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1、化学沉铜工艺知识化学沉铜工艺知识 陈克健陈克健 2014-11-022014-11-02第第 2 页页目录目录一、目的一、目的二二 、工艺流程、工艺流程三、工艺流程简介三、工艺流程简介四、质量问题处理四、质量问题处理五、五、case分析分析第第 3 页页 一、沉铜的目的一、沉铜的目的 沉铜，又称孔金属化（沉铜，又称孔金属化（PTH)PTH)，使双面或多层印制，使双面或多层印制板层间导线的联通，它是利用化学沉积的方法在钻孔板层间导线的联通，它是利用化学沉积的方法在钻孔后的孔壁上沉上一层薄薄的化学铜，为后续的电镀铜后的孔壁上沉上一层薄薄的化学铜，为后续的电镀铜提供导电性。提供导电性。Before
2、PTHBefore PTHAfter PTHAfter PTHAfter PlatingAfter Plating第第 4 页页二、工艺流程二、工艺流程CIRCUPOSIT 253沉铜MLB 211膨松Neutralizer 216 中和Conditioner233调整Generic Microetch微蚀CATAPREP 404预浸CATAPOSIT 44活化Acc19加速Conditioner1175除油Promoter 214除胶渣DesmearDesmear除胶渣除胶渣ElectrolessElectrolessCopperCopper化学沉铜化学沉铜使孔壁上的胶渣软化、膨松. 溶解孔
3、壁少量树脂及粘附孔壁内的胶渣。将除胶渣后残留的高锰酸钾盐除去. 除掉铜表面轻微的手印、油渍、氧化等 使孔壁呈正电荷后，提高孔壁对钯的吸附 防止板子带杂质、水分进入昂贵的活化槽 使胶体钯微粒均匀吸附到板面和孔壁上 剥去胶体钯微粒外层的Sn+4外壳,露出钯核, 形成孔化时的反应中心 。以露出的钯核为反应中心,沉积上微细颗粒化学铜层,实现孔壁金属 粗化铜箔表面,增强铜面与孔化之间的结合 Deburr 去毛刺等离子处理磨板磨板plamsaplamsa特殊板材的除胶渣、表面活化. 去除孔口披风、清洗孔内粉尘第第 5 页页三、工艺流程简介三、工艺流程简介-Deburr-Deburr1 1 去毛刺简介去毛刺
4、简介1.1 1.1 目的目的 去除孔口毛刺，清洁孔内残余的钻屑及粉尘，去除铜面氧化。去除孔口毛刺，清洁孔内残余的钻屑及粉尘，去除铜面氧化。1.21.2 基本流程基本流程酸洗酸洗水磨（针辘磨板）水磨（针辘磨板）超声波水洗超声波水洗高压水洗高压水洗酸洗：去除铜面的氧化。酸洗：去除铜面的氧化。热风吹干：将板面吹干。热风吹干：将板面吹干。（+水洗）水洗）（+水洗）水洗）水磨（针辘磨板）水磨（针辘磨板）：使用水加：使用水加针辘磨刷来去针辘磨刷来去除除孔口毛刺孔口毛刺高压水洗：高压水洗：清洁孔内钻屑、粉尘清洁孔内钻屑、粉尘。热风吹干热风吹干超声波水洗：清洁孔内钻屑、粉尘，主要针对小超声波水洗：清洁孔内钻屑
5、、粉尘，主要针对小 孔或厚板。孔或厚板。第第 6 页页三、工艺流程简介三、工艺流程简介- Plasma- Plasma 2 2 等离子处理简介等离子处理简介2.1 等离子体技术在等离子体技术在pcb制造过程中的应用制造过程中的应用2.1.1 PTFE、PI材料的表面改性材料的表面改性 （亲水性）（亲水性） 表面改性包括两方面的作用：表面改性包括两方面的作用：1 1材料表面物理改性，主要通过等离子的蚀刻作用材料表面物理改性，主要通过等离子的蚀刻作用使材料表面粗糙，而粗糙的表面具有比光滑的表面大得多的比表面积。使材料表面粗糙，而粗糙的表面具有比光滑的表面大得多的比表面积。2 2材料表面材料表面的化
6、学改性，通过等离子体的蚀刻作用使材料表面的化学建发生断裂，再通过化学的化学改性，通过等离子体的蚀刻作用使材料表面的化学建发生断裂，再通过化学交联反应，再断键的部位接枝上亲水基团（主要包括交联反应，再断键的部位接枝上亲水基团（主要包括NH2,-HONH2,-HO）使材料具有亲水）使材料具有亲水性。整个过程其实包括两个方面的改性，即表面物理结构改性和表面化学特性改性。性。整个过程其实包括两个方面的改性，即表面物理结构改性和表面化学特性改性。第第 7 页页三、工艺流程简介三、工艺流程简介- Plasma- Plasma 2.1.2 去钻污（针对特殊板材）去钻污（针对特殊板材） 去钻污主要针对的是去钻
7、污主要针对的是Desmear难以去除的板材类型，包括含碳氢化合物板材、难以去除的板材类型，包括含碳氢化合物板材、H-Tg板材等。板材等。从图可以清晰的看出，从图可以清晰的看出，等离子处理后的板材等离子处理后的板材可以做出三面包夹的可以做出三面包夹的效果，更好的增强了效果，更好的增强了可靠性。可靠性。2.1.3 电镀夹膜的处理电镀夹膜的处理2.1.4 去除激光钻孔后的碳膜去除激光钻孔后的碳膜第第 8 页页三、工艺流程简介三、工艺流程简介-Plasma-Plasma 2.2 等离子设备等离子设备2.2.1 2.2.1 等离子设备简图等离子设备简图 典型的等离子设备包括：真空室、电典型的等离子设备包
8、括：真空室、电极、射频发生器、真空泵。其它辅助设备极、射频发生器、真空泵。其它辅助设备还包括：冰水机等。如右图。还包括：冰水机等。如右图。2.2.2 2.2.2 参数控制参数控制 在等离子体处理，如下工艺参数合理选择起了很重要的作用：在等离子体处理，如下工艺参数合理选择起了很重要的作用： 气体种类和混合气体种类和混合比例；功率；加工时间；工作室真空压力；气体流量；温度。比例；功率；加工时间；工作室真空压力；气体流量；温度。 2.2.3 2.2.3 检测项目检测项目检测项目检测项目标准标准/方法方法均匀性测试均匀性测试Etching Uniformity75%10*10mm2测试片(FR-4)4
9、8pnl秤重法测咬蚀均匀性，Etching Uniformity75%，计算方法：（1-极差/2/平均值）*100%活化效果测试活化效果测试达因笔测试，40达因除胶量测试除胶量测试秤重法测试，FR-4、碳氢化合物除胶量0.41.2mg/cm2 ；PTFE除胶量 0.10.4mg/cm2第第 9 页页三、工艺流程简介三、工艺流程简介-Desmear-Desmear 3 除胶渣工艺除胶渣工艺3.1 3.1 胶渣的由来胶渣的由来 钻孔时，玻璃环氧树脂与钻嘴，在高速旋转剧烈磨擦的过程中，局部温度上钻孔时，玻璃环氧树脂与钻嘴，在高速旋转剧烈磨擦的过程中，局部温度上升至升至200 200 o oC C以上
10、，超过树脂的以上，超过树脂的TgTg值（值（130 130 o oC C左右）。致使树脂被软化熔化成为胶左右）。致使树脂被软化熔化成为胶糊状而涂满孔壁；冷却后便成了胶渣（糊状而涂满孔壁；冷却后便成了胶渣（Smear).Smear).3.2 3.2 胶渣的危害胶渣的危害1.1.对多层板而言，内层导通是靠平环与孔壁连接对多层板而言，内层导通是靠平环与孔壁连接 的，钻污的存在会阻止这种连接。出现的，钻污的存在会阻止这种连接。出现“互连互连分离分离”或或“孔壁分离孔壁分离”质量问题。质量问题。2.2.对双面板而言，虽不存在内层连接问题，但孔壁对双面板而言，虽不存在内层连接问题，但孔壁铜层若建立在不坚固
11、的胶渣上，在热冲击或机铜层若建立在不坚固的胶渣上，在热冲击或机械冲击情况下，易出现拉离问题。械冲击情况下，易出现拉离问题。第第 10 页页三、工艺流程简介三、工艺流程简介-Desmear-Desmear 3 除胶渣工艺除胶渣工艺3.3 3.3 除胶渣方法介绍除胶渣方法介绍方法方法PlasmaPlasmaDesmearDesmear图片图片优劣势优劣势优势：对特殊板材（碳氢化合物、纯胶）的处理效果较好。劣势：效率低，前期投入大。优势：能蚀刻环氧树脂表面使其产生细小凹凸不平呈蜂窝状的小坑，提高孔壁铜的结合力。备注备注行业普及行业普及第第 11 页页三、工艺流程简介三、工艺流程简介-Desmear-
12、Desmear 3.3.1 3.3.1 MLB MLB MLB MLB 膨松剂膨松剂膨松剂膨松剂 211 211 211 211 使孔壁上的胶渣得以软化，膨松并渗入树脂聚合后之交联处，从而降低其键结使孔壁上的胶渣得以软化，膨松并渗入树脂聚合后之交联处，从而降低其键结的能量，使易于进行树脂的溶解。的能量，使易于进行树脂的溶解。第第 12 页页三、工艺流程简介三、工艺流程简介-Desmear-Desmear 3.3.2 3.3.2 MLB MLB MLB MLB 除钻污剂除钻污剂除钻污剂除钻污剂 214 214 214 214（主要成分高锰酸钾（主要成分高锰酸钾（主要成分高锰酸钾（主要成分高锰酸钾
13、+ + + +液碱）液碱）液碱）液碱） 5 作用作用： 高锰酸钾高锰酸钾具有具有强氧化性，在高温及强碱的条件下，与树脂发生化学反强氧化性，在高温及强碱的条件下，与树脂发生化学反应应使其使其分解溶去。分解溶去。5反应原理：反应原理： 4 4M Mn nO O4 4- - + + 有机树脂有机树脂 + 4 + 4OHOH- - 4 M 4 Mn nO O4 42- 2- + CO+ CO2 2 + 2H + 2H2 2O O5 附产物的生成：附产物的生成： KMnO4 + OH - K2MnO4 + H2O + O2 K2MnO4 + H2O MnO2 + KOH + O2 MnO2 是一种不溶性
14、的泥渣状沉淀物是一种不溶性的泥渣状沉淀物。5 附产物的再生：附产物的再生： 由于工作液中存在由于工作液中存在MnOMnO2 2 , ,将严重影响槽将严重影响槽液的寿命，并影响除胶渣的质量，故液的寿命，并影响除胶渣的质量，故必须抑制其浓度，一般控制在低于必须抑制其浓度，一般控制在低于2525g/Lg/L的浓度工作。的浓度工作。 维持低浓度锰酸根最有效的办法是氧化再生成有用的高锰酸根离子。维持低浓度锰酸根最有效的办法是氧化再生成有用的高锰酸根离子。第第 13 页页三、工艺流程简介三、工艺流程简介-Desmear-Desmear 5 再生电极再生电极： 结构截面示意图结构截面示意图电解再生器外观图电
15、解再生器外观图 再生原理再生原理第第 14 页页三、工艺流程简介三、工艺流程简介-Desmear-Desmear 3.3.3 3.3.3 MLB MLB MLB MLB 中和剂中和剂中和剂中和剂216216216216（酸性强还原剂）（酸性强还原剂）（酸性强还原剂）（酸性强还原剂） 作用：作用： 能将残存在板面或孔壁死角处的二氧化锰或高锰酸盐中和除去；能将残存在板面或孔壁死角处的二氧化锰或高锰酸盐中和除去；第第 15 页页三、工艺流程简介三、工艺流程简介- -沉铜工艺沉铜工艺 4. 4. 沉铜工艺沉铜工艺4.1 4.1 流程流程 4.2 4.2 设备要求设备要求 第第 16 页页三、工艺流程简
16、介三、工艺流程简介- -沉铜工艺沉铜工艺 4.3 4.3 各药水槽功能简介各药水槽功能简介4.3.1 4.3.1 清洁剂清洁剂11751175（碱性除油）（碱性除油） 作用作用：能有效地除去线路板表面及孔壁轻微氧化物及轻微污渍能有效地除去线路板表面及孔壁轻微氧化物及轻微污渍( (如手指印等如手指印等).).如果如果孔壁和铜箔表面有油污，会影响化学镀铜层的结合力，甚至沉积不上铜。所以必须孔壁和铜箔表面有油污，会影响化学镀铜层的结合力，甚至沉积不上铜。所以必须要进行清洁处理。要进行清洁处理。 工艺参数控制工艺参数控制: : 第第 17 页页三、工艺流程简介三、工艺流程简介- -沉铜工艺沉铜工艺 工
17、艺参数控制工艺参数控制: :4.3.2 4.3.2 调整剂（调整剂（233233）处理）处理 作用作用：调整孔壁表面的静电荷，通常钻孔后的板，孔壁带负电荷，不利于随调整孔壁表面的静电荷，通常钻孔后的板，孔壁带负电荷，不利于随后吸附带负电荷的胶体钯催化剂。实际上调整剂是在清洁剂的基础上中添加阳后吸附带负电荷的胶体钯催化剂。实际上调整剂是在清洁剂的基础上中添加阳离子型的表面活性剂。离子型的表面活性剂。调整剂的控制直接影响沉铜的背光效果调整剂的控制直接影响沉铜的背光效果. .第第 18 页页三、工艺流程简介三、工艺流程简介- -沉铜工艺沉铜工艺 4.3 4.3 各药水槽功能简介各药水槽功能简介4.3
18、.3 4.3.3 微蚀剂（过硫酸纳系列）微蚀剂（过硫酸纳系列） 作用作用：除去板子铜面上的氧化物及其它杂质。粗化铜表面，增强铜面与电解铜的齿除去板子铜面上的氧化物及其它杂质。粗化铜表面，增强铜面与电解铜的齿结能力结能力微蚀前微蚀前微蚀前微蚀前微蚀微蚀微蚀微蚀后后后后微蚀微蚀微蚀微蚀后铜面状况后铜面状况后铜面状况后铜面状况反应式：反应式： Cu+ S Cu+ S2 2O O8 82- 2- Cu Cu2+2+ + 2SO + 2SO4 42-2-第第 19 页页三、工艺流程简介三、工艺流程简介- -沉铜工艺沉铜工艺 微蚀中可能出现的问题微蚀中可能出现的问题：微微蚀不足蚀不足：微微蚀不足将导致基铜
19、与铜镀层附着力不良蚀不足将导致基铜与铜镀层附着力不良. . 微微蚀过度蚀过度：微微蚀过度将导致在通孔出现反常形状蚀过度将导致在通孔出现反常形状( (见图点见图点A A和点和点B)B). .这种情况将导致化这种情况将导致化学铜的额外沉积并出现角裂（负凹蚀）。学铜的额外沉积并出现角裂（负凹蚀）。槽液污染槽液污染 ：氯氯化物和有机物残渣化物和有机物残渣的带入会降低蚀铜量的带入会降低蚀铜量. .清洁清洁-调整剂后需保证良好的调整剂后需保证良好的 清洗。清洗。工艺参数控制工艺参数控制: :注：各分析项目都是为了控制微蚀量注：各分析项目都是为了控制微蚀量第第 20 页页三、工艺流程简介三、工艺流程简介-
20、-沉铜工艺沉铜工艺 4.3.4 4.3.4 预浸（预浸（c/p404c/p404）处理）处理 作用作用：防止板子带杂质污物进入昂贵的钯槽。防止板子带杂质污物进入昂贵的钯槽。 防止板面太多的水量带入钯槽而导防止板面太多的水量带入钯槽而导致局部致局部 解。防止活化液的浓度和解。防止活化液的浓度和PHPH发生变化。预活化槽与活化槽除了无钯之外，发生变化。预活化槽与活化槽除了无钯之外，其它完全一致其它完全一致。工艺参数控制工艺参数控制: :注：注：CuCu离子含量偏高会带到活化槽，造成活化液的分解与沉淀离子含量偏高会带到活化槽，造成活化液的分解与沉淀比重是表征预浸液含量比重是表征预浸液含量第第 21
21、页页三、工艺流程简介三、工艺流程简介- -沉铜工艺沉铜工艺 4.3.5 4.3.5 活化活化cat44cat44处理（胶体靶）处理（胶体靶） 作用作用：在绝缘基体上吸附一层具有催化能力的金属颗粒，使经过活化的基体表面具在绝缘基体上吸附一层具有催化能力的金属颗粒，使经过活化的基体表面具有催化还原金属的能力，从而使后续的化学镀铜反应在整个催化处理过的基体表面有催化还原金属的能力，从而使后续的化学镀铜反应在整个催化处理过的基体表面顺利进行。顺利进行。活化的控制直接影响沉铜的背光效果。活化的控制直接影响沉铜的背光效果。胶体钯胶体钯：钯液中的：钯液中的PdPd，是以是以SnPdSnPd7 7ClCl16
22、16胶团存在的。胶团存在的。SnPdSnPd7 7ClCl16 16 的产生的产生 是是 PdClPdCl2 2与与SnClSnCl2 2在酸性环境中经一系列的反应而最后产生的。在酸性环境中经一系列的反应而最后产生的。活化后的孔壁：活化后的孔壁：第第 22 页页三、工艺流程简介三、工艺流程简介- -沉铜工艺沉铜工艺 水的带入水的带入 ：胶胶体体PdPd由由额外的氯离子和额外的氯离子和SnSn2+2+维持稳定维持稳定. .如果有水的带入如果有水的带入, ,将会导将会导致胶体致胶体PdPd的分解的分解. .活化液的比重通过活化液的比重通过404404溶液控制溶液控制. . 氧化氧化 : :空空气的
23、氧化作用能导致胶体气的氧化作用能导致胶体PdPd的分解的分解, ,因而要注意循环过滤系统不能因而要注意循环过滤系统不能出现漏气出现漏气; ;不不要使用溢流循环要使用溢流循环.;.;定时释放过滤器里的空气定时释放过滤器里的空气. .工艺参数控制工艺参数控制: :注：没有鼓气，防止氧化；注：没有鼓气，防止氧化；钯含量每月外发罗门哈斯分析一次，要求钯含量每月外发罗门哈斯分析一次，要求90-110ppm90-110ppm活化槽容易出现的问题：活化槽容易出现的问题：第第 23 页页三、工艺流程简介三、工艺流程简介- -沉铜工艺沉铜工艺 4.3.6 4.3.6 加速加速acc19acc19处理处理( (氟
24、硼酸氟硼酸HFB4HFB4系列系列) )作用作用： 剥去剥去P Pd d外层的外层的SnSn+4+4外壳，露出外壳，露出P Pd d金属；金属；清除松散不实的钯团或钯离子、原清除松散不实的钯团或钯离子、原子等子等。加速槽的控制影响沉铜的背光效果，处理不足或过度均会造成背光不良。加速槽的控制影响沉铜的背光效果，处理不足或过度均会造成背光不良。反应式：反应式：工艺参数控制工艺参数控制: :第第 24 页页三、工艺流程简介三、工艺流程简介- -沉铜工艺沉铜工艺 4.3.7 4.3.7 沉铜（沉铜（253253系列）药水简介系列）药水简介作用作用： 为了使孔壁的树脂以及玻璃纤维表面沉上一层铜，为后续的
25、电镀加厚铜提为了使孔壁的树脂以及玻璃纤维表面沉上一层铜，为后续的电镀加厚铜提供导电性。供导电性。分类（按沉积厚度）：分类（按沉积厚度）： . 薄薄 铜：铜：10 20u“ (0.25 0.5um) （我司采用）（我司采用） 中速铜：中速铜：40 60u (1 1.5um) 厚化铜：厚化铜：80 100u (2 2.5um)组成成分（组成成分（253253系列）：系列）：铜盐：硫酸铜；铜盐：硫酸铜；还原剂：甲醛；还原剂：甲醛； PHPH值调节剂：氢氧化钠；甲醛在强碱条件下才能具有还原性。值调节剂：氢氧化钠；甲醛在强碱条件下才能具有还原性。络合剂：络合剂：EDTA(EDTA(乙二胺四乙酸二钠乙二胺
26、四乙酸二钠) )；保证铜离子不会在碱性条件下沉淀，呈离子态。；保证铜离子不会在碱性条件下沉淀，呈离子态。稳定剂：保证化学铜溶液不会自然分解。稳定剂：保证化学铜溶液不会自然分解。第第 25 页页三、工艺流程简介三、工艺流程简介- -沉铜工艺沉铜工艺 反应式：反应式：1 1）主反应：）主反应：产生反应的基本条件：产生反应的基本条件：a)a)甲醛的还原能力取决于溶液中的碱性强弱程度；甲醛的还原能力取决于溶液中的碱性强弱程度；b b）在强碱条件下要保证铜离子不会沉淀，需要加足够的络合剂（因络合剂在反应过）在强碱条件下要保证铜离子不会沉淀，需要加足够的络合剂（因络合剂在反应过程中并不消耗，所以反应式中省
27、略了络合剂）程中并不消耗，所以反应式中省略了络合剂）c c）从反应式可以看出，每沉积）从反应式可以看出，每沉积1M1M的铜要消耗的铜要消耗2M2M的甲醛，的甲醛，4M4M氢化钠。要保持化学镀铜氢化钠。要保持化学镀铜速率恒定和化学镀铜层的质量，必须及时补加相应消耗的部分。（使用自动添加器）速率恒定和化学镀铜层的质量，必须及时补加相应消耗的部分。（使用自动添加器）d d）只有在催化剂）只有在催化剂pdpd的存在条件下才能沉积出金属铜，新沉积的金属铜本身就是一种的存在条件下才能沉积出金属铜，新沉积的金属铜本身就是一种催化剂，所以在活化处理过的表面，一旦发生化学镀铜反应，此反应可以在新生催化剂，所以在
28、活化处理过的表面，一旦发生化学镀铜反应，此反应可以在新生 的的铜面上继续进行。利用这一特性可以沉积出任意厚度的铜。铜面上继续进行。利用这一特性可以沉积出任意厚度的铜。pdpd第第 26 页页三、工艺流程简介三、工艺流程简介- -沉铜工艺沉铜工艺 2 2）副反应：）副反应： 加有甲醛的化学镀铜液，不管使用与否，都会产生以下两个副反应：加有甲醛的化学镀铜液，不管使用与否，都会产生以下两个副反应： a) a)产生产生CuCu2 2O O，进而会形成铜颗粒。，进而会形成铜颗粒。 要抑制反应要抑制反应2 2的产生，避免产生铜颗粒，就需要不断在沉铜溶液中通入氧气的产生，避免产生铜颗粒，就需要不断在沉铜溶液
29、中通入氧气（鼓气）（鼓气） b b）甲醛和）甲醛和NaOHNaOH之间的化学反应，称为康尼查罗反应。之间的化学反应，称为康尼查罗反应。 化学铜溶液中一旦加入甲醛，上述反应即开始了。不管是属于使用状态还是化学铜溶液中一旦加入甲醛，上述反应即开始了。不管是属于使用状态还是静置状态，都会一直在反应。所以化学铜溶液停止后重新启用时，需重新调整静置状态，都会一直在反应。所以化学铜溶液停止后重新启用时，需重新调整PHPH值，补加甲醛。值，补加甲醛。1 12 2第第 27 页页三、工艺流程简介三、工艺流程简介- -沉铜工艺沉铜工艺 工艺参数控制工艺参数控制: :注：上述分析项目均影响化学沉铜沉积速率。其中浓
30、度控制采用的是自动添加系统、注：上述分析项目均影响化学沉铜沉积速率。其中浓度控制采用的是自动添加系统、自动添加系统、自动添加系统、第第 28 页页三、工艺流程简介三、工艺流程简介- -沉铜工艺沉铜工艺 4.3.8 4.3.8 4.3.8 4.3.8 化学沉铜品质检定方法及标准化学沉铜品质检定方法及标准化学沉铜品质检定方法及标准化学沉铜品质检定方法及标准5 背光试验背光试验 1. 1. 定期抽取样本，切取试验孔。定期抽取样本，切取试验孔。 2. 2. 用钻石刀把样本切割在孔的中线。用钻石刀把样本切割在孔的中线。 3. 3. 然后放在光源上，再用放大镜检查。然后放在光源上，再用放大镜检查。 4.
31、4. 检定标准为检定标准为8 8级或以上。级或以上。第第 29 页页 四、质量问题处理四、质量问题处理问题问题原因原因背光不稳定、背光不稳定、孔壁无铜孔壁无铜化学铜槽药水失调或工艺条件失控调整剂缺少或失效活化剂组分或温度低加速过强板材不同,PTFE板材易出现钻孔时孔壁内层断裂或剥离、粉尘堵孔孔内气泡，振动或摇摆不足。除钻污过度，造成树脂成海绵状，引起水洗不良或镀层脱落空挂篮、负载过小，药水活性下降薄板、软板与厚板搭配制作叠板特殊板材（含特殊板材（含PTFEPTFE）漏做）漏做PlasmaPlasma负载不足负载不足薄板叠板薄板叠板第第 30 页页四、质量问题处理四、质量问题处理问题问题原因原因
32、ICD钻孔参数不合理，钻孔效果差Sweller、Desmear段药水浓度异常Plasma除胶均匀性不良沉铜速率过速，铜结晶结合力较差Sweller、Desmear挥发液位补充不及时，液位低互连分离互连分离第第 31 页页 四、质量问题处理四、质量问题处理问题问题原因原因负凹蚀负凹蚀（Negative Etchback）天车异常，微蚀时间过长微蚀槽浓度过高微蚀槽温度超温，反应速率过快生产板结构特性，原电池效应负凹蚀负凹蚀第第 32 页页问题问题原因原因堵孔黑孔堵孔黑孔钻孔时粉尘未除干净各药水缸、水缸沉淀物太多高厚径比微小孔板未吹孔、降低Deburr速度沉铜线药水槽过滤循环异常四、质量问题处理四、质量问题处理堵孔黑孔堵孔黑孔第第 33 页页五、五、CaseCase分析分析Thank YouThank you!35
