半导体物理第四章20题试证明锗的电导有效质量

上传人:re****.1 文档编号:577938478 上传时间:2024-08-23 格式:PPT 页数:4 大小:238KB
返回 下载 相关 举报
半导体物理第四章20题试证明锗的电导有效质量_第1页
第1页 / 共4页
半导体物理第四章20题试证明锗的电导有效质量_第2页
第2页 / 共4页
半导体物理第四章20题试证明锗的电导有效质量_第3页
第3页 / 共4页
半导体物理第四章20题试证明锗的电导有效质量_第4页
第4页 / 共4页
亲,该文档总共4页,全部预览完了,如果喜欢就下载吧!
资源描述

《半导体物理第四章20题试证明锗的电导有效质量》由会员分享,可在线阅读,更多相关《半导体物理第四章20题试证明锗的电导有效质量(4页珍藏版)》请在金锄头文库上搜索。

420试证Ge的电导有效质量也为:证明:Ge的导带极小值在方向,共八个半椭圆,即四个椭球。假设:电子均等的分布在这些椭球中。若电子浓度为n,则 单位体积中每个椭球有电子数为 外加电场沿001方向,记为z方向。和 可分解为沿椭球纵轴及横轴二个分量 如前图, 相应方向上的电流密度为 和 ,则z方向上的电流密度,其大小为 z方向电流密度还可写作其中,其数值 ,其数值 代入得: 由图中可得: 代入上式, 则有 写成一般形式: 得到 ,式中 , 并把 也写成一般式,即 ,则有返回返回

展开阅读全文
相关资源
正为您匹配相似的精品文档
相关搜索

最新文档


当前位置:首页 > 建筑/环境 > 施工组织

电脑版 |金锄头文库版权所有
经营许可证:蜀ICP备13022795号 | 川公网安备 51140202000112号