纳米表面工程的基本问题及其进展

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1、纳米表面工程的纳米表面工程的基本问题及其进展基本问题及其进展Fundament and Progress of Nano-surface Technology 主要内容主要内容 表面工程是将材料的表面与基体一起作为一个系统进行设计，利用各种表面技术，使材料的表面获得材料本身没有而又希望具有的性能的系统工程。薄膜技术薄膜技术 其其 它它 涂、镀层技术涂、镀层技术 表面改性技术表面改性技术 一、一、 纳米表面工程产生的背景纳米表面工程产生的背景 随着纳米科技的发展，微机电系统的设计、制造日益增多，制造技术以由亚微米层次进入到原子、分子级的纳米层次。纳米机器人、纳米钳、纳米电机、，此类机电系统涉及到

2、大量的表面科学表面技术问题，且随着尺寸减小和表面效应的出现，传统的的表面设计和加工方法以不再适应。 要求材料在特殊情况，如超高温/低温、超高压、高真空、强氧化还原或腐蚀环境以及存在辐射、声吸收、信号屏蔽、承受点载荷等条件下服役的情况越来越多，由于纳米材料在力、电、声、光、热、磁方面表现出与宏观材料不同的特性。因此传统材料表面纳米化显得特别重要。二、二、 纳米表面工程的内涵和特点纳米表面工程的内涵和特点 表面含有纳米颗粒与原子团族: 2D + 0D-n纳米量级厚度的薄膜: 2D-n 什么是“纳米表面” 表面含有纳米碳管: 2D + 1D-n复合纳米表面: (2D + 0D-n)n, 2D-n +

3、 1D-n, 纳米表面工程是通过特定的加工技术赋予材料以纳米表面、使表面纳米结构化，从而使材料的表面得以强化、改性或赋予表面新功能的系统工程。产生机敏表面、纳米智能表面和表面纳米器件。 （潜艇蒙皮、坦克外壳） 与传统的表面工程相比，其特点是：取决于基体性能的因素被弱化，表面处理、改性和功能化的自由度扩大，表面加工技术的作用更加突出，产品的附加值更高。三、三、 纳米表面工程的最新进展纳米表面工程的最新进展 1. 纳米单层膜2. 纳米多层叠膜3. 有序分子膜InGaAs-InAlAs多层膜有准三维向准二维转变中的线性吸收谱图。图中曲线上所标数字为InGaAs膜的厚度。纳米固体薄膜制备技术纳米固体薄

4、膜制备技术 直流溅射 射频溅射 磁控溅射 离子束溅射 真空蒸发溅射沉积离子镀物理气相沉积 （PVD）化学气相沉积 （CVD）分子束外延 （MBE）气相沉积气相沉积 电电 镀镀 法法 溶胶溶胶-凝胶凝胶法法 电阻加热 感应加热 电子束加热 激光加热 直流二极型离子镀 射频放电离子镀 等离子体离子镀 HFCVD PECVD LECVD DC RF MW ECR 热壁 冷壁 DLC coated a magnetic thin-film diskLiquid lubricant 1-2 nmDLC 10-30 nmMagnetic coating 25-75 nmAl-Mg/10 m NiP or

5、Glass-ceramic 0.78-1.3 mm功能薄膜材料研究室功能薄膜材料研究室 The surface of stretched (12%) video tape with DLC-layer with a thickness of 30 nm.The surface of stretched (12%) video tape without DLC-layer. 叠层膜是广义上的金属超晶格，表现出不同于各组元也不同于均匀混合态薄膜的异常力学、电、光、磁等性能。在表面强化、功能化及超精度加工等领域具有极大的潜力。Cu/Ni, Cu/Pd, Cu/Al, Ni/Mo, TiN/VN, T

6、iC/W, TiN/AlN, ZnO/YSZ/ZnO/YSZ/ZnO, .YSZ (yttrium-stabilized ZrO2) bicrystal ZnO/YSZ/ZnO/YSZ/ZnO internal films.V. Roddatis, Journal of Crystal Growth 220 (2000) 515-521.The solid-phase intergrowth (SPI) processHREM image of ZnO/YSZ interface along 1 -1 0 YSZ (a) and 0 0 1YSZ (b). Moir fringes are v

7、isible at the boundary between ZnO grains. Stacking faults are indicated with arrows. Doubling in YSZ lattice is shown with white arrowheads. A and B areas show normal and oxygen deficient ZnO, respectively. An intermediate layer is visible at the interface.YSZyttrium-stabilized ZrO21 -1 00 0 11-101

8、10110001？Schematic diagram of a new triode structure of FED with carbon nanotube emitters. Diamond and Related Materials 10 (2001) 1705.Gate: Al with a thickness of 0.15 m and a line-width of 400 m.13 mCathode: Al with a thickness of 0.15 m and a line-width of 390 m.200 m spaceAnode: Phosphor coated

9、 ITO glassLB膜（Langmuir-Blodgett）SA膜（self-assembled mono- or multi-layer）MD膜（molecular deposition film） 通过固液界面具有反应活性的不同头尾基的化学吸附或化学反应，在基片上形成化学键连接、紧密排列的有序单层或多层膜。“分子筛”: 空隙只允许一定尺寸的分子通过。用作化学传感器，其灵敏度比普通材料高500倍。纳米智能薄膜: 空隙可随条件的变化或根据靠近的分子特征而开闭。利用阴阳离子间的静电相互作用力，通过相反离子体系的交替分子沉积制备而成的层状有序超薄膜。将气液界面上的单分子层的膜通过物理机械过程转

10、移到固体基片上。1）热喷涂法制备纳米结构涂层 （Nano-structure Coating, NC）2）电沉积法直接制备NC3）超声波法组装NC超音速分散热空气吹干+纳米粒子（0D-n）：质量太小，不能直接喷涂； 喷涂过程中被烧结。液相分散喷雾合成法，原位生成喷雾合成法，机械研磨合成法。纳米结构喂料 ( Nanostrucyured Feedstock, NF ) 按液相合成法在液相中先生成纳米粒子，通过过滤、渗透、反渗透及超离心等手段除出纳米粒子以外的组分，再加入液相介质何其它组分，用液相喷雾分散法获得NF。 通过机械研磨、机械合金、高能球磨等方法直接将微米粉或非晶金属箔加工成NF。具体为

11、：在干燥的高真空料机内通入保护气体（Ar, N2）；或在CH3OH和液氮介质中通过对磨球/粉体比、磨球数量和尺寸、球磨能量、球磨温度、介质等参数的控制，对粉末粒子反复进行熔结、断裂过程，使晶粒不断细化，达到纳米尺寸。除去CH3OH和液氮介质后，0D-n会因自身的静电引力自行团聚成微米级的纳米结构喂料。高速氧高速氧- -燃气喷涂燃气喷涂（HVOF）Jet-Kote 喷枪结构1-燃烧室，2-粉末入口，3-燃气通道，4-送粉通道，5-冷却水道，6-喷嘴。123456345O2(H2, C3H6, C3H8)1.空气通道 2.燃料气体, 3.氧气,4.线材或棒材, 5.空气罩, 6.气体喷嘴, 7.燃

12、烧气体, 8.熔融材料9.喷涂束流.火焰喷射枪剖面图1243567892-1、在电沉积液中在电沉积液中0D-n或或1D-n，达到组装，达到组装NC的目的。的目的。45钢镀：Ni-P + C纳米管，改善摩擦学性能；磁盘基扳：Ti-P + DNP (diamond nanopowder)，减少磨损50%；磁头、存取器磁膜：Co-P + DNP，耐磨能力提高2-3倍；模具：Cr + DNP，延长使用寿命；此外，(n-ZrO2 + Ni-W-B非晶态复合镀层)能提高涂层的高温抗氧化性能； (DNP + Ag)能增强镀层的导热、耐磨性；2-2、利用电化学反应将金属离子直接还原成利用电化学反应将金属离子直

13、接还原成0D-n或或 1D-n。UHV STM image of three C60 molecules chemisorbed at missing dimer defects on a Si(100)-2x1 surface.10nm scan. 表面自身纳米化对于多晶材料采用非平衡的处理方法增加材料的表面自由能，是粗晶组织逐渐细化至纳米量级。 特征：晶粒沿厚度方向逐渐变化，纳米结构表层与基体之间不存在界面。 主要方法：1）表面机械加工处理法和2）非平衡热力学法。1)表面机械加工处理法表面机械加工处理法sample 在外加载荷的重复作用下，材料表面的粗晶组织通过不同的方式产生强烈的塑性变形

14、而逐渐细化至纳米级。其过程包括： （1）表面产生大量缺陷，如位错、孪晶、层错、剪切带。 （2）当位错密度增至一定程度时，发生淹没、重组，形成纳米尺度的亚晶。 （3）随着温度升高，表面具有高储能的组织发生再结晶，形成纳米晶粒。 （4）此过程不断发展，最终形成晶体学取向呈随机分布的纳米晶组织。2)非平衡热力学法非平衡热力学法 将材料快速加热使其表面熔化或相变温度，再急剧冷却，通过动力学控制来提高形核率，抑制晶粒长大速率，从而在材料的表面获得纳米晶组织。 激光加热、电子束加热。 目前表面纳米化的研究还处在起步阶段，要实现其工业用，需解决以下问题： （1）加工工艺、参数及材料的组织、结构和性能对纳米化

15、的影响。 （2）表面纳米化的微观机制及形成动力学。 （3）纳米结构表层的组织与性能的关系。 （4）纳米结构表层的热稳定性与化学性能。衬底硅光刻SiO2膜光致抗蚀剂掩模版衬底硅紫外光(193nm)涂光致抗蚀剂曝光显影衬底硅腐蚀衬底硅去胶衬底硅SiO2光刻 技术 当前的光刻技术，采用193nm曝光波长，可实现大于100nm线宽的图形。 下一代光刻技术，*157nm曝光，小于50nm线宽图形。 再下一代光刻技术，*126nm曝光。*德国的Carl Zeiss公司美国的劳伦斯利弗莫尔国家实验室、SVGL公司 日本的尼康公司荷兰的ASML公司*德国的Carl Zeiss公司美国的劳伦斯利弗莫尔国家实验室

16、 光刻技术光刻技术IC产业的关键技术产业的关键技术0246810m用AFM机械刻蚀原理刻写的亚微米尺寸的唐诗STM 技术在Si(111)面上形成的“中国”字样。最邻近硅原子间的距离为0.4nm。 纳米量级结构纳米量级结构的制作是纳米技术的关键技术之一。 我国SPM系统在Au-Pd合金膜表面上机械刻画出的最小线宽为25nm。A field-assisted local anodization technique using an atomic force microscope (AFM), a single-hole transistor has been fabricated on an un

17、doped hydrogen-terminated diamond surface where p-type conduction occurs on the subsurface region.Power dissipation and integration issues are of paramountimportance for designing future ultralarge scaleintegrated circuits. Single-electron devices exploiting the Coulomb blockade effect are thought t

18、o have the potential to overcome these difficulties because a singleelectron transistor operates with one electron, which can reduce the power consumption and can be applied to highly integrated devices. Measurement of the Coulomb blockade effect has been made possible by continuing advances in the

19、field of nanometer fabrication technology such as local anodization using an atomic force microscope (AFM).超光滑表面（Ultrosmooth surfaces）1）表面粗糙度小于1nm的表面（应用于光学器件、窗口等）2）表面晶格的完整性 的表面（应用于功能光电器件：InP, HgCdTe的完整晶体表面 ）抛光液： 纳米颗粒（含n-MoS2, n-Al2O3, n-SiO2, n-Cr2O3, n-DP）+ 润滑油。宏观、介观及微观一体化研究宏观、介观及微观一体化研究 介观环境中微观粒子的

20、行为和作用。如何进行不同尺度(nano-, meso-, micro-, macro-scale)层次的过渡及相应的内在联系。如体相材料表面原子排布对单晶格、超晶格和纳米超薄膜的生长及性能有何影响。低维非平衡材料结构的形成演化和表征。 宏观环境中纳米、介观体系的行为和作用。即：材料的结构、组织及其对宏观力学、物理、化学等性能的影响。其研究有助于达到表面的优化设计和有效控制。四、四、 纳米表面工程的科学问题纳米表面工程的科学问题 环境问题尺度问题2 + U(r)ih th2 环境问题环境问题尺度问题 Processing A grammar of a language in which the

21、message from the crystals are written晶体长大（尺度的演变）：发生在表面上的从无序到序、周期性的组装过程。 The broad field of materials science and engineering seeks to explain and control one or more of the four basic elements:1.The structure and composition of a material, including the type of atoms and their arrangement as viewed

22、over the range of length scales (nano-, meso-, micro-, macro-scale). 2.The synthesis and processing by which the particular arrangement of atoms achieved. 3.The properties of the material resulting from the atoms and their arrangement, that make material interesting or useful. 4.The performance of t

23、he material, that is, the measurement of its usefulness in actual conditions, taking account of economic and social costs and benefits.Are there, in nature, behaviors of whole systems unpredicted by the parts? 是否本质上存在由系统的局部性质无法预言的整体行为?Thanks for joiningThanks for joiningSee you next time4 Mbit DRAM

24、chip未掺杂GaAs半绝缘衬底n+n+掺杂GaAsAlGaAs源栅漏a. FET结构示意图10-910-810-710-610-510-410-310-210-1100m10-1010-1110-12101X-raysUltraviolet g-raysLIGHTInfraredMicrowaves10-710-410-11021051081011l (m)l (nm)VioletBlueGreenYellow390455492577622770597OrangeRed10-310-210-1100101102103l (m)Soft X-rayUltraviole Light SWIR MWIR LWIR Milli-wavesUltrasonic Electro-magnetic Spectra