单晶体管功率电路

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1、第九章 晶体管功率电路第九章 晶体管功率电路-概述v概述概述v晶体管晶体管开关变换开关变换功率电路功率电路v电路应用:电能变换装置v -开关电源v (switching mode power supply)v -各种功率开关变换器v电路特点:v -高频开关工作,效率高,体积小第九章 晶体管功率电路-概述v特点:以一直流/直流变换为例来说明v例:一个500W dc-dc功率变换器例:500Wdc-dc功率变换器v电阻分压器电路v缺点:低效率,v不能自动调压v线性调节器v缺点:低效率例:500Wdc-dc功率变换器v基本工作原理:v稳压原理:v调节占空比D=T1/TSv特点:v损耗小,效率高v开关

2、频率越高LC越小第九章 晶体管功率电路概述v电路特点小结v构成特点:-无损耗器件(损耗小)-储能元件:电容,电感-隔离变压元件:高频变压器-开关元件:半导体器件(全控器件和二极管)v工作特点:开关工作方式,高频化v电路特点:半导体器件高频开关工作v 电路小型化,高效率第九章 晶体管功率电路概述v电路分类:v按开关管数量分:-单晶体管电路-多晶体管电路v按是否隔离分:-隔离型-非隔离型v按功能分:-DC/DC-DC/AC第一节 单晶体管功率电路v电路特点:v单个开关功率管,电路简单,适于中小功率v基本电路-六个:v降压式(Buck )v升压式(Boost)v升/降压式(Boost/Buck)v丘

3、克变换器(Cuk)vZeta变换器vSepic变换器-dc/dc变换基本电路拓扑直流斩波电路v直流斩波电路(DC Chopper)-将直流电变为另一固定电压或可调电压的直流电-也称为直流-直流变换器(DC/DC Converter)-一般指直接将直流电变为另一直流电,不包括直流交流直流v直流斩波电路的种类-6种基本斩波电路:降压斩波电路、升压斩波电路、升降压斩波电路、Cuk斩波电路、Sepic斩波电路和Zeta斩波电路,-其中前两种是最基本的电路v复合斩波电路 不同基本斩波电路组合v多相多重斩波电路 相同结构基本斩波电路组合直流斩波器v图中所示电路,即为直流斩波器(Chopper)直流斩波器v

4、当Q导通时,工作状态直流斩波器v当Q关闭时,工作状态:直流斩波器v输出电压平均值: 式中T为开关周期,TON为导通时间,D为为斩波占空比v平均负载电流 io=Uo/Ro直流斩波器v改变占空比,就可以改变输出电压v输入功率等于输出功率:v斩波器输入电阻:直流斩波器v尽管能实现电压的幅值控制v但是输出纹波过大v负载上电压和电流脉动大v通常在负载端加上LC滤波环节,以减小输出电压纹波v经过电路变换,就有BUCK降压变换器一.降压式变换器(Buck Converter)v(1)电路构成vQ ,D, L, C四个元件vQ为全控型半导体器件v假设:vUi为理想直流电压源;vC很大,UO为直流电压;v器件为

5、理想的一.降压式变换器(2)基本工作原理vQ管导通期间(Ton)状态1:Uce=0UA=Ui,D OFF,L储能,iL增大vQ管OFF期间(Toff)(状态2):UD=0,UA=0,Uce=Ui,L释能,iL减小一.降压式变换器v (2)基本工作原理v 工作方式定义:v iL连续模式(CCM)(continuous conduction mode)在一个开关周期内电感电流大均于零。viL断续模式(DCM)(discontinuousconductionmode)在Q管OFF期间(Toff)电感电流下降到零,故增加一个iL =0的工作状态3BUCK电路模态分析v当Q导通时:v电感电流线性上升BU

6、CK电路模态分析v当Q截止时,有:v电感电流线性下降:BUCK电路模态分析v因为在稳态时(电流不能突变):v联立以上各式:v输出电流平均值:降压斩波电路v工作原理vt=0时刻驱动V导通,电源向电感充电,同时向负载供电vt=t1时刻控制V关断,负载电流经二极管VD续流,电感放电v电感电流的交流分量为电容电流v电感电流的直流分量为负载直流电流大小变换器外特性v变换器的外特性:在D恒定时,变换器的输在出电压与输出电流的关系v电感电流连续时,输出电压与负载电流无关,仅和输入电压和占空比有关临界电流连续状态v当负截电流减少到iomin0时iomax=i,定义这种状态为临界电流连续v对应临界电流连续时的输

7、出负载电流平均值为对应临界电流连续时的电感临界连续电流IG临界电流连续状态v由于临界电流连续仍满足连续时工作分析,所以有:v联立求出:v临界电流连续状态v当D0.5时,临界电流达到最大值:代入上式,有临界电流与占空比关系vIG与IGMAX的关系如图v当I0大于IG时,电流连续,输出电压仅与占空比相关v当I0小于IG时,电流断续电流断续时波形分析vQ导通时,工作状态同前,电流从零上升vQ关断时,电感释放电能,电流下降v当电感电流下降到零时,电感上压降为零v设关断时间为TOF,电流下降到零的时间TOF电流断续时分析v断续时,输出电流的平均值:式中TOF为晶体管关断后电流持续时电流断续时分析v断续时

8、电流的增量与减量同样是平衡的:v代入,化简,有:电流断续时分析v将TOF代入式9-12v即有输出电流:v得到输出电压:标幺曲线v可以作出U0/Ui=f(IG/IGMAX)曲线:标幺可以作出外特性:v图中红线为临界连续曲线,即为分界线右边为电流连续,输出电压只与占空比相关v左边为电流断续,输出电压与负载电流也有关标幺曲线在电流断续时特性v当电流断续时,变换器存在很高的非线性内阻v电流断续时,维持同一输出电压,占空比变化很大(以UO/Ui为0.6为例),易失控v当I0时,输出电压均为输入电压v在实际工作中,应保证连续工作,以最小电流作为电感电流临界连续设计电感降压式变换器小结v(4)输出输入电压关

9、系式v -CCM工作模式降压式变换器小结v -iL临界连续时:v UO=DUiviL临界连续时输出电流:IG=iL/2=UiTD(1-D)/2/LvD=0.5时,IG= IGmax IGmax=Ui T/8/L IG= 4IGmax D(1-D)降压式变换器小结v-DCM工作模式降压式变换器小结viL连续时:Uo与负载大小无关v UO=DUi , D=TON/Tv iL断续时:电路参数选择设计条件:输入直流电压的额定值以及变化范围输出电压、输出电流最大值和最小值输出电压的稳定度及纹波电压要求等v效率估算v假定晶体管的开关损耗等于导通损耗(f2Icpv功率管的电压满足:功率管选择v 根据工作频率

10、选功率管的类型v在20kHz以下,可选择普通低频功率管;v20一50kHz可选开关功率管;v50kHz以上应选择功率MOSFET;v大功率应用,可选择IGBT电路参数选择(二极管)v二极管一般选开关二极管,快恢复二极v管, 在低压场合最好选肖特基二极管v二极管的平均电流和有效电流为v二极管的电压满足电路参数选择(电感)v为保证电感在所有工作条件下电感电流连续,有: Iomin=IGv将Iomin代入IG表达式(式9-9),即得到电感L:v如果电流过小,会造成电感量过大,所以有时可加入假负载以提高最小电流; 或局部工作在断续模式v若输出负载恒定,为减小纹波,在进行电感量计算时,将IG进行减小处理

11、: IG=(1/51/3)Iomax 电路参数选择(电容)v电容电流的脉动量近似即为电感电流的脉动量v电容电流在1/2周期内充电,在1/2周期内放电v所以,电容电流:v所以电容纹波电压:电路参数选择(电容)v根据输出纹波大小即可以确定输出电容大小:v考虑到等效电阻和串联电感,实际的电容特性电路参数选择(电容)v低频时,1/CRs, Ls,电容呈容性v随着工作频率的增高,电容器的1/C 小,而Rs, Ls 相对的影响逐渐增大v对于开关瞬间的高次谐波电容已无抑制作用电路参数选择(电容)v由于这些影响,实际的C选取:v对于高频开关电路,应采用ESR,ESL尽可能小的高频电容v在高频应用时,电容量应在

12、计算的基础上适当放大采用多个电容关联,可减小ESR影响为抑制尖峰,常用高质量无极性电容与电解电容并联2.降压式变换器v(5)参数选择与设计v开关功率管:U(BR)ceo , ICM2IQPv二极管:v电感:2.降压式变换器 (5)参数选择与设计v电容v开关频率与LC大小的关系:f大LC小v对电容的要求:高频性能好分析方法小结:v推导输出电压和输入电压关系式方法:v CCM方式: 电感电流上升量=电感电流下降量 TON 期间磁通变化量= TOFF期间磁通变化量v DCM方式v流过输出滤波电容前元件的电流平均值=Io稳态工作特点v稳态时储能元件一个开关周期具有以下特点:v电感L:电流变化量/伏秒面积为零v电容C:电压变化量/安秒面积为零v变压器:磁通变换量/伏秒面积为0v能量守恒原则:储能能量=释放能量v输入输出有功功率相等实际降压式变换电路v由于晶体管、二极管有导通压降,电感有v寄生电阻,可简化成串联电阻(线圈电阻v与半导体器件导通电阻之和) :v所以有输出电压表达式:实际降压式变换电路v输出电压随着电流的上升有一定的下降v对应特性的虚线部分

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