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1、学习必备欢迎下载模拟电子技术基础( 第四版 ) 习题解答 _童诗白第 1 章 常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“”和“”表示判断结果填入空内。1 在 N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。 2 因为 N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。3PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。4 处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。5 结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其大的特点。6 若耗尽型 N 沟道 MOS 管的 大于零，则其输入电阻会明显变小。二、选择正确答案填入空内。l PN 结加正向电压时，
2、空间电荷区将 A 。A.变窄 B.基本不变 C.变宽2 稳压管的稳压区是其工作在 C 。A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿3 当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。A.前者反偏、 后者也反偏 B. 前者正偏、 后者反偏 C. 前者正偏、 后者也正偏精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 1 页，共 35 页学习必备欢迎下载4 UGS0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。A.结型管 B.增强型 MOS 管 C.耗尽型 MOS 管三、写出图 Tl.3 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD0.7V
3、。图 T1.3 解：UO11.3V, UO20V, UO3-1.3V, UO42V, UO51.3V, UO6-2V。四、已知稳压管的稳压值UZ6V ，稳定电流的最小值IZmin5mA 。求图 Tl.4 所示电路中 UO1和 UO2各为多少伏。a b 图 T1.4 解：左图中稳压管工作在击穿状态，故UO16V 。右图中稳压管没有击穿，故UO25V 。五、电路如图 T1.5 所示， VCC15V ，100，UBE0.7V 。试问：1Rb50k时，Uo? 2 若 T临界饱和，则 Rb? 解：1，, 。图 T1.5 精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - -
4、- -第 2 页，共 35 页学习必备欢迎下载2，六、测得某放大电路中三个MOS 管的三个电极的电位如表Tl.6 所示，它们的开启电压也在表中。试分析各管的工作状态（截止区、恒流区、可变电阻区），并填入表内。表 T1.6 管号UGSth/V US/V UG/V UD/V 工作状态T1 4 -5 1 3 恒流区T2 -4 3 3 10 截止区T3 -4 6 0 5 可变电阻区解：因为三只管子均有开启电压，所以它们均为增强型MOS 管。根据表中所示各极电位可判断出它们各自的工作状态，如表Tl.6 最后一栏所示。习题1.1 选择合适答案填入空内。l 在本征半导体中加入 A 元素可形成 N 型半导体，
5、加入 C 元素可形成 P 型半导体。A.五价 B.四价 C.三价2 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将A 。A.增大 B.不变 C.减小3 工作在放大区的某三极管，如果当IB 从 12 uA 增大到 22 uA 时，IC 从lmA 变为 2mA ，那么它的 约为 C 。A.83 B.91 C.100 精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 3 页，共 35 页学习必备欢迎下载4 当场效应管的漏极直流电流ID 从 2mA变为 4mA时, 它的低频跨导gm将A 。A.增大； B.不变； C.减小1.2 电路如图 P1.2 所示，已知 V，试画
6、出与的波形。设二极管导通电压可忽略不计。图 P1.2 解图 P1.2 解：与的波形如解图Pl.2 所示。1.3 电路如图 P1.3 所示，已知 V，二极管导通电压UD0.7V 。试画出与的波形图，并标出幅值。图 P1.3 解图 P1.3 解：波形如解图 Pl.3 所示。1.4 电路如图 P1.4 所示, 二极管导通电压UD0.7V,常温下，电容 C对交流信号可视为短路；为正弦波，有效值为10mV 。试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？解：二极管的直流电流其动态电阻 : 图 P1.4 精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 4 页，共
7、35 页学习必备欢迎下载故动态电流的有效值：1.5 现有两只稳压管， 稳压值分别是 6V和 8V， 正向导通电压为 0.7V。试问：1 若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？2 若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？解：1串联相接可得 4 种：1.4V；14V；6.7V；8.7V。2 并联相接可得 2 种：0.7V；6V。1.6 已知图 Pl.6 所示电路中稳压管的稳定电压，最小稳定电流，最大稳定电流。1 分别计算为 10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压的值；2 若时负载开路，则会出现什么现象？为什么？解：1 只有当加在稳压管两端的电压大于其稳压值时，输出电压才
8、为6V。时， ；图 Pl.6 时， ；时， ，。0.1 2 当负载开路时，故稳压管将被烧毁。1.7 在图 Pl.7 所示电路中，发光二极管导通电压UD 1.5V ，正向电流在 515mA 时才能正常工作。精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 5 页，共 35 页学习必备欢迎下载试问： 1 开关 S 在什么位置时发光二极管才能发光？2R的取值范围是多少？解：1S闭合。 2 R的范围为 : 图 P1.7 1.8 现测得放大电路中两只管子两个电极的电流如图P1.8 所示。分别求另一电极的电流， 标出其方向， 并在圆圈中画出管子， 且分别求出它们
9、的电流放大系数 。a b a b 图 Pl.8 解图 Pl.8 解：答案如解图 Pl.8 所示。放大倍数分别为和1.9 测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.9 所示。在圆圈中画出管子，并说明它们是硅管还是锗管。图 P1.9 解: 如解图 1.9 。精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 6 页，共 35 页学习必备欢迎下载解图 1.9 1.10 电路如图 P1.10 所示，晶体管导通时， 50。试分析为 0V、1V、3V三种情况下 T 的工作状态及输出电压的值。解： 1 当时， T 截止， 。2当时，因为图 P1.10 所以 T 处
10、于放大状态。3当时，因为， 所以 T 处于饱和状态。1.11 电路如图 Pl.11 所示, 晶体管的 50 , ，饱和管压降；稳压管的稳定电压 , 正向导通电压。试问：当时？；当时？解：当时，晶体管截止，稳压管击穿，。当时，晶体管饱和，。因为：图 P1.11 ， ，1.12 分别判断图 Pl.12 所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。a b c d e 图 P1.12 精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 7 页，共 35 页学习必备欢迎下载解：a 可能；b 可能；c 不能；d 不能，T 的发射结会因电流过大而损坏。e 可能。1.
11、13 已知放大电路中一只N沟道场效应管三个极、 、 的电位分别为4V 、8V 、12V ，管子工作在恒流区。试判断它可能是哪种管子（结型管、 MOS 管、增强型、耗尽型），并说明、 、 与 G 、S 、D 的对应关系。解：管子可能是增强型管、耗尽型管和结型管，三个极、 、与 G 、S 、D 的对应关系如解图Pl.13 所示。解图 Pl.13 1.14 已知场效应管的输出特性曲线如图Pl.14所示，画出它在恒流区的转移特性曲线。图 Pl.14 a b 解图 Pl.14 解：在场效应管的恒流区作横坐标的垂线如解图Pl.14 a所示, 读出其与各条曲线交点的纵坐标值及值，建立坐标系，描点，连线，即可
12、得到转移特性曲线，如解图 Pl.14 b所示。1.15 电路如图 P1.15 所示， T的输出特性如图 Pl.14 所示, 分析当 4V、8V 、12V 三种情况下场效应管分别工作在什么区域。精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 8 页，共 35 页学习必备欢迎下载解：根据图 P1.14 所示 T 的输出特性可知， 其开启电压为 5V ，根据图 Pl.15 所示电路可知。当 4V时，小于开启电压，故T 截止。当 8V时，设 T 工作在恒流区，根据输出特性可知，管压降，因此， ，小于开启电压，说明假设成立，即T 工作在恒流区。图Pl.15
13、当 12V时，由于，必然使 T 工作在可变电阻区。l.16分别判断图 Pl.16 所示各电路中的场效应管是否有可能工作在恒流区。a b c d 图 P1.16 解：a可能,b 不能,c 不能,d 可能。补充 1. 电路如补图 P1a、b 所示，稳压管的稳定电压 , R 的取值合适，的波形如图 c 所示。试分别画出和的波形。a b c 精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 9 页，共 35 页学习必备欢迎下载补图 P1 解：波形如下图所示补充 2. 在温度 20oC时某晶体管的试问温度是60oC时的？解: 。补充 3. 有两只晶体管，一只的
14、200 , ；另一只的 100 , ，其它参数大致相同。你认为应选用哪只管子？为什么？解：选用 100 , 的管子，因其 适中, 较小，因而温度稳定性较另一只管子好。补充 4. 电路如补图 P4所示，试问 大于多少时晶体管饱和？解：取，若管子饱和，则, 即所以, 时, 管子饱和。补图 P4 第 2 章 基本放大电路自测题一在括号内用“”和“”表明下列说法是否正确。1. 只有电路既放大电流又放大电压, 才称其有放大作用。精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 10 页，共 35 页学习必备欢迎下载2. 可以说任何放大电路都有功率放大作用。3.
15、 放大电路中输出的电流和电压都是有源元件提供的。4. 电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。5. 放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。6. 由于放大的对象是变化量， 所以当输入直流信号时， 任何放大电路的输出都毫无变化。7. 只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。二试分析图 T2.2 各电路是否能放大正弦交流信号，简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。a b c d e f g h i 图 T2.2 解：图 a 不能。 VBB将输入信号短路。图 b 可以。图 c 不能。输入信号与基极偏置是并联关系而非串联关系。图 d 不能。晶体管基极回路因无限流电阻而烧毁。
16、图 e 不能。输入信号被电容C2短路。精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 11 页，共 35 页学习必备欢迎下载图 f 不能。输出始终为零。图 g 可能。图 h 不合理。因为 G-S间电压将大于零。图 i 不能。因为 T 截止。三在图 T2.3 所示电路中，已知 , 晶体管 100， 。填空：要求先填文字表达式后填得数。1 当时，测得，若要基极电流, 则和之和 565 ；而若测得，则 3 。2 若测得输入电压有效值时，输出电压有效值，则电压放大倍数 -120 。若负载电阻值与相等，则带上图 T2.3 负载后输出电压有效值 0.3 V。四
17、、已知图 T2.3 所示电路中，静态管压降并在输出端加负载电阻，其阻值为 3。选择一个合适的答案填入空内。1 该电路的最大不失真输出电压有效值 A ；A.2V B.3V C.6V 2 当时，若在不失真的条件下，减小Rw ，则输出电压的幅值将 C ； A.减小 B.不变 C.增大精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 12 页，共 35 页学习必备欢迎下载3 在时，将 Rw 调到输出电压最大且刚好不失真，若此时增大输入电压，则输出电压波形将 B ； A.顶部失真 B.底部失真 C.为正弦波4 若发现电路出现饱和失真，则为消除失真，可将 B 。
18、A.Rw 减小 B.减小 C. 减小五、现有直接耦合基本放大电路如下：A.共射电路 B.共集电路 C.共基电路D.共源电路 E.共漏电路它们的电路分别如图2.2.1 、2.5.1a 、2.5.4 a 、2.6.2 和 2.6. 9a所示；设图中，且、均相等。选择正确答案填入空内，只需填A 、B 、l 输入电阻最小的电路是 C ，最大的是 D 、E ；2 输出电阻最小的电路是 B ；3 有电压放大作用的电路是 A 、C 、D ；4 有电流放大作用的电路是 A 、B、D 、E ；5 高频特性最好的电路是 C ；6 输入电压与输出电压同相的电路是 B 、C 、E ；反相的电路是 A 、D 。六、未画
19、完的场效应管放大电路如图T2.6 所示，试将合适的场效应管接入电路，使之能够正常放大。要求给出两种方案。解：根据电路接法， 可分别采用耗尽型N沟道和 P沟道 MOS 管，如解图 T2.6 所示。精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 13 页，共 35 页学习必备欢迎下载图 T2.6 解图 T2.6 习题2.1 分别改正图 P2.1 所示各电路中的错误， 使它们有可能放大正弦波信号。要求保留电路原来的共射接法和耦合方式。a b c d 图 P2.1 解：a 将-VCC改为+VCC 。b 在+VCC 与基极之间加 Rb 。c 将 VBB反接，
20、且在输入端串联一个电阻。d 在 VBB支路加 Rb，在-VCC与集电极之间加Rc。2.2 画出图 P2.2 所示各电路的直流通路和交流通路。设所有电容对交流信号均可视为短路。 a b c d 精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 14 页，共 35 页学习必备欢迎下载图 P2.2 解：将电容开路、变压器线圈短路即为直流通路，图略。图 P2.2 所示各电路的交流通路如解图P2.2 所示；a b c d 解图 P2.2 2.3 分别判断图 P2.2a、 b 所示两电路各属哪种放大电路，并写出的表达式。解：图 a: ， ， 。， ，图 b： ，
21、 ，。， ， 。2.4 电路如图 P2.4 a 所示，图 b 是晶体管的输出特性，静态时。利用图解法分别求出和时的静态工作点和最大不失真输出电压（有效值）。a b 图 P2.4 解：空载时：；精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 15 页，共 35 页学习必备欢迎下载最大不失真输出电压峰值约为5.3V ，有效值约为 3.75V 。带载时： ；最大不失真输出电压峰值约为2.3V ，有效值约为 1.63V 。如解图 P2.4 所示。解图 P2.4 图 P2.5 2.5 在图 P2.5 所示电路中 , 已知晶体管的 80, 1k, 静态时 ,
22、。判断下列结论是否正确，在括号内打“”和“”表示。1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 2.6 电路如图 P2.6 所示，已知晶体管 120，UBE0.7V ，饱和管压降UCES0.5V 。在下列情况下， 用直流电压表测量晶体管的集电极电位，应分别为多少？1 正常情况； 2Rb1短路； 3Rb1开路； 4Rb2开路； 5Rb2短路； 6RC短路；图 P2.6 图 P2.7 解:1, ，。2 Rb1 短路, 。精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 16 页，共 35 页学习必备欢迎下载3 Rb1 开路, 临界饱和基极电流，实
23、际基极电流。由于, 管子饱和 , 。4 Rb2 开路, 无基极电流 , 。5 Rb2 短路，发射结将烧毁，可能为。6 RC短路, 。2.7 电路如图 P2.7 所示，晶体管的 80 ， 。分别计算和时的Q点、 、和。解：在空载和带负载情况下， 电路的静态电流、 均相等，它们分别为：空载时，静态管压降、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻分别为：；时，静态管压降、电压放大倍数分别为：。2.8 若将图 P2.7 所示电路中的 NPN 管换成 PNP管，其它参数不变，则为使电路正常放大电源应作如何变化？ Q 点、 、和变化吗？如变化，则如何变化？若输出电压波形底部失真，则说明电路产生了什么失真，如何消除
24、？解：由正电源改为负电源；Q 点、 、和不会变化；输出电压波形底部失真对应输入信号正半周失真， 对 PNP 管而言，管子进入截止区， 即产生了截止失真；减小 Rb 。2.9 已知图 P2.9 所示电路中，晶体管 100，1.4k 。1 现已测得静态管压降UCEQ6V，估算 Rb；精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 17 页，共 35 页学习必备欢迎下载2 若测得和的有效值分别为1mV 和 100mV ，则负载电阻 RL为多少？解：1，, 。2 由, 可得: 。图 P2.9 2.10 在图 P2.9 所示电路中，设静态时，晶体管饱和管压降
25、。试问：当负载电阻和时，电路的最大不失真输出电压各为多少伏？解：由于，所以。空载时，输入信号增大到一定幅值，电路首先出现饱和失真。故时，当输入信号增大到一定幅值，电路首先出现截止失真。故2.11 电路如图 P2.11 所示，晶体管 100，100。1 求电路的 Q点、 、和；2 若改用 200 的晶体管，则 Q点如何变化？3 若电容 Ce开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？解：1静态分析：图 P2.11 动态分析：2 200时， （不变） ；（不变） ； （减小） ；（不变） 。精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 18
26、页，共 35 页学习必备欢迎下载3 Ce 开路时， （减小） ；（增大） ；（不变） 。2.12 电路如图 P2.12 所示，晶体管的 80，1k。1 求出 Q点； 2 分别求出 RL 和 RL3k时电路的、和。解：1 求解 Q 点：2 求解放大倍数和输入、输出电阻：RL 时；图 P2.12 RL3k时；输出电阻：2.13 电路如图 P2.13 所示，晶体管的 60 , 。1 求解 Q点、 、和2 设 Us 10mV （有效值），问, 若 C3开路，则 , 解：1 Q 点：图 P2.13 、和的分析：, , 。精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - -
27、- -第 19 页，共 35 页学习必备欢迎下载2 设 Us 10mV （有效值），则；若 C3开路，则：，。2.14 改正图 P2.14 所示各电路中的错误， 使它们有可能放大正弦波电压。要求保留电路的共漏接法。a b c d 图 P2.14 解：a 源极加电阻 RS ； b漏极加电阻 RD ；c 输入端加耦合电容； d在 Rg 支路加 ?VGG ， +VDD 改为?VDD 改正电路如解图 P2.14 所示。b c d 解图 P2.14 2.15 已知图 P2.21 a 所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - -
28、 - -第 20 页，共 35 页学习必备欢迎下载别如图 b、c 所示。1 利用图解法求解Q点；2 利用等效电路法求解、和。a b c 图 P2.15 解：1 在转移特性中作直线，与转移特性的交点即为Q点；读出坐标值，得出。如解图P2.15a 所示。a b 解图 P2.21 在输出特性中作直流负载线，与的那条输出特性曲线的交点为Q 点， 。如解图 P2.21b 所示。2 首先画出交流等效电路（图略） ，然后进行动态分析。；2.16 已知图 P2.16a 所示电路中场效应管的转移特性如图b 所示。求解电路的 Q 点和。a b 精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - -
29、 - - - - -第 21 页，共 35 页学习必备欢迎下载图 P2.16 解：1求 Q 点：根据电路图可知，。从转移特性查得，当时的漏极电流：因此管压降。2 求电压放大倍数：，2.17 电路如图 P2.17 所示。 （1）若输出电压波形底部失真，则可采取哪些措施？若输出电压波形顶部失真，则可采取哪些措施？（2）若想增大，则可采取哪些措施？解： （1）输出电压波形底部失真，类似于NPN 型三极管的饱和失真，应降低 Q ，故可减小 R2或增大 R1 、RS ；若输出电压波形顶部失真，则与上述相反，故可增大 R2或减小 R1、RS 。（2）若想增大，就要增大漏极静态电流以增大，故可增大R2或减小
30、R1、RS 。2.18 图 P2.18 中的哪些接法可以构成复合管？标出它们等效管的类型（如 NPN 型、PNP 型、N 沟道结型及管脚 b 、e 、c 、d 、g 、s 。 a b c d e f g 精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 22 页，共 35 页学习必备欢迎下载图 P2.18 解：a不能。 b 不能。c 构成 NPN 型管，上端为集电极，中端为基极，下端为发射极。d不能。 e 不能。f 构成 PNP 型管，上端为发射极，中端为基极，下端为集电极。g构成 NPN 型管，上端为集电极，中端为基极，下端为发射极。第 3 章 多
31、级放大电路自测题一、现有基本放大电路：A.共射电路 B.共集电路 C.共基电路 D.共源电路 E. 共漏电路根据要求选择合适电路组成两级放大电路。1要求输入电阻为 1k至 2k， 电压放大倍数大于 3000 ， 第一级应采用 A ，第二级应采用 A 。2 要求输入电阻大于10M ，电压放大倍数大于300 ，第一级应采用 D ，第二级应采用 A 。3 要求输入电阻为 100k200k，电压放大倍数数值大于100 , 第一级应采用 B ，第二级应采用 A 。4 要求电压放大倍数的数值大于10 ，输入电阻大于10M ，输出电阻小于100，第一级应采用 D ，第二级应采用 B 。5 设信号源为内阻很大
32、的电压源，要求将输入电流转换成输出电压，且，输出电阻 Ro 100 ，第一级应采用采用 C ，第二级应 B 。二、选择合适答案填入空内。精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 23 页，共 35 页学习必备欢迎下载1 直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是 C、D 。 A电阻阻值有误差 B晶体管参数的分散性C晶体管参数受温度影响 D电源电压不稳2 集成放大电路采用直接耦合方式的原因是 C 。 A便于设计 B 放大交流信号 C 不易制作大容量电容3 选用差动放大电路的原因是 A 。 A克服温漂 B 提高输入电阻 C 稳定放大倍数4 差动放大电路
33、的差模信号是两个输入端信号的 A ，共模信号是两个输入端信号的 C 。A.差 B.和 C.平均值5 用恒流源取代长尾式差动放大电路中的发射极电阻，将使单端电路的B 。 A 差模放大倍数数值增大 B 抑制共模信号能力增强 C 差模输入电阻增大6 互补输出级采用共集形式是为了使 C 。A.放大倍数的数值大 B. 最大不失真输出电压大 C. 带负载能力强三、电路如图 T3?3所示，所有晶体管均为硅管，均为 200， ，静态时。试求：1 静态时 Tl 管和 T2管的发射极电流。2 若静态时，则应如何调节Rc2的值才能使？若静态 V，则 Rc2 ？，电压放大倍数为多少？精选学习资料 - - - - -
34、- - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 24 页，共 35 页学习必备欢迎下载解：1T3管的集电极电流静态时 Tl 管和 T2管的发射极电流2 若静态时，则应减小Rc2。当 时, T4 管的集电极电流。Rc2的电流及其阻值分别为：，电压放大倍数求解过程如下：图 T3?3 习题3.1 判断图 P3.1 所示各两级放大电路中T1 和 T2 管分别组成哪种基本接法的放大电路。设图中所有电容对于交流信号均可视为短路。b c d e f 图 P3.1 解：a共射，共基 b共射, 共射 c共射, 共射d 共集，共基 e共源，共集 f共基，共集精选学习资料 - - - - - - - -
35、 - 名师归纳总结 - - - - - - -第 25 页，共 35 页学习必备欢迎下载3.2 设图 P3.2 所示各电路的静态工作点均合适，分别画出它们的交流等效电路，并写出、和的表达式。 a b c d 图 P3.2 解：1图示各电路的交流等效电路如解图P3.2 所示。 2各电路的、和的表达式分别为：a： ；b：；c：；d：； a b 精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 26 页，共 35 页学习必备欢迎下载 c d 解图 P3.2 3.3 基本放大电路如图P3.3a、b 所示，图 a 虚线框内为电路，图b虚线框内为电路。由电路、组
36、成的多级放大电路如图c、d、e 所示，它们均正常工作。试说明图c、d、e 所示电路中1 哪些电路的输入电阻较大；2 哪些电路的输出电阻较小；3 哪个电路的电压放大倍数最大。 a b c d e 图 P3.3 解：1图 d、e 所示电路的输入电阻比较大； 2图 c、e 所示电路的输出电阻比较小； 3图 e 所示电路的电压放大倍数最大。精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 27 页，共 35 页学习必备欢迎下载3.4 电路如图 P3.l a b所示，晶体管的 均为 150 , 均为， Q点合适。求解、和。解：在图 a 所示电路中； ；。在图
37、b 所示电路中；3.5 电路如图 P3.l c、e 所示，晶体管的 均为 200 , 均为。场效应管的 gm为 15mS ; Q 点合适。求解、和。解：在图 c 所示电路中； ；在图 e 所示电路中； ；3.6 图 P3.6 所示电路参数理想对称， 晶体管的 均为 100， ， 。试求Rw的滑动端在中点时T1管和 T2管的发射极静态电流以及动态参数Ad和 Ri。图 P3.6 图 P3.7 解：Rw 滑动端在中点时 T1 管和 T2管的发射极静态电流分析如下：精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 28 页，共 35 页学习必备欢迎下载动态参
38、数 Ad和 Ri 分析如下：3.7 电路如图 P3.7 所示，T1和 T2两管的 均为 140，均为 4k。试问：若输入直流信号， ，则电路的共模输入电压差模输入电压输出动态电压解：电路的共模输入电压、 差模输入电压、 差模放大倍数和动态电压分别为： ；3.8 电路如图 P3.8 所示，Tl 和 T2的低频跨导 gm均为 10mS 。试求解差模放大倍数和输入电阻。图 P3.8 图 P3.9 解：差模放大倍数和输入电阻分别为：； 。3.9 试写出图 P3.9 所示电路 Ad和 Ri 的近似表达式。设 Tl 和 T2的电流放大系数分别为 1 和2，b-e 间动态电阻分别为和。解：Ad和 Ri 的近
39、似表达式分别为；精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 29 页，共 35 页学习必备欢迎下载3.10 电路如图 P3.10 所示，Tl T5的电流放大系数分别为 15 , b-e 间动态电阻分别为rbe1rbe5 ，写出 Au、Ri 和 Ro的表达式。图 P3.10 图 P3.11 解：Au、Ri 和 Ro的表达式分析如下：; ; 3.11 电路如图P3.11 所示。已知电压放大倍数为-100 ，输入电压uI 为正弦波， T2 和 T3管的饱和压降 UCES1V 。试问：1 在不失真的情况下，输入电压最大有效值Ui 为多少伏？2 若 Ui
40、 10mV（有效值），则 Uo ？若此时 R3开路，则 Uo？若 R3短路，则 Uo ？解：1 最大不失真输出电压有效值为: 故在不失真的情况下，输入电压最大有效值：2Ui 10mV ，则 Uo1V（有效值）。若 R3开路，则 Tl 和 T3 组成复合管，等效 , T3 可能饱和，使得（直流） ;若 R3短路，则（直流）。第 4 章 集成运算放大电路自测题一、选择合适答案填入空内。精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 30 页，共 35 页学习必备欢迎下载1 集成运放电路采用直接耦合方式是因为 C 。A.可获得很大的放大倍数 B.可使温漂
41、小 C.集成工艺难于制造大容量电容2 通用型集成运放适用于放大 B 。A.高频信号 B.低频信号 C.任何频率信号3 集成运放制造工艺使得同类半导体管的 C 。A.指标参数准确 B.参数不受温度影响 C.参数一直性好4 集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以 A 。A.减小温漂 B.增大放大倍数 C.提高输入电阻5 为增大电压放大倍数 , 集成运放的中间级多采用 A 。A.共射放大电路 B. 共集放大电路 C. 共基放大电路二、判断下列说法是否正确，用“”和“”表示判断结果。1 运放的输入失调电压UIO是两输入端电位之差。2 运放的输入失调电流IIO 是两输入端电流之差。3 运放的共模抑制
42、比。4 有源负载可以增大放大电路的输出电流。5 在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。三、电路如图 T4.3 所示，已知 123 100 。各管的 UBE均为 0.7V , 试求 IC2 的值。解：分析估算如下：精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 31 页，共 35 页学习必备欢迎下载；图 T4.3 。比较上两式，得四、电路如图 T4.4 所示。图 T4.4 1 说明电路是几级放大电路，各级分别是哪种形式的放大电路（共射、共集、差放）; 2 分别说明各级采用了哪些措施来改善其性能指标（如增大放大倍数、输入电阻） 。解：1
43、三级放大电路，第一级为共集?共基双端输入单端输出差分放大电路，第二级是共射放大电路，第三级是互补输出级。2 第一级采用共集 ?共基形式，增大输入电阻，改善高频特性；利用有源负载T5 、T6 增大差模放大倍数，使单端输出电路的差模放大倍数近似等于双端输出电路的差模放大倍数，同时减小共模放大倍数。 第二级为共射放大电路，以 T7、T8构成的复合管为放大管、以恒流源作集电极负载，增大放大倍数。第三级为互补输出级，加了偏置电路，利用Dl、D2的导通压降使 T9和 T10在静态时处于临界导通状态，从而消除交越失真。精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -
44、第 32 页，共 35 页学习必备欢迎下载习题4.1 根据下列要求，将应优先考虑使用的集成运放填入空内。已知现有集成运放的类型是：通用型高阻型高速型低功耗型高压型大功率型高精度型1 作低频放大器，应选用 。2 作宽频带放大器，应选用 。3 作幅值为 1V以下微弱信号的量测放大器，应选用 。4 作内阻为 100k。信号源的放大器，应选用 。5 负载需 5A电流驱动的放大器，应选用 。6 要求输出电压幅值为 80V的放大器，应选用。7 宇航仪器中所用的放大器，应选用 。4. 2 已知几个集成运放的参数如表P4.3 所示，试分别说明它们各属于哪种类型的运放。表 P4.3 特性指标Aod rid UI
45、O IIO IIB -3dBfH KCMR SR 增益带宽单位dB M mV nA nA Hz dB V/V MHz A1 100 2 5 200 600 7 86 0.5 A2 130 2 0.01 2 40 7 120 0.5 A3 100 1000 5 0.02 0.0386 0.5 5 A4 100 2 2 20 15096 65 12.5 解：A1为通用型运放， A 2 为高精度型运放， A3为高阻型运放， A4为高速精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 33 页，共 35 页学习必备欢迎下载型运放。4.3 多路电流源电路如图P
46、4.3 所示 , 已知所有晶体管的特性均相同,UBE均为 0.7V。试求 IC1、IC2 各为多少。图 P4.3 图 P4.4 解：因为 Tl 、T2、T3 的特性均相同，且UBE 均相同，所以它们的基极、集电极电流均相等，设集电极电流为IC。先求出 R 中电流，再求解 IC1、IC2。当时， 。4.4 电路如图 P4.4 所示， Tl 管的低频跨导为 gm , Tl 和 T2管 d-s 间的动态电阻分别为rds1 和 rds2。试求解电压放大倍数的表达式。解： 由于 T2 和 T3 所组成的镜像电流源是以Tl 为放大管的共射放大电路的有源负载， Tl 和 T2管 d -s 间的动态电阻分别为
47、rds1 和 rds2，所以电压放大倍数的表达式为： 。4.5 电路如图 P4.5 所示， Tl 与 T2 管特性相同，它们的低频跨导为gm ; T3 与 T4管特性对称； T2 与 T4管 d-s 间的动态电阻分别为rds2 和 rds4 。试求出电压放大倍数的表达式。图 P4.5 图 P4.6 解：在图示电路中：精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 34 页，共 35 页学习必备欢迎下载；电压放大倍数：4.6 电路如图 P4.6 所示，具有理想的对称性。设各管均相同。 1 说明电路中精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 35 页，共 35 页
