光刻操作培训教程光刻操作培训教程 一、认真核对随工单，检查随工单上的工步与片子数是否与实际相符，如果正确，将其倒入黑盒中，用倒边器检查片子是否有崩边，若有则查对随工单上是否有标明，若无，退回上步工序确定无误后，按照随工单上的要求制作二、光刻的主要步骤： 匀胶、前烘、曝光、显影、显影后检查 Ø匀胶：目的：在硅片表面均匀涂上一层厚度一定的 光刻胶准备工作：①、泡胶嘴、擦胶嘴、走陪片 ②、检查胶瓶内光刻胶（胶液面 距瓶底5厘米，及时更换新 胶，并填写“换胶记录表”） ③ 、按随工单加工工步、匀胶程序 确定表，选择正确的匀胶程序 l注意：在匀胶过程中，如发 生不明原因的报警应 通知设备人员；停用5分钟以上应先匀3个 陪片，方可进行正式片的匀胶所有胶类型加工步类型程序号负胶氧化层及氮化硅层用5#（0.8um~1.1um）铝层及钝化层用4#（1.3um~1.6um）正胶氧化层及氮化硅层用1#（0.9um~1.2um）铝层及钝化层用3#（2.2um~2.5um） Ø前烘目的：将涂在硅片表面的胶內溶剂充分挥发， 增强抗显影能力主要步骤：①、将匀完胶的硅片硅片从黑色的片架 中倒入白色的四氟白色的四氟片架中 ②、将硅片放入烘箱中，负胶烘15 分钟，正胶25分钟 ③、将烘好的硅片取出，倒入黑色黑色 聚乙烯聚乙烯片架中l注意：操作时必须带上手套操作 Ø曝光目的：将掩膜版上的图形复印到硅片上主要步骤： ①、检查光刻版：将光刻版放在UV灯灯下检查， 照射背面背面检查是否有颗粒，若有用氮气吹 掉，切忌不要吹正面 ②、装版：将版盒打开，开口方向背对自己， 将光刻版正面朝下，箭头朝左下方，扣上 版盒，准备曝光 ③、上版与对版： RTLD〉RCHG/N FILE NAME = C：MK609- RETICLE NAME = M2 EXECUTE？ ④、 曝光操作：FEXP〉PRNT/IO 。
PARAMETER CHECK COMPLETE (「Y」OR N)=_N_找到 EXP. TIME= 按“空格”修改曝光时间（见下页“曝光时间确定表”）HOW MANY WAFERS = _1_ 待片子上到载片台后，手动对准标记进行曝光，显影，检验，确认无误后，对硅片继续进行曝光一次曝光为一次曝光为NEXP 所用胶类型加工步类型曝光时间 负胶氧化层湿法腐蚀片200ms~500ms带胶注入片200ms~500ms氧化硅层（孔）200ms~500ms铝层100ms~300ms钝化层（压点）200ms~400ms 正胶氧化层湿法腐蚀片200ms~400ms带胶注入片200ms~460ms氧化硅层（孔）200ms~400ms铝层500ms~700ms钝化层（压点）500ms~1000ms曝光时间确定表 目的：将未感光部分的负性光刻胶溶除，留下感光部分的胶膜；将感光部分的正性光刻胶 除，留下未感光部分的胶膜注意事项：①、检查N2压力不低于22PSI，真空 压力必须大于22或23Hg/cm2,显 影液压力调制15PSI ②、检查显影液是否够，若不够，要 及时添加 ③、机器若出现故障，及时通知班长 或技术员Ø显影 光刻胶性质 加工步骤显影程序号 热板程序号负胶氧化层，氮化硅层，铝，压点 1#1#光刻后带胶注入1#2#正胶铝层2#1#氧化层，氮化硅层1#1#PI钝化层手动20秒l注意：氧化层光刻后带胶注入的片子一 定要走热盘 目的：确定光刻胶成像情况及表面情况是否符 合要求，以确定能否进行下道工序基本步骤：①、UV灯下检查光刻胶是否有划 伤、沾污或覆盖不完全的情况 ②、显微镜下检查是否没有光刻胶 图形、重复曝光、浮胶、图形 套偏（错行，错位）、接触不 良、曝光不适度、光刻胶覆盖 不完全、显影不彻底、连条、 沾污、缺口、毛刺等现象Ø显影后检查 u思考题1、匀正式片之前为什么要泡胶嘴、走陪片？2、曝光时先曝光一片进行试片，你认为是否 有必要，为什么？3、光刻后带胶注入的片子为什么要走热盘？ 。