半导体物理学-刘恩科

半导体器件半导体器件半导体物理学半导体物理学刘恩科刘恩科半导体器件半导体器件半导体物理学§教材教材:Ø《《半导体物理学半导体物理学》》(第六版第六版)，刘恩科等编著，，刘恩科等编著，电子工业出版社电子工业出版社§参考书：参考书：Ø《《半导体物理与器件半导体物理与器件》》（第三版），（第三版），Donald A.Neamen著，电子工业出版社著，电子工业出版社 半导体器件半导体器件§课程考核办法课程考核办法 :Ø本课采用开卷笔试的考核办法第九周安排本课采用开卷笔试的考核办法第九周安排一次期中考试一次期中考试Ø总评成绩构成比例为：平时成绩总评成绩构成比例为：平时成绩10%；； 期期中考试中考试45%；期末考试；期末考试45%半导体物理学半导体器件半导体器件1 1半导体中的电子状态半导体中的电子状态2 2半导体中杂质和缺陷能级半导体中杂质和缺陷能级3 3半导体中载流子的统计分布半导体中载流子的统计分布4半导体的导电性半导体的导电性5非平衡载流子非平衡载流子6pn结结7金属和半导体的接触金属和半导体的接触8半导体表面与半导体表面与MIS结构结构半导体物理学半导体器件半导体器件固态电子学分支之一固态电子学分支之一微电子学微电子学光电子学光电子学研究在固体（主要是半导体研究在固体（主要是半导体〕〕材料上构成材料上构成的微小型化器件、电路、及系统的电子学的微小型化器件、电路、及系统的电子学分支学科分支学科微电子学简介微电子学简介:半导体概要半导体概要半导体器件半导体器件微电子学研究领域微电子学研究领域•半导体器件物理半导体器件物理•集成电路工艺集成电路工艺•集成电路设计和测试集成电路设计和测试微电子学发展的特点微电子学发展的特点向高集成度、低功耗、向高集成度、低功耗、高性能高可靠性电路方高性能高可靠性电路方向发展向发展与其它学科互相渗透，与其它学科互相渗透，形成新的学科领域：形成新的学科领域： 光电集成、光电集成、MEMS、、生生物芯片物芯片半导体概要半导体概要半导体器件半导体器件固体材料分成：固体材料分成：超导体、导体、半导体、绝缘体超导体、导体、半导体、绝缘体什么是半导体？什么是半导体？半导体及其基本特性半导体及其基本特性半导体器件半导体器件半导体器件半导体器件1 1半导体中的电子状态半导体中的电子状态2 2半导体中杂质和缺陷能级半导体中杂质和缺陷能级3 3半导体中载流子的统计分布半导体中载流子的统计分布4半导体的导电性半导体的导电性5非平衡载流子非平衡载流子6pn结结7金属和半导体的接触金属和半导体的接触8半导体表面与半导体表面与MIS结构结构半导体物理学半导体器件半导体器件半导体的纯度和结构半导体的纯度和结构§纯度纯度Ø极高，杂质<1013cm-3§结构结构半导体器件半导体器件晶体结构晶体结构§单胞单胞Ø对于任何给定的晶体，可以用来形成其晶体结构的对于任何给定的晶体，可以用来形成其晶体结构的最小单元最小单元注：注：（（a）单胞无需是唯一的）单胞无需是唯一的 （（ b）单胞无需是基本的）单胞无需是基本的半导体器件半导体器件晶体结构晶体结构§三维立方单胞三维立方单胞Ø 简立方、简立方、 体心立方、体心立方、 面面立方立方半导体器件半导体器件金刚石晶体结构金刚石晶体结构金刚石结构金刚石结构原子结合形式：共价键原子结合形式：共价键形成的晶体结构：形成的晶体结构： 构成一个正四构成一个正四面体，具有面体，具有 金金 刚刚 石石 晶晶 体体 结结 构构半导体器件半导体器件半半 导导 体体 有有: 元元 素素 半半 导导 体体 如如Si、、Ge 金刚石晶体结构金刚石晶体结构半导体器件半导体器件半半 导导 体体 有有: 化化 合合 物物 半半 导导 体体 如如GaAs、、InP、、ZnS闪锌矿晶体结构闪锌矿晶体结构金刚石型 闪锌矿型半导体器件半导体器件练习练习1、单胞是基本的、不唯一的单元。

单胞是基本的、不唯一的单元 ））2、按半导体结构来分，应用最为广泛的是、按半导体结构来分，应用最为广泛的是（（ ）3、写出三种立方单胞的名称，并分别计算、写出三种立方单胞的名称，并分别计算单胞中所含的原子数单胞中所含的原子数4、计算金刚石型单胞中的原子数计算金刚石型单胞中的原子数半导体器件半导体器件原子的能级原子的能级§电子壳层电子壳层§不同支壳层电子Ø1s；2s，2p；3s，2p，3d；…§共有化运动共有化运动半导体器件半导体器件+14§电子的能级是量子化的n=3n=3四个电子四个电子n=2n=28 8个电子个电子n=1n=12 2个电子个电子SiHSi原子的能级原子的能级半导体器件半导体器件原子的能级的分裂原子的能级的分裂§孤立原子的能级孤立原子的能级 4个原子能级的分裂个原子能级的分裂 半导体器件半导体器件原子的能级的分裂原子的能级的分裂§原子能级分裂为能带原子能级分裂为能带 半导体器件半导体器件Si的的能带能带 （（价带、导带和带隙价带、导带和带隙〕〕半导体器件半导体器件价带：价带：0K0K条件下被电子填充的能量的能带条件下被电子填充的能量的能带导带：导带：0K0K条件下未被电子填充的能量的能带条件下未被电子填充的能量的能带带隙：导带底与价带顶之间的能量差带隙：导带底与价带顶之间的能量差半导体的能带结构半导体的能带结构导导导导 带带带带价价价价 带带带带E Eg g半导体器件半导体器件自由电子的运动自由电子的运动§微观粒子具有波粒二象性微观粒子具有波粒二象性 半导体器件半导体器件半导体中电子的运动半导体中电子的运动§薛定谔方程及其解的形式薛定谔方程及其解的形式 布洛赫波函数布洛赫波函数半导体器件半导体器件固体材料分成：固体材料分成：超导体、导体、半导体、绝缘体超导体、导体、半导体、绝缘体固体材料的能带图固体材料的能带图半导体器件半导体器件半导体、绝缘体和导体半导体、绝缘体和导体半导体器件半导体器件半导体的能带半导体的能带§本征激发本征激发 半导体器件半导体器件练习练习1、什么是共有化运动？、什么是共有化运动？2、画出、画出Si原子结构图（画出原子结构图（画出s态和态和p态并注明该能态并注明该能级层上的电子数）级层上的电子数）3、电子所处能级越低越稳定。

电子所处能级越低越稳定 （（ ））4、无论是自由电子还是晶体材料中的电子，他们、无论是自由电子还是晶体材料中的电子，他们在某处出现的几率是恒定不变的在某处出现的几率是恒定不变的 （（ ））5、分别叙述半导体与金属和绝缘体在导电过程中、分别叙述半导体与金属和绝缘体在导电过程中的差别半导体器件半导体器件半导体中半导体中E（（K）与）与K的关系的关系§在导带底部，波数在导带底部，波数 ，附近，附近 值很小，值很小，将将 在在 附近泰勒展开附近泰勒展开 半导体器件半导体器件半导体中半导体中E（（K）与）与K的关系的关系令令 代入上式得代入上式得半导体器件半导体器件自由电子的能量自由电子的能量§微观粒子具有波粒二象性微观粒子具有波粒二象性 半导体器件半导体器件半导体中电子的平均速度半导体中电子的平均速度§在周期性势场内，电子的平均速度在周期性势场内，电子的平均速度u可表示可表示为波包的群速度为波包的群速度 半导体器件半导体器件自由电子的速度自由电子的速度§微观粒子具有波粒二象性微观粒子具有波粒二象性 半导体器件半导体器件半导体中电子的加速度半导体中电子的加速度§半导体中电子在一强度为半导体中电子在一强度为 E的外加电场作用的外加电场作用下，外力对电子做功为电子能量的变化下，外力对电子做功为电子能量的变化半导体器件半导体器件半导体中电子的加速度半导体中电子的加速度令令 即即半导体器件半导体器件有效质量的意义有效质量的意义§自由电子只受外力作用；半导体中的电子自由电子只受外力作用；半导体中的电子不仅受到外力的作用，同时还受半导体内不仅受到外力的作用，同时还受半导体内部势场的作用部势场的作用§意义：有效质量概括了半导体内部势场的意义：有效质量概括了半导体内部势场的作用，使得研究半导体中电子的运动规律作用，使得研究半导体中电子的运动规律时更为简便（有效质量可由试验测定）时更为简便（有效质量可由试验测定）半导体器件半导体器件空穴空穴§只有非满带电子才可导电只有非满带电子才可导电§导带电子和价带空穴具有导电特性；电子导带电子和价带空穴具有导电特性；电子带负电带负电-q（导带底），空穴带正电（导带底），空穴带正电+q（价（价带顶）带顶）半导体器件半导体器件K空间等能面空间等能面§在在k=0处为能带极值处为能带极值导带底附近导带底附近价带顶附近价带顶附近半导体器件半导体器件K空间等能面空间等能面§以以 、、 、、 为坐标轴构成为坐标轴构成 空间，空间， 空间空间任一矢量代表波矢任一矢量代表波矢§导带底附近导带底附近半导体器件半导体器件K空间等能面空间等能面§对应于某一对应于某一 值，有许多组不同的值，有许多组不同的 ，这些组构成一个封闭面，，这些组构成一个封闭面，在着个面上能量值为一恒值，这个面称在着个面上能量值为一恒值，这个面称为等能量面，简称等能面。

为等能量面，简称等能面§等能面为一球面（理想）等能面为一球面（理想）半导体器件半导体器件1 1半导体中的电子状态半导体中的电子状态2 2半导体中杂质和缺陷能级半导体中杂质和缺陷能级3 3半导体中载流子的统计分布半导体中载流子的统计分布4半导体的导电性半导体的导电性5非平衡载流子非平衡载流子6pn结结7金属和半导体的接触金属和半导体的接触8半导体表面与半导体表面与MIS结构结构半导体物理学半导体器件半导体器件与理想情况的偏离与理想情况的偏离§晶格原子是振动的晶格原子是振动的§材料含杂质材料含杂质§晶格中存在缺陷晶格中存在缺陷Ø点缺陷（空位、间隙原子）点缺陷（空位、间隙原子）Ø线缺陷（位错）线缺陷（位错）Ø面缺陷（层错）面缺陷（层错）半导体器件半导体器件与理想情况的偏离的影响与理想情况的偏离的影响§极微量的杂质和缺陷，会对半导体材料极微量的杂质和缺陷，会对半导体材料的物理性质和化学性质产生决定性的影的物理性质和化学性质产生决定性的影响，同时也严重影响半导体器件的质量响，同时也严重影响半导体器件的质量Ø1个个B原子原子/ 个个Si原子原子 在室温下电导率提高在室温下电导率提高 倍倍ØSi单晶位错密度要求低于单晶位错密度要求低于半导体器件半导体器件与理想情况的偏离的原因与理想情况的偏离的原因§理论分析认为，杂质和缺陷的存在使得理论分析认为，杂质和缺陷的存在使得原本周期性排列的原子所产生的周期性原本周期性排列的原子所产生的周期性势场受到破坏，并在禁带中引入了能级，势场受到破坏，并在禁带中引入了能级，允许电子在禁带中存在，从而使半导体允许电子在禁带中存在，从而使半导体的性质发生改变。

的性质发生改变半导体器件半导体器件硅、锗晶体中的杂质能级硅、锗晶体中的杂质能级例：如图所示为一晶格常数为例：如图所示为一晶格常数为a的的Si晶胞，求：晶胞，求： （（a））Si原子半径原子半径 （（b）晶胞中所有）晶胞中所有Si原子占据晶胞的百分比原子占据晶胞的百分比解：（解：（a））（（b））半导体器件半导体器件间隙式杂质、替位式杂质间隙式杂质、替位式杂质§杂质原子位于晶格原子间的间隙位置，杂质原子位于晶格原子间的间隙位置，该杂质称为该杂质称为间隙式杂质间隙式杂质Ø间隙式杂质原子一般比较小，如间隙式杂质原子一般比较小，如Si、、Ge、、GaAs材料中的离子锂（材料中的离子锂（0.068nm）§杂质原子取代晶格原子而位于晶格点处，杂质原子取代晶格原子而位于晶格点处，该杂质称为该杂质称为替位式杂质替位式杂质Ø替位式杂质原子的大小和价电子壳层结构替位式杂质原子的大小和价电子壳层结构要求与被取代的晶格原子相近如要求与被取代的晶格原子相近如ⅢⅢ、、ⅤⅤ族元素在族元素在Si、、Ge晶体中都为替位式杂质晶体中都为替位式杂质半导体器件半导体器件间隙式杂质、替位式杂质间隙式杂质、替位式杂质§单位体积中的杂质原子数称为杂质浓度单位体积中的杂质原子数称为杂质浓度半导体器件半导体器件练习练习1、实际情况下、实际情况下k空间的等能面与理想情况下的等空间的等能面与理想情况下的等能面分别是如何形状的？它们之间有差别的原因能面分别是如何形状的？它们之间有差别的原因？？2、实际情况的半导体材料与理想的半导体材料有、实际情况的半导体材料与理想的半导体材料有何不同？何不同？3、杂质和缺陷是如何影响半导体的特性的？、杂质和缺陷是如何影响半导体的特性的？半导体器件半导体器件施主施主：掺入在半导体中的杂质原子，能够向半导体中提供导电的电子，：掺入在半导体中的杂质原子，能够向半导体中提供导电的电子， 并成为带正电的离子。

如并成为带正电的离子如SiSi中的中的P P 和和As As N型半导体型半导体As半导体的掺杂半导体的掺杂施主能级施主能级半导体器件半导体器件受主受主：掺入在半导体中的杂质原子，能够向半导体中提供导电的空穴，：掺入在半导体中的杂质原子，能够向半导体中提供导电的空穴， 并成为带负电的离子如并成为带负电的离子如SiSi中的中的B BP型半导体型半导体B半导体的掺杂半导体的掺杂受主能级受主能级半导体器件半导体器件半导体的掺杂半导体的掺杂§ⅢⅢ、、ⅤⅤ族杂质在族杂质在Si、、Ge晶体中分别为受晶体中分别为受主和施主杂质，它们在禁带中引入了能主和施主杂质，它们在禁带中引入了能级；受主能级比价带顶高级；受主能级比价带顶高 ，施主能级，施主能级比导带底低比导带底低 ，均为浅能级，这两种，均为浅能级，这两种杂质称为浅能级杂质杂质称为浅能级杂质§杂质处于两种状态：中性态和离化态杂质处于两种状态：中性态和离化态当处于离化态时，施主杂质向导带提供当处于离化态时，施主杂质向导带提供电子成为正电中心；受主杂质向价带提电子成为正电中心；受主杂质向价带提供空穴成为负电中心。

供空穴成为负电中心半导体器件半导体器件§半导体中同时存在施主和受主杂质，且半导体中同时存在施主和受主杂质，且 N型半导体型半导体N型半导体型半导体半导体器件半导体器件§半导体中同时存在施主和受主杂质，且半导体中同时存在施主和受主杂质，且 P型半导体型半导体P型半导体型半导体半导体器件半导体器件杂质的补偿作用杂质的补偿作用§半导体中同时存在施主和受主杂质半导体中同时存在施主和受主杂质时，半导体是时，半导体是N型还是型还是P型由杂质的型由杂质的浓度差决定浓度差决定§半导体中净杂质浓度称为有效杂质半导体中净杂质浓度称为有效杂质浓度（有效施主浓度；有效受主浓浓度（有效施主浓度；有效受主浓度）度）§杂质的高度补偿（杂质的高度补偿（ ））半导体器件半导体器件点缺陷点缺陷§弗仓克耳缺陷弗仓克耳缺陷Ø间隙原子和空位成对出现间隙原子和空位成对出现§肖特基缺陷肖特基缺陷Ø只存在空位而无间隙原子只存在空位而无间隙原子§间隙原子和空位这两种点缺陷受温度影响较大，间隙原子和空位这两种点缺陷受温度影响较大，为为热缺陷热缺陷，它们不断产生和复合，直至达到，它们不断产生和复合，直至达到动态平衡，总是动态平衡，总是同时存在同时存在的。

的§空位空位表现为表现为受主作用受主作用；；间隙原子间隙原子表现为表现为施主作施主作用用半导体器件半导体器件点缺陷点缺陷§替位原子（化合物半导体）替位原子（化合物半导体）半导体器件半导体器件位错位错§位错是半导体中的一种缺陷，它严重影位错是半导体中的一种缺陷，它严重影响材料和器件的性能响材料和器件的性能半导体器件半导体器件位错位错施主情况施主情况 受主情况受主情况半导体器件半导体器件练习练习1、、ⅢⅢ、、ⅤⅤ族杂质在族杂质在Si、、Ge晶体中为深能级杂质晶体中为深能级杂质 （（ ））2、受主杂质向价带提供空穴成为正电中心受主杂质向价带提供空穴成为正电中心 ））3、杂质处于两种状态：、杂质处于两种状态：（（ ））和（和（ ）4、空位表现为（、空位表现为（ ）作用，间隙原子表现为（）作用，间隙原子表现为（ ）作）作用5、以、以Si在在GaAs中的行为为例，说明中的行为为例，说明ⅣⅣ族杂质在族杂质在ⅢⅢ—ⅤⅤ化合化合物中可能出现的双性行为。

物中可能出现的双性行为半导体器件半导体器件1 1半导体中的电子状态半导体中的电子状态2 2半导体中杂质和缺陷能级半导体中杂质和缺陷能级3 3半导体中载流子的统计分布半导体中载流子的统计分布4半导体的导电性半导体的导电性5非平衡载流子非平衡载流子6pn结结7金属和半导体的接触金属和半导体的接触8半导体表面与半导体表面与MIS结构结构半导体物理学半导体器件半导体器件热平衡状态热平衡状态§在一定温度下，在一定温度下，载流子的产生载流子的产生和和载流子的复载流子的复合合建立起一动态平衡，这时的载流子称为建立起一动态平衡，这时的载流子称为热热平衡载流子平衡载流子§半导体的热平衡状态受半导体的热平衡状态受温度温度影响，某一特定影响，某一特定温度对应某一特定的热平衡状态温度对应某一特定的热平衡状态§半导体的半导体的导电性导电性受受温度温度影响剧烈影响剧烈半导体器件半导体器件态密度的概念态密度的概念§能带中能量能带中能量 附近每单位能量间隔内的量子态附近每单位能量间隔内的量子态数§能带中能量为能带中能量为 无限小的能量间隔内无限小的能量间隔内有有 个量子态，则状态密度个量子态，则状态密度 为为半导体器件半导体器件态密度的计算态密度的计算§状态密度的计算状态密度的计算Ø单位单位 空间的量子态数空间的量子态数Ø能量能量 在在 空间中所对应空间中所对应的体积的体积Ø前两者相乘得状态数前两者相乘得状态数Ø根据定义公式求得态密度根据定义公式求得态密度半导体器件半导体器件空间中的量子态空间中的量子态§在在 空间中，电子的允许能量状态密度为空间中，电子的允许能量状态密度为 ，，考虑电子的自旋情况，电子的允许量子态密度为考虑电子的自旋情况，电子的允许量子态密度为 ，每个量子态最多只能容纳，每个量子态最多只能容纳一个电子一个电子。

半导体器件半导体器件态密度态密度§导带底附近状态密度（理想情况）导带底附近状态密度（理想情况）半导体器件半导体器件态密度态密度（导带底）（导带底）（价带顶）（价带顶）半导体器件半导体器件练习练习1、推导价带顶附近状态密度、推导价带顶附近状态密度半导体器件半导体器件费米能级费米能级§根据量子统计理论，服从泡利不相容原理的电根据量子统计理论，服从泡利不相容原理的电子遵循费米统计律子遵循费米统计律§对于能量为对于能量为E E的一个量子态被一个电子占据的概的一个量子态被一个电子占据的概率率 为为§ 称为电子的费米分布函数称为电子的费米分布函数§空穴的费米分布函数？空穴的费米分布函数？半导体器件半导体器件费米分布函数费米分布函数§ 称为费米能级或费米能量称为费米能级或费米能量Ø温度温度Ø导电类型导电类型Ø杂质含量杂质含量Ø能量零点的选取能量零点的选取§处于热平衡状态的电子系统有统一的费米能级处于热平衡状态的电子系统有统一的费米能级半导体器件半导体器件费米分布函数费米分布函数§当当 时时Ø若若 ，则，则Ø若若 ，则，则l在热力学温度为在热力学温度为0 0度时，费米能级度时，费米能级 可看成量子态可看成量子态是否被电子占据的一个界限是否被电子占据的一个界限 §当当 时时Ø若若 ，则，则Ø若若 ，则，则Ø若若 ，则，则l费米能级是量子态基本上被费米能级是量子态基本上被 电子占据或基本上是空的一电子占据或基本上是空的一 个标志个标志半导体器件半导体器件玻尔兹曼分布函数玻尔兹曼分布函数§当当 时时，由于，由于 ，，所以所以费米分布函数转化为费米分布函数转化为§ 称为电子的玻尔兹曼分布函数称为电子的玻尔兹曼分布函数半导体器件半导体器件玻尔兹曼分布函数玻尔兹曼分布函数§空穴的玻尔兹曼分布函数空穴的玻尔兹曼分布函数半导体器件半导体器件玻尔兹曼分布函数玻尔兹曼分布函数§导带中电子分布可用电子的玻尔兹曼分布函数导带中电子分布可用电子的玻尔兹曼分布函数描写（描写（绝大多数电子分布在导带底绝大多数电子分布在导带底）；价带中）；价带中的空穴分布可用空穴的玻尔兹曼分布函数描写的空穴分布可用空穴的玻尔兹曼分布函数描写（（绝大多数空穴分布在价带顶绝大多数空穴分布在价带顶））§服从服从费米统计律费米统计律的电子系统称为的电子系统称为简并性系统简并性系统；；服从服从玻尔兹曼统计律玻尔兹曼统计律的电子系统称为的电子系统称为非简并性非简并性系统系统§费米统计律与玻尔兹曼统计律的主要差别：费米统计律与玻尔兹曼统计律的主要差别：前前者受泡利不相容原理的限制者受泡利不相容原理的限制半导体器件半导体器件练习练习1、空穴占据费米能级的概率在各种温度下总是、空穴占据费米能级的概率在各种温度下总是1/2。

（（ ））2、费米能级位置较高，说明有较多的能量较高的量、费米能级位置较高，说明有较多的能量较高的量子态上有电子子态上有电子 （（ ）） 3、能量为、能量为E的一个量子态被一个空穴占据的概率为的一个量子态被一个空穴占据的概率为 （（ ）4、为什么电子分布在导带底，空穴分布在价带顶？、为什么电子分布在导带底，空穴分布在价带顶？半导体器件半导体器件导带中的电子浓度导带中的电子浓度§在导带上的在导带上的 间有间有 个个电子电子§从导带底到导带顶对从导带底到导带顶对 进行积分，进行积分，得到能带中的电子总数，除以半导体体积，得到能带中的电子总数，除以半导体体积，就得到了导带中的电子浓度就得到了导带中的电子浓度 半导体器件半导体器件导带中的电子浓度导带中的电子浓度半导体器件半导体器件导带中的电子浓度导带中的电子浓度§导带宽度的典型值一般导带宽度的典型值一般 ，， ，，所以所以 ，因此，，因此， ，，积分上限改为积分上限改为 并不影响结果。

由此可得并不影响结果由此可得导带中电子浓度为导带中电子浓度为半导体器件半导体器件价带中的空穴浓度价带中的空穴浓度§同理得价带中的空穴浓度同理得价带中的空穴浓度半导体器件半导体器件载流子浓度乘积载流子浓度乘积§同理得价带中的空穴浓度同理得价带中的空穴浓度§热平衡状态下的非简并半导体中，在一定的热平衡状态下的非简并半导体中，在一定的温度下，乘积温度下，乘积 是一定的，如果电子浓是一定的，如果电子浓度增大，空穴浓度就会减小；反之亦然度增大，空穴浓度就会减小；反之亦然半导体器件半导体器件本征半导体载流子浓度本征半导体载流子浓度§本征半导体本征半导体Ø无任何杂质和缺陷的半导体无任何杂质和缺陷的半导体半导体器件半导体器件本征费米能级本征费米能级半导体器件半导体器件本征载流子浓度本征载流子浓度（既适用于本征半导体，也（既适用于本征半导体，也适用于非简并的杂志半导体）适用于非简并的杂志半导体）半导体器件半导体器件杂质半导体载流子浓度杂质半导体载流子浓度§一个能级能容纳自旋方向相反的两个电子一个能级能容纳自旋方向相反的两个电子§杂质能级只能是下面两种情况之一杂质能级只能是下面两种情况之一Ø被一个有任一自旋方向的电子占据被一个有任一自旋方向的电子占据Ø不接受电子不接受电子半导体器件半导体器件杂质半导体载流子浓度杂质半导体载流子浓度§施主能级上的电子浓度（没电离的施主浓度）施主能级上的电子浓度（没电离的施主浓度）§受主能级上的电子浓度（没电离的受主浓度）受主能级上的电子浓度（没电离的受主浓度）半导体器件半导体器件杂质半导体载流子浓度杂质半导体载流子浓度§电离施主浓度电离施主浓度§电离受主浓度电离受主浓度半导体器件半导体器件n和p的其他变换公式§本征半导体时， 半导体器件半导体器件费米能级费米能级§对掺杂半导体，半导体器件半导体器件费米能级费米能级§接近室温时EF-Ei=kTln(ND/ni)半导体器件半导体器件练习半导体器件半导体器件1 1半导体中的电子状态半导体中的电子状态2 2半导体中杂质和缺陷能级半导体中杂质和缺陷能级3 3半导体中载流子的统计分布半导体中载流子的统计分布4半导体的导电性半导体的导电性5非平衡载流子非平衡载流子6pn结结7金属和半导体的接触金属和半导体的接触8半导体表面与半导体表面与MIS结构结构半导体物理学半导体器件半导体器件载流子输运载流子输运§半导体中载流子的输运有三种形式：Ø漂移Ø扩散Ø产生和复合半导体器件半导体器件欧姆定律§金属导体外加电压 ，电流强度为§电流密度为半导体器件半导体器件欧姆定律§均匀导体外加电压 ，电场强度为§电流密度为§欧姆定律的微分形式半导体器件半导体器件漂移电流§漂移运动Ø当外加电压时，导体内部的自由电子受到电场力的作用而沿电场的反方向作定向运动（定向运动的速度称为漂移速度）§电流密度 半导体器件半导体器件漂移速度§漂移速度 半导体器件半导体器件半导体的电导率和迁移率§半导体中的导电作用为电子导电和空穴导电的总和 §当电场强度不大时，满足 ，故可得半导体中电导率为半导体器件半导体器件半导体的电导率和迁移率§N型半导体§P型半导体§本征半导体半导体器件半导体器件Question§导体在外加电场作用下，导体内载流子的漂移电流有两种表达形式恒定不断增大半导体器件半导体器件热运动§在无电场作用下，载流子永无停息地做着无规则的、杂乱无章的运动，称为热运动§晶体中的碰撞和散射引起§净速度为零，并且净电流为零§平均自由时间为半导体器件半导体器件热运动§当有外电场作用时，载流子既受电场力的作用，同时不断发生散射§载流子在外电场的作用下为热运动和漂移运动的叠加，因此电流密度是恒定的半导体器件半导体器件散射的原因§载流子在半导体内发生撒射的根本原因是周期性势场遭到破坏§附加势场 使得能带中的电子在不同 状态间跃迁，并使得载流子的运动速度及方向均发生改变，发生散射行为。

半导体器件半导体器件电离杂质的散射§杂质电离的带电离子破坏了杂质附近的周期性势场，它就是使载流子散射的附加势场§散射概率 代表单位时间内一个载流子受到散射的次数电离施主散射电离受主散射半导体器件半导体器件晶格振动的散射§格波Ø形成原子振动的基本波动Ø格波波矢 Ø对应于某一q值的格波数目不定，一个晶体中格波的总数取决于原胞中所含的原子数ØSi、Ge半导体的原胞含有两个原子，对应于每一个q就有六个不同的格波，频率低的三个格波称为声学波，频率高的三个为光学波Ø长声学波（声波）振动在散射前后电子能量基本不变，称为弹性散射；光学波振动在散射前后电子能量有较大的改变，称为非弹性散射半导体器件半导体器件晶格振动的散射§声学波散射Ø在能带具有单一极值的半导体中起主要散射作用的是长波Ø在长声学波中，只有纵波在散射中起主要作用，它会引起能带的波形变化Ø声学波散射概率§光学波散射Ø在低温时不起作用，随着温度的升高，光学波的散射概率迅速增大半导体器件半导体器件练习练习1、载流子的热运动在半导体内会构成电流、载流子的热运动在半导体内会构成电流 ）） 2、在半导体中，载流子的三种输运方式为（、在半导体中，载流子的三种输运方式为（ ）、）、 （（ ）和（）和（ ）。

3、载流子在外电场的作用下是（、载流子在外电场的作用下是（ ）和（）和（ ））两种运动的叠加，因此电流密度大小（两种运动的叠加，因此电流密度大小（ ）4、什么是散射、什么是散射 半导体器件半导体器件 与 的关系§N个电子以速度 沿某方向运动，在 时刻未遭到散射的电子数为 ，则在 时间内被散射的电子数为因此半导体器件半导体器件 与 的关系上式的解为则 被散射的电子数为半导体器件半导体器件 与 的关系§在 时间内被散射的所有电子的自由时间为 ，这些电子自由时间的总和为 ，则 个电子的平均自由时间可表示为半导体器件半导体器件 、 与 的关系§平均漂移速度为半导体器件半导体器件 、 与 的关系§N型半导体§P型半导体§本征半导体半导体器件半导体器件 与 及 的关系§电离杂质散射§声学波散射§光学波散射半导体器件半导体器件 与 及 的关系§电离杂质散射§声学波散射§光学波散射半导体器件半导体器件影响迁移率的因素§与散射有关与散射有关Ø晶格散射晶格散射Ø电离杂质电离杂质散射散射半导体器件半导体器件半导体器件半导体器件§N型半导体§P型半导体§本征半导体电阻率半导体器件半导体器件电阻率与掺杂的关系§N N型半导体型半导体§P P型半导体型半导体半导体器件半导体器件电阻率与温度的关系§本征半导体本征半导体Ø本征半导体电阻率随温度增加而单调地下降本征半导体电阻率随温度增加而单调地下降§杂质半导体杂质半导体（区别于金属）（区别于金属）半导体器件半导体器件速度饱和§在低电场作用下，载流子在半导体中的平均漂移在低电场作用下，载流子在半导体中的平均漂移速度速度v v与外加电场强度与外加电场强度E E呈线性关系；随着外加电呈线性关系；随着外加电场的不断增大，两者呈非线性关系，并最终平均场的不断增大，两者呈非线性关系，并最终平均漂移速度达到一饱和值，不随漂移速度达到一饱和值，不随E E变化。

变化Øn-Ge:n-Ge:半导体器件半导体器件耿氏效应§耿氏效应耿氏效应Øn-GaAsn-GaAs外加电场强度超过外加电场强度超过 时，半导体内时，半导体内的电流以的电流以 的频率发生振荡的频率发生振荡半导体器件半导体器件练习练习一、判断一、判断1、在半导体中，原子最外层电子的共有化运动、在半导体中，原子最外层电子的共有化运动最显著 （（ ））2、不同的、不同的k值可标志自由电子的不同状态，但它值可标志自由电子的不同状态，但它不可标志晶体中电子的共有化状态不可标志晶体中电子的共有化状态 （（ ））3、空位表现为施主作用，间隙原子表现为受主、空位表现为施主作用，间隙原子表现为受主作用 （（ ））4、半导体中两种载流子数目相同的为高纯半导、半导体中两种载流子数目相同的为高纯半导体。

体 （（ ））半导体器件半导体器件练习练习二、填空二、填空1、半导体材料结构可分为（、半导体材料结构可分为（ ）、（）、（ ）、（）、（ ），），应用最为广泛的是（应用最为广泛的是（ ）2、金刚石型单胞的基础结构为（、金刚石型单胞的基础结构为（ ），金刚石型为），金刚石型为（（ ）对称性，闪锌矿型结构为（）对称性，闪锌矿型结构为（ ）对称性，纤）对称性，纤锌矿型为（锌矿型为（ ）对称性3、导带和价带间间隙称为（、导带和价带间间隙称为（ ），），Si的禁带宽度为的禁带宽度为（（ ），），Ge为（为（ ），），GaAs为（为（ ）4、固体按其导电性可分为（、固体按其导电性可分为（ ）、（）、（ ）、（）、（ ）半导体器件半导体器件练习练习5、杂质总共可分为两大类（、杂质总共可分为两大类（ ）和（）和（ ），），施主杂质为（施主杂质为（ ），受主杂质为（），受主杂质为（ ）。

6、施主杂质向（、施主杂质向（ ）带提供（）带提供（ ）成为（）成为（ ）电中心；受主杂质向（）电中心；受主杂质向（ ）带提供（）带提供（ ））成为（成为（ ）电中心7 、、热平衡时，能级热平衡时，能级E处的空穴浓度为（处的空穴浓度为（ ）8 、、在半导体中，载流子的三种输运方式为（在半导体中，载流子的三种输运方式为（ ）、）、 （（ ）和（）和（ ）半导体器件半导体器件练习练习三、简答三、简答1、单胞的概念及两大注意点？、单胞的概念及两大注意点？2、三种立方单胞的名称？、三种立方单胞的名称？3、引入有效质量的原因及意义？、引入有效质量的原因及意义？4、、 的物理含义？的物理含义？5、费米分布函数与玻耳兹曼分布函数的最大区别？、费米分布函数与玻耳兹曼分布函数的最大区别？ 6、在外加电场、在外加电场E作用下，为什么半导体内载流子的作用下，为什么半导体内载流子的漂移电流恒定，试从载流子的运动角度说明。

漂移电流恒定，试从载流子的运动角度说明7、在室温下，热平衡时，、在室温下，热平衡时，Si半导体中半导体中 ，， ，求半导体中的电子和空穴浓度求半导体中的电子和空穴浓度半导体器件半导体器件1 1半导体中的电子状态半导体中的电子状态2 2半导体中杂质和缺陷能级半导体中杂质和缺陷能级3 3半导体中载流子的统计分布半导体中载流子的统计分布4半导体的导电性半导体的导电性5非平衡载流子非平衡载流子6pn结结7金属和半导体的接触金属和半导体的接触8半导体表面与半导体表面与MIS结构结构半导体物理学半导体器件半导体器件平衡载流子§在某以热平衡状态下的载流子称为平衡载流子在某以热平衡状态下的载流子称为平衡载流子Ø非简并半导体处于热平衡状态的判据式非简并半导体处于热平衡状态的判据式（只受温度T影响）半导体器件半导体器件由于受外界因素如光、电的作用，半导体中载流子的由于受外界因素如光、电的作用，半导体中载流子的分布偏离了平衡态分布，称这些偏离平衡分布的载流分布偏离了平衡态分布，称这些偏离平衡分布的载流子为过剩载流子，也称为非平衡载流子子为过剩载流子，也称为非平衡载流子过剩载流子过剩载流子非平衡载流子的光注入半导体器件半导体器件平衡载流子满足费米－狄拉克统计分布平衡载流子满足费米－狄拉克统计分布过剩载流子不满足费米－狄拉克统计分布过剩载流子不满足费米－狄拉克统计分布且公式且公式不成立不成立载流子的产生和复合：电子和空穴增加和消失的过程载流子的产生和复合：电子和空穴增加和消失的过程过剩载流子过剩载流子半导体器件半导体器件过剩载流子和电中性平衡时平衡时 过剩载流子过剩载流子电中性：电中性：半导体器件半导体器件小注入条件小注入条件小注入条件：注入的非平衡载流子浓度：注入的非平衡载流子浓度比平衡时的多数载流子浓度小的多比平衡时的多数载流子浓度小的多N型材料型材料P型材料型材料半导体器件半导体器件小注入条件例：室温下一受到微扰的掺杂硅，例：室温下一受到微扰的掺杂硅， 判断其是否满足小注入条件？判断其是否满足小注入条件？解：解：满足小注入条件！（满足小注入条件！（ ））注：（注：（1）即使在小注入的情况下，非平衡少数载流子浓度还是可）即使在小注入的情况下，非平衡少数载流子浓度还是可以比平衡少数载流子浓度大的多以比平衡少数载流子浓度大的多（（2）非平衡少数载流子起重要作用，非平衡载流子都指非平衡少）非平衡少数载流子起重要作用，非平衡载流子都指非平衡少数载流子数载流子半导体器件半导体器件非平衡载流子寿命非平衡载流子寿命§假定光照产生假定光照产生 和和 ，如果光突然关闭，，如果光突然关闭， 和和 将随时间逐渐衰减直至将随时间逐渐衰减直至0 0，衰减的时间常数，衰减的时间常数称为寿命称为寿命 ，也常称为少数载流子寿命也常称为少数载流子寿命§ 单位时间内非平衡载流子的复合概率单位时间内非平衡载流子的复合概率§ 非平衡载流子的复合率非平衡载流子的复合率半导体器件半导体器件复合复合n型材料中的空穴型材料中的空穴当当 时，时， ，故寿命标志着非平衡载，故寿命标志着非平衡载流子浓度减小到原值的流子浓度减小到原值的1/e1/e所经历的时间；寿命越短，衰所经历的时间；寿命越短，衰减越快减越快半导体器件半导体器件费米能级热平衡状态下的非简并半导体中有统一热平衡状态下的非简并半导体中有统一的费米能级的费米能级统一的费米能级是热平衡状态的标志统一的费米能级是热平衡状态的标志半导体器件半导体器件准费米能级 当半导体的热平衡状态被打破时，新当半导体的热平衡状态被打破时，新的热平衡状态可通过的热平衡状态可通过热跃迁热跃迁实现，但导带实现，但导带和价带间的热跃迁较稀少和价带间的热跃迁较稀少 导带和价带各自处于平衡态，因此存导带和价带各自处于平衡态，因此存在导带费米能级和价带费米能级，称其为在导带费米能级和价带费米能级，称其为“准费米能级准费米能级”半导体器件半导体器件准费米能级 注：注： 非平衡载流子越多，准费米能级偏离非平衡载流子越多，准费米能级偏离 就越远。

就越远 在非平衡态时，一般情况下，少数载流子的在非平衡态时，一般情况下，少数载流子的准费米能级偏离费米能级较大准费米能级偏离费米能级较大半导体器件半导体器件准费米能级 注：注： 两种载流子的准费米能级偏离的情况反两种载流子的准费米能级偏离的情况反映了半导体偏离热平衡状态的程度映了半导体偏离热平衡状态的程度半导体器件半导体器件产生和复合产生和复合§产生产生Ø电子和空穴（载流子）被创建的过程电子和空穴（载流子）被创建的过程Ø产生率（产生率（G））：单位时间单位体积内所产生的电子：单位时间单位体积内所产生的电子—空空穴对数穴对数§复合复合Ø电子和空穴（载流子）消失的过程电子和空穴（载流子）消失的过程Ø复合率（复合率（R））：单位时间单位体积内复合掉的电子：单位时间单位体积内复合掉的电子—空空穴对数穴对数产生和复合会改变载流子的浓度，从而间接地影响电流产生和复合会改变载流子的浓度，从而间接地影响电流半导体器件半导体器件复合复合直接复合 间接复合 Auger复合（禁带宽度小的半导体材料）（禁带宽度小的半导体材料）（窄禁带半导体（窄禁带半导体及高温情况下）及高温情况下）（具有深能级杂质的半导体材料）（具有深能级杂质的半导体材料）半导体器件半导体器件产生产生直接产生 R-G中心产生 载流子产生 与碰撞电离半导体器件半导体器件练习练习1、一般情况下，满足小注入条件的非平衡、一般情况下，满足小注入条件的非平衡载流子浓度比平衡载流子浓度小。

载流子浓度比平衡载流子浓度小 （（ ））2、寿命标志着非平衡载流子浓度减小到原、寿命标志着非平衡载流子浓度减小到原值的（值的（ ）所经历的时间所经历的时间3、简述小注入条件、简述小注入条件4、处于非平衡态的、处于非平衡态的p型半导体中，型半导体中， 和和 哪个距哪个距 近？为什么？近？为什么？半导体器件半导体器件陷阱效应陷阱效应§当半导体处于非平衡态时，杂质能级具有积当半导体处于非平衡态时，杂质能级具有积累非平衡载流子的作用，即具有一定的累非平衡载流子的作用，即具有一定的陷阱陷阱效应效应Ø所有杂质能级都具有陷阱效应所有杂质能级都具有陷阱效应Ø具有显著陷阱效应的杂质能级称为具有显著陷阱效应的杂质能级称为陷阱陷阱；相应；相应的杂质和缺陷称为的杂质和缺陷称为陷阱中心陷阱中心Ø杂质能级与平衡时的费米能级重合时，最有利杂质能级与平衡时的费米能级重合时，最有利于陷阱作用于陷阱作用半导体器件半导体器件扩散§粒子从高浓度向低浓度区域运动粒子从高浓度向低浓度区域运动半导体器件半导体器件扩散电流半导体器件半导体器件半导体内总电流§扩散+漂移半导体器件半导体器件扩散系数和迁移率的关系扩散系数和迁移率的关系§考虑非均匀半导体半导体器件半导体器件爱因斯坦关系爱因斯坦关系§在平衡态时，净电流为0半导体器件半导体器件连续性方程连续性方程半导体器件半导体器件举例§掺杂浓度分别为(a) 和 的硅中的电子和空穴浓度？(b) 再掺杂 的Na又是多少？( ) 半导体器件半导体器件1 1半导体中的电子状态半导体中的电子状态2 2半导体中杂质和缺陷能级半导体中杂质和缺陷能级3 3半导体中载流子的统计分布半导体中载流子的统计分布4半导体的导电性半导体的导电性5非平衡载流子非平衡载流子6pn结结7金属和半导体的接触金属和半导体的接触8半导体表面与半导体表面与MIS结构结构半导体物理学半导体器件半导体器件PN结杂质分布结杂质分布§PNPN结是同一块半导体晶体内结是同一块半导体晶体内P P型区和型区和N N型区之间的型区之间的边界边界§PNPN结是各种半导体器件的基础，了解它的工作原结是各种半导体器件的基础，了解它的工作原理有助于更好地理解器件理有助于更好地理解器件§典型制造过程典型制造过程Ø合金法合金法Ø扩散法扩散法半导体器件半导体器件PN结杂质分布结杂质分布§下面两种分布在实际器件中最常见也最容易进行物理分析 突变结突变结: 线性缓变结线性缓变结:浅结、重掺杂（浅结、重掺杂（<1um）） 深结（深结（>3um）） 或外延的或外延的PN结结半导体器件半导体器件PN结的形成结的形成半导体器件半导体器件PN结中的能带§PN半导体器件半导体器件内建电势内建电势半导体器件半导体器件内建电势内建电势PNPN结的内建电结的内建电势决定于掺杂势决定于掺杂浓度浓度N ND D、、N NA A、、材料禁带宽度材料禁带宽度以及工作温度以及工作温度半导体器件半导体器件能带能带内建电势内建电势电场电场半导体器件半导体器件VA 0条件下的突变结条件下的突变结§外加电压全部降落在耗尽区，外加电压全部降落在耗尽区，V VA A大于大于0 0时，使耗尽时，使耗尽区势垒下降，反之上升。

即耗尽区两侧电压为区势垒下降，反之上升即耗尽区两侧电压为V Vbibi- -V VA A半导体器件半导体器件反偏反偏PN结结§反偏电压能改变耗尽区宽度吗？半导体器件半导体器件准费米能级半导体器件半导体器件理想二极管方程§PN结正偏时半导体器件半导体器件理想二极管方程§PN结反偏时半导体器件半导体器件定量方程§基本假设ØP P型区及型区及N N型区掺杂均匀分布，是突变结型区掺杂均匀分布，是突变结Ø电中性区宽度远大于扩散长度电中性区宽度远大于扩散长度Ø冶金结为面积足够大的平面，不考虑边缘效应，载流冶金结为面积足够大的平面，不考虑边缘效应，载流子在子在PNPN结中一维流动结中一维流动Ø空间电荷区宽度远小于少子扩散长度空间电荷区宽度远小于少子扩散长度, , 不考虑空间电不考虑空间电荷区的产生荷区的产生—复合作用复合作用ØP P型区和型区和N N型区的电阻率都足够低，外加电压全部降落型区的电阻率都足够低，外加电压全部降落在过渡区上在过渡区上半导体器件半导体器件准中性区的载流子运动情况准中性区的载流子运动情况§稳态时稳态时, 假设假设GL=0§边界条件边界条件:Ø图图6.4Ø欧姆接触边界欧姆接触边界Ø耗尽层边界耗尽层边界半导体器件半导体器件边界条件§欧姆接触边界§耗尽层边界(pn结定律)半导体器件半导体器件耗尽层边界耗尽层边界§P型一侧型一侧PN半导体器件半导体器件耗尽层边界耗尽层边界(续续)§N型一侧耗尽层边界处非平衡载流子浓度与外加电压有关半导体器件半导体器件准中性区载流子浓度准中性区载流子浓度半导体器件半导体器件理想二极管方程理想二极管方程§求解过程求解过程Ø准中性区少子扩准中性区少子扩散方程散方程Ø求求Jp(xn)Ø求求Jn(-xp)ØJ= Jp(xn)+ Jn(-xp)半导体器件半导体器件理想二极管方程理想二极管方程(1)§新的坐标新的坐标:§边界条件边界条件:-xp xn0xX’半导体器件半导体器件空穴电流空穴电流§一般解一般解半导体器件半导体器件电子电流电子电流§P型侧型侧半导体器件半导体器件PN结电流结电流半导体器件半导体器件PN结电流与温度的关系结电流与温度的关系半导体器件半导体器件与理想情况的偏差与理想情况的偏差Ø大注入效应大注入效应Ø空间电荷区的复合空间电荷区的复合半导体器件半导体器件空间电荷区的产生与复合空间电荷区的产生与复合§正向有复合电流正向有复合电流§反向有产生电流反向有产生电流半导体器件半导体器件空间电荷区的产生与复合空间电荷区的产生与复合-1§反向偏置时反向偏置时,§正向偏置时正向偏置时, 计算比较复杂计算比较复杂V VA A愈低，愈低，I IR-GR-G愈是起支配作用愈是起支配作用半导体器件半导体器件VAVbi时的大电流现象时的大电流现象§串联电阻效应串联电阻效应q/kTLog(I)VA半导体器件半导体器件VAVbi时的大电流现象时的大电流现象-1§大注入效应大注入效应大大注注入入是是指指正正偏偏工工作作时时注注入入载载流流子子密密度度等等于于或或高高于于平平衡衡态态多多子子密密度度的的工工作作状状态。

态p pn n≥n≥nnono半导体器件半导体器件VAVbi时的大电流现象时的大电流现象-2半导体器件半导体器件VAVbi时的大电流现象时的大电流现象-3VA越大越大, 电流上升变缓电流上升变缓半导体器件半导体器件反向击穿反向击穿§电流急剧增加电流急剧增加§可逆可逆Ø雪崩倍增雪崩倍增Ø齐纳过程齐纳过程§不可逆不可逆Ø热击穿热击穿半导体器件半导体器件雪崩倍增雪崩倍增半导体器件半导体器件齐纳过程齐纳过程§产生了隧穿效应产生了隧穿效应E隧道穿透几率隧道穿透几率P P：：隧道长度隧道长度: :隧道击穿隧道击穿: VB<4Eg/q雪崩雪崩击穿击穿：：VB>6Eg/q半导体器件半导体器件PN结二极管的等效电路结二极管的等效电路§小信号加到小信号加到PN结上结上~+ -vaVA+ -PNRsGC半导体器件半导体器件反向偏置结电容反向偏置结电容§也称势垒电容或也称势垒电容或过渡区电容过渡区电容半导体器件半导体器件反向偏置结电容反向偏置结电容-1半导体器件半导体器件反向偏置结电容反向偏置结电容-2§耗尽近似下线性缓变结的空间电荷区电耗尽近似下线性缓变结的空间电荷区电荷总量荷总量半导体器件半导体器件参数提取和杂质分布参数提取和杂质分布§CV测量系统测量系统VA1/C2Vbi半导体器件半导体器件扩散电容扩散电容半导体器件半导体器件扩散电容扩散电容-1§表现为电容形式表现为电容形式半导体器件半导体器件扩散电容扩散电容-2§扩散电容与正向电流扩散电容与正向电流成正比成正比半导体器件半导体器件练习练习1、为什么、为什么pn结在反偏压下有一小的饱和结在反偏压下有一小的饱和电流电流2、试分别描述势垒电容和扩散电容的由来、试分别描述势垒电容和扩散电容的由来半导体器件半导体器件1 1半导体中的电子状态半导体中的电子状态2 2半导体中杂质和缺陷能级半导体中杂质和缺陷能级3 3半导体中载流子的统计分布半导体中载流子的统计分布4半导体的导电性半导体的导电性5非平衡载流子非平衡载流子6pn结结7金属和半导体的接触金属和半导体的接触8半导体表面与半导体表面与MIS结构结构半导体物理学半导体器件半导体器件金属和半导体的接触金属和半导体的接触§金属和半导体的功函数金属和半导体的功函数半导体器件半导体器件金属和半导体的接触金属和半导体的接触§金属和半导体的接触金属和半导体的接触半导体器件半导体器件整流理论整流理论§金属和金属和N型半导体的接触型半导体的接触半导体器件半导体器件扩散理论扩散理论§对于对于N型阻挡层，当势垒的宽度比电子的平均自由型阻挡层，当势垒的宽度比电子的平均自由程大地多时，电子通过势垒区要发生多次碰撞，程大地多时，电子通过势垒区要发生多次碰撞，这样的阻挡层称为厚阻挡层。

这样的阻挡层称为厚阻挡层§扩散理论适用于厚阻挡扩散理论适用于厚阻挡半导体器件半导体器件肖特基势垒二极管与二极管的比较肖特基势垒二极管与二极管的比较§相同点相同点Ø单向导电性单向导电性§不同点不同点Ø正向导通时，正向导通时，pn结正向电流由少数载流子的扩散运动结正向电流由少数载流子的扩散运动形成，而肖特基势垒二极管的正向电流由半导体的多数形成，而肖特基势垒二极管的正向电流由半导体的多数载流子发生漂移运动直接进入金属形成，因此后者比前载流子发生漂移运动直接进入金属形成，因此后者比前者具有更好的高频特性者具有更好的高频特性Ø肖特基势垒二极管的势垒区只存在于半导体一侧肖特基势垒二极管的势垒区只存在于半导体一侧Ø肖特基势垒二极管具有较低的导通电压，一般为肖特基势垒二极管具有较低的导通电压，一般为0.3V，，pn结一般为结一般为0.7V半导体器件半导体器件欧姆接触欧姆接触§欧姆接触欧姆接触Ø不产生明显的附加阻抗，而且不会使半导体内部的不产生明显的附加阻抗，而且不会使半导体内部的平衡载流子浓度发生显著的改变，为非整流接触平衡载流子浓度发生显著的改变，为非整流接触Ø若若 ，金属和，金属和n型半导体接触可形成反阻挡层；型半导体接触可形成反阻挡层； 时，金属和时，金属和p型半导体接触也能形成反阻挡层，反阻型半导体接触也能形成反阻挡层，反阻挡层没有整流作用，可实现欧姆接触挡层没有整流作用，可实现欧姆接触Ø实际生产中利用实际生产中利用隧道效应隧道效应的原理，把半导体一侧重的原理，把半导体一侧重掺杂形成掺杂形成金属金属—n+n或或金属金属—p+p结构，从而得到理结构，从而得到理想的欧姆接触想的欧姆接触半导体器件半导体器件1 1半导体中的电子状态半导体中的电子状态2 2半导体中杂质和缺陷能级半导体中杂质和缺陷能级3 3半导体中载流子的统计分布半导体中载流子的统计分布4半导体的导电性半导体的导电性5非平衡载流子非平衡载流子6pn结结7金属和半导体的接触金属和半导体的接触8半导体表面与半导体表面与MIS结构结构半导体物理学半导体器件半导体器件MIS结构结构半导体器件半导体器件能带图能带图半导体器件半导体器件能带图能带图-1•无偏压时无偏压时MOSMOS结构中由于功结构中由于功函数差引起的函数差引起的表面能带弯曲表面能带弯曲半导体器件半导体器件半导体器件半导体器件MIS结构结构§理想情况理想情况Ø金属与半导体间功函数差为零金属与半导体间功函数差为零Ø绝缘层内没有任何电荷且绝缘层完全不导电绝缘层内没有任何电荷且绝缘层完全不导电Ø绝缘体与半导体界面处不存在任何界面态绝缘体与半导体界面处不存在任何界面态半导体器件半导体器件§积累半导体器件半导体器件耗尽耗尽半导体器件半导体器件耗尽耗尽-1（边界条件）（边界条件）半导体器件半导体器件 反型反型半导体器件半导体器件反型反型-1§耗尽层电荷:半导体器件半导体器件外加偏置外加偏置半导体器件半导体器件Qsss =0, Qs=0, =0, flat bands <0, Qs>0, accumulations >0, Qs<0, depletions >0, Qs<0, weak inversions =2 F, the onset of strong inversions >2 F, Strong inversion半导体器件半导体器件MIS结构的基本公式结构的基本公式半导体器件半导体器件MOS结构的基本公式结构的基本公式-11总电势差总电势差:半导体器件半导体器件平带平带半导体器件半导体器件Flat Band Voltage半导体器件半导体器件MIS电容电容半导体器件半导体器件MIS电容电容§电容的定义:半导体器件半导体器件MIS电容电容-2§积累态:§耗尽态:半导体器件半导体器件MIS电容电容-3§反型半导体器件半导体器件实验结果实验结果半导体器件半导体器件深耗尽深耗尽§从耗尽扫描到反型时从耗尽扫描到反型时, 需要少子需要少子。