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1、LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.DISCRETE DIVISIONDISCRETE DIVISIONLITE ON失效分析失效分析-徐勤伟徐勤伟06年年5月月QRA DEPARTMENTLITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.DISCRETE DIVISIONDISCRETE DIVISIONLITE ON内容提要内容提要基本概念失效分析的目的和作用失效分析的一般步骤失效分析技术介绍失效机理的分析案例注意事项Q&ALITE-ON SEMICONDUCT
2、OR CORP.LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.DISCRETE DIVISIONDISCRETE DIVISIONLITE ON一、基本概念失效器件性能发生剧烈的或是缓慢的变化,这些变化达到一定程度,器件不能正常工作,这种现象叫做失效。失效模式指失效的表现形式，一般指器件失效时的状态，如开路、短路、漏电或参数漂移等。LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.DISCRETE DIVISIONDISCRETE DIVISIONLITE ON失效模式的分类按失效的持续性致命性 、间歇性、缓慢退化按失效时间早期
3、失效 、随机失效 、磨损失效按电测结果开路、短路、漏电、参数漂移LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.DISCRETE DIVISIONDISCRETE DIVISIONLITE ON失效机理失效的物理和化学根源叫失效机理。物理和化学根源包括：环境、应力和时间，环境和应力包括温度、湿度、电、机械等失效的物理模型应力-强度模型认为失效原因是由于产品所受应力超过其极限强度，此模型可解释EOS、ESD、Body crack等。应力-时间模型认为产品由于受到应力的时间累积效应，产品发生化学反应，微观结构发生变化，达到一定程度时失效，
4、此模型可解释材料的欧姆接触电阻增大，电压随时间衰降，焊接部分的热疲劳现象等。LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.DISCRETE DIVISIONDISCRETE DIVISIONLITE ON二、失效分析的目的及作用目的找出器件失效的物理和化学根源，确定产品的失效机理作用获得改进工艺、提出纠正措施，防止失效重复出现的依据确定失效的责任方，避免不必要的损失赔偿评估产品的可靠度LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.DISCRETE DIVISIONDISC
5、RETE DIVISIONLITE ON三、一般步骤1、收集失效数据2、烘焙3、测试并确定失效模式4、非破坏性分析5、DE-CAP6、失效定位7、对失效部分进行物理化学分析8、综合分析，确定失效原因，提出改善措施LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.DISCRETE DIVISIONDISCRETE DIVISIONLITE ON1、失效数据收集作用：根据失效现场数据估计失效原因和 失效责任方失效现场数据的内容失效环境：潮湿、辐射失效应力：过电、静电、高温、低温、高低温失效发生期:早期、随机、磨损失效历史：以往同类器件的失效
6、状况LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.DISCRETE DIVISIONDISCRETE DIVISIONLITE ON2、烘焙对于一些经过潮湿环境下失效，或从其电性上表现为漏电大或不稳定的器件，有必要进行烘焙后测试方法：温度：150常压时间：4小时以上LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.DISCRETE DIVISIONDISCRETE DIVISIONLITE ON3、电性测试及确定失效模式不同与质量检验为目的的测试，采用非标准化的测试方法，可以
7、简化包括引脚测试和芯片测试两类可以确定失效的管脚和模式，但不能确定失效的确切部位LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.DISCRETE DIVISIONDISCRETE DIVISIONLITE ON4、非破坏性分析定义：不必打开封装对样品进行失效分析的方法，一般有：显微镜的外观检验X-RAY检查内部结构C-SAM 扫描内部结构及分层LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.DISCRETE DIVISIONDISCRETE DIVISIONLITE ON5、
8、DE-CAP分析步骤一：去黑胶配比：发烟HNO3：H2SO4=3：1加热时间：煮沸后5-10分钟（根据材料大小）注意：酸液不能超过烧杯的规定刻度，以防加热过程酸液溅出来显微镜观察焊接件结构，芯片的外观检查等烘烤后测试LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.DISCRETE DIVISIONDISCRETE DIVISIONLITE ON步骤二：去铜配比 浓硝酸加热时间：沸腾后3-5分钟离开电炉至铜反应完注意：加热沸腾比较剧烈，加酸液的液面不要超过烧杯的规定刻度，显微镜观察，焊锡的覆盖面积、气孔、位置、焊锡颗粒，芯片Crack等
9、LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.DISCRETE DIVISIONDISCRETE DIVISIONLITE ON步骤三：去焊锡配比 浓硝酸加热时间：沸腾后30分钟左右注意：加酸液的液面不要超过烧杯规定刻度，以防止酸液溅出显微镜观察，芯片正反两面观察，Surge mark点，结构电性确认LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.DISCRETE DIVISIONDISCRETE DIVISIONLITE ON6、失效定位对于在芯片上明显的异常点，如Sur
10、ge mark、Micro crack、氧化层脱落，比较容易定位对于目视或显微镜下无法观察到的芯片，可以加电后借助红外热像仪或液晶测试找到失效点LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.DISCRETE DIVISIONDISCRETE DIVISIONLITE ON7、失效点的物理化学分析为更进一步确认失效点的失效机理，我们需要对失效点进行电子放大扫描(SEM)和能谱分析(EDX)，以找到失效点的形貌和化学元素组成等，作为判定失效原因的依据。LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.LITE-ON SEMICOND
11、UCTOR CORP.DISCRETE DIVISIONDISCRETE DIVISIONLITE ON8、综合分析根据前面步骤的逐步分析，确定最终失效原因，提出报告及改善建议及完成报告。你的成果你的成果LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.DISCRETE DIVISIONDISCRETE DIVISIONLITE ON四、失效分析技术1、摄影和光学显微术本厂有0-400倍的光学显微镜和影象摄取装置,基本上可以含盖整个分析过程需要的光学检查每个元件都需要记录一般状态的全景照片和特殊细节的一系列照片不涉及分析结果或最终结论的
12、照片可以在报告中不列入拥有但不需要总比需要但没有要好拥有但不需要总比需要但没有要好LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.DISCRETE DIVISIONDISCRETE DIVISIONLITE ON四、失效分析技术光学显微镜作用用来观察器件的外观及失效部位的表现形状、分布、尺寸、组织、结构、缺陷、应力等，如观察器件在过电应力下的各种烧毁和击穿现象，芯片的裂缝、沾污、划伤、焊锡覆盖状况等。例：一些失效的在光学显微镜下观察到的现象LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.LITE-ON SEMICONDUCTOR
13、 CORP.DISCRETE DIVISIONDISCRETE DIVISIONLITE ON四、失效分析技术LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.DISCRETE DIVISIONDISCRETE DIVISIONLITE ON四、失效分析技术2、电测技术质量检验的电测采用标准化的测试方法，判定该器件是否合格，目的是确定器件是否满足预期的技术要求失效分析的电测采用非标准的测试方式，目的是用于确定器件的失效模式、失效部位并估计可能的实效机理测试仪器、测试步骤及参数的种类都可以简化LITE-ON SEMICONDUCTOR C
14、ORP.LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.DISCRETE DIVISIONDISCRETE DIVISIONLITE ON四、失效分析技术失效分析的电测管脚测试管脚测试可以确定失效的模式和管脚，无法确定失效的确切部位例1：GBJ 的+AC1电性失效，其余管脚OK，则可以只对+AC1的晶粒做后续分析，如X-RAY等例2：TO220AB的一端测试显示HI-VF，我们可以估计可能的失效模式为晶粒横裂等。LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.DISCRETE DIVISIONDISCRETE DIVISIONL
15、ITE ON四、失效分析技术LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.DISCRETE DIVISIONDISCRETE DIVISIONLITE ON四、失效分析技术芯片测试（DECAP后的测试）芯片测试可以缩小失效分析的范围，省去一些分析步骤例：做过PCT的失效器件在去黑胶后测试电性恢复，后续的去铜可以不做，可以初步判定失效机理为水汽进入封装本体引起，导致失效LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.DISCRETE DIVISIONDISCRETE DIVI
16、SIONLITE ON四、失效分析技术3、烘焙技术对材料的烘焙可以确定材料是否受到潮湿及水汽影响或内部离子污染例：PCT失效的材料在烘焙后电性恢复内部离子污染造成的电性失效，烘烤可以“治愈”或逆转变坏电气特性LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.DISCRETE DIVISIONDISCRETE DIVISIONLITE ON四、失效分析技术4、无损分析技术定义：无须打开封装对样品进行失效定位和失效分析的技术。除电测技术分析外，有X-射线和反射式声学扫描显微技术等LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.LITE
17、-ON SEMICONDUCTOR CORP.DISCRETE DIVISIONDISCRETE DIVISIONLITE ON四、失效分析技术X-RAY原理与医用的X射线透视技术完全相同，器件的不同材料造成不同的吸收系数，收集穿透的X射线通过图象处理可反映不同部位的影象可以观察器件内部结构，焊锡的状况，本体气孔等例：DF-M的焊锡气孔（手动与自动制程的差异）LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.DISCRETE DIVISIONDISCRETE DIVISIONLITE ON四、失效分析技术手动制程自动制程LITE-ON
18、SEMICONDUCTOR CORP.LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.DISCRETE DIVISIONDISCRETE DIVISIONLITE ON四、失效分析技术C-SAM原理：利用超声脉冲探测样品内部的空隙缺陷等，超声波对于不同的介质都会产生发射波，如果遇到空气即100反射，该技术是对器件分层最有效的检测方法可以检测材料结构界面的粘连和分层状况，及塑封材料的空洞、芯片开裂等。例：分层器件与正常器件的C-SAM图片LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.DISCRETE DIVISIONDISCRE
19、TE DIVISIONLITE ON四、失效分析技术LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.DISCRETE DIVISIONDISCRETE DIVISIONLITE ON四、失效分析技术种类应用优势基本原理X射线透视象 观察材料高密度区的完整性透过材料高密度区X射线强度衰减C-SAM象观察材料内部空隙，如芯片粘接不良，器件封装不良超声波传播遇空气隙受阻反射X射线透视与反射式声扫描比较LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.DISCRETE DIVISION
20、DISCRETE DIVISIONLITE ON四、失效分析技术5、DE-CAP利用强酸将器件的封装去处，展示材料的内部结构，是一个破坏性的分析技术，不可逆转，因此在进行此步分析时请确认所有非破坏性的分析已经完成，本厂通常用烧杯中加热的方式，更高级的DE-CAP有专门的设备分析人员须考虑潜在的损坏和每项分析的目的记住木匠遵循的规律：测量两次才锯一次记住木匠遵循的规律：测量两次才锯一次LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.DISCRETE DIVISIONDISCRETE DIVISIONLITE ON四、失效分析技术高级的D
21、E-CAP设备原理图（一般用于集成电路）LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.DISCRETE DIVISIONDISCRETE DIVISIONLITE ON四、失效分析技术6、定位技术（HOT SPOT)红外热像仪,液晶探测原理：将失效的芯片通电，在失效点附近会有大的漏电通过，这部分的温度会升高，利用红外热像仪或芯片表面涂液晶用偏振镜观察（可以找到失效点，从而可以进一步针对失效点作分析例：分别用红外热像仪和液晶方法获得的失效点照片LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.LITE-ON SEMICONDUCT
22、OR CORP.DISCRETE DIVISIONDISCRETE DIVISIONLITE ON四、失效分析技术红外热像仪液晶LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.DISCRETE DIVISIONDISCRETE DIVISIONLITE ON四、失效分析技术7、电子扫描（SEM）及能谱分析（EDX）原理：利用阴极所发射的电子束经阳极加速，由磁透镜聚焦后形成一束直径为几百纳米的电子束流打到样品上激发多种信息（如二次电子，背散射电子，俄歇电子，射线），经收集处理，形成相应的图象，通常使用二次电子来形成图象观察，同时通过特征
23、射线可以进行化学成分的分析。LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.DISCRETE DIVISIONDISCRETE DIVISIONLITE ON四、失效分析技术扫描电子显微镜与光学显微镜的比较仪器名称真空条件样品要求透明性 空间分辨率最大放大倍数景深光学显微镜无开封有一定的透明性3600A1200小扫描电子显微镜高真空开封去钝化层无，表面观察50A50万大LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.DISCRETE DIVISIONDISCRETE DIVI
24、SIONLITE ON四、失效分析技术扫描电镜的应用用来观察光学显微镜下观察不到的细微结构，如观察芯片击穿点的立体形貌，针孔等用来分析微区的化学成分，如对击穿点的化学成分分析，确定失效点的失效原因例：利用电子扫描和能谱分析对失效晶粒的分析案例：LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.DISCRETE DIVISIONDISCRETE DIVISIONLITE ON四、失效分析技术SEM照片针对特定点的能谱分析LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.DISCRE
25、TE DIVISIONDISCRETE DIVISIONLITE ON四、失效分析技术8、剖切面技术对于缺陷存在与器件内部，不容易从正面观察到就需要进行剖切面观察方法：用环氧树脂固化器件，用锯片及经过研磨、抛光后进行光学或电子扫描显微镜观察。LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.DISCRETE DIVISIONDISCRETE DIVISIONLITE ON五、器件失效机理的分析1、过电应力损伤（EOS）失效模式：表现为开路、短路、漏电增大、反向偏压衰降失效机理：器件受到一种随机的短时间的高电压或强电流冲击，功率远大于额定
26、功率，产生过电应力损伤轻度的损伤可能会使期间漏电增大、反向偏压衰降等严重时失效特征很明显，芯片有明显的surge mark，甚至会使芯片开裂，塑封体炭化等LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.DISCRETE DIVISIONDISCRETE DIVISIONLITE ON五、器件失效机理的分析器件失效机理的内容失效模式与材料、设计、工艺的关系失效模式与环境应力的关系 环境应力包括：过电、温度、湿度、机械应力、静电、重复应力失效模式与时间的关系LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.LITE-ON SEMICO
27、NDUCTOR CORP.DISCRETE DIVISIONDISCRETE DIVISIONLITE ON五、器件失效机理的分析2、静电放电损伤（ESD）失效模式：表现为漏电增大、反向偏压衰降等失效机理：带电人体、接地不良的仪器测试、器件摩擦产生的静电通过器件产生损伤失效模式与EOS相似，区分有一定的困难，通常可以通过HOT SPOT 和SEM的方法可能会看到失效点LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.DISCRETE DIVISIONDISCRETE DIVISIONLITE ON五、器件失效机理的分析3、封装水汽和离子
28、污染失效模式：表现为漏电增大，电性不稳定等失效机理：水汽来源有a、封装工艺缺乏防潮措施；b、封装材料吸收水汽及放出有害气体，离子污染主要来自芯片工艺过程操作人员和环境及封装材料的钠离子等水汽和离子污染均可用高温烘烤的方式来验证LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.DISCRETE DIVISIONDISCRETE DIVISIONLITE ON五、器件失效机理的分析4、焊接不良失效模式：表现为VF偏高、F/S能力差等失效机理：焊接气孔、虚焊、假焊、镀层脱落等可通过X射线或DE-CAP后去铜观察焊锡覆盖状况来判断LITE-ON
29、 SEMICONDUCTOR CORP.LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.DISCRETE DIVISIONDISCRETE DIVISIONLITE ON六、案例案例1：SMBF12AVCL在PCT失效失效机理：材料封装小，水汽容易进入封装本体内导致器件失效验证：a、烘烤后有部分电恢复；b、DE-CAP去黑胶后测试全部恢复电性改善措施：改进封装制程或更换封装材料LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.DISCRETE DIVISIONDISCRETE DIVISIONLITE ON六、案例案例2：GBJ1
30、0A 在F/S 失效失效机理：芯片本身F/S 能力不足，芯片尺寸小（95mil）验证：a、历史F/S 资料显示其失效绿居高不下；b、DE-CAP后芯片开裂，属过电应力损伤改善措施：增加芯片尺寸至105mil，提升F/S能力LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.DISCRETE DIVISIONDISCRETE DIVISIONLITE ON七、分析过程的一些注意事项:为了完成任务而急于进行下一步的破坏性分析可能失去找到关键的因素的机会可能最后得到错误的结论细致的观察对每一步骤的样品必须做全面的观察对任何异常均需要详细的记录并
31、放大取照LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.DISCRETE DIVISIONDISCRETE DIVISIONLITE ON七、分析过程的一些注意事项:避免带入潜在的过程影响因素酸温不宜过高避免骤冷骤热过程晶粒尽量避免超声清洗使用示波器测试时选取适当串连电阻，加电压时要缓慢，避免材料被打死拿取材料不宜直接用手，防止静电损伤避免在器件在输运过程造成机械损LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.DISCRETE DIVISIONDISCRETE DIVISI
32、ONLITE ON七、分析过程的一些注意事项:注意安全严格按照用酸规定，穿戴好防护用品煮材料时应有人员在场监督相关物品按规定标志存放使用完作好5SLITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.DISCRETE DIVISIONDISCRETE DIVISIONLITE ON主要设备实验化学解剖台研磨机超声清洗机沾锡性实验台显微镜X-RAYC-SAMLITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.DISCRETE DIVISIONDISCRETE DIVISIONLITE ON使用化学用品浓硫酸浓硝酸（发烟硝酸）LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.DISCRETE DIVISIONDISCRETE DIVISIONLITE ONQ&A
