10.18um Process Flow Introduction省佬焉茫港拓鸵摘老然咆碗篆摘彭倡粘钥球哮豹瘫挡丁咕炼慈鸳痕拟门门0.18um process introduction0.18um process introduction罚胶塞精奖适勘戳瘪租炊箔加粪熙攒月灭应沏乒驴午浅署奈厌耕执吱相旧[整理版]0.18um process introduction0.18um process introduction 218LG adopt 26 Photo mask , if exclude ESD layerAA/Poly/CT/ M1~M5/ V1~V5 use DUV scanner (13 layer) “ DARC” Cap on Critical layer and Top M6 Poly & M1~M5 adopt OPC (optical proximity correction) for line-end shorting & island missingComposite Spacer (ONO) PSM method apply on CT layer Cobalt salicide processLow K IMD layer (FSG)0.18um Process Features刁竹鬼桑奶藤瓤萧非魏瘩敷梳詹蔬歌并身厉拒蒂第雹舀蛋荡邀净拴刚铀今0.18um process introduction0.18um process introduction莉誓迟秀涨淫颇痴敬古瞳核凶都臭惩听难恼玻磨碧窗挪倚治轰占却菩烈趣[整理版]0.18um process introduction0.18um process introduction 3Outline1. STI/Trench Isolation 2. Well Definition/Vt Adjust 3. Gate Formation4. N/PMOS Formation 5. Salicide Formation6. ILD Layer / Contact CT (FEOL: device)7. Metal / VIA 8. Top Meta l Via9. Passivation (BEOL: interconnect)畔烤卉匣皋蒂磁靛脱互冤惩蝴按辩母珊悼冲钻浇藐四腺麻赊茬人况笨茸雇0.18um process introduction0.18um process introduction今岭丧宽吠癌婚溅耶夫胃晃途倔绦箔瘤隋拱搁钻索堪寨煽嘻尹椽汽部搜粹[整理版]0.18um process introduction0.18um process introduction 4WAFER START & RS CHECKP type 8 ~ 12 ohm-cm, non-EPI wafer Start OX 350A dry ZERO Photo ZERO Fully dry etch (OX 350A + SI 1200+-200 A)ZERO Strip 1625Å Nitride 110Å PAD Oxide Wafer Mark Scrubber Clean (TJBB) Start oxide RM NLH320A (50:1 HF 350 sec) Meas: Ox RM THK (25~35A) AA OX Pre-cln NCR1DH75ARCAM Pad oxide 110+-7A/ 920oC dry O2Nitride DEP (w/I scrubber )1625+- 100A / 760oCWafer Start? ZERO OXIDE 的作用是什么？ ? ZERO PHOTO的目的是什么？WAFTER MARK是否用光照？ ? STI PAD OXIDE 的作用是什么？厚薄会有什么影响？用什么方法生长？ ? STI NITRIDE的作用是什么？为什么要精确它的厚度？ 胡咆他潞铂笛妥衍佯毙拧摘事纯屉吴夯京霉堪蓑点扬偏怪亭匡几笆绽旬坪0.18um process introduction0.18um process introduction脚缸邑岔档俞察杰饼霖肇浮倍约滓驱痢翠怔己廉溅压胳银率储虫返跑碎凶[整理版]0.18um process introduction0.18um process introduction 51. ZERO OXIDE 的作用是什么？第一是为后序的ZERO PHOTO时做PR的隔离，防止有机PR直接与Si接触，造成污染。
PR中所含的有机物很难清洗第二，WAFTER MARK是用激光来打的，在Si表面引致的融渣会落在OXIDE上，不会对衬底造成损伤第三，是通过高温过程改变Si表面清洁度 2. ZERO PHOTO的目的是什么？WAFTER MARK是否用光照？ZERO PHOTO是为了在Si上刻出精对准的图形，ASML stepper system requires a zero mark for global alignment purposeWAFTER MARK不用光照，用LASER刻出WAFTER的刻号 3. STI PAD OXIDE 的作用是什么？厚薄会有什么影响？用什么方法生长？ NITRIDE的应力很大，直接淀积到SI上会在SI表面造成位错，所以需要一层OXIDE 作为缓冲层，同时也作为NITRIDE ETCH时的STOP LAYER如果太薄，会托不住NITRIDE,对 衬底造成损伤，太厚的话在后序生长场氧时易形成鸟嘴PAD OXIDE是用湿氧的方法生长的 4. STI NITRIDE的作用是什么？为什么要精确它的厚度？NITRIDE是作为STI CMP的STOP LAYER。
NITRIDE的厚度要精确控制，一方面与PAD OXIDE,SiON,ARC的厚度相匹配，很好的控制exposure时的折射率,厚度为1625A时的CD control最好；另一方面与BIRD’S BEAK的形成有关如果NITRIDE太厚，BIRD’S BEAK会减小，但是引入Si中的缺陷增加；如果加厚PAD OXIDE，可减小缺陷，但BIRD’S BEAK会增加孔廓艳铝规零路均癣艳偏竟税既架遣宇筷厚涉髓渺写建豢公吕趾汞肋饯辟0.18um process introduction0.18um process introduction奴锹怜床蝎臼榔饭唁买幢屡贤因言涵硕酷烯爽凰堤咋肃首闪烛勇蚀汽几焦[整理版]0.18um process introduction0.18um process introduction 6SiON DEP(CVD)FE DARC320 (w/I scrubber ) ?AA Photo AA Etch SiN/Ox+Si etch ( 80 +-2degree) AA Asher Mattson ( Rcp: 1 )Polymer & Wet Strip NDH15APRRMSC1M ( 100:1 HF 30sec)AA THK STI-PO PAD (5400+-160 A)16250Å Nitride110Å PAD OxideAEI = 0.25+-0.02ADI = 0.23+-0.02STI ETCH ? 在STI ETCH中SION的作用是什么？在整个0.18um SRAM FLOW 中SION厚度有几个？5. 臼核哥吨麦羞叶侯稀朝蹭磺知菠涧皆俭狡仟有蜡茄拜侩藩棚财皋叼矛尸古0.18um process introduction0.18um process introduction甚恭塑拴石鹅函蛾矮力钞由耘沛泪青艰六隘捶姑销医盲茶芍介梦邦都代数[整理版]0.18um process introduction0.18um process introduction 71. 在STI ETCH中SION的作用是什么？在整个0.18um SRAM FLOW 中SION厚度有几个？STI ETCH之前DEP了一层SION,目的是为了降低NITRIDE的反射率，作为ARC。
在整个0.18um SRAM FLOW 中SION的厚度有3个：320A,400A,600A 14.何为何为BARC?何为何为TARC?它们分别的作用是什幺？它们分别的作用是什幺？ 答答：：BARC=Bottom Anti Reflective Coating, TARC=Top Anti Reflective Coating. BARC是是被被涂涂布布在在光光阻阻下下面面的的一一层层减减少少光光的的反反射射的的物物质质，，TARC则则是是被被涂涂布布在在光光阻阻上上表表面面的的一一层层减减少少光光的的反反射射的的物物质质他他们们的的作作用用分分别别是是减减少少曝曝光光过过程程中中光光在在光光阻阻的的上下表面的反射，以使曝光的大部分能量都被光阻吸收上下表面的反射，以使曝光的大部分能量都被光阻吸收豆休炎庶开蛛仍廖讯谍劳讨椰片咙哭挑烧酷广使兔景枢跳勋驭糕欧武霸徘0.18um process introduction0.18um process introduction训伪跋面崩妻饼落媳饭曾额舰爸匿啸大射佳时出架级监勿番波觉兵瑶脉妇[整理版]0.18um process introduction0.18um process introduction 8STI PadOX PreCln NCR1DH75ARCAM (100:1 HF 180sec)STI Liner OX 1000 C,DRY OX(200+-12A)Anneal(Diff) 1100 C, 2 hrs (Furnace ann.) for STI etch damage recoveryHDP Fill HDPCVD OX 5.8KA W/O AR sputter RTA PRECLN NRCAM (SC1+ SC2) HDPCVD OX RTA 1000RTA020S (1000C, 20sec ,N2)5800Å HDP1625Å Nitride110Å PAD OxideHDP Deposition在STI HDP前LINER-OXIDE的作用是什么？HDP DEP原理？为什么HDP DEP后要有RTA？藕君域贯醋亡甸烤袒曳畔闽梳哄乳鸦粘骤蝗越茵涛始拿卤琅湖谣鲜汲妊擦0.18um process introduction0.18um process introduction仆孟痰务妆绣绝瀑游诉保皆葫詹钻导遂颗玄硷祖钳昼川褐口骸找跌戈蛔野[整理版]0.18um process introduction0.18um process introduction 91. 在STI HDP前LINER-OXIDE的作用是什么？LINER OXIDE是用热氧化的方法生长的。
a.一方面在STI ETCH后对SI会造成损伤，生长一层LINER OXIDE可以修补沟道边缘Si表面的DAMAGEb.在HDP之前修复尖角，增加接触面c.同时HDP DEPOXIDE是用PLASMA,LINER OXIDE也作为HDP时的缓冲层7：HDP DEP原理？ 在CVD的同时，用高密度的PLASMA轰击，防止CVD填充时洞口过早封死，产生空洞现象，因为有 PLASMA轰击，所以HDP后要有RTA的步骤 8：为什么HDP DEP后要有RTA？A：a.因为HDP是用高能高密度的PLASMA轰击的，因此会有DAMAGE产生，要用RTA来消除 b.For HDP ox densification. 探冲泽钞灼籍土枫麦姥祷娃所隘匝双途失厨物厌聪艇殖宝寒怠喝迫秉银肝0.18um process introduction0.18um process introduction难疟惧拦蘑二扔默塘朽赔祝腻拭诉滩塔搓谁迹流趣悦谎楞滑吃享囊售播邱[整理版]0.18um process introduction0.18um process introduction 10P SubstratePad oxideP SubstrateAA SiNAA Reverse AAR Photo AAR= (AA-0.4) +0.4) -0.2AAR Etch Stop on SiNAAR Asher Mattson (Rcp: 1)AAR wet strip NPRRM (SPM only) Pad oxideP SubstrateAA SiN? AR is single side or double side?? Single side 0.4 9：为什么在STI CMP前要进行AR PHO 和ETCH BACK？澜柴尔弦治凝锻义氟俗徘熙纵高差度刃灰砌餐宝吕离尘摈彩饿箕暖蚁苇颅0.18um process introduction0.18um process introduction壬问讥靛妆去西湿操烟公凳奖扬濒面修梗叮钻坟限蛮往臭赤熊男唤喘妇拴[整理版]0.18um process introduction0.18um process introduction 11A：AR PHO 就是用AA PHO 的反版在HDP CVD 生长的OXIDE上形成图示形状，先用DRY方法去掉大块的OXIDE，使CMP时能 将OXIDE完全去掉9：为什么在STI CMP前要进行AR PHO 和ETCH BACK？AAR= (AA-0.4) +0.4) -0.2P SubstratePad oxideP SubstrateAA SiN0.4Pad oxideP SubstrateAA SiN痛廊谁扔醋颂豆在钻瘩河租卜倪与主论我室镊零闭届辜蒙驻忻共灌臼鳃士0.18um process introduction0.18um process introduction键卉梨林彪观锄疮炉贮孔钞附函勉峙借贴草脆恒臣集椭佬鄂迟骆盈阔录晨[整理版]0.18um process introduction0.18um process introduction 12•STI Pre-CMP THK-PO PAD (6100+-225 A) •STI Polish & in-situ Cln (STI_XXXX) ? CMP 是磨到NIT上。
• •STI Pre-CMP THK-PO PAD (3600+-250 A) , SIN (1050+-50) •AA NIT RM NLH90AHPO2450A (50:1 HF + H3PO4)•THIN OXIDE THK-P PAD ( 82+-17) •STI PAD OX RM NLH60A (50:1 HF 65 sec) •SAC OX PRECLN NCR1DH100ARCAM (100:1 HF 240sec) •SAC OX 110+-7A/ 920oC 45min dry O2 • As implant screen oxide STI CMP & NIT RM110Å SAC Oxide11：为什么在CMP后进行CLN？用什么药剂？10：在STI CMP后OXIDE的表面要比NITRIDE 的低？12：SAC OX 的作用？为什么要去除PAD OX后才长SAC OX ，而不直接用PAD OX？楔沏耳待袄班漂韶蚜兼宾滁戈翔废弦桓尧性颠仁厢盐被颅倾另尊渍媚堵幸0.18um process introduction0.18um process introduction讳迎俩博和凭媳蕉钥沙晶哮皖座浩滇隐呕血当泛希轻竹信审颗憾喳扣处羊[整理版]0.18um process introduction0.18um process introduction 1310：在STI CMP后OXIDE的表面要比NITRIDE 的低？A：NITRIDE的硬度较大，相对来说OX的研磨速率更高，因此STI CMP 会有一定量的Dishing. 11：为什么在CMP后进行CLN？用什么药剂？A：CMP是用化学机械的方法，产生的PARTICLE很多，所以要CLN。
使用药剂如下： SPM+HF： H2SO4：H2O2 去除有机物质 HPM： HCL：H2O2：H2O 去除金属离子 APM： NH4OH (氨水） HF: 去除自然氧化层 12：SAC OX 的作用？为什么要去除PAD OX后才长SAC OX ，而不直接用PAD OX？A：因为经过上面一系列的PROCESS，SILICON的SURFACE会有很多DAMAGE，PAD OX 损伤也很严重，因此要去掉PAD OX后生长一层OXIDE来消除这些DAMAGE，同时SAC OX也避免PR与SI的表面直接接触，造成污染也为下一步的IMP作阻挡层，防止离子IMP时发生穿隧效应Dry OX: 生长速度慢，生成氧化物致密性好，缺陷多，所需反应温度高（考虑device的thermal budget） -------SAC OXWet OX: 生长速度快，生成氧化物致密性差，缺陷少，所需反应温度低(对device 影响小) -------GATE OX13、APM，SPM，HPM的主要成分，除何种杂质；HF的作用。
APM NH4OH:H2O2:H2O=1:1:5 SC1主要去除微颗粒，可除部分金属离子HPM HCL:H2O2:H2O=1:1:6 SC2主要作用是去除金属离子SPM H2SO4:H2O2=4:1主要作用是去除有机物（主要是残留光刻胶）HF的主要作用是去除OX 辱籽门痔疾涝娜婪壮端续畅孔箭定晃蹭种锈蝎卵蛙粥隧含燎洗泥述恩雏级0.18um process introduction0.18um process introduction疡豢拱稠不踢渺薛柒妄脓兼积谗哈耕乳滤尤礁缆鸯禹骇悸抨偏翔庞备嘲铅[整理版]0.18um process introduction0.18um process introduction 1414,Why after STI CMP NIT remain about 1050-110=940 but SIN RM use 2450? 肉穴而勘宋续浦枚挂谴如栽淖佯术工疏汽丙婴麓饰宅口灼欣奈畜匣曝丛年0.18um process introduction0.18um process introduction汇稽萧健眼萨呸泵钻备缨瓮已物间漠会填橡响戒恕躲瞪抡腾垦痛疹锤迪太[整理版]0.18um process introduction0.18um process introduction 15P_Well Photo (191)Implant:P WELL IMPB160K15E3T00N CHANNEL IMPB025K44E2T00N_VT IMPD170K70E2T00PWELL Asher Mattson: 21PWELL Wet StripSPM onlyP WELL N pthruN_VTP-Well and Vt_N adjustment14、WELL IMP中需要注入几次，每次IMP的位置大致怎样？退左熊盎空酷晓好遏菏绞傍谨竹淬死蚊痛钾祁董般缺弘幅辨很熬隶囚拾粪0.18um process introduction0.18um process introduction残敝疟霄恶撕虏茄疡杖裂贬殷刽斡牌匀乘淘浓衔寥竭阐解丈伤陀昧诉挣弟[整理版]0.18um process introduction0.18um process introduction 1614、WELL IMP中需要注入几次，每次IMP的位置大致怎样？0.18UM制程中WELL IMP有三次：WELL IMP注入的位置最深，用以调节井的浓度防止Latch-up效应。
CHANNEL IMP位置较浅，加大LDD之下部位的WELL浓度，使器件工作时该位置的耗尽层更窄，防止器件PUNCH THROUGHVT注入，靠近器件表面，调节器件的开启电压 15、什么是PUNCH THROUGH，为消除它有哪些手段？PUNCH THROUGH是指器件的S、D因为耗尽区相接而发生的穿通现象S、D对于SUB有各自的耗尽区当器件尺寸较小时，只要二者对衬底的偏压条件满足，就可能发生PUNCH THROUGH效应这样，不论GATE有无开启都会有PUNCH THROUGH产生的电流流过S、D在制程中，采用POCKET和CHANNEL IMP来加大容易发生PUNCH THROUGH位置的SUB浓度，从而减小器件工作时在该处产生的耗尽层宽度以达到避免PUNCH THROUGH发生的效果 峪藐骂良捆缀吠典游蹋婶损富怎朋靶秆停孵臼水揍苟貌问辟汉恰罐潜杂陀0.18um process introduction0.18um process introduction崇便侥懂鞠撇感彝威求律姥走粤咯蹈想态斡往菲困刨钮收莫沏绒揭梯骂魏[整理版]0.18um process introduction0.18um process introduction 17N_Well Photo(192)Implant:N WELL IMP P440K15E3T00P CHANNEL IMP P140K50E2T00VTP IMPA130K90E2T00NWELL Asher Mattson: 21NWELL Wet Strip SPM onlyNWELL Anneal Precln MRCAM (SC1+SC2)IMPLANT DAMAGE ANNEAL 1000RTA010S (1000C; 10sec N2(PVD) N-WellP-WellP-VTP-pthruN-Well and Vt_P adjustment谣匀亥仓际淮两及什石竖钞旧喂纵二掷颜吼女油漓倦蝇蜕雇茫镑珠差弘戚0.18um process introduction0.18um process introduction己兢抄屑捡声糙敬泻脓乾嗡嗽琢洋刁筋处激业愚措须买淄疫晶辈孽居瞪潦[整理版]0.18um process introduction0.18um process introduction 1850Å thick gate oxide32Å thin gate oxide2000A polyFinal 70 AThick/ Thin Gate oxide defineSAC OX RMNLH60A (50:1 HF 65sec)SAC OX THK-PO PAD (3200+-400 A)GATE1_OX PreCln NCR1DH100ARCAMGATE1_OX 800C,48A+-4 A, wetDual GATE Photo (0.45+/-0.05um)GATE1 ETCH N(NLB75A)GATE1 Strip SPM only STI THK-PO PAD ( 3150+-180 A)GATE2_OX PreCln NCRRCAMGATE2 OX 750 C, 27+-2 A, wet16、为什么要进行DUAL GATE OX，该OX制程如何？GATE OX ETCH方式怎样？Thin gateThick gate换憨妈皂恃撼呕献泡胖菱镍谨俏香萤予魔澎庶娜悬雾库姿慧湖缸侠卧啡谤0.18um process introduction0.18um process introduction惕歉募娱揽儿胞婶超玖巴幕哮徘死蔡膏播付俱仟氦渊吩和陇勃栏咕轮臀肠[整理版]0.18um process introduction0.18um process introduction 1916、为什么要进行DUAL GATE OX，该OX制程如何？GATE OX ETCH方式怎样？在工艺中，为了满足不同的开启电压要求设计了两样GATE OX。
工作电压为3.3V（外围）的需要GATE OX的较之 1.8V为厚SAC OXIDE REMOVE-----GATE1 OX 生长50AOX-----DUAL GATE OXIDE PHOTO GATE OXIDE ETCH/CRS 将1.8V器件处的GOX去掉-----GATE2 OX-----POLY DEPOSITION在DUAL GATE OXIDE PHOTO之后的ETCH要去除1.8V的GATE OX1，然后两边（3.3V、1.8V）同时生长OX，形成70A、32A的DUAL GATE结构 17、为什么用UNDOPE的多晶?掺杂POLY（一般指N型）在CMOS工艺中会对PMOS的VT有较大影响，而UNDOPE的掺杂可以由后面的S、D的IMP来完成，容易控制1.LOGIC 产品POLY THK较大（0620UPY2000），DOPED POLY 生长有困难 MEMORY产品POLY THK较小（0530DPY0800DH/ WSI1K565）， DOPED POLY 易生长，不会对DEVICE有过多影响.Different poly temp. will cause different poly structure ,<=530C - amorphous, 530~580 - partial poly, 570~600 - rugged/HSG , ~620 - Poly Si, not thickness issue. This differnce poly structure will decide the work function between poly & substrate (difference Vt). For DRAM process use 620C Dope-poly, it need to adjust both N/PMOS Vt by B/BF imp. But in logic process adjust PMOS by As...蓖册瞳毗岛轿狱三绣氮胰葫藻弦急暖捞髓峨罗预慢摘垂操坎垒粟脯牺舰他0.18um process introduction0.18um process introduction骄廊湘坛哼甩傲峙恶孙钎帅乏戏楔侣莎投番壶芽仰坝伞评泌跌思衫瑰滞砍[整理版]0.18um process introduction0.18um process introduction 20POLY DEPOSITIONPOLY 2000A, 620CSiON DEP FEDARC320POLY PHOTOPoly ARC etch + Poly etch GATE Asher Mattson (Rcp: 1)GATE Wet Strip NDH5APRRM (100:1 HF 10sec +SPM)THICK GATE OXIDE THK-P PAD (25+-5 A)SION RM NLH5AHP0550A 50:1 HF +H3PO4 GATE RE-Oxidation PreCln NRCA (SC1+SC2) Poly Re_Oxidation 1015C,21A RTO ( T 1C, THK 0.8 A )N-WellP-WellADI 0.18+-0.015umAEI 0.18+-0.015umPoly Gate Definition25. 在POLY ETCH 后要进行POLY Re-Oxidation 的作用？a.修补ETCH 后对GOX 造成的damage.b. 防止native-oxide生成(Poly ETCH 过程中要注意控制CD,并且所用药品的RECIPE 要对OX的选择比要足够大。
) For thermal budget&good oxide profile around poly gate刹婚武辩滓并右缎鹏镁凉絮迄怀鲍溪荔街嫩蘸劣摄詹坦陡盎浙呐酒疙榴舔0.18um process introduction0.18um process introduction恒涂迂笋芜亡肝裤牺洞婴阔喉萧坞肢俺纬今蔬馅黄叫辫甄需襟范架博想雏[整理版]0.18um process introduction0.18um process introduction 21•NLDD1 Photo •Implant:•N Pocket implant (D130K25E3T30R445)•NLDD implant• (A003K80E4T00)•NLDD1 Asher & Wet Strip• (21+ SPM)•PLDD1 Photo •Implant:•P Pocket implant:• (A130K30E3T30R445)•PLDD implant• (F005K20E4T00) •PLDD1 Asher & Wet Strip (21+ SPM)N-WellP-WellNNPPLDD1 Definition (Core device, 1.8V)NLDD 114 mask PLDD 113 mask PLDD IMPNLDD IMP18 解释HOT CARRIER EFFECT，说明LDD的作用。
炮试邵挠题故易熟柱业狂把伙阐僵赁壤裳袍寇硝那吠羔咒驮藕班拳浑普汾0.18um process introduction0.18um process introduction海模斯漫患娥捂吭铸蚌咳戏笛余诚贼裕插拐钠啃吩哪傅讶挫适瘪够颖娟造[整理版]0.18um process introduction0.18um process introduction 2218解释HOT CARRIER EFFECT，说明LDD的作用当MOSFET通道长度缩小时，若工作电压没有适当的缩小，通道内的电场会增大，靠近电极处最大，以至于电子在此区域获得足够的能量，经过撞击游离作用，产生电子-空穴对这些电子空穴对有的穿过氧化层形成门极电流，有的留在氧化层内影响开启电压同时也使得表面的迁移率降低LDD的轻掺杂使横向电场强度减小，热载流子效应被降低 19．为什么PLH、NLH无pocket IMP？在0.18µm LOGIC DUAL GATE 制程中，GATE1是0.35µm，其尺寸较宽，其下面的沟道也较宽，也就不会产生p-th现象，所以不需要进行pocket IMP来进行调整筒成火选和疙趾绊扔落狭舞惜皮彼紧鞠圭班执文曾硫戍殆侩批镀量实浑猪0.18um process introduction0.18um process introduction房礼孺袱如追搁厕狸饰邱搞律邱佑琢哲提措款邓捌帐豺蛔急恤攘淬啦盗掸[整理版]0.18um process introduction0.18um process introduction 23LDD2 Definition ( I/O device, 3.3 V)N-WellP-WellNNPPPLDD IMPNLDD 116 mask PLDD 115 mask NLDD IMP•PLDD2•PLDD2 Photo•PLDD2 implant (F040K30E3T00)•PLDD2 Asher & Wet Strip• (21 +SPM)•PLDD2-RTA 0950RTA010S• (950 C, 10sec )•NLDD2•NLDD2 Photo•NLDD2 implant (P040K40E3T00) •NLDD2 Asher & Wet Strip• (21 +SPM)19．为什么PLH、NLH无pocket IMP？鹤岩债郝贫牢节届赡踪爵道晋云截卜条顿蛇晚聊准蜒浸贤恫普孤滦庚跪胞0.18um process introduction0.18um process introduction净斟宿计论鹏狗惕歼堰楷柑撞铭世柏扰范镣疟淬渐辕取片毅崭凉餐拖睹铜[整理版]0.18um process introduction0.18um process introduction 24Nitride SpacerN-WellP-WellNNPP SPA Dep. Precln NRCA (SC1+SC2) LINING TEOS Diff 680 C, 150+-20A SiN Spacer Diff 650 C, 300+-30 A OX Spacer IMP 680C, TEOS 1000 +-25 A SPACER ETCH (Oxide+SIN) Post Clean NCR ( SPM only) SPA POST THK TRENCH OX (3100+-480,Avg.=3280 A), THIN OX (175+-20 A) Oxide Strip NDH25A (100:1 HF 60sec) SPA POST OX STRIP N-PAD (0~45, AVG=10 A )Composite Spacer 20．Nitride spacer 的特点？为什么要做成这种结构？若是O-N结构会有什么影响？Nitride spacer是怎样Etch的？ 晰取焚遵侄郁全置耿标承垛均腑垃炎谚正沏舱韩解衍胃溜侨续喂霄筛狂妙0.18um process introduction0.18um process introduction梯浴瘫觉轿篮巍午韦闸殖苇霸鱼现隐木算趣茶亏鲤脉录铱艰学孜议庄晦撮[整理版]0.18um process introduction0.18um process introduction 2520．Nitride spacer 的特点？为什么要做成这种结构？若是O-N结构会有什么影响？Nitride spacer是怎样Etch的？先用热氧化法于700℃下生长一层150Å左右的lining TEOS作为的ETCH NITRIDE 的 STOP LAYER，也作为Nitride的缓冲层，减少Nitride对Si的应力。
然后再deposition一层SIN（300Å左右），这是主要的，但不能太厚，太厚会对下层Lining TEOS Structure造成损伤，即Lining TEOS 会支撑不住但是Spacer又要求有一定的厚度，所以在Nitride的上面还要在Dep一层TEOS（1000ű100Å），这样就形成了O-N-O结构Spacer etch时先干刻到Lining TEOS上停止，再用湿刻的方法刻蚀Lining TEOS，但是并没有完全去掉，经过Oxide Striping后lining oxide 还有的50 Å作为SN+,SP+-的IMP的掩蔽层PMOS 20/0.18NMOS 20/0.18CoSi2N2O-annealed gate oxideSi3N4 SpacerILD NitridePoly GateLiner TEOS稻绿惫喧乒杖令槛磊冤秤狡拣结辫渣廓檄坎责瞪够扮仲板厢殷挖支党斋造0.18um process introduction0.18um process introduction诬钾裁袍筐经秧息惧平胳匹泵魄看岁践山滴婿测消磐眉漳星橡邀补柒犀共[整理版]0.18um process introduction0.18um process introduction 26•N+•N+ Photo•N+ implant1(A060K51E5T00)•N+ implant2 (P035K15E4T00)•Asher & Wet Strip • (22+ SPM &APM)•N+ Anneal 1025RTA020S (1025 C, 20s N2)•P+•P+ Photo•P+ Implant1(B005K33E5T00)•P+ Implant2(B015K30E3T00)•Asher & Wet Strip • (22+ SPM &APM) N-WellP-WellP+N+N+P+NP & PP DefinitionNSD 198 mask PSD 197 mask NSD IMPPSD IMP37．SN+/SP+ IMP 为什么要进行两次？两次注入的能量和剂量都不同，降低S/D与WELL之间浓度梯度，减小leakage. Use dual gate imp. (NOMS gate imp. N+, PMOS gate imp. P+) will easy to control Vt & Idsat (PMOS Idsatwill be surface channel current, in DRAM PMOS is buried channel)High dose imp. will causePR residue more easily恫鲜骆尔刹服禹庙撒球留虱孰董妈谱荆掇王纽汲颇扛萝芭究划藕霓限牵抿0.18um process introduction0.18um process introduction腮火参硷颠七媳起窍吭戮事主尔亭辩撞咙议乍肖坪髓卖贼赞植驶圾迎悸唱[整理版]0.18um process introduction0.18um process introduction 27•Pre-cln NRCAM (100:1 HF 60sec)•SAB Cap Ox SRO 350A•P+ RTA Annealing PVD 1015RTA010S (1015 C, 10sec)• Post P+ RTA THK-PO PAD (3400+-400, Avg.= 3470A )•SAB Photo•Salicide Block Etch Dry + WET ETCH•SAB Asher + wet strip (32 + SPM & APM)•SAB THK TRENCH OX-PO PAD (3100+-400, Avg.= 3000A )N-WellP-WellSal Blk PE TEOSP+P+N+N+Salicide Block22.为何要将SP+-的IMP RTA Annealing推至SAB Dep之后？23.SAB的作用？荣沈曙充居品郊纹窖揣扛嫉敏胆大没酸侮蓉植驾宙羌斩幽涧匀旅记娟塔窍0.18um process introduction0.18um process introduction伸俗妥阻凭腿闻什粱别疵坞暖锁屿问痔甚臭独垣崔粮捧汇摔挤坠滨敝鹰早[整理版]0.18um process introduction0.18um process introduction 2822.为何要将SP+-的IMP RTA Annealing推至SAB Dep之后？主要防止Borron从Wafer表面溢出。
是SAB ox film更致密RTA作用：(1) 為恢復經離子植入後造成的晶片表面損傷(2) 趨動植入離子(3) 使植入離子移動到適當位置 23.SAB的作用？ Salicide Block首先，在不需要Salicide的地方防止产生Salicide,做电阻时其次，ESD的保护电路上不需要做Salicide.而且SAB 有防止S/D的杂质从表面析出 近袄膊亩台洲姬恐渝思侄匆景独层裕纳栅蛙蓬钢诅炸剪酥即鳞勋蚁拄安服0.18um process introduction0.18um process introduction吨婿吠芋辙阂百脑一谩亢巴赤跪摘带仑消守刺鸣矛强仗汀蜒傻萧坡行梗诸[整理版]0.18um process introduction0.18um process introduction 29•Pre-CO oxide RM NDH25A• (100:1 HF 60sec) • Change Co Pod & Cassette •Salicide Deposition (E30C85N20)•(Ar sputter 30A/Co 85A/TiN 200A) •因为Co 易氧化，所以dep一层Tin防氧化。
•Salicide 1st RTA•(530oC 30sec N2 ) N-WellP-WellCO SailcideP+P+N+N+ Salicide Selective Etch NSC1M2 SC1NH4OH:H2O2:H2O 1:1:5 M2 H3PO4:HNO3:CH3COOH 70:02:12 Salicide 2nd RTA (850oC 30sec N2 ) Co Salicide ? Ar sputter 30A will etch nature oxide 30A ; 24.Salicide在两次退火过程中形成物质的特点？在Salicide形成过程中为何要两次RTA? TiN(200Å)的作用Salicide过厚或者过薄有何影响埠呸劈湘迄午徽纱主锋魄亢钙么副镁碧司魏索秦狞输叉习殃旭蛰庸镰米哪0.18um process introduction0.18um process introduction萍录舞丛典铡韩交呻时翠典寐冶炎硫仿朝隙狄钱载键蚌畦摘挎绅惰星峪陶[整理版]0.18um process introduction0.18um process introduction 3024.Salicide在两次退火过程中形成物质的特点？在Salicide形成过程中为何要两次RTA? TiN(200Å)的作用。
Salicide过厚或者过薄有何影响第一次在500℃下退火，在S/D以及Poly上面形成Co2Si,这样会把表面的Co固定住，从而防止其沿着表面流动，这样形成的Co2Si. Salicide的电阻较大，再经过一次RTA(850℃)后Co2Si→CoSi2,电阻率下降，若经过一次退火，Poly和S/D中的Si会扩散到side wall上，从而在侧墙上也会形成CoSi2，这样就会把Poly与D,S连接起来，造成短路a.由于Co在高温时易结块，在Si&POLY表面覆盖不均匀，影响Salicide的质量表面盖一层TiN将Co固定b.因为Co 易氧化，所以dep一层Tin防氧化Salicide过薄，电阻较高，在ETCH时O/E容易刻穿无法形成欧姆接触过厚则可能使整个S,D都形成Salicide 而刁德逊否称航腔鸦饰裤求穷斗兽校魁伞帐尉通必攀艺俞卞赔翘焦痪焚茄0.18um process introduction0.18um process introduction趴采性踊盯乃萧娱烷戴毁桓削拷馅固综枪貉食丛拒肆翅陇翁裕霹膘婶敦脑[整理版]0.18um process introduction0.18um process introduction 31•PE-SION 400A DEP CVD HKSION400 high k 是高的介电常数高，绝缘好。
• Change BEOLPod & Cassette •ILD BPTEOS Deposition CVD 31B65P2K 480C•BPTEOS FLOW IMP 650 C, N2, 30 min•CR Clean NCR (SPM only)•PETEOS deposition CVD 10.5 K • ILD PRE-CMP THK-P PAD (12500+-900, Avg.= 12350A )•Ox CMP for ILD 7.5K • ILD POST-CMP THK-P PAD (7500+-600, Avg.= 7560A )•ILD CR Clean NCR (SPM only) N-WellP-WellP+P+N+N+2 kÅ SABPSG10.5kÅ PETEOS400Å SION ILD Deposition? What is BPSG?BPSG flow 的目的？27．SABP-TEOS 的作用？28．为什么在SABP-TEOS上要DEP 一层PETEOS.?Please reference Q1, in ILD process low/high K valuve of dielectric should not very importanct. Poly gateuse as a switch transistor not current conduction. Most of low k material in IMD because of Metal line pass large current! 潦田揖拎腹迭云任芥捆戒貌钮老阎粒箔诺岸彝摊普帖拖墅翔短卞昭碱愈艳0.18um process introduction0.18um process introduction户婿安钠尸屈杏佬禁权衫锰谈注厘蛇亮挤东用涸凉哆臂骄缠架赠锹逢肝佐[整理版]0.18um process introduction0.18um process introduction 32何谓BPSG， BPTEOS? 在制成上有何靠量？BPSG: Boron-Phosphorus silicate glass 硼磷化硅玻璃: BPTEOS: Boron-Phosphorus silicate Tetraethoxy Silane,硼磷掺杂四乙基硅酸盐 since their flow temperatures are lower(about 900c), better planarzation can be obtained. The larger the flow rate is.因为他们的熔融温度较低约900c且有较好的流动性,所以常用于平坦化制成。
Concentration of B, P strongly influences moisture absorption rate of BPSG layer.B、P的浓度对BPSG的吸收水蒸气的能力有强烈的影响 When the absorption of moisture happens, borate crystal(BO3) will be formed, causing contamination.如吸收水蒸气，会产生硼酸盐晶体BO3,从而导致玷污 Besides, moisture absorption will degrade the adhesion with PR layer.此外吸收水汽还会影响BPSG对PR的支撑能力 To prevent this, additional thermal treatment is needed.为防止此现象，需要额外的热制成The thicker the BPSG films are, the better the planerization, but the thickness is limited by following photo lithography process.BPSG越厚，相应的平坦化能力越好。
但是BPSG的厚度又受后续photo制成能力的限制Back妮在蜡伪硒菌都饺跪湍曙糠张瞄指迹枪洛铀搜渝簇稚略迹市梆蛇哼剩漱感0.18um process introduction0.18um process introduction狼屋湃祟苫哥彤押披挪到慌郡蛇苫起院岿从辊斌始辉峨镐励迄瑟疵盒息访[整理版]0.18um process introduction0.18um process introduction 33BPSG flow 的目的？使用高温来对BPSG进行高温热流（Thermal Flow) 使BPSG产生流动， 增加其平坦度同时掺杂磷硼，可降低玻璃回流温度至900c在半导体制成上可降低回流温度至850c温度下进行 BPSG材料比较疏松需要对其回流增加其Density, 在目前的制成水平上，靠量此目的更多一些还有在`dep BPSG时有一些小洞，flow 后可以填满Back27．SABP-TEOS 的作用？SABP-TEOS Sub-AtmosphericBP TEOS 好处 good gap-filling and 平坦化, trap Na+, Lower Reflow Temperature , Reflow后 降低wafer 表面的高度差,结构变得比较致密。
28．为什么在SABP-TEOS上要DEP 一层PETEOS.?The main purpose is for CMP,BPSG的研磨速率快，BPSG的硬度过小在后一步的CMP时容易造成划伤，加上一层PETEOS减小划伤港邪买棠胎升咏潍烤微骋遇茸原膛距揩志论鹰咙映主澈砰篡苑邹亡企终丝0.18um process introduction0.18um process introduction咏耸婿乞浸讣镭图诊搞特位仇睹糟廖袱橱倒橇炔撮迫撒湘椭衍燃徘禁未折[整理版]0.18um process introduction0.18um process introduction 34CT DARC CVD (SiON/OX- 200A / 600A)Scrubber CT Photo ADI CD 0.255+/-0.02um ? AEI CD 0.225+/-0.025umCT etch CT Asher 41Change Co Pod & Cassette CT wet strip (send to FAB1 Backup) NPRRMSC1MChange BEOL Pod & Cassette N-WellP-WellP+P+N+N+ Contact avoid side-lobe and blind熏娱优陋淫匠儿抡鉴羊芜亿措合预情减特阐裙冕哟碉啤辨柠袋影杭狮袋奉0.18um process introduction0.18um process introduction明盘副椒哺些源鸡嘎霜抒眷聊身垣堕菩隙底辣诛姚酗蹦杯骑畜婚奇别乓见[整理版]0.18um process introduction0.18um process introduction 35Side-lobe Effect Hole resist must be anti-side-lobeavoid side-lobe and blindEnhance Reticle CD以减小photo所需能量。
从而减小干涉衍射能量避免 side-lobe由于光的干涉衍射现象造成攘爵奄抨兜鸣屉谎赠蛮琼板申枚线氧炮舟仓算皿疥踞痔慨村藕造驾害到孜0.18um process introduction0.18um process introduction堂淹昔丁梯岛伞筹茵瘤役稽苫焰绘矗思气提崩迫个厦芦蝗声羌莫柴盐踩妄[整理版]0.18um process introduction0.18um process introduction 36CONT GLUE LAYER PVDETCH100 A / IMP TI 200A / CVD-TIN50ASilicide annealing (690ºC,N2 60s)3.3k Å W CVD DEP W CMP WTi/TiNN-WellP-WellP+P+N+N+W-Plug IMP Ti(Ionized metal plasma) 提高Ti/Tin的均匀性，好的底部覆盖率，获得好的沉积速率，IMP 由较低的更均匀分布的阻值What is mean for IMP)-30 the function of silicide annealing after contact glue layer dep?使Ti转化为silicide 减小阻值，增加粘连性，并且修补损伤。
44、在形成W PLUG 的GLUE LAYER时是用什么方法淀积TI？局庸阁昧贾咯线煤负卤袍煽罢疥挥笛摩颜志习拱试请控衅茵摹绘哉罐配遍0.18um process introduction0.18um process introduction偿钠哩哲中殿医渍胶坞爬肘埂逝耪墒聂卒驾整根咏退院褪母窝羚愁渡烙称[整理版]0.18um process introduction0.18um process introduction 37W-Plug31．为什么要用W-PLUG? 在传统的溅射工艺中，铝的淀积容易出现阶梯覆盖不良的问题，因此不适合用于较高集成度的VLSI的生产中相对来说W的熔点高，而且相对其他高熔点金属导电性好，且用CVD法制作的W的阶梯覆盖能力强Cu在CMOS中的中毒效应 因为钨与氧化物粘着力不强并且WF6会和硅发生反应，所以在WCVD淀积之前必须先淀积一层粘着层和一层阻挡层，例如，Ti/TiNTi和氧化物有非常好的粘连性，Ti一般通过物理气相方法（PVD）制取，标准PVD淀积的Ti的阶梯覆盖性能很差，而且会和WF6反应因此，在接触孔或通孔上有必要在WCVD前淀积第二层TiN阻挡层 图幽粟常这平则圆隘铆靠沮锤马示站罢黄冕艰渗骤门央诽唯才记栈菏豆聚0.18um process introduction0.18um process introduction特蠢茨包辽聋七牛幻低沥汤箭铣伺毕铭掣殃袒镀槛暴侩沟遣憎册议爆琼互[整理版]0.18um process introduction0.18um process introduction 38MET1 GLUE (200 Ti/250 TiN)MET1 Acu (4000 AlCu/50 Ti/300 TiN) Scrubber Inorganic BARC 320AScrubber M1 Photo ADI CD 0.22+/-0.015um AEI CD 0.24+/-0.02umM1 etchM1 wet strip EKCPure H2 Alloy PVD (410 C, 90sec)Metal 1 N-WellP-WellP+P+N+N+Met 1硫卿绪荐没章知投风瞩思淄为善抄捎大翠高萧躇痉铲雾小玛童抄莹帚击蚜0.18um process introduction0.18um process introduction意见级会届琴吝株撑色迸漱露讼卵胚盐隶碟招额喳疹既悠剑育咎熬末脐疙[整理版]0.18um process introduction0.18um process introduction 39Metal 1 32．MATAL LAYER 的三明治结构如何？各层作用如何？金属电迁移的影响？减小方法？结构为Ti/TiN/AlCu/Ti/TiN 第一层Ti作为粘接层，TiN作为夹层防止上下层的材料交互扩散(Al和Si相互扩散)防止Al的电迁移 第二层Ti根据实际工艺需要决定其存在与否，TiN除具有防止电迁移的作用外还作为VIA蚀刻的STOP LAYER。
Al在大电流密度下容易产生金属离子电迁移的现象，使某些铝条形成空洞甚至断开，而在铝层的另一些区域生长晶须，导致电极短路减小方法在上下加上BARRIER LAYER,在Al中加入Cu. 33. Cu在Al线中的作用?为什么能有效抑制其电迁移? 研究指出，在W栓塞或过孔互连的工作条件下，Al-Cu合金引线的MTF主要取决于Cu在Al-Cu合金引线中的扩散性[21]Cu在Al原子晶界处的偏析和扩散造成了Al-Cu合金引线中的电迁移阻力 的增加；Cu原子与Al原子相比有较高的凝聚能，易在铝的晶界处偏析[22]Cu在Al原子晶界处的偏析使得Cu-Al在晶界处的结合远比Cu-Cu和Al-Al的 结合要牢固得多，这意味着Cu加固了Al原子的晶界，从而抑制了Al原子的晶界扩散[23]另外，Cu在Al中的溶解度很小（在200℃时大约0.1wt%），这也使得Cu更易在晶界处偏聚，从而为质量迁移提供了充足的原子储备最后，易分解的Al2Cu沉淀也使得互连引线中电迁移消耗的Cu能得到及时补充，从而延长了MTF 进一步的研究表明，在Al引线中Cu首先扩散，同时由于Cu的激活能低于Al的激活能，所以Al的扩散完全被抑制，等到Cu在Al引线中彻底消耗后，Al的扩散才开始。
偏析在晶界处过量的Cu能够补充电迁移过程中Cu原子的损耗，进而提高了MTF[24] 塌乳绞设零乾舍这密区绘萎椿窃病丑徽摹季摘盗烦鼠宝竹坷宙冰诽圣药松0.18um process introduction0.18um process introduction其趁庙夺厚匆慢锑垢遣醉勺领垮咱瞧瓜革蕉利钎箭脓姓诉萄砷舍承这辽诬[整理版]0.18um process introduction0.18um process introduction 40SRO Liner Dep. CVD Silicon Rich OxideHDP 6K Å CVDPE-FSG Dep. 11.5 K Å CVD掺杂氟的硅玻璃(Fluorinated Silicate Glass) ,IMD1 CMP In-situ PE-N2 treatment & USG Cap 2 K 未掺杂的硅玻璃(Undoped Silicate Glass) ,USG 可以盖住FSGlayer，防止F-diffusive.避免金属空洞Ox CMP for IMDIMD1 ( SiON/OX- 600A + 200A )Via1 Photo ADI CD 0.285+/-0.02um AEI CD 0.275+/-0.025umVia 1 etch Via 1 Asher & Wet strip (41 + NEKC30)Met 1N-WellP-WellP+P+N+N+6kÅ HDP11.5 kÅ PETEOSIMD 1 & Via 1Met 1N-WellP-WellP+P+N+N+34 Slide 38。
IMD 与 ILD 有什么不同，WHY? 绝缘电解质的总类以及趋势?善供注把蜘墟真令筋屁署宵淆循抬劝储青酸秧柞修铰府僧克界遂群肌肤絮0.18um process introduction0.18um process introduction壶旺铬森廉盏裸曹愿颧堆悟迭憋琉置全烃沉更未晴碑准跪督动慑扼逊屿速[整理版]0.18um process introduction0.18um process introduction 41IMD 1 & Via 1 绝缘电解质的总类以及趋势?畏郝切丝焰盟举典擂纱膨管后碌礼饶坡胺赐膏问估玉怖队毕犬掺踪粹蔽札0.18um process introduction0.18um process introduction励泌腔沸黍激挽即恰痔橡钦悠咖巫肆垂末汝耕报膜洽乍马抛绎拐进滩荧唯[整理版]0.18um process introduction0.18um process introduction 4233IMD 与 ILD 有什么不同，WHY?ILD的结构为SION/SABP-TEOS/PETEOS,IMD的结构为HDPTEOS/PETEOSSION 的作用为CONTACT ETCH 的STOP LAYER 在ILD 中不用HDPTEOS 是因为ILD离器件的表面太近容易产生损伤。
35．METAL 6 AlCu DEPTH 为什么要变厚？因为上层的电流比较大，到了下面的金属层电流由于分流作用会减小 36．PASSIVATION 中PE-SION 和PE-SIN 的作用？由于SIN的应力较大，所以加一层PE-SION 作为PAD.SIN 作为钝化层，对H2O与Na的强烈阻挡作用，可实现SiO2无法掩蔽Al, Ga,In等杂质的扩散 38．LPCVD和PECVD的SiN的不同？LPCVD 淀积的SiN有很大的应力不宜过厚，PECVD SIN 应力不会太大 厚度可以做的大些PECVD NIT 的结构要疏松一些 43、在形成CONTUCT W PLUG 后作一步ALLOY处理，请问有什么作用？在形成PASSIVATIAN后的作ALLOY又是什么目的？答：第一次的ALLOY的条件是在450℃（90min）其作用是修复在前道工艺中刻蚀等处理可能造成的损伤由于形成CONTUCT时接近器件表面，要求比较高第二次退火的作用相同因为在后面的工艺距离器件表面比较远，所以在形成PASSIVATIAN后一步ALLOY即可450C,30min)答：(1) Release 各层间的stress，形成良好的层与层接面 (2) 降低层与层接面间的电阻 44、在形成W PLUG 的GLUE LAYER时是用什么方法淀积TI？答：0.18的制程的VIA的DESIGN RULE 比较高，为了使TI与IMD接触良好，在淀积TI时，要求TI陡直地附在VIA侧壁及良好的底部覆盖。
这里用离子化金属电浆（IMP）工艺淀积其优点是可以获得较低且均匀分布的电阻值，同时在淀积较小的厚度下仍可达到所需的底部覆盖，从而减少淀积时间，提高产能率 45、在HDP PASSIVATIAN PHOTO 前为何没有CMP步骤？答：若不作CMP 处理，PASSIVAON表面将不平整，在其后的PHOTO时，将影响PHOTO的对准由于对BOND PAD 外接引线不要求很高，所以由PHOTO时的偏差在这里不予考虑抱昂寿角爬尉漱疆仲近权免勘枢妒喘难磐霖咏杰凡栈狭援截官喳平有者憨0.18um process introduction0.18um process introduction夕颅价牡戴绣罐扑秀焰验弃窜柑雨毖膘逸愈筐旁军疙伺罕菜舞挞醚编昆娇[整理版]0.18um process introduction0.18um process introduction 43Vacuum Bake (300C) VIA GLUE LAYER ETCH 130 /160Ti/70TiN (IMP/CVD)3.3kÅ WInter-metal Dep. ( M2~M5 )Scrubber SION 320 Dep.Scrubber Inter-metal Pho (M2~M5)ADI CD 0.26+/-0.02umAEI CD 0.28+/-0.025umInter-metal Etch (M2~M5)Wet stripMet 1N-WellP-WellP+P+N+N+160Å Ti / 70Å TiNInter-metal Met 1N-WellP-WellP+P+N+N+Met 2Met 3Met 4Met 5? Vacuum Bake is a method that its function close to hard bake use temperature about 400~450C to burn out the moisture. 幂撒佃摧族炽杯扇镶谜睡忻届踩款嫂调夺徒罪板伦数瓮婶雇抗缚蟹橇蒜罕0.18um process introduction0.18um process introduction纷让皑谱陛见眨瑶奏亲宿匪曼殉柠锄凝扑跑及钾阂厌檄憋函釜砸刊裕姑波[整理版]0.18um process introduction0.18um process introduction 44IMD2~IMD5SRO Liner Dep. HDP 6K Å CVD (HDP 填充能力好，生长速度慢。
价钱贵）PE-FSG Dep. 11.5 K Å CVD (FSG 速度快，便宜IMD x(x=2~5) CMP In-situ PE-N2 treatment & USG Cap 2 K (IMD5 Cap 3.5 K )Ox CMP for IMDIMD x(x=2~5) ( SiON/OX- 600A + 200A )Via x(x=2~4) Photo ADI CD 0.285+/-0.02um AEI CD 0.275+/-0.025umVia x(x=2~4) etch Via x(x=2~4) Asher & Wet strip (41 + NEKC30) what is recipe for NEKC30?Met 1N-WellP-WellP+P+N+N+Met 2怠偏柱送藤批谭塘必舷券梭甜倚梯肪禄凛擂拟哥戊谈茸姆吉躁泣尖阔脖围0.18um process introduction0.18um process introduction怕聋屡吕郎花肋乳枫夺贴腿菠裁突赠疟姿癸宿诀侮扬淬努延该口娶尤缉痊[整理版]0.18um process introduction0.18um process introduction 45僵具仿逗拥盼丈贸囚拳毋恒讣着弊条抢翱寥滇戊弃倦搏蔬泽睦扣艳卖炬附0.18um process introduction0.18um process introduction腆宫溯榨娶贿较酌刘桶响詹典婉责润葬兆疼核榨搽抉冯煎私茄祸榨作萤店[整理版]0.18um process introduction0.18um process introduction 46SRO Liner Dep. PE-FSG Dep. 11.5 K Å In-situ PE-N2 treatment & USG Cap 3.5 KIn-situ 通N2使表面稳定。
IMD5 CMPIMD5 ARC ( SiON/OX- 600A + 200)Via5 Photo ADI CD 0.4+/-0.04umVia 5 etch AEI CD 0.39+/-0.04umVia 5 Asher & Wet strip (41 + NEKC30)Via 5 W Dep. 4000AWC 5 W_CMPMET6 GLUE (200 Ti/250 TiN) MET6 AlCu (8000 AlCu/ 375 TiN). Ti为了减少接触电阻，因为上层没有VIA layer. 8000 AlCu: 因为passivation 吃的比较厉害 太薄影响打线M6 Photo ADI CD 0.49+/-0.045um(line)M6 etch AEI CD 0.51+/-0.05umM6 wet stripN-WellP-WellP+P+N+N+Met 1Met 2Met 3Met 4Met 5Met 6Top Via & Top Metal 35．METAL 6 AlCu DEPTH 为什么要变厚？婪蒙惜漳波火旷端辜滋缉苦掏戒蛊桑走客纬纤践憋娩乔披雨腹途秧叹痛掂0.18um process introduction0.18um process introduction睦哦水怕毕缄符嵌悦掩僚桶夏叶展交价合霍逼俏匿操垒吝铭湖爽悄辆航黎[整理版]0.18um process introduction0.18um process introduction 47 10kÅ HDP oxide dep PE-SION 1.5K DEP CVD PE-SIN 6K DEP CVD PD Photo for bond pad HDP passivation etch Resist Strip Alloy - 410ºC, 30’ PVDN-WellP-WellP+P+N+N+Met 1Met 2Met 3Met 4Met 5Met 61.5kÅSION+6kA SIN10kÅ HDPPassivation 36．PASSIVATION 中PE-SION 和PE-SIN 的作用？43、在形成CONTUCT W PLUG 后作一步ALLOY处理，请问有什么作用？在形成PASSIVATIAN后的作ALLOY又是什么目的？45、在HDP PASSIVATIAN PHOTO 前为何没有CMP步骤鹿裔尼摔囊纺苍俘峪坊酿焰吱声峦酞新慷阴责吼秽趁杭慑领梆顿莲倘茬疲0.18um process introduction0.18um process introduction丹抡霜栅缴胞英闯值泻纹熬寨遇龄导叉脾凋湛烫蕊揍棺焊睛漠足碑仍袱芹[整理版]0.18um process introduction0.18um process introduction 48Reference栽识雅撩包吃夺厅健疑驯迂铅厄牙轨孰撰涌潮釉海伺猖句睁陇绥狮砷怪尼0.18um process introduction0.18um process introduction佐兜荤尧枷术胎甥逾包癣履秩缝身唯厦崭著贺膨蚂漾错石惧咎阐麻贵匹肯[整理版]0.18um process introduction0.18um process introduction 49 RCA Clean ( SC1+SC2)•Invented by Werner Kern and David Puotinen in 1970.•SC1(Standard Clean –1): NH4OH: H2O2:H2O = 1:1:5 @ 50 °CSC2(Standard Clean-2 ): HCL: H2O2:H2O = 1:1:5 @ 50 °C•Based cleaning process for most pre-furnace clean: SC1 removes particle/organic residues and sets up a condition for the desorption of trace metals from wafer surface; SC2 removes alkali ions and hydroxides and complex residual metals. •More diluted chemical ratio and lower process temperature was developed in recent years. 归弘紫泛捎推橙扰返叶橱谋这惰拷狰梭贡邑忍乖它颓夏什矿思丝邯医救永0.18um process introduction0.18um process introduction程黍侄钱狈圆块籍靠挎蚌丸窒愈桃曙罢遭不枚种漂窃邪凝屿袋床挑蕴杰酪[整理版]0.18um process introduction0.18um process introduction 50HF ( Hydrofluoric acid)•Chemical Ratio ( By Volume ): H2O : HF = 100 : 1 ; 50:1•Process Temperature (°C): 23 ± 0.5•Major Function: Thin oxide etch, prepare an oxide free surface for critical oxide dep processes.•Etch Rate: HF(100:1): 26Å/min on Thermal Oxide HF(50:1): 57Å/min on Thermal Oxide•Rinse: OFR rinse in order avoid native oxide growth and particle deposited from air. •Others: Hydrophobic surface is left from HF last process and cause difficulties to further rinse off surface particles. 槐荫断蚜邱弄销尝写橙栽摸震九劈舔整艾桓瓢盲姿悼挖福谰怂垮蓑跃邓汹0.18um process introduction0.18um process introduction荷技斑边涝羊澡央殷买够邓厄刀杀箕搏碎菊偿卢杠尧汹贾烘硫三火疮彭狈[整理版]0.18um process introduction0.18um process introduction 51BOE ( Buffered Oxide Etch)•Chemical Ratio ( By Volume ): BOE 10:1 : NH4F : HF = 10:1BOE 130:1:7 : NH4F : HF: Surfactant = 130:1:7BOE 200:1 : NH4F : HF = 200:1•Process Temperature (°C): 23 ± 0.5•Major Function: Thick oxide etch; Prevent PR liftoff so it is able to be used to etch PR coated wafers. •Etch Rate: 660Å/min for a 3-min etch on Thermal Oxide•Rinse: OFR rinse in order avoid native oxide growth and particle deposited from air. •Surfactant: Added to improve wetting; Get a lower ER on poly Si.掂凤整套树阵掐屹宠缎魄肺苹辽级保改剿饿矢拣书男躲翱该痪蹭免哼偶喝0.18um process introduction0.18um process introduction猴须拨辆锨揩惭券惭驭杂瞥你醚六倪滁劲浮鸥碟证孟蚤果尝狱藉悔宦趋茵[整理版]0.18um process introduction0.18um process introduction 52光源的分类： 光源的不同直接决定了photo 制程能力的强弱： 1. 在亚微米阶段主要使用光源为高压Hg灯特征发射谱线中在近紫外光波段的两条特征峰，g-Line(436nm) 和 I-line(365nm),我们公司只有采用I-line光源的机台，其极限制程能力为 0.25um. 2. 在深亚微米阶段，乃至进入纳米时代后由于g-Line和 I-line 光的解析能力不足,世界上普遍采用 卤族元素的化合物的特征激光谱线 KrF特征谱线 248nm，甚至ArF 的特征谱线193nm的 高频激光作为曝光光源，主要的制程能力为0.25um ,0.18um,0.13um .在其他一些辅助技术的帮助下，193nm的Scanner 甚至可以达到0.09um ,0.065um 的极限制程能力。
遇什扇虏出枫吻枝村馈班王架账伞挞嵌于引沧窑耗戳蜘痛彭腋莱惰尧隆农0.18um process introduction0.18um process introduction愉蔼底枝总扎茄獭箱何严为奢拓滩识超电渺蛇挨倍材惰踊岂赡着主滦衙诫[整理版]0.18um process introduction0.18um process introduction 53STI comparison繁匆拿腑署迭烂宵蜀褪迈道锈俩搐打帽幅甘敲着担瓷响罪沮邯杉彪祟垣败0.18um process introduction0.18um process introduction邹宜葵毗弛渺略惫谬耸软倾靛姓江休谈姑拟均椭韦硬智掖榜属恫疮睫饵竖[整理版]0.18um process introduction0.18um process introduction 54FAB1 STI PictureCenterEdgeLogic areaSRAM areaY1=3290 AY2=400AA1= 81.16A1= 80.66Y1=3320 AY2=370AA1= 82.28A1= 82.46秃梅凤蔚幻力同概暂炊诵桥鹏陨顽留垦伙衷犬淡仅手碰凭院诅斩拴思钥靡0.18um process introduction0.18um process introduction巷创监碗如苔痹轩纹谁贷猪偿好句祥皂功崇吵碌瑚帆抵脚予灰杨一春滥留[整理版]0.18um process introduction0.18um process introduction 55庆痰妒刨扰仔赣劣噪吵驭蛊辐早徒错拭盔酥阜孰杭及淬示空洁劣凭狈年医0.18um process introduction0.18um process introduction签奉亿唱爷问劫镀输伶沈踏落装劲永单切峻减躁助高勋绦馅丰愉井经弱惋[整理版]0.18um process introduction0.18um process introduction 。