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10 宽禁带半导体材料 Eg2.3eVSiC, 金刚石,II族氧化物, II族硫化物,II族硒化物,第三族氮化物.SiC, GaN,第三族氮化物.禁带,热导,介电,电子漂移速度-适合制作高频、高功率、高温、抗辐射、高密度集成电路。禁带宽度:发光,探光器-蓝光、绿光、紫外。10.2GaN,AlN的晶体结构与能带作业:1.自我复习:a.金刚石型结构 ; b.共有化运动,允带,禁带;c.自由电子能谱,简约的布里渊区,波矢为简约波矢;d.金刚石第一布里渊区;e.导体,半导体、绝缘体的能带 ;f.有效质量与能带势场,外力-电子的加速度;g.本征半导体的导电机构;h.空穴回旋共振与有效质量;i.硅和锗的导带价带结构;j.间接带隙半导体,半金属或零带隙,窄带半导体,宽禁带半导体。