电子科技大学计算机组成原理复习汇总

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1、第二章计算机中的信息表示 .数值型数据的表示方法 1. 进位计数制及其相互转换(二-八-十-十六进制间的转换) 2.IEEE754标准浮点表示格式 IEEE754 标准浮点格式 数 ( 或 称 长 实 数 ) 、 临 时 浮 点 数 ( 或 称 临 时 实 数 ) 。 它 们 的 具 体 格 式 如 表 所 示 。 IEEE754 的 3 种浮点表示格式 类型 数符 (位) 阶码 (位) 尾数数 值 (位) 总位数 (位) 偏置值 十六进 制 十进制 短浮点 1 8 23 32 7FH 127 数 1 11 52 64 3FFH 1023 长浮点 数 临时浮 点数 1 15 64 80 3FF

2、FH 16383 例:将(82.25)10 转换成短浮点数格式。 1)先将(82.25)10 转换成二进制数 (82.25)10 =(1010010.01)2 2)规格化二进制数(1010010.01)2 1010010.01=1.01001001 X 2 6 3)计算移码表示的阶码=偏置值+阶码真值: (127+6)10=(133)10 =(1)2 4)以短浮点数格式存储该数 因此:符号位=0 由3)可得 IEEE754有3种浮点表示格式,分别称为: 短浮点数(或称短实数)、长浮点 表示该数为正数 阶码=10000101 尾数=0 由2)可得;尾数为 23位,不足在后面添15 按IEEE75

3、4标准,常用的浮点数的格式如图所示。 尾数 M 数符 阶码 E 外存 厂CPU内的寄存器 I外设接口中的寄存器(统一编址) 结论:CPU能够直接访问的操作数只能存放在主存储器或 CPU内的寄存器 中,由于主存储器的容量远远大于 CPU内的寄存器的容量,因此CPU能够 直接访问的操作数主要存放在主存储器中。 严显式:直接、间接、变址、基址等 3.指令给出操作数地址方式 J j 隐式:隐含约定寄存器号、主存储器单元号 简化地址结构的基本途径:尽量使用隐地址。 4.寻址方式 大致可将众多的寻址方式归纳为以下四大类, 其它的寻址方式则是它们的变 型或组合。 所以,短浮点数代码为: 0 ; 100001

4、01; 0 表示为十六进制代码为: 42A48000H 指令信息的表示 ,主存开辟(软堆栈) 堆栈 PU 中的寄存器组组成(硬堆栈) 奇存器 1.操作数的位置 PU 中的寄存器 外设接口中的寄存器 存储器 主存(包括cache) 2.CPU能直接访问 V 的操作数位置 Cache 立即寻址。在读取指令时也就从指令之中获得了操作数,即操作数包含 在指令中。 直接寻址类。直接给出主存地址或寄存器编号,从 CPU内或主存单元内 读取操作数。 间接寻址类。先从某寄存器中或主存中读取地址,再按这个地址访问主 存以读取操作数。 变址类。指令给出的是形式地址(不是最终地址),经过某种变换(例如 相加、相减、

5、高低位地址拼接等),才获得有效地址,据此访问主存储器以 读取操作数。 第三早 一、CPU的逻辑组成及工作机制 1.CPU的逻辑组成(模型机框图) (1) (2) (3) (4) CPU子系统(复习) CPU的逻辑组成模型机框图; CPU内每个寄存器的作用; 总线的分类及定义; 控制器的分类及区别; (1) CPU 数据通路操作:按照数据的流向分成四段 ALU输入选择f AUL功能选择f移位器功能选择f分配脉冲(打入到寄存器中的 脉冲); (2) 与访问主存有关的微命令; 例:Mf MDR f C FT: M f IR、PC+1f PC ET: SR . /DR : Ri OP Df MDR ,

6、 MDR f M , PCf MAR 或/SR . /DR : C OP Df MDR , MDR f M , PCf MAR 二、基本概念 1. 同步控制,异步控制?有何主要特征?应用场合? 2. 主/从设备,试举例说明。 3. 组合逻辑控制器、微程序控制器的时序系统是如何划分的? 4. 微命令、微操作、微指令、微指令周期、微程序? 5. 微程序控制器的基本思想。 6.1位全加器的结构及关系表达式。 7.并行加法器中的串行进位链结构: G = Gn + P nC-1 并行进位链结构:C = Gn + P nG-1+ P nPQ地址思 2.CPU的指令流程 (1) 指令类型:MOV指令、双操作

7、数算数逻辑运算指令、单操作数算是逻辑运算指令、 转移/返回指令、转子指令; (2) 核心是寻址方式:立即寻址、 R、(R)、一(R)、(R)+、(R)+、X(R); 综合应用题(本题共20分) 某计算机字长16位,CPU内部包含如下部件:通用寄存器 R0、R1、R2、R3,累加器AC, 算术逻辑单元ALU及其数据暂存器 A和B,程序计数器PC,指令寄存器IR,存储器地址寄 存器MAR存储器读数据缓冲器MER存储器写数据缓冲器 与(AA B)、或(AV B) 4种算术逻辑运算,分别由 Add、 所有寄存器、数据总线及内总线均为 16位。题七图是该 加法运算指令ADD R1, 1000H(R2)。

8、其中源操作数 数R1是寄存器直接寻址,指令编码长度 MDRALU支持加(A+B、减(A-B)、 Sub And Or 4个控制信号控制。 CPU内部数据通路图。 1000H(R2)是变址寻址,目的操作 32位,指令编码格式如下: Op code(8) Ms(2) Rs(2) Mt(2) Rt(2) Offset(16) Op code:操作码 Ms :源操作数寻址方式 Mt :目的操作数寻址方式 Offset:位移量 Rs:源寄存器 Rt :目的寄存器 请根据数据通路分析该指令执行过程,把指令执行过程中各时钟周期的微操作及应处于 有效状态的控制信号填入下表(参照表中已给出的取指令周期的表示方法

9、) D戲a Bus (数据总线) Address Bus X MARout LIE 竺 I Jr I MARir MAR阡丄 |lnteri 1MDRout 2 I MDF MER I XMERout Intern日I Bus (内总线)* MD可JDR站 ROoLt Riout TA B Add瓦 Sub- MCTRR MEMORY MeniW R2oLt I R2 R饷 R3oLt I R3 汽 K-And ACinH AC I ACout 图例说明 B 卜一Bin Bin 有数憲示 题七图 QH PCout I PC p-PCin PC 吃 I IIR iRin PCout P Ccmt

10、-ff 效衷示 数锯通路开通 第四章存储系统(复习) 一、本章的重点:主存的逻辑设计 1. 总容量:即字数X位数 2. 需要确定可供选用的存储芯片,即什么类型、型号的存储芯片: (1) 位扩展 (2) 字数(编址空间)扩展 3.总线: 地址总线 AB:高位(或较高位)地址译码产生若干不同片选信号选 择芯片;低位地址线直接送往各芯片,以选择片内的某个单元; 控制总线中的 R/W 总线(仅一条):分别与每一组芯片连接,控制信 息的传输方向(CPU M 或 M CPU 数据总线 DB 分别与系统总线、每一组芯片连接,实现存储器与 CPU 之间信息的传输; 二、基本概念 1. 三级存储体系结构:分为“

11、高速缓冲存储器-主存-外存”三个层 次,每层作用; 2. 存储器分类:磁芯存储器 半导体存储器、磁表面存储器、光盘存 储器 3. 存取方式 (1)随机存取存储器(RAM: 只读存储器(ROM (3)顺序存取存储器(SAM (4)直接存取存储器(DAM 4. 半导体存储器是构成主存的单元。 ECL r (1) 静态存储器:是依靠双稳态触发器的两个稳定状态保存信息。 (2) 动态存储器:是依靠电容上的存储电荷暂存信息。 5.刷新、重写(再生) 集中刷新 刷新周期的方式千 分散刷新 异步刷新 最大刷新周期 2ms 刷新周期:2ms/行数 第四章存储系统(复习) 一、本章的重点:主存的逻辑设计 1.

12、总容量:即字数X位数 2. 需要确定可供选用的存储芯片,即什么类型、型号的存储芯片: (1) 位扩展 (2) 字数(编址空间)扩展 3.总线: 地址总线 AB:高位(或较高位)地址译码产生若干不同片选信号选 择芯片;低位地址线直接送往各芯片,以选择片内的某个单元; 双极型 Y TTL 半导体 Y SARM 广 存储器分类I MOS型 Y DRAM 特点:存取速度非常快,功耗大,集很低,如 cache :特点:速度快,功耗较低,集成度较高 :特点:速度较快,功耗很低,集成度很高 6. 控制总线中的 R/W 总线(仅一条):分别与每一组芯片连接,控制信 息的传输方向(CPU M 或 M CPU 数

13、据总线 DB 分别与系统总线、每一组芯片连接,实现存储器与 CPU 之间信息的传输; 二、基本概念 1.三级存储体系结构:分为“高速缓冲存储器-主存-外存”三个层 次,每层作用; 2.存储器分类:磁芯存储器 半导体存储器、磁表面存储器、光盘存 储器 3. 存取方式 只读存储器(ROM 顺序存取存储器(SAM 直接存取存储器(DAM (1)静态存储器:是依靠双稳态触发器的两个稳定状态保存信息。 (2)动态存储器:是依靠电容上的存储电荷暂存信息。 5.刷新、重写(再生) (1) 随机存取存储器(RAMI: 4. 半导体存储器是构成主存的单元。 ECL 双极型 Y TTL 特点:存取速度非常快,功耗

14、大,集很低,如 cache 半导体 SARM :特点:速度快,功耗较低,集成度较高 存储器分类MOS型 Y DRAM :特点:速度较快,功耗很低,集成度很高 集中刷新 分散刷新 异步刷新 最大刷新周期 2ms 刷新周期:2ms/行数 第五章输入/输出系统(复习) 中断控制方式与接口(本章重点) 1.中断控制方式的定义、实质、特点、响应时机; 方式; 5. 中断接口的组成及每部分的功能。 基本概念 1.主机与外设的连接方式有哪几种,各有什么特点? 2.总线的定义,总线的分类方式? 3. 接口的定义,功能,分类方式? 4. 直接程序传送方式的定义,特点? 5. DMA 方式的定义、实质、特点、响应

15、时机; 6. DMA 的初始化有那几个阶段? 第六章 输入/输出设备及接口(复习) 6.3 显示设备及接口 6. 刷新周期的方式 V 2.中断向量、 中断向量表、向量地址;向量中断方式、非向量中断 3. 中断响应: IT 周期的流程; 4.中断处理: 单级中断、多重中断; 字符发生器 ROM 的容量 (1)行容量=1B (5 点W行容量W 8 点) =2B (9 点W行容量W 16 点) 1.字符显示方式(黑白显示器) (1) VRAM 存放信息:字符的 ASCII 编码; (2) VRAM 的容量(基本显示内容):行X列,如:分辨率 25 行X 80 列; 2.图形显示方式(彩色显示器) (

16、1) VRAM 存放信息:图形的像素; (2) VRAM 的容量(基本显示内容):(点X线)/8 ,如:分辨率 1024 线 X 768 点; 二.字符点阵图形: 显示过程 0 /7-.VRAM (独立显卡):显示内容+属性内容 (2)字符发生器 ROM 的容量二行容量X行数 3访问字符发生器 ROM 中的字符点阵方式 高位地址编码访问 ROM 中的某一个字符点阵,低位地址编码访问 该字符点阵的某一行点阵代码。 4. 在屏幕上如何显示一排字符行 采用对一排的所有字符的点阵进行逐行依次扫描。 例如,某字符 行欲显示的字符是 ABC . T,当电子束扫描该字符行第一条光栅 T 各个字符的第一行点阵

17、代码,并在字符行第一条扫描线位置上显示 出这些字符的第一行点阵;然后再扫描下一条光栅,依次取出该排各 个字符的第二行代码,并在屏幕上扫出它们的第二行点阵。 三. 同步控制 不论字符显示还是图形显示,都要求行、场扫描和视频信号的发 送在时间上要完全同步,即当电子束扫描到某字符或某像点的位置 时,相应的视频信号必须同时输出。为此,在 CRT 显示器中设置了 几个计数器,对显示器的主频脉冲进行分频,产生各种时序信号来控 制对 VRAM的访问、对 CRT 的水平扫描和垂直扫描,以及视频信号 的产生等。 字符方式和图形方式下对计数器的设置是有区别的。 1字符显示的同步控制 四级:点计数、字符计数、线计数

18、、行计数; (1)点计数:字符区内的横向点数(即每个字符点阵横向点 +间 隔点):1; 对一个字符的一行点计数。一次点计数循环访问一次 VRAM ROM (2)字符计数:每行显示的字符数个数:1 ; 对一帧的字符列计数;一次字符计数循环发一次水平同步信号; 字符 计数值提供 VRAMy 地址(低地址)。 (3)线计数:字符区内的线数(即每个字符点阵线数+间隔点):1; 对一行字符的扫描线计数;线计数值提供 ROM 氐位地址。 时,显示电路根据各字符编码依次从字符发生器取出 A、B、C、 (4)行计数:每帧显示的字符行数:1. 一次行计数循环发一次垂直同步信号。行计数值提供VRAMf 地址(高 地址)。

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