高精度CMOS峰值保持电路设计

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1、高精度CMOS峰值保持电路设计2010年年 8月月17日日中国科学院高能物理研究所中国科学院高能物理研究所中国科学院中国科学院“核探核探测技技术与核与核电子学子学”重点重点实验室室吕继方方主要结构“写”状态: 开关S3, S4 及 S5 打开 ,开关S1 和 S2 闭合。 “读”状态: 开关 S1 和S2 打开, 开关 S3,S4 及 S5 闭合。两种工作状态(a)“写”状态在“写”状态时,M0导通,M0和M1构成的电流镜有电流流过,该电流对保持电容Ch进行充电,电容Ch上电压追踪输入电压变化,当输入电压达到最大值时,开始下降,而保持电容Ch上的电压跟踪到输入电压达到最大值后,由于没有泄放通路

2、,而保持不变。此时放大器输出电压迅速变大,当放大器输出电压Vg大于参考电压Vref时,比较器发生翻转,从而使D触发器发生翻转,控制开关 S1 和S2 打开, 开关 S3,S4 及 S5 闭合。 (b)“读”状态开关S5闭合,可以保证电流镜完全不工作,没有电流通过M1流进保持电容上,减少对检测到的峰值电压Vh的影响。在“读”状态,放大器连接成单位增益形式,将峰值电压进行读出。当每次“写”状态和“读”状态完成后,reset开关闭合,使保持电容上电压等于VB(VB的大小我们一般设置为输入信号的基线电压值),使电路reset,为下次信号到来做准备。 两种工作状态的误差分析(a)“写”状态(b)“读”状

3、态仅仅与Ao有关!该电路主要特点由于“写”状态与“读”状态共用一个放大器,因此可以消除放大器自身的OFFSET引起的误差。不受common-mode errors的影响较强的驱动能力放大器的设计为了减少寄生电容的影响,输入管应选择较小,而它们不匹配引起的影响可以忽略。增益为48.8DB单位增益带宽为70M。电流镜管子大小的选择M1管的尺寸需要越小越好,从而减小对输出精度的影响。M0管与电路在“写”状态时环路的稳定性有关。通过分析可以推算出 比较器的设计锁存器自偏置差分放大器输出驱动级前置放大器比较器仿真波形版图设计面积:1280um*1280um 工艺:chrt0.35um CMOS 电源电压:3.3V一个通道的功耗:小于1mW偏置电路一通道二通道三通道四通道后仿真结果谢 谢!

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