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1、随州市高级技工学校 随州市工业学校 http:/电子技术电子技术课堂小结课堂小结 三极管的结构特点：三极管的结构特点：三极、三区、二极三极、三区、二极三极管的基本特征：三极管的基本特征：具有电流放大作用具有电流放大作用三极管具有电流放大作用的两个工作条件：三极管具有电流放大作用的两个工作条件：内部条件：内部条件：三个三个区的特殊工艺结构区的特殊工艺结构 ；外部条件：外部条件：发射结正偏，集点结反偏，即：发射结正偏，集点结反偏，即： NPN型三极管：型三极管：Vc Vb Ve PNP型三极管：型三极管：Vc Vb U UONON时，基极才有电流产生，时，基极才有电流产生，硅管的导通电压硅管的导通
2、电压0.7V,0.7V,锗管为锗管为0.3V0.3V。（2 2）U UCECE增大时，输入特性曲线右移；增大时，输入特性曲线右移；（3 3）当）当U UCECE1V1V时，曲线不再明显右移而基本重合。时，曲线不再明显右移而基本重合。一、共发射极输入特性曲线一、共发射极输入特性曲线随州市高级技工学校 随州市工业学校 http:/6二、共发射极输出特性曲线二、共发射极输出特性曲线 输出特性是指在基极电流输出特性是指在基极电流I IB B为一常量的情况下，三极管为一常量的情况下，三极管的的集电极集电极ic ic与与管压降管压降u uCECE之间的关系。之间的关系。 现在我们所见的是共射输出特性曲线表
3、示以现在我们所见的是共射输出特性曲线表示以I IB B为参变量为参变量时，时，I Ic c和和U UCECE间的关系：间的关系： 即即 I Ic c= f(U= f(UCECE)| )|IB = IB = 常数常数 实测的输出特性曲线如图所示：根据外加电压的不同，实测的输出特性曲线如图所示：根据外加电压的不同，整个曲线可划分为四个区：整个曲线可划分为四个区： 放大区、截止区、饱和区、击穿区放大区、截止区、饱和区、击穿区随州市高级技工学校 随州市工业学校 http:/7二、二、输出特性输出特性IC(mA )1234UCE(V)36912IB=020 A40 A60 A80 A100 A放大区：放
4、大区：发射结正偏，集电结发射结正偏，集电结反偏反偏, uBEUon,且且uCEuBE当当UCE大于一定的数值时，大于一定的数值时，IC只与只与IB有关，有关，IC= IB。随州市高级技工学校 随州市工业学校 http:/8IC(mA )1234UCE(V)36912IB=020 A40 A60 A80 A100 A饱和区饱和区：发射结正偏，集电结正发射结正偏，集电结正偏偏: uBEUon,且且uCEIC，UCE= UCES 0.3V(0.1V)。随州市高级技工学校 随州市工业学校 http:/9IC(mA )1234UCE(V)36912IB=020 A40 A60 A80 A100 A截止区
5、截止区 : IB=0以下以下的区域，的区域，uBEUon,且且uCEUbe；IB=0, IC=ICEO0随州市高级技工学校 随州市工业学校 http:/10输出特性曲线簇输出特性曲线簇当当UCE增大到一定增大到一定值时，集电结就会值时，集电结就会发生反向击穿，造发生反向击穿，造成集电极电流成集电极电流Ic剧剧增，这一特性表现增，这一特性表现在输出特性图上则在输出特性图上则为击穿区域。为击穿区域。随州市高级技工学校 随州市工业学校 http:/11输出特性三个区域的特点输出特性三个区域的特点:(1)放大区：放大区：发射结正偏，集电结反偏。发射结正偏，集电结反偏。 即：即： IC= IB , 且且 IC = IB(2) 饱和区：饱和区：发射结正偏，集电结正偏。发射结正偏，集电结正偏。 即：即：UCE UBE ， IBIC，UCE 0.3V (3) 截止区：截止区： UBE 死区电压，死区电压， IB=0 ， IC=ICEO 0
