频率的信号，以便使具有选频的功能，其作用是选出指定频率的信号，以便使正弦波振荡电路实现单一频率振荡。选频网络分为正弦波振荡电路实现单一频率振荡。选频网络分为Lc选频网络和选频网络和Rc选频网络。使用选频网络。使用LC选频网络的正弦波振荡电路，称为选频网络的正弦波振荡电路，称为LC振荡电路；振荡电路；使用使用RC选频
23、网络的正弦波振荡电路，称为选频网络的正弦波振荡电路，称为RC振荡电路。振荡电路。(4)稳幅环节稳幅环节具有稳定输出信号幅值的作用，以便使电路达到等幅振荡，具有稳定输出信号幅值的作用，以便使电路达到等幅振荡，因此稳幅环节是正弦波振荡电路的重要组成部分。因此稳幅环节是正弦波振荡电路的重要组成部分。Date: 362.4.1变压器反馈式振荡器变压器反馈式振荡器反馈网络采用变压器，利用变压器的反馈网络采用变压器，利用变压器的一次绕组与电容并联组成振荡回路作一次绕组与电容并联组成振荡回路作选频网络，代替晶体管集电极电阻选频网络，代替晶体管集电极电阻Rc，从变压器的二次绕组引回反馈，从变压器的二次绕组引回
24、反馈电压并将其加到放大电路的输入端，电压并将其加到放大电路的输入端，电路如图电路如图1-31所示。所示。变压器反馈式变压器反馈式LC振荡电路的特点是振荡电路的特点是振荡频率调节方便，容易实现阻抗匹振荡频率调节方便，容易实现阻抗匹配和达到起振要求，输出波形一般，配和达到起振要求，输出波形一般，频率稳定度不高，产生正弦波信号的频率稳定度不高，产生正弦波信号的频率为几千赫至几十兆赫，一般适用频率为几千赫至几十兆赫，一般适用于要求不高的设备。于要求不高的设备。Date: 37电感三点式振荡器的典型电路如图1-32所示。在LC振荡回路中，电感有一个抽头使线圈分成两部分即线圈L1和线圈L2，线圈L1的3端
25、接到晶体管的基极B，线圈L2的1端接晶体管的集电极C，中间抽头2接发射极E。也就是说电感线圈的三端分别接晶体管的三极，所以叫电感三点式振荡器，又称哈特莱振荡器。在该电路中L1兼作反馈网络，通过耦合电容Cl将Ll反馈电压加在晶体管的输入端，经放大后，在LC振荡回路中得到高频振荡信号，只要适当选择电感线圈抽头的位置使反馈信号大于输入信号，就可以在LC回路中获得不衰减的等幅振荡。2.4.2电感三端式振荡器电感三端式振荡器式中，Ll、L2为线圈抽头两边的自感系数； M为两段电感线圈的瓦感系数； C为振荡电容；fo为振荡频率。其振荡频率可由下式求得：Date: 382.4.3电容三端式振荡器电容三端式振
26、荡器电容三点式振荡器的典型电路图。其结构与电感三点式振荡器相似，只是将L、C互换了位置。LC振荡回路中采用两个电容串联成电容支路，两电容中间有一引出端，通过引出端从LC振荡回路的电容支路上取一部分电压反馈到放大电路的输入端，由于电容支路三个端点分别接于晶体管的三极上，所以把这种电路称为电容三点式LC振荡器，又称为柯尔皮兹振荡器。该电路的振荡频率可由下式求得：式中，Ceq为LC并联回路的等效电容。Date: 39电感三点式振荡器电感三点式振荡器和电容三点式振荡器电容三点式振荡器各自的特点：电感三点式电感三点式LC振荡器的特点振荡器的特点 是振荡频率调节方便，电路容易起振，输出信号的波形中含有高次
27、谐波，波形较差，频率稳定度不高，可产生正弦波信号的频率为几千赫至几十兆赫。一般用于要求不高的场合或设备中。电容三点式电容三点式LC振荡器的特点振荡器的特点 是频率调节不方便，输出信号的波形好，频率的稳定度较高，可产生几兆赫至100MHz以上的频率。一般用于频率固定或在小范围内频率调节的场合或设备中。电感三点式振荡器与电容三点式振荡器相比有两个缺点：(1)改变电感不方便。(2)因反馈电压取自Ll上，Ll对高次谐波阻抗大，从而引起振荡回路输出 谐波分量增大，输出波形较差。Date: 40采用RC元件组成的电路作选频网络的正弦波振荡电路，称为RC振荡器。按反馈网络的结构特点，RC振荡电路可分为RC移
28、相式、RC桥式和双T式选频网络的振荡电路。其中RC桥式振荡电路采用RC串并联电路作选频网络，故又称RC串并联振荡电路，如图1-29所示。这个电路由两部分组成，即放大器Au和选频网络Fuo Au为集成运算放大器所组成的电压串联负反馈放大器，而Fu则由Zl、Z2组成，同时兼作正反馈网络。Zl、Z2和Rl、R2正好形成一个四臂电桥，放大电路的输入端和输出端分别接到电桥的两个对角线上，因此这种RC振荡电路又称RC桥式振荡器。2.4.4RC振荡器振荡器Date: 41RCRC移相式正弦波振荡电路是把移相式正弦波振荡电路是把RCRC移相网络作为正弦波振荡电移相网络作为正弦波振荡电路的反馈环节，如图路的反馈
29、环节，如图l-30l-30所示。所示。该振荡电路的该振荡电路的RCRC移相网络提供移相网络提供180180解的相移，而放大器采用解的相移，而放大器采用反相输入比例放大电路，故反相输入比例放大电路，故a=-180a=-180。，。，a+f=0a+f=0满足振满足振荡的相位条件，只要调节热敏荡的相位条件，只要调节热敏电阻电阻RfRf，使放大倍数足以补偿，使放大倍数足以补偿反馈网络引起的信号幅度衰减，反馈网络引起的信号幅度衰减，就可以产生正弦波振荡信号。就可以产生正弦波振荡信号。RC移相式正弦波振荡电路：移相式正弦波振荡电路：Date: 42文氏电桥振荡电路：文氏电桥振荡电路： 振荡电路的原理图如上
30、图所示。其中集成运放A作为放大电路，它的选频网络是一个由R、C元件组成的串并联网络，RF和R支路引入一个负反馈。由图可见，串并联网络中的R1、C1和R2、C2以及负反馈支路中的RF和R正好组成一个电桥的四个臂，因此这种电路又称为文氏电桥振荡电路。 Date: 43采用石英晶体作选频网络选频元件的正弦波振荡电路叫采用石英晶体作选频网络选频元件的正弦波振荡电路叫石英晶体石英晶体振荡器振荡器。石英晶体振荡器的形式多种多样，但其基本电路只有两类，。石英晶体振荡器的形式多种多样，但其基本电路只有两类，即即并联晶体振荡电路并联晶体振荡电路和和串联晶体振荡电路串联晶体振荡电路。在前者中石英晶体是以。在前者中
31、石英晶体是以并联谐振的形式出现，而在后者中则是以串联谐振的形式出现。在并联谐振的形式出现，而在后者中则是以串联谐振的形式出现。在并联晶体振荡电路中，石英晶体工作在串联谐振频率和并联谐振频并联晶体振荡电路中，石英晶体工作在串联谐振频率和并联谐振频率之间，石英晶体作为一个电感来组成振荡电路。而在串联晶体振率之间，石英晶体作为一个电感来组成振荡电路。而在串联晶体振荡电路中，石英晶体工作在串联谐振频率处，利用串联谐振时阻抗荡电路中，石英晶体工作在串联谐振频率处，利用串联谐振时阻抗最小的特性来组成正弦波振荡电路。最小的特性来组成正弦波振荡电路。2.4.5石英晶体振荡器石英晶体振荡器Date: 44 分析
32、判断电路能否产生振荡常采用的方法：分析判断电路能否产生振荡常采用的方法：分析电路能否产生振荡的方法是看电路是否满足自激振荡条件。首先检查相位平衡条件即检查反馈是否为正反馈；然后检查振幅平衡条件，一般振幅平衡条件比较容易满足，若不满足，可在测试调整时，通过改变放大倍数Au和反馈系数F使电路满足AF1的振幅平衡条件。通常只要正弦波振荡电路满足相位平衡条件，就可认为电路产生正弦波振荡。判断相位平衡条件，常用瞬时极性法，所谓瞬时极性法即断开反馈信号至放大电路的输入端点，在放大电路的输入端加一输入电压Vi，并设其极性为正，然后经过放大电路和反馈网络的传输放大后，若引入的是并联反馈，则看反馈信号Vf与输入
33、信号Vi的极性是否相同，若两者极性相同，则电路满足相位平衡条件，能产生正弦波振荡；若两者极性不同，则电路不满足相位平衡条件，无法产生正弦波振荡。Date: 45思考题：思考题：1) 1) 无线电的传播有哪几种方式？无线电的传播有哪几种方式？2 2）说说电磁波的特点。）说说电磁波的特点。3 3）简单描述）简单描述无线电信号传输系统。无线电信号传输系统。4 4）整流电路有哪几种方式？）整流电路有哪几种方式？5 5）振荡电路的振荡条件是什么？振荡电路的振荡条件是什么？Date: 46三三. . 晶体二极管与晶体三极晶体二极管与晶体三极管管3.13.1、半导体基础、半导体基础3.23.2、晶体二极管、
34、晶体二极管3.33.3、晶体三极管、晶体三极管 3.1 1、半导体基础、半导体基础 3.1.1 3.1.1 半导体的概念半导体的概念 3.1.2 PN3.1.2 PN结的形成结的形成 3.1.3 PN3.1.3 PN结的单向导电性结的单向导电性Date: 483.1.1半导体的概念半导体的概念半导体半导体导电能力介于导体和绝缘体之间的物质，主要是硅、导电能力介于导体和绝缘体之间的物质，主要是硅、锗、硒及大多数金属氧化物和硫化物等四价元素。锗、硒及大多数金属氧化物和硫化物等四价元素。本征半导体本征半导体本征半导体是一种完全纯净的、结构完整的半导体本征半导体是一种完全纯净的、结构完整的半导体晶晶体
35、，也就是说不含体，也就是说不含“杂质杂质”的四价元素，所谓的四价元素，所谓“杂质杂质”就是非四价元素。就是非四价元素。Date: 49杂质半导体杂质半导体在本征半导体中掺入微量的杂质，就会使半导体在本征半导体中掺入微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著的改变。因掺入杂质性质不同，的导电性能发生显著的改变。因掺入杂质性质不同，杂质半导体可分为空穴（杂质半导体可分为空穴（P）型半导体和电子（型半导体和电子（N）型型半导体两大类。半导体两大类。P型型半导体是在纯净的半导体中掺入半导体是在纯净的半导体中掺入三价元素三价元素而而形成的，其中空穴为多数载流子，自由电子为少数载形成的，其中空穴为多数载流
36、子，自由电子为少数载流子，以流子，以空穴导电空穴导电为主。为主。三价元素：硼、铝、铟 （受主原子-能够吸收电子的杂质原子）N型型半导体是在纯净的半导体中掺入半导体是在纯净的半导体中掺入五价元素五价元素而而形成的，其中自由电子为多数载流子，而空穴为少数形成的，其中自由电子为多数载流子，而空穴为少数载流子，以载流子，以自由电子导电自由电子导电为主。为主。五价元素：磷、砷、锑 （施主原子-可以提供电子的杂质原子）Date: 50由于热激发而产生由于热激发而产生的自由电子的自由电子自由电子移走后而自由电子移走后而留下的空穴留下的空穴Date: 51P型、型、N型半导体的导型半导体的导电能力虽然增强，但
37、并不电能力虽然增强，但并不能直接用来制造半导体器能直接用来制造半导体器件。通常应将一块完整的件。通常应将一块完整的半导体中的一部分形成半导体中的一部分形成P型型半导体，另一部分形成半导体，另一部分形成N型型半导体，在流子扩散后，半导体，在流子扩散后，在在P型及型及N型半导体的交界型半导体的交界面处就会形成一个具有面处就会形成一个具有内内电场的电荷区电场的电荷区，称，称PN结结。3.1.2PN结的结的形成形成Date: 523.1.2.1 3.1.2.1 载流子的浓度差产生的多子的扩散运动载流子的浓度差产生的多子的扩散运动 在在P型半导体和型半导体和N型半型半导体结合后，在它们的交导体结合后，在
38、它们的交界处就出现了电子和空穴界处就出现了电子和空穴的浓度差，的浓度差，N型区内的电型区内的电子很多而空穴很少，子很多而空穴很少，P型型区内的空穴很多而电子很区内的空穴很多而电子很少，这样电子和空穴都要少，这样电子和空穴都要从浓度高的地方向浓度低从浓度高的地方向浓度低的地方扩散，因此，有些的地方扩散，因此，有些电子要从电子要从N型区向型区向P型区扩型区扩散，散， 也有一些空穴要从也有一些空穴要从P型区向型区向N型区扩散。型区扩散。 Date: 53 电子和空穴带有相反的电电子和空穴带有相反的电荷，它们在扩散过程中要产荷，它们在扩散过程中要产生复合（中和），结果使生复合（中和），结果使P区和区和
39、N区中原来的电中性被区中原来的电中性被破坏。破坏。 P区失去空穴留下带区失去空穴留下带负电的离子负电的离子，N区失去电子区失去电子留下带正电的离子，留下带正电的离子， 这些离这些离子因物质结构的关系，它们子因物质结构的关系，它们不能移动，因此称为空间电不能移动，因此称为空间电荷，它们集中在荷，它们集中在P区和区和N区的区的交界面附近，形成了一个很交界面附近，形成了一个很薄的空间电荷区，这就是所薄的空间电荷区，这就是所谓的谓的PN结结。3.1.2.2 3.1.2.2 电子和空穴的复合形成了空间电荷区电子和空穴的复合形成了空间电荷区Date: 54 在空间电荷区后，由于正负电荷之间的相互作用，在空
40、间电荷区后，由于正负电荷之间的相互作用，在空间电荷区中形成一个电场，其方向从带正电的在空间电荷区中形成一个电场，其方向从带正电的N区区指向带负电的指向带负电的P区，由于该电场是由载流子扩散后在半区，由于该电场是由载流子扩散后在半导体内部形成的，故称为导体内部形成的，故称为内电场内电场。因为内电场的方向与。因为内电场的方向与电子的扩散方向相同，与空穴的扩散方向相反，所以它电子的扩散方向相同，与空穴的扩散方向相反，所以它是阻止载流子的扩散运动的。是阻止载流子的扩散运动的。3.1.2.3 3.1.2.3 内电场内电场E E又阻止多子的扩散运动又阻止多子的扩散运动 Date: 55半导体中的半导体中的
41、PN结是半导体内的内电场，它的方向是由结是半导体内的内电场，它的方向是由N区指向区指向P区的，只允许一个方向的电流通过，因此说区的，只允许一个方向的电流通过，因此说PN结具有单向导电性。结具有单向导电性。3.1.3PN结的单向导电特性结的单向导电特性Date: 56 当当P P型和型和N N型半导体材料结型半导体材料结合时，由于合时，由于P P型材料空穴多电子型材料空穴多电子少，而少，而N N型材料电子多空穴少，型材料电子多空穴少，结果结果P P型材料中的空穴向型材料中的空穴向N N型材型材料这边扩散，料这边扩散，N N型材料中的电子型材料中的电子向向P P 型材料这边扩散，扩散的型材料这边扩
42、散，扩散的结果使得结合区两侧的结果使得结合区两侧的P P型区出型区出现负电荷，现负电荷，N N型区带正电荷，形型区带正电荷，形成一个势垒，由此而产生的内成一个势垒，由此而产生的内电场将阻止扩散运动的继续进电场将阻止扩散运动的继续进行，当两者达到平衡时，在行，当两者达到平衡时，在PNPN结两侧形成一个耗尽区，耗尽结两侧形成一个耗尽区，耗尽区的特点是区的特点是无自由载流子无自由载流子，呈，呈现高阻抗。现高阻抗。Date: 57 当当PNPN结反偏结反偏时，外加电场与内电场方向一致，耗时，外加电场与内电场方向一致，耗尽区在外电场作用下变宽，使势垒加强；尽区在外电场作用下变宽，使势垒加强；Date:
43、58 当当PNPN结正偏结正偏时，外加电场与时，外加电场与内电场方向相反，内电场方向相反，耗尽区在外电场耗尽区在外电场作用下变窄，势作用下变窄，势垒削弱，使载流垒削弱，使载流子扩散运动继续子扩散运动继续形成电流，此即形成电流，此即为为PNPN结的单向导结的单向导电性电性, ,电流方向电流方向是从是从P P指向指向N N。Date: 59零偏零偏负偏负偏正偏正偏Date: 60思考题思考题1、最常用来制成半导体的材料是什么？2、P型半导体和N型半导体分别是由什么构成的？3、空间电荷区又称为耗尽区，为什么？4、如需将PN结处于正向偏置，外接电压的极性如何确定？5、PN结处于反向偏置时，耗尽区的宽度
44、是增加还是减少？为什么？Date: 613.23.2、半导体二极管半导体二极管3.2.1 3.2.1 二极管结构类型二极管结构类型3.2.2 3.2.2 二极管的分类及应用二极管的分类及应用3.2.3 3.2.3 二极管的导电特性二极管的导电特性3.2.4 3.2.4 技术参数技术参数 半导体二极管内部有一个半导体二极管内部有一个PNPN结，结，还有相应的正负电极引还有相应的正负电极引线，用玻璃、塑料或金属管壳封装制成，从线，用玻璃、塑料或金属管壳封装制成，从P P区引出的电极区引出的电极称为称为阳极阳极，用，用“+ +”表示；从表示；从N N区引出的电极称为区引出的电极称为阴极阴极，用，用“
45、- -”表示。二极管的文字符号用表示。二极管的文字符号用D D表示。表示。3.2.1.13.2.1.1 二极管的结构二极管的结构+-P ND特性特性：作为一种非线性元件，具有单方向导电能力，因此：作为一种非线性元件，具有单方向导电能力，因此常用于整流和检波。常用于整流和检波。Date: 63半导体二极管按其结构的不同可以分为点接触型、面半导体二极管按其结构的不同可以分为点接触型、面接触型和平面型。接触型和平面型。3.2.1.23.2.1.2二极管的类型二极管的类型Date: 64点接触型二极管点接触型二极管点接触型二极管是由一根很点接触型二极管是由一根很细的金属触丝（如三价元素铝）和细的金属触
46、丝（如三价元素铝）和一块半导体（如锗）的表面接触，一块半导体（如锗）的表面接触，然后在正方向通过很大的瞬时电流，然后在正方向通过很大的瞬时电流，使出丝和半导体牢固地熔接在一起，使出丝和半导体牢固地熔接在一起，三价金属与锗结合构成三价金属与锗结合构成PN结，并做结，并做出相应的电极引线，外加管壳密封出相应的电极引线，外加管壳密封而成。而成。由于点接触型二极管金属丝由于点接触型二极管金属丝很细，形成的很细，形成的PN结面积很小，所以结面积很小，所以极间电容很小，同时也不能承受高极间电容很小，同时也不能承受高的反向电压和大的电流，这种类型的反向电压和大的电流，这种类型的管子适于做高频检波和脉冲数字的
47、管子适于做高频检波和脉冲数字电路里的开关元件。电路里的开关元件。Date: 65面接触型二极管面接触型二极管面接触型二极管面接触型二极管的的“PN结结”面积较大，面积较大，允许通过较大的电流允许通过较大的电流（几安到几十安），（几安到几十安），主要用于把交流电变主要用于把交流电变换成直流电的换成直流电的“整流整流”电路中。电路中。Date: 66平面型二极管平面型二极管平面型二极管平面型二极管是一种特制的硅二是一种特制的硅二极管，它不仅能通极管，它不仅能通过较大的电流，而过较大的电流，而且性能稳定可靠，且性能稳定可靠，多用于开关、脉冲多用于开关、脉冲及高频电路、集成及高频电路、集成电路中。电路
48、中。Date: 673.2.23.2.2 二极管的分类及应用二极管的分类及应用按用途分：按用途分：普通二极管普通二极管用于检波用于检波鉴频鉴频限幅；限幅； 整流二极管整流二极管用于不同功率的整流；用于不同功率的整流；开关二极管开关二极管用于计算机用于计算机脉冲控制脉冲控制开关电路；开关电路；稳压二极管稳压二极管用于稳压电路；用于稳压电路；还有还有发光二极管发光二极管等。等。 按材料不同分为：按材料不同分为： 硅管硅管：起始电流较大：起始电流较大(0.6(0.6伏伏) )，用于信号较强电路；，用于信号较强电路； 锗管锗管：起始电流较小：起始电流较小(0.2(0.2伏伏) )，用于信号较弱电路。，
49、用于信号较弱电路。按封装材料不同分为：按封装材料不同分为： 玻璃管壳玻璃管壳、塑料管壳塑料管壳和和环氧树脂管壳环氧树脂管壳等多种。等多种。Date: 68常用各类二极管常用各类二极管普通二极管普通二极管稳压二极管稳压二极管发光二极管发光二极管二极管的命名方法二极管的命名方法:如如2CP102-二极管二极管C-N型硅材料型硅材料P-普通管普通管10-序号序号Date: 69 利用二极管的单向导电性将交流电转换为单向脉动利用二极管的单向导电性将交流电转换为单向脉动直流电的电路，称为整流电路，此时的二极管可看成开直流电的电路，称为整流电路，此时的二极管可看成开关元件，即所谓理想二极管。关元件，即所谓
50、理想二极管。 常用整流电路可分为：常用整流电路可分为：半波整流电路半波整流电路全波整流电路全波整流电路桥式整流电路桥式整流电路3.2.2.13.2.2.1整流二极管整流二极管Date: 70输出电输出电压在一个工压在一个工频周期内，频周期内，只是正半周只是正半周导电，在负导电，在负载上得到的载上得到的是半个正弦是半个正弦波。波。半波整流电路半波整流电路Date: 71全波整流电路全波整流电路Date: 72 当正半周时，当正半周时，二极管二极管D1D1、D3D3导导通，在负载电阻通，在负载电阻上得到正弦波的上得到正弦波的正半周。正半周。 当负半周时，当负半周时，二极管二极管D2D2、D4D4导
51、导通，在负载电阻通，在负载电阻上得到正弦波的上得到正弦波的负半周。负半周。桥式整流电路桥式整流电路Date: 73Date: 74稳压二极管是一种特殊的面接触型硅晶体二极管。稳压二极管是一种特殊的面接触型硅晶体二极管。由于它有稳定电压的作用，经常应用在稳压设备和一些由于它有稳定电压的作用，经常应用在稳压设备和一些电子线路中。电子线路中。稳压二极管的结构与普通二极管相似，但是制造稳压二极管的结构与普通二极管相似，但是制造工艺不同。当它承受一定的反向电压时，就会反向击穿。工艺不同。当它承受一定的反向电压时，就会反向击穿。这种反向击穿不会使稳压管损坏，反而使稳压管两端的这种反向击穿不会使稳压管损坏，
52、反而使稳压管两端的电压不变，起到稳定电压的作用。因此稳压管不是工作电压不变，起到稳定电压的作用。因此稳压管不是工作于正向导通，而是将他反向连接在电路中，与负载并联，于正向导通，而是将他反向连接在电路中，与负载并联，稳定负载电压。稳压管的反向击穿电压就是稳压管的稳稳定负载电压。稳压管的反向击穿电压就是稳压管的稳定电压值。定电压值。3.2.2.23.2.2.2稳压二极管稳压二极管Date: 75稳压二极管典型应用电路稳压二极管典型应用电路Date: 76发光二极管是采用磷化镓或磷砷化镓等半导体材料制发光二极管是采用磷化镓或磷砷化镓等半导体材料制成的，以直接将电能转变为光能的发光器件。与普通成的，以
53、直接将电能转变为光能的发光器件。与普通二极管一样也由二极管一样也由PN结构成，同样具有单向导电性，但结构成，同样具有单向导电性，但发光二极管不是用它的单向导电性，而是让它发光作发光二极管不是用它的单向导电性，而是让它发光作指示（显示）器件。发光二极管以功耗低、体积小、指示（显示）器件。发光二极管以功耗低、体积小、响应速度快、抗震动、寿命长等优点而广泛用作指示响应速度快、抗震动、寿命长等优点而广泛用作指示灯等方面。灯等方面。3.2.2.33.2.2.3发光二极管发光二极管Date: 773.2.33.2.3二极管伏安（二极管伏安（V-I）特性特性Date: 78 在电子电路中，将二极管的正极接在
54、高电位端，负极在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。必须说明，当加在二极管两端的正向电压很正向偏置。必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值（这一数值称为分微弱。只有当正向电压达到某一数值（这一数值称为“门槛电压门槛电压”，锗管约为，锗管约为0.2V0.2V，硅管约为硅管约为0.6V0.6V）以后，以后，二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上二极
55、管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变（锗管约为保持不变（锗管约为0.3V0.3V，硅管约为硅管约为0.7V0.7V），称为二极），称为二极管的管的“正向压降正向压降”。3.2.3.1 3.2.3.1 正向特性正向特性Date: 79 在电子电路中，二极管的正极接在低电位端，负极在电子电路中，二极管的正极接在低电位端，负极接在高电位端，此时二极管中几乎没有电流流过，此时接在高电位端，此时二极管中几乎没有电流流过，此时二极管处于截止状态，这种连接方式，称为反向偏置。二极管处于截止状态，这种连接方式，称为反向偏置。二极管处于反向偏置时，仍然会有微弱的反向电流流过二极管处于反向偏置时，
56、仍然会有微弱的反向电流流过二极管，称为漏电流。当二极管两端的反向电压增大到二极管，称为漏电流。当二极管两端的反向电压增大到某一数值，反向电流会急剧增大，二极管将失去单方向某一数值，反向电流会急剧增大，二极管将失去单方向导电特性，这种状态称为二极管的击穿。导电特性，这种状态称为二极管的击穿。3.2.3.2 3.2.3.2 反向特性反向特性Date: 803.2.4.13.2.4.1、额定正向工作电流、额定正向工作电流(I(IF F) ) 也称最大允许电流，是指二极管长期连续工作时也称最大允许电流，是指二极管长期连续工作时允许通过的最大正向电流值。（为避免过大电流冲击，允许通过的最大正向电流值。（
57、为避免过大电流冲击，使二极管使二极管PNPN结烧坏而规定的额定电流值。）因为电流结烧坏而规定的额定电流值。）因为电流通过管子时会使管芯发热，温度上升，温度超过容许通过管子时会使管芯发热，温度上升，温度超过容许限度（硅管为限度（硅管为140140左右，锗管为左右，锗管为9090左右）时，就会使管左右）时，就会使管芯过热而损坏。所以，二极管使用中不要超过二极管芯过热而损坏。所以，二极管使用中不要超过二极管额定正向工作电流值。例如，常用的额定正向工作电流值。例如，常用的IN4001IN400140074007型型锗二极管的额定正向工作电流为锗二极管的额定正向工作电流为1A1A。3.2.43.2.4
58、二极管的主要技术参数二极管的主要技术参数Date: 81 指允许加在二极管两端的反向电压的最大值，超过指允许加在二极管两端的反向电压的最大值，超过此值会击穿二极管。加在二极管两端的反向电压高到此值会击穿二极管。加在二极管两端的反向电压高到一定值时，会将管子击穿，失去单向导电能力。为了一定值时，会将管子击穿，失去单向导电能力。为了保证使用安全，规定了最高反向工作电压值。例如，保证使用安全，规定了最高反向工作电压值。例如，IN4001IN4001二极管反向耐压为二极管反向耐压为50V50V，IN4007IN4007反向耐压为反向耐压为1000V1000V。3.2.4.23.2.4.2、最高反向工作
59、电压、最高反向工作电压(U(UR R) )Date: 82反向电流是指二极管在规定的温度和最高反向电压反向电流是指二极管在规定的温度和最高反向电压作用下，流过二极管的反向电流。反向电流越小，管子作用下，流过二极管的反向电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高有着密切的关系，大约温度每升高10，反向电流增大一，反向电流增大一倍。例如倍。例如2AP1型锗二极管，在型锗二极管，在25时反向电流若为时反向电流若为250uA，温度升高到温度升高到35，反向电流将上升到，反向电流将上升到500uA
60、，依此类推，依此类推，在在75时，它的反向电流已达时，它的反向电流已达8mA，不仅失去了单方向导不仅失去了单方向导电特性，还会使管子过热而损坏。又如，电特性，还会使管子过热而损坏。又如，2CP10型硅二型硅二极管，极管，25时反向电流仅为时反向电流仅为5uA，温度升高到温度升高到75时，反向时，反向电流也不过电流也不过160uA。故硅二极管比锗二极管在高温下具故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。有较好的稳定性。3.2.4.33.2.4.3、反向电流、反向电流(I(IR R) )Date: 83 测量的方法是先把万用表拨到测量的方法是先把万用表拨到“欧姆欧姆”档档( (通通常用常用Rx
61、100Rx100或或Rx1K)Rx1K)进行。进行。 判断二极管好坏判断二极管好坏：测量正反向电阻，如果反：测量正反向电阻，如果反向电阻远大于正向电阻则没有问题，而二者相等、向电阻远大于正向电阻则没有问题，而二者相等、无穷大或为无穷大或为0 0则说明二极管损坏。则说明二极管损坏。（注意不要使用RX1档，以免电流过大烧坏二极管）二极管的测量二极管的测量Date: 84用指针万用表判断二极管的正负用指针万用表判断二极管的正负 二极管截止二极管截止,阻值很大阻值很大(一般为几一般为几百千欧百千欧),这就告诉这就告诉我们我们黑表笔黑表笔接触的接触的是二极管的负极是二极管的负极,红红表笔表笔接触的是二极
62、接触的是二极管的正极。管的正极。Date: 85 二极管导通，二极管导通，阻值较小阻值较小( (几十欧到几十欧到几千欧的范围几千欧的范围),),这就这就告诉我们黑表笔接触告诉我们黑表笔接触的是二极管的正极的是二极管的正极, ,红表笔接触的是二极红表笔接触的是二极管的负极。管的负极。用指针万用表判断二极管的正负用指针万用表判断二极管的正负Date: 86思考题思考题1、二极管按结构分有哪几种？2、此符号表示什么“ ” ？3、二极管按用途分有哪几种？4、导通电压是指什么？5、锗二极管和硅二极管的导通电压是多少？6、试分析二极管的伏安特性。Date: 873.3. 3.3. 晶体三极管晶体三极管3.
63、3.1 3.3.1 内部结构及图形符号内部结构及图形符号3.3.2 3.3.2 种类及命名种类及命名3.3.3 3.3.3 技术参数技术参数3.3.4 3.3.4 特性曲线特性曲线3.3.5 3.3.5 基本放大电路基本放大电路发发射射区区发发射射结结基基 区区集集电电结结集集电电区区 晶体三极管具晶体三极管具有有2个个PN结、结、3个区、个区、从从3个区中引出个区中引出3个个电极，电极，3个区分别为个区分别为发射区、基区和集电发射区、基区和集电区；发射区与基区交区；发射区与基区交界处的界处的PN结称为结称为发发射结射结，集电区与基区，集电区与基区交界处的交界处的PN结称为结称为集电结集电结。
64、3.3.1.1晶体三极管的内部结构晶体三极管的内部结构Date: 893.3.1.2晶体三极管的管脚晶体三极管的管脚有两种类型：有两种类型：NPN型和型和PNP型。中间部分称为基区，相型。中间部分称为基区，相连电极称为连电极称为基极基极，用，用B或或b表示（表示（Base）；）；一侧称为一侧称为发射区发射区，相连电极称为，相连电极称为发射极发射极，用用E或或e表示（表示（Emitter）另一侧称为集电区和另一侧称为集电区和集电极集电极，用用C或或c表示（表示（Collector）。）。E-B间的间的PN结称为发射结（结称为发射结（Je），），C-B间的间的PN结称为集电结（结称为集电结（Jc）
65、。）。Date: 903.3.1.3晶体三极管的图形符号晶体三极管的图形符号Date: 91三极管的符号在图的下方三极管的符号在图的下方给出，发射极的箭头代表发射极给出，发射极的箭头代表发射极电流的实际方向。从外表上看两电流的实际方向。从外表上看两个个N区区(或两个或两个P区区)是对称的，是对称的，实际上实际上发射区的掺杂浓度大，面发射区的掺杂浓度大，面积小，作用是发射载流子，集电积小，作用是发射载流子，集电区掺杂浓度低，且集电结面积大，区掺杂浓度低，且集电结面积大，作用是收集载流子作用是收集载流子。基区掺杂浓。基区掺杂浓度最低，且制造得很薄，其厚度度最低，且制造得很薄，其厚度一般在几个微米至
66、几十个微米，一般在几个微米至几十个微米，作用是传输载流子，发射区与集作用是传输载流子，发射区与集电区的结构不同，不能互换。电区的结构不同，不能互换。3.3.1.4晶体三极管的工艺特点晶体三极管的工艺特点Date: 92发发射射区区发发射射结结基基 区区集集电电结结集集电电区区PNP型型NPN型型Date: 933.3.2.13.3.2.1晶体三极管的种类晶体三极管的种类依工作频率分为：低频三极管和高频三极管；依工作频率分为：低频三极管和高频三极管；依工作功率分为：小功率、中功率和大功率三极管；依工作功率分为：小功率、中功率和大功率三极管；依封装形式分为：金属封装、玻璃封装、塑料封装；依封装形式
67、分为：金属封装、玻璃封装、塑料封装；依导电特性分为：依导电特性分为：PNP型型NPN型；型；依材料不同分为：硅管和锗管。依材料不同分为：硅管和锗管。一般大功率三极管多为金属封装，通常以金属外壳一般大功率三极管多为金属封装，通常以金属外壳为集电极为集电极C，直接拧在电路板上，利于散热。直接拧在电路板上，利于散热。Date: 943.3.2.2 3.3.2.2 晶体三极管的型号表示晶体三极管的型号表示一、国家标准对半导体三极管的命名如下：一、国家标准对半导体三极管的命名如下：第一位：表示器件电极数目；第一位：表示器件电极数目；第二位：第二位：A A表示锗表示锗PNPPNP管、管、B B表示锗表示锗
68、NPNNPN管、管、C C表示硅表示硅PNPPNP管、管、D D表表 示硅示硅NPNNPN管；管；第三位：第三位：X X表示低频小功率管、表示低频小功率管、D D表示低频大功率管、表示低频大功率管、G G表示高表示高 频小功率管、频小功率管、A A表示高频小功率管、表示高频小功率管、K K表示开关管。表示开关管。Date: 95二、日本半导体分立器件型号命名方法二、日本半导体分立器件型号命名方法 日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五个部分，其各部分的符号意成。通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：义如下： 第一部分：用数字表
69、示器件有效电极数目或第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。类型。0-0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、件的组合管、1 1表示二极管、表示二极管、2 2表示三极或具有两表示三极或具有两个个PNPN结的其他器件、结的其他器件、3 3表示具有四个有效电极或具表示具有四个有效电极或具有三个有三个PNPN结的其他器件、结的其他器件、依此类推。依此类推。 第二部分：日本电子工业协会第二部分：日本电子工业协会JEIAJEIA注册标志。注册标志。S-S-表示已表示已在日本电子工业协会在日本电子工业协会JEIAJEIA注册登记的半导体分立器注册登记的半导体
70、分立器件。件。 Date: 96 第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。型。A-PNPA-PNP型高频管、型高频管、B-PNPB-PNP型低频管、型低频管、C-NPNC-NPN型高频型高频管、管、D-NPND-NPN型低频管、型低频管、F-PF-P控制极可控硅控制极可控硅、G-NG-N控制极控制极可控硅、可控硅、H-NH-N基极单结晶体管、基极单结晶体管、J-PJ-P沟道场效应管、沟道场效应管、K-NK-N沟道场效应管、沟道场效应管、M-M-双向可控硅。双向可控硅。 第四部分：用数字表示在日本电子工业协会第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEI
71、AJEIA登记的顺序号。两位以上的整数登记的顺序号。两位以上的整数- -从从“1111”开始，开始，表示在日本电子工业协会表示在日本电子工业协会JEIAJEIA登记的顺序号；不同登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。越大，越是近期产品。 第五部分：第五部分： 用字母表示同一型号的改进型产品用字母表示同一型号的改进型产品标志。标志。A A、B B、C C、D D、E E、F F表示这一器件是原型号产表示这一器件是原型号产品的改进产品品的改进产品. .Date: 97三、美国半导体三极管命名方法三、美国半导体三
72、极管命名方法 美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体三极管命名方法如下：电子工业协会半导体三极管命名方法如下： 第一部分：用符号表示器件用途的类型。第一部分：用符号表示器件用途的类型。JAN-JAN-军级、军级、JANTX-JANTX-特军级、特军级、JANTXV-JANTXV-超特军级、超特军级、JANS-JANS-宇航级、（无）宇航级、（无）- -非军用品。非军用品。 第二部分：用数字表示第二部分：用数字表示PNPN结数目。结数目。 第三部分：美国电子工业协会（第三部分：美国电子工业协会（EIAEIA）注册标志。注册标
73、志。N-N-该该器件已在美国电子工业协会（器件已在美国电子工业协会（EIAEIA）注册登记。注册登记。 第四部分：美国电子工业协会登记顺序号。多位数字第四部分：美国电子工业协会登记顺序号。多位数字- -该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。 第五部分：用字母表示器件分档。第五部分：用字母表示器件分档。A A、B B、C C、D D、- -同一型号器件的不同档别。如：同一型号器件的不同档别。如：JAN2N3251AJAN2N3251A表示表示PNPPNP硅高硅高频小功率开关三极管，频小功率开关三极管，JAN-JAN-军级、军级、2-2-三极管、三极管、N-E
74、IAN-EIA注册注册标志、标志、3251-EIA3251-EIA登记顺序号、登记顺序号、A-2N3251AA-2N3251A档档. . Date: 98 它是指集电区的少数载流子在集电结反向偏置作用它是指集电区的少数载流子在集电结反向偏置作用下漂移而形成的反向电流。它与二极管中的反向饱和电下漂移而形成的反向电流。它与二极管中的反向饱和电流在本质上是相同的，因此当发射极开路（流在本质上是相同的，因此当发射极开路（I IE=0=0）时，时，集电极电流值即为反向饱和电流。集电极电流值即为反向饱和电流。ICBO大小是管子质量大小是管子质量好坏的标志之一，实际当中好坏的标志之一，实际当中ICBO越小越
75、好。小功率管约越小越好。小功率管约为几个微安，此值虽小但受温度影响很大，是三极管工为几个微安，此值虽小但受温度影响很大，是三极管工作不稳定的主要因素之一。作不稳定的主要因素之一。 ICBO的下标的下标CB代表集电极和基极，代表集电极和基极，O是是Open的字头，代表第的字头，代表第三个电极三个电极E开路。开路。3.3.3.13.3.3.1 反向饱和电流反向饱和电流ICBODate: 99 它是指基极开路（它是指基极开路（I IB=0=0）时，集电极与发射极时，集电极与发射极之间的反向饱和电流。之间的反向饱和电流。ICEO的大小为的大小为ICBO的的倍。倍。I ICEO受温度影响更严重，因此它对
76、三极管的工作稳定性影响受温度影响更严重，因此它对三极管的工作稳定性影响更大。实际当中应该越小越好。更大。实际当中应该越小越好。 ICEO和和ICBO有如下关系有如下关系:ICEO = (1+) ICBO3.3.3.2 3.3.3.2 穿透电流穿透电流ICEODate: 100 3.3.3.3 3.3.3.3 三极管的极限参数（一）三极管的极限参数（一） 如右图所示，当集电如右图所示，当集电极电流增加时，极电流增加时， 就要下就要下降，当降，当值下降到线性放值下降到线性放大区大区值的值的70703030时，时，所对应的集电极电流称为所对应的集电极电流称为集电极最大允许电流集电极最大允许电流Icm
77、Icm。至于至于值下降多少，不同值下降多少，不同型号的三极管，不同的厂型号的三极管，不同的厂家的规定有所差别。可见，家的规定有所差别。可见，当当IcIcIcmIcm时，并不表示三时，并不表示三极管会损坏。极管会损坏。1 1）集电极最大允许电流（）集电极最大允许电流（IcmIcm) )Date: 1012 2）集电极、发射极间的最大允许反向电压（）集电极、发射极间的最大允许反向电压（BVce0BVce0） 最大允许反向电压表示三极管电极间承受反向电最大允许反向电压表示三极管电极间承受反向电压的能力。压的能力。3 3）集电极最大允许功耗）集电极最大允许功耗( (PcmPcm) ) 是指集电极电流通
78、过集电结时所产生的功耗，是指集电极电流通过集电结时所产生的功耗， PcmPcm = = IcvcbIcvcbIcvceIcvce，因发射结正偏，呈低阻，所以因发射结正偏，呈低阻，所以功耗主要集中在集电结上。在计算时往往用功耗主要集中在集电结上。在计算时往往用VceVce取代取代VcbVcb。3.3.3.33.3.3.3 三极管的极限参数（二）三极管的极限参数（二）Date: 102三极管的输三极管的输出特性曲线是用来出特性曲线是用来表示该管各极电压表示该管各极电压和电流之间相互关和电流之间相互关系，它反映出三极系，它反映出三极管的性能，是分析管的性能，是分析放大电路的重要依放大电路的重要依据，
79、右图为最常见据，右图为最常见的发射极接法时的的发射极接法时的输出特性曲线。输出特性曲线。3.3.43.3.4三极管的输出特性曲线（一）三极管的输出特性曲线（一）Date: 103根据输出特性曲线的特点，通常将三极管的工作根据输出特性曲线的特点，通常将三极管的工作范围分为三个区域：范围分为三个区域：截止区、饱和区、放大区截止区、饱和区、放大区，它们，它们的各自特点概述如下：的各自特点概述如下：截止区：截止区：IC接近零的区域，相当接近零的区域，相当IC=0的曲线的下方。此的曲线的下方。此时，发射结反偏，集电结反偏。时，发射结反偏，集电结反偏。饱和区：饱和区：IC受受U UCECE显著控制的区域，
80、该区域内显著控制的区域，该区域内U UCECE的数值的数值较小，此时发射结正偏，集电结正偏。较小，此时发射结正偏，集电结正偏。放大区：放大区：IC平行于平行于U UCECE轴的区域，曲线基本平行等距。轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏。此时，发射结正偏，集电结反偏。3.3.43.3.4三极管的输出特性曲线（二）三极管的输出特性曲线（二）Date: 104 输出特性曲线输出特性曲线I IB B=0=0这条曲线以下的区域称这条曲线以下的区域称为截止区，此时为截止区，此时发射结发射结与集电结均处于反向偏与集电结均处于反向偏置置。由于三极管中存在。由于三极管中存在穿透电流穿透电流
81、I ICEOCEO，集电极集电极电流并未真正截止。对电流并未真正截止。对硅管而言，硅管而言，V VBEBE0.5V0.5V时时截止，锗管截止，锗管V VBEBE 0.1V0.1V时截止。时截止。3.3.4.13.3.4.1、截止区、截止区Date: 105 在在U UCECE1V1V的范围内所的范围内所对应的特性曲线近似直线对应的特性曲线近似直线上升的区域，称为饱和区，上升的区域，称为饱和区，三极管饱和时三极管饱和时U UCECE的值称为的值称为饱和压降，用饱和压降，用U UCESCES表示，表示，小功率硅管约小功率硅管约0.3V0.3V，锗管锗管约约0.1V0.1V。三极管工作在饱三极管工作
82、在饱和区时，和区时，集电结与发射结集电结与发射结均处于正向偏置均处于正向偏置，呈现低，呈现低电阻状态，故电流较大，电阻状态，故电流较大，相当于一个开关的接通状相当于一个开关的接通状态。态。3.3.4.23.3.4.2、饱和区、饱和区Date: 106 三极管三极管发射结发射结正向偏置、集电结正向偏置、集电结反向偏置反向偏置时，此时时，此时三极管的工作区域三极管的工作区域为放大区，三极管为放大区，三极管工作在放大区时工作在放大区时I IC C随随I IB B的增大而成比的增大而成比例地增大。例地增大。硅管硅管电压电压大于大于0.7V左右，锗管左右，锗管电压大于电压大于0.3V左右。左右。3.3.
83、4.33.3.4.3、放大区、放大区Date: 1073.3.53.3.5简单的晶体管放大电路简单的晶体管放大电路 三极管有三个电极，其中两个可以作为输入三极管有三个电极，其中两个可以作为输入, , 两个可以作为输出，两个可以作为输出，这样必然有一个电极是公共电极。三种接法也称三种组态。这样必然有一个电极是公共电极。三种接法也称三种组态。共发射极共发射极接法，发射极作为公共电极，接法，发射极作为公共电极，用用CECE表示；表示；共基极共基极接法，基极作为公共电极，接法，基极作为公共电极，用用CBCB表示；表示；共集电极共集电极接法，集电极作为公共电极，用接法，集电极作为公共电极，用CCCC表示
84、。表示。Date: 1081. 1. 放大电路主要用于放大微弱信号，输出电压或电流在幅度上得放大电路主要用于放大微弱信号，输出电压或电流在幅度上得到了放大，输出信号的能量得到了加强。到了放大，输出信号的能量得到了加强。2 2. . 输出信号的能量实际上是由直流电源提供的，只是经过三极管输出信号的能量实际上是由直流电源提供的，只是经过三极管的控制，使之转换成信号能量，提供给负载。的控制，使之转换成信号能量，提供给负载。简单的晶体管简单的晶体管接在放大电路中的晶体三极管，具有电流放大作用，接在放大电路中的晶体三极管，具有电流放大作用，即流过集电极的电流（称集电极电流）即流过集电极的电流（称集电极电
85、流） Ic ，比流过基极的电，比流过基极的电流（基极电流或偏置电流）流（基极电流或偏置电流） Ib大大倍，倍，就是三极管的就是三极管的共射极共射极电流放大系数电流放大系数，用公式表示：，用公式表示： Ic(集电极电流集电极电流) = Ib(基极电流基极电流)放大电路放大电路3.3.5.13.3.5.1三极管的电流放大作用三极管的电流放大作用Date: 1093.3.5.23.3.5.2、共射组态放大电路的组成、共射组态放大电路的组成三三 极极 管管T T起放大作用。起放大作用。负载电阻负载电阻RCRC，RLRL将变化将变化的集电极电流转换为电压的集电极电流转换为电压输出。输出。偏置电路偏置电路
86、VCCVCC，RbRb使三极使三极管工作在线性区。管工作在线性区。耦合电容耦合电容C1C1，C2C2输入电输入电容容C1C1保证信号加到发射结，保证信号加到发射结，不影响发射结偏置。输出不影响发射结偏置。输出电容电容C2C2保证信号输送到负保证信号输送到负载，不影响集电结偏置。载，不影响集电结偏置。Date: 110 静态静态V Vi i=0=0 时，放大电路的工作状态，也称直流工时，放大电路的工作状态，也称直流工作状态。作状态。 动态动态V Vii0 0 时，放大电路的工作状态，也称交流时，放大电路的工作状态，也称交流工作状态。工作状态。 放大电路建立正确的静态，是保证动态工作的前提。放大电
87、路建立正确的静态，是保证动态工作的前提。分析放大电路必须要正确地区分静态和动态，正确地区分析放大电路必须要正确地区分静态和动态，正确地区分直流通路和交流通路。分直流通路和交流通路。3.3.5.33.3.5.3、静态和动态、静态和动态Date: 1113.3.5.43.3.5.4、放大原理、放大原理 三极管具有电流放三极管具有电流放大作用，放大器输入信大作用，放大器输入信号号V Vi i的变化引起三极管的变化引起三极管发射结电压发射结电压V VBEBE的变化，的变化，近而引起基极电流近而引起基极电流IBIB的的变化，由于变化，由于I IC C=*I=*IB B, ,引引起大的集电极电流起大的集电
88、极电流ICIC变变化，化，I IC C的变化通过集电的变化通过集电极负载电阻极负载电阻RCRC转变为输转变为输出电压的变化。出电压的变化。Date: 112三极管的测试三极管的测试三极管的测试分为测试三极管的类型、管脚排列，三极管的测试分为测试三极管的类型、管脚排列，首先是如何测试三极管的类型首先是如何测试三极管的类型使用万用表的使用万用表的电阻档电阻档(R(R1)1)档档, ,判断如下：判断如下：电阻很小电阻很小红表笔为基极红表笔为基极 （PNPPNP）黑表笔为基极黑表笔为基极（NPNNPN）bbDate: 113 其次是如何测试三极管的管脚排列其次是如何测试三极管的管脚排列判断出管子类型和基极后，使用万用表的电阻档判断出管子类型和基极后，使用万用表的电阻档(R(R1)1)档，档，如下测试：如下测试：在在基极与另两个管脚基极与另两个管脚间接入一个电阻测量间接入一个电阻测量三极管的放大作用，三极管的放大作用，然后更换表笔再测，然后更换表笔再测，两次测量中表指针偏两次测量中表指针偏离较离较大大的那次，可根的那次，可根据据不同类型的管子不同类型的管子判判断出断出集电极集电极和和发射极发射极。CeCeNPNPNPDate: 114常用三极常用三极Date: 115Date: 116
