4.1气体的击穿

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1、模块五模块五 交流耐压试交流耐压试验验情境一情境一 均匀场气体的击穿均匀场气体的击穿新课引入:新课引入:气体的击穿是由什么引起的?气体的击穿是由什么引起的?本次课程的目的要求本次课程的目的要求: :1、能说明、能说明 (P)、d对击穿电压的影响,会解释对击穿电压的影响,会解释巴申曲线中放电特点巴申曲线中放电特点 2、能、能说明均匀场中气体击穿的两个理论及区别。说明均匀场中气体击穿的两个理论及区别。 3、会说明均匀电场中气隙的击穿特性。、会说明均匀电场中气隙的击穿特性。 带电粒子:带电粒子: 正离子、负离子、电子正离子、负离子、电子 一、带电质点的产生一、带电质点的产生原因:原因:各种各种游离(

2、电离)游离(电离)作用:作用:促进放电发展促进放电发展 l气体原子的气体原子的激发和游离激发和游离( (一一) ) 气隙中带电粒子的产生和消失气隙中带电粒子的产生和消失l带电粒子的运动带电粒子的运动当气体中存在电场时,粒子同时进当气体中存在电场时,粒子同时进行行热运动热运动和和沿电场定向沿电场定向运动。运动。游离(电离)游离(电离):外界以某种方式给处于某一能级轨道上的:外界以某种方式给处于某一能级轨道上的电子施加一定的能量,该电子就可能摆脱原子核的束缚成电子施加一定的能量,该电子就可能摆脱原子核的束缚成为自由电子。为自由电子。 激发:电子向高一能级轨道的跃迁。激发:电子向高一能级轨道的跃迁。

3、 游离能游离能 :产生游离需要的能量。:产生游离需要的能量。 自由行程:一个质点在每两次碰撞自由行程:一个质点在每两次碰撞间自由地通过的距离。间自由地通过的距离。平均自由行程:众多质点自由行程的平均值。平均自由行程:众多质点自由行程的平均值。1 1、碰撞游离、碰撞游离 电子或离子与气体分子碰撞,将电子或离子与气体分子碰撞,将动能动能传递给气体分子引起游传递给气体分子引起游离的过程。离的过程。碰撞游离条件:当电子从电场获得的动能大于或等于气体分碰撞游离条件:当电子从电场获得的动能大于或等于气体分子的游离能时,就可能使气体分子分裂为电子或正离子。子的游离能时,就可能使气体分子分裂为电子或正离子。气

4、体中,电子和离子的自由行程是它们和气体分子发生碰撞的行程。由于电子尺寸和质量比分子小得多,不易发生碰撞,故电子的平均自由行程比离子的大得多,在电场作用下加速运动易积聚足够的动能。Wi为气体分子的游离能为气体分子的游离能2 2、光游离、光游离 由光辐射引起气体分子游离的过程。由光辐射引起气体分子游离的过程。光游离产生的电子称为光游离产生的电子称为光电子光电子。来源:来源:x射线、射线、射线等;射线等;异号带电粒子复合成中性粒子释放出光子;异号带电粒子复合成中性粒子释放出光子;条件:条件:激励态分子回复到正常态释放出光子。激励态分子回复到正常态释放出光子。3 3、热游离、热游离 本质:气体分子热状

5、态引起的碰撞游离和光游离的综合。本质:气体分子热状态引起的碰撞游离和光游离的综合。? 常温下,气体分子发生热游离的概率极小。常温下,气体分子发生热游离的概率极小。当当t10000K时,才需考虑热游离;时,才需考虑热游离; 当当t20000K时,几乎全部的分子都处于热游离状态。时,几乎全部的分子都处于热游离状态。? 以上三种游离发生在气体空间中,故也称为以上三种游离发生在气体空间中,故也称为空间游离。空间游离。4、气体中金属表面游离、气体中金属表面游离含义:含义:形式:形式:金属阴极表面发射电子的过程。金属阴极表面发射电子的过程。正离子碰撞阴极表面;正离子碰撞阴极表面;光电子发射;光电子发射;(

6、X射线、射线、射线、紫外线等)射线、紫外线等) 强场发射;强场发射; 热电子发射;热电子发射;? 气体中主要的游离方式是碰撞游离。气体中主要的游离方式是碰撞游离。气体中主要的游离方式是碰撞游离。气体中主要的游离方式是碰撞游离。? 碰撞游离主要由电子和气体分子碰撞所引起。碰撞游离主要由电子和气体分子碰撞所引起。碰撞游离主要由电子和气体分子碰撞所引起。碰撞游离主要由电子和气体分子碰撞所引起。二、带电质点的消失二、带电质点的消失作用:作用:既促进又阻碍放电的进行既促进又阻碍放电的进行 都以光子的形式放出多余的能量。都以光子的形式放出多余的能量。一定条件下会导致其他气体分子产生光游离,使气体放电一定条

7、件下会导致其他气体分子产生光游离,使气体放电阶跃式发展。阶跃式发展。电子复合和离子复合:电子复合和离子复合:作用:阻碍放电发生作用:阻碍放电发生1 1、复合、复合2 2、扩散、扩散正离子和负离子或电子相遇时,发生电荷的正离子和负离子或电子相遇时,发生电荷的传递而相互中和而还原为分子的过程。传递而相互中和而还原为分子的过程。带电质点从浓度较大区域转移到浓度较小带电质点从浓度较大区域转移到浓度较小区域的现象。区域的现象。 3 3、进入电极、进入电极 作用:阻碍放电发展作用:阻碍放电发展 在外电场作用下,气隙中的正、负电荷在外电场作用下,气隙中的正、负电荷分别向两电极定向移动的现象。分别向两电极定向

8、移动的现象。( (二二) ) 均匀电场中气体击穿的过程均匀电场中气体击穿的过程一、电子崩、非自持放电和自持放电一、电子崩、非自持放电和自持放电气体放电伏安特性气体放电伏安特性 左图表示实验所得平板电极左图表示实验所得平板电极( (均均匀电场匀电场) )气体中的电流气体中的电流I与所加与所加电压电压U的关系,即伏安特性。的关系,即伏安特性。 在曲线在曲线OA段,段,I随随U的提高而增的提高而增大,这是由于电极空间的带电大,这是由于电极空间的带电质点向电极质点向电极运动加速运动加速而导致复而导致复合数的合数的减少减少所致。所致。当电压接近当电压接近Ua时,电流时,电流I0趋向于趋向于饱和值饱和值,

9、因为这时外界,因为这时外界游离因子所产生的带电质点几乎能全部抵达电极,所以游离因子所产生的带电质点几乎能全部抵达电极,所以电流值电流值仅取决于游离因子的强弱而与所加电压无关。仅取决于游离因子的强弱而与所加电压无关。 实验分析实验分析 voa段:电流随电压升高而升高段:电流随电压升高而升高 vab段:电流仅取决于外游离因素与电压无关段:电流仅取决于外游离因素与电压无关 vbs段:电压升高碰撞游离增强但仍靠外游离维持段:电压升高碰撞游离增强但仍靠外游离维持( (非自持非自持) ) vs点后:只靠外加电压就能维持点后:只靠外加电压就能维持( (自持自持) )如果取消外游离因素,电流也将如果取消外游离

10、因素,电流也将消失,这类依靠外游离因素的作消失,这类依靠外游离因素的作用而维持的放电叫用而维持的放电叫非自持放电非自持放电。外施电压到达外施电压到达U0后,后,气隙中游离气隙中游离过程只靠外施电压已能维持,不过程只靠外施电压已能维持,不再需要外游离因素的放电称为再需要外游离因素的放电称为自自持放电持放电,U0称为称为起始放电电压起始放电电压。二、低气压下均匀场自持放电的汤逊理论二、低气压下均匀场自持放电的汤逊理论(一)电子崩(一)电子崩 (a) 电子崩的形成电子崩的形成 (b) 带电离子在电子带电离子在电子崩中的分布崩中的分布外界游离因子在阴极附近产生一外界游离因子在阴极附近产生一个个初始电子

11、初始电子,如果空间电场强度,如果空间电场强度足够大,该电子在向阳极运动时足够大,该电子在向阳极运动时就会引起碰撞游离,产生一个就会引起碰撞游离,产生一个新新的电子的电子,初始电子和新电子继续,初始电子和新电子继续向阳极运动,又会引起新的碰撞向阳极运动,又会引起新的碰撞游离,产生游离,产生更多电子更多电子。依此电子。依此电子将按照将按照几何级数几何级数不断增多,类似不断增多,类似雪崩似地发展,这种急剧增大的雪崩似地发展,这种急剧增大的空间电子流被称为空间电子流被称为电子崩电子崩。(二)电子崩发展到阳极后的新游离(二)电子崩发展到阳极后的新游离电子崩发展到阳极,其崩头的电子进入阳极中和,崩体内电子

12、崩发展到阳极,其崩头的电子进入阳极中和,崩体内的正离子在电场作用下向阴极运动。若气隙上的电压较低,的正离子在电场作用下向阴极运动。若气隙上的电压较低,场强较小,则正离子撞击阴极板时从阴极逸出的电子将全场强较小,则正离子撞击阴极板时从阴极逸出的电子将全部和正离子复合,阴极表面游离不出自由电子。此时若取部和正离子复合,阴极表面游离不出自由电子。此时若取消外界游离因素,气隙中将没有产生新电子崩的电子,放消外界游离因素,气隙中将没有产生新电子崩的电子,放电会停止。电会停止。此即是此即是非自持放电非自持放电。若气隙上的电压达到其临界击穿电压,则由于若气隙上的电压达到其临界击穿电压,则由于正离子正离子的动

13、的动能大,能大,撞击阴极表面撞击阴极表面时就能使其逸出自由电子,此时即使时就能使其逸出自由电子,此时即使取消外界游离因素,阴极表面游离出的电子可弥补原来发取消外界游离因素,阴极表面游离出的电子可弥补原来发展电子崩的那个电子,产生新的电子崩,使放电继续进行展电子崩的那个电子,产生新的电子崩,使放电继续进行下去。下去。此即是此即是自持放电自持放电。自持放电条件:自持放电条件: 物理意义:物理意义: 一个从阴极出发的起始电子发展电子崩到阳极一个从阴极出发的起始电子发展电子崩到阳极后,崩中的后,崩中的 个正离子向阴极碰撞时个正离子向阴极碰撞时,只要至少能从阴极撞击出一个自由电子来,只要至少能从阴极撞击

14、出一个自由电子来,放电就可转入自持。放电就可转入自持。如自持放电条件满足时,会形成下图的闭环部分:如自持放电条件满足时,会形成下图的闭环部分:1. 1. 将将电电子子崩崩的的形形成成过过程程和和阴阴极极上上的的过过程程作作为为气气体体自自持持放放电的决定因素是汤逊理论的基础。电的决定因素是汤逊理论的基础。 2. 2. 汤汤逊逊理理论论的的实实质质是是:电电子子碰碰撞撞游游离离是是气气体体放放电电的的主主要要原原因因,二二次次电电子子来来源源于于正正离离子子撞撞击击阴阴极极表表面面使使阴阴极极表表面面逸出电子,逸出电子是维持气体放电的必要条件。逸出电子,逸出电子是维持气体放电的必要条件。 3.

15、3. 阴阴极极逸逸出出电电子子能能否否接接替替起起始始电电子子的的作作用用是是自自持持放放电电的的判判据。据。总结:总结:(三)巴申定律(三)巴申定律 当气体和电极材料一定时,气隙的击穿电压当气体和电极材料一定时,气隙的击穿电压(Ub)是气压是气压(p)(或气密或气密 )和气隙距离)和气隙距离(d)乘积的函数,即乘积的函数,即Ub= f (pd)。1 1、巴申曲线、巴申曲线 巴申曲线表明,改变巴申曲线表明,改变极间距离极间距离d d的同时,也的同时,也相应改变气压相应改变气压p p而使而使pdpd的乘积不变,则极间的乘积不变,则极间距离不等的气隙击穿距离不等的气隙击穿电压却彼此相等。电压却彼此

16、相等。 2 2、定性分析、定性分析 (1) d一定时:一定时: a、P较小时:较小时:P碰撞次数进一步碰撞次数进一步有效碰撞次数有效碰撞次数Ub ? 由此分析可知由此分析可知:当极间距离:当极间距离d不变时不变时提高气压提高气压或或降低气降低气压到真空压到真空,都可以,都可以提高气隙的击穿电压提高气隙的击穿电压。这一概念具有十。这一概念具有十分重要的实用意义。分重要的实用意义。 工程应用工程应用:压缩空气开关、真空开关等:压缩空气开关、真空开关等(2) P一定一定时时a、d较小时:进一步较小时:进一步d(与(与 差不多)差不多)碰撞次数少碰撞次数少无足够的碰撞次数无足够的碰撞次数Ubb、d较大

17、时:较大时:dE不易游离不易游离Ub意义:减小或增大意义:减小或增大d,都能使击穿电压提高。,都能使击穿电压提高。 P平均自由行程平均自由行程 碰撞次数碰撞次数,不,不易积累足够游离能易积累足够游离能(只碰撞不游离只碰撞不游离)有效碰撞次数有效碰撞次数Ubb、P较大时:较大时:(四)(四)汤逊理论的适用范围汤逊理论的适用范围汤汤逊逊理理论论是是在在低低气气压压pd pd 较较小小条条件件下下建建立立起起来来的的,pd pd 过过大,汤逊理论就不再适用;大,汤逊理论就不再适用; pdpd过大时(气压高、距离大)汤逊理论无法解释:过大时(气压高、距离大)汤逊理论无法解释: v放电时间:很短放电时间

18、:很短 v放电外形:具有分支的细通道放电外形:具有分支的细通道 v击穿电压:与理论计算不一致击穿电压:与理论计算不一致 v阴极材料:无关阴极材料:无关 汤逊理论适用于汤逊理论适用于pd26.66kPapd26.66kPacmcm三、高气压下均匀场自持放电的流注理论三、高气压下均匀场自持放电的流注理论以自然界的雷电为例,它发生在两块雷云之间或雷云与以自然界的雷电为例,它发生在两块雷云之间或雷云与大地之间,这时不存在金属阴极,因而与阴极上的大地之间,这时不存在金属阴极,因而与阴极上的过过程和二次电子发射根本无关。程和二次电子发射根本无关。 气体放电流注理论以实验为基础,考虑了高气压、长气气体放电流

19、注理论以实验为基础,考虑了高气压、长气隙情况下不容忽视的若干因素对气体放电的影响,主要隙情况下不容忽视的若干因素对气体放电的影响,主要有以下方面:有以下方面: 空间电荷对原有电场的影响空间电荷对原有电场的影响 空间光空间光游离游离的作用的作用1 1、空间电荷对原有电场的影响、空间电荷对原有电场的影响电子崩头部聚集大部分正离子和电子崩头部聚集大部分正离子和全部电子,产生了电场畸变;全部电子,产生了电场畸变; 崩头前方和后方处电场增强,崩崩头前方和后方处电场增强,崩头内部正、负电荷交界处出现一头内部正、负电荷交界处出现一弱电场区,此处弱电场区,此处电子和离子浓度电子和离子浓度最大,有利于完成复合;

20、最大,有利于完成复合; 强烈的复合辐射出许多光子,成强烈的复合辐射出许多光子,成为引发新的为引发新的空间光游离空间光游离辐射源。辐射源。电场加强区域(崩头前方附近)电场加强区域(崩头前方附近)利于分子的激发,易放出光子。利于分子的激发,易放出光子。 2 2、空间光游离的作用、空间光游离的作用考虑初始电子崩头部成为辐射源,会向气隙空间各处发射考虑初始电子崩头部成为辐射源,会向气隙空间各处发射光子而引起光游离。光子而引起光游离。 如图所示:如果这时产生的光子如图所示:如果这时产生的光子位于崩头前方和崩尾附近的强场位于崩头前方和崩尾附近的强场强区,则造成的二次电子崩将以强区,则造成的二次电子崩将以更

21、大的游离强度向阳极发展或汇更大的游离强度向阳极发展或汇入崩尾的正离子群中。入崩尾的正离子群中。 这些游离强度和发展速度远大于这些游离强度和发展速度远大于初始电子崩的二次电子崩不断汇初始电子崩的二次电子崩不断汇入初崩通道的过程称为入初崩通道的过程称为流注流注。 流注形成过程示意图流注形成过程示意图3 3、流注的形成和发展示意图、流注的形成和发展示意图a a、起起始始电电子子发发生生碰碰撞撞游游离离形形成成初始电子崩初始电子崩; b b、初初崩崩发发展展到到阳阳极极,正正离离子子作作为为空空间间电电荷荷畸畸变变原原电电场场,加加强强正正离离子子与与阴阴极极间间电电场场,放射出大量放射出大量光子光子

22、; c c、光光游游离离产产生生二二次次电电子子,在在加加强强的的局局部部电电场场作作用用下下形形成成二次崩二次崩;d d、二二次次崩崩电电子子与与正正空空间间电电荷荷汇汇合合成成流流注注通通道道,其其端端部部又又有有二二次次崩崩留留下下的的正正电电荷荷,加加强强局局部部电电场场产产生生新新电电子子崩崩使使其其发展;发展; e e、流流注注头头部部游游离离迅迅速速发发展展,放放射射出出大大量量光光子子,引引起起空空间间光光游游离离,流流注注前前方方出出现现新新的的二二次崩,次崩,延长流注通道延长流注通道; f f、流注通道贯通,气隙、流注通道贯通,气隙击穿击穿。流注发展过程概述流注发展过程概述

23、4 4、形成流注的条件、形成流注的条件电子崩发展到电子崩发展到足够的程度足够的程度后,电子崩中的空间电荷足以使原后,电子崩中的空间电荷足以使原电场电场明显畸变明显畸变,大大加强电子崩崩头和崩尾处的电场;,大大加强电子崩崩头和崩尾处的电场; 电子崩中电荷密度很大,所以复合频繁,放射出的光子在这电子崩中电荷密度很大,所以复合频繁,放射出的光子在这部分很强电场区很容易成为引发新的空间光游离的辐射源,部分很强电场区很容易成为引发新的空间光游离的辐射源,二次电子主要来源于二次电子主要来源于空间光游离空间光游离; 气隙中一旦气隙中一旦形成流注形成流注,放电就可由空间光游离自行维持。,放电就可由空间光游离自

24、行维持。 形成流注的必要条件是:形成流注的必要条件是:初始电子崩(电子崩头部电子数达到一定数量)初始电子崩(电子崩头部电子数达到一定数量)电场畸变电场畸变和加强和加强电子崩头部正负空间电荷复合电子崩头部正负空间电荷复合放射大量光子放射大量光子光光游离游离崩头处二次电子(光电子)崩头处二次电子(光电子)(向正空间电荷区运动(向正空间电荷区运动)碰撞游离)碰撞游离二次电子崩二次电子崩(二次电子崩电子跑到初崩正空(二次电子崩电子跑到初崩正空间电荷区域)流注间电荷区域)流注流注自持放电条件:流注自持放电条件:初初崩崩头头部部电电子子数数要要达达到到108时时,放放电电才才能能转转为为自自持持,出出现现

25、流注。流注。四、均匀场击穿特性四、均匀场击穿特性? (自持)放电击穿(自持)放电击穿 ? 击穿所需时间短击穿所需时间短 ? 在多数情况下在多数情况下d越大,越大,Ub越大越大思考题:思考题:2-2、2-3情境二情境二 极不均匀场中气体的放电过程极不均匀场中气体的放电过程电场的类型:均匀场、稍不均匀场和极不均匀场。电场的类型:均匀场、稍不均匀场和极不均匀场。各种结构的电场不均匀度,用不均匀系数各种结构的电场不均匀度,用不均匀系数f区分,它等于最区分,它等于最大电场强度大电场强度Emax和平均电场强度和平均电场强度Eav的比值。的比值。对于均匀场,一旦自持放电,就意味着击穿,对于均匀场,一旦自持放

26、电,就意味着击穿,f=1;对于稍不均匀场,存在不稳定的电晕放电,一般出现电晕对于稍不均匀场,存在不稳定的电晕放电,一般出现电晕放电,很快就击穿,放电,很快就击穿,f4以上。以上。极不均匀场放电特点:极不均匀场放电特点: 1、电晕放电、电晕放电 2、极性效应、极性效应 一、电晕放电一、电晕放电1、定义:、定义:电场极不均匀时,在大曲率电极附近空间局部场电场极不均匀时,在大曲率电极附近空间局部场强首先达到周围空气发生强烈游离的数值,使其附近很薄一强首先达到周围空气发生强烈游离的数值,使其附近很薄一层空气形成自持放电,产生薄薄的淡紫色发光层。该放电仅层空气形成自持放电,产生薄薄的淡紫色发光层。该放电

27、仅局限在大曲率电极周围很小范围内,而整个气隙尚未击穿,局限在大曲率电极周围很小范围内,而整个气隙尚未击穿,这种现象即为这种现象即为电晕放电电晕放电。刚开始出现电晕时的电压称为刚开始出现电晕时的电压称为电晕起始电压电晕起始电压或或起晕电压起晕电压。电晕放电的起始电压一般用经验电晕放电的起始电压一般用经验公式来推算,流传最广的是公式来推算,流传最广的是皮克皮克公式公式,电晕起始场强近似为:,电晕起始场强近似为: 2、特点:、特点:电晕放电是极不均匀电场特有的自持放电形式,电晕放电是极不均匀电场特有的自持放电形式,电晕起始电压低于击穿电压,电场越不均匀其差值越大。电晕起始电压低于击穿电压,电场越不均

28、匀其差值越大。危害:危害: 电晕放电引起光、声、热等效应使空气发生化学反应,不电晕放电引起光、声、热等效应使空气发生化学反应,不但消耗能量,还产生臭氧和氧化氮等有害气体,腐蚀金具但消耗能量,还产生臭氧和氧化氮等有害气体,腐蚀金具和有机绝缘物。坏天气要比好天气时的电晕损耗大得多。和有机绝缘物。坏天气要比好天气时的电晕损耗大得多。 电晕放电中,由于电子崩和流注不断消失、出现造成的放电晕放电中,由于电子崩和流注不断消失、出现造成的放电脉冲会产生高频电磁波,对无线电和广播产生干扰。电脉冲会产生高频电磁波,对无线电和广播产生干扰。 电晕放电还会产生可闻噪声。电晕放电还会产生可闻噪声。消除方法:消除方法:

29、改进电极形状改进电极形状;减小电极曲率减小电极曲率如电极采用大如电极采用大尺寸球面,尺寸球面, 超高压线路采用分裂、扩径导线等。超高压线路采用分裂、扩径导线等。有利方面:有利方面: 降低输电线上的雷电或操作冲击波的幅值和波前陡度。降低输电线上的雷电或操作冲击波的幅值和波前陡度。 电晕放电还在除尘器、静电喷涂装置、臭氧发生器等工电晕放电还在除尘器、静电喷涂装置、臭氧发生器等工业设施中得到广泛应用。业设施中得到广泛应用。某些场合可改善电场分布。某些场合可改善电场分布。2、分析:、分析:以极不均匀以极不均匀“棒板棒板”气隙电场为例。气隙电场为例。(a) 正尖正尖负板负板电子崩头部的电子到达棒极后即被

30、电子崩头部的电子到达棒极后即被中和,留在棒极附近的为正空间电中和,留在棒极附近的为正空间电荷。这些正离子向阴极移动速度很荷。这些正离子向阴极移动速度很慢,慢,削弱了棒极附近的电场,使棒削弱了棒极附近的电场,使棒极附近难以形成流注,自持放电难极附近难以形成流注,自持放电难以实现,故起晕电压较高。而它们以实现,故起晕电压较高。而它们同时加强了朝向极板的电场,促进同时加强了朝向极板的电场,促进放电向前发展,故击穿电压较低。放电向前发展,故击穿电压较低。二、极性效应二、极性效应电极形状不对称的极不均匀场中,大曲率电极极电极形状不对称的极不均匀场中,大曲率电极极性不同时,间隙击穿电压和起晕电压各不相同。

31、性不同时,间隙击穿电压和起晕电压各不相同。 即:即:Ub-|+Ub+|-1、定义:、定义:(a) 负尖负尖正板正板电子崩将由棒极表面出发向阳极电子崩将由棒极表面出发向阳极板发展,崩头的电子在离开强场板发展,崩头的电子在离开强场(电晕)区后,大多形成负离子(电晕)区后,大多形成负离子且浓度小,对电场影响不大。且浓度小,对电场影响不大。留留在棒极附近是大批正离子,将加在棒极附近是大批正离子,将加强棒极表面附近的电场,容易形强棒极表面附近的电场,容易形成自持放电,所以其起晕电压较成自持放电,所以其起晕电压较低。间隙深处的电场被消弱,使低。间隙深处的电场被消弱,使流注不易向前发展,流注不易向前发展,间

32、隙的击穿间隙的击穿电压要比正极性时高得多。电压要比正极性时高得多。 工工程程实实际际中中,输输电电线线路路外外绝绝缘缘和和高高压压电电器器的的外外绝绝缘缘都都属属于于极不均匀电场分布,在交流电压下的击穿都发生在正半波;极不均匀电场分布,在交流电压下的击穿都发生在正半波; 因此考核绝缘冲击特性时应施加正极性的冲击电压。因此考核绝缘冲击特性时应施加正极性的冲击电压。三、极不均匀场放电特点三、极不均匀场放电特点 无论尖极极性如何,放电总是从尖极开始。无论尖极极性如何,放电总是从尖极开始。 尖极附近总是留下空间电荷尖极附近总是留下空间电荷 存在极性效应:存在极性效应:Ub-|+ Ub+|- 思考题思考

33、题补充题:补充题:补充题:补充题:棒棒棒、球棒、球球电场是否有极性效应?球电场是否有极性效应?1、字体安装与、字体安装与设置置如果您对PPT模板中的字体风格不满意,可进行批量替换,一次性更改各页面字体。1.在“开始”选项卡中,点击“替换”按钮右侧箭头,选择“替换字体”。(如下图)2.在图“替换”下拉列表中选择要更改字体。(如下图)3.在“替换为”下拉列表中选择替换字体。4.点击“替换”按钮,完成。332、替、替换模板中的模板中的图片片模板中的图片展示页面,您可以根据需要替换这些图片,下面介绍两种替换方法。方法一:更改图片方法一:更改图片1.选中模版中的图片(有些图片与其他对象进行了组合,选择时一定要选中图片 本身,而不是组合)。2.单击鼠标右键,选择“更改图片”,选择要替换的图片。(如下图)注意:注意:为防止替换图片发生变形,请使用与原图长宽比例相同的图片。33赠送精美图标

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