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1、半导体制程概论07目標列出至少三種使用電漿的IC製程列出電漿中重要的三種碰撞描述平均自由徑解釋電漿在蝕刻和化學氣相沉積製程的好處說出至少兩種高密度電漿系統Hong Xiao, Ph. D.2www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm電漿的成分電漿是由中性原子或分子、負電(電子)和正電(離子)所構成準-中性: ni ne游離率: h ne/(ne + nn)Hong Xiao, Ph. D.6www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm游離率游離率主要受電漿中的電子能量決定大部分電漿製程反應室，電漿的游離率小於0.001%.高密度
2、電漿(HDP)源的有較高的游離率, 約 1%太陽核心的游離率約100%.Hong Xiao, Ph. D.7www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm中性氣體密度理想氣體1 摩爾 = 22.4 升 = 2.24104 cm31 摩爾 = 6.62 1023 個分子 大氣壓下的氣體密度是2.961019 cm3托的氣體密度是 3.891016 cm3毫托的氣體密度是 3.891013 cm3射頻電漿原有非常低的游離率Hong Xiao, Ph. D.8www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm平行板電漿系統電漿射頻功率暗區或鞘層
3、電極至真空幫浦Hong Xiao, Ph. D.9www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm電漿的產生需要借助外界的能量射頻 (RF) 電能是最常使用的電源產生一個穩定的射頻電漿需要真空系統Hong Xiao, Ph. D.10www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm離子化e- + AA+ + 2 e-游離碰撞產生電子和離子維持電漿的穩定電子和中性原子或分子碰撞把軌道電子敲離核的束縛Hong Xiao, Ph. D.11www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm離子化的說明自由電子入射撞擊軌
4、道電子兩個自由電子軌道電子原子核原子核Hong Xiao, Ph. D.12www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm激發鬆弛e- + AA* + e-A* A + hn (光)不同的原子/分子有不同的頻率,也就是為什麼不同的氣體會發出不同的顏色. 偵測電漿的發光變化來決定蝕刻和化學氣相沉積反應室清潔步驟的終端點(endpoint)Hong Xiao, Ph. D.13www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm激發碰撞入射撞擊電子基態電子激態電子原子核原子核撞擊電子Hong Xiao, Ph. D.14www2.austin.
5、cc.tx.us/HongXiao/Book.htm鬆弛基態hnhnh: 蒲朗克常數n: 光的頻率激態Hong Xiao, Ph. D.15www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm分解電子和分子碰撞，可以打斷化學鍵並產生自由基: e- + AB A + B + e-自由基至少有一個未成對電子，化學上是容易起反應的. 增加化學反應速率對蝕刻和化學氣相沉積製程非常重要Hong Xiao, Ph. D.16www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm分解ABe-Be-A分子自由基Hong Xiao, Ph. D.17www2.aus
6、tin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm電漿蝕刻氧化物蝕刻製程，在電漿中使用CF4 產生氟(F)的自由基e + CF4 CF3 + F + e4F + SiO2 SiF4 + 2O增進蝕刻製程的化學反應Hong Xiao, Ph. D.18www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm電漿增進化學氣相沉積化學反應PECVD氧化物的製程用矽烷和 NO2 (笑氣)e + SiH4 SiH2 + 2H + ee + N2O N2 + O + eSiH2 + 3O SiO2 + H2O 電漿增進化學反應在相對低溫下，PECVD可達高的沉積速率Hong
7、Xiao, Ph. D.19www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm問與答為何在銅和鋁的濺鍍製程中，分解碰撞並不重要?鋁和銅的濺鍍製程中僅使用惰性氣體氬氣。和其他氣體不同的是，惰性氣體是以原子而非分子的形式存在，因此在氬氣電漿中並不會產生分解碰撞Hong Xiao, Ph. D.20www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm問與答在PVD製程中有分解碰撞嗎?有，在氮化鈦(TiN)的沉積中，會用到氬氣(Ar)和氮氣(N2)。在電漿中，氮氣會被分解而產生自由基N，而自由基N又會和鈦產生反應而在鈦靶表面形成氮化鈦，Ar+離子則會把
8、氮化鈦分子從鈦靶表面濺射出來而使之沉積在晶圓表面Hong Xiao, Ph. D.21www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm表7.1 矽烷的分解Hong Xiao, Ph. D.22www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm問與答表7.1中哪種碰撞最有可能發生?為什麼?需要最少能量的碰撞便是最有可能發生的碰撞Hong Xiao, Ph. D.23www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm平均自由路徑 (MFP)粒子和粒子碰撞前能夠移動的平均距離.N是粒子的密度s 是粒子的碰撞截面Hong
9、Xiao, Ph. D.24www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm平均自由路徑說明大粒子小粒子大粒子小粒子(a)(b)Hong Xiao, Ph. D.25www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm平均自由路徑 (MFP)壓力的影響壓力越高, 平均自由路徑越短壓力越低, 平均自由路徑越長Hong Xiao, Ph. D.26www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm問與答為何需要用到一個真空反應室來產生穩定的電漿?電子在大氣壓 (760 托)的狀態下的平均自由路徑很短，電子很難去獲取足夠的
10、能量使氣體離子化.在一個極度強大的電場下，電漿會形成弧光(arcing,像是閃電一樣)的型態，而非穩定的輝光放電 (glow discharge)Hong Xiao, Ph. D.27www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm帶電粒子的移動電子質量遠小於離子me mime:mH =1:1836電子和離子具相同的電力F = qE電子有較高的加速度a = F/mHong Xiao, Ph. D.28www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm帶電粒子的移動射頻電場變化的非常快，電子可以快速的加速且開始碰撞，離子太重無法立即對交流的電
11、場作出反應由於離子的碰撞截面較大所以有較多的碰撞，也因此減緩離子的運動速度在電漿中電子移動的較離子快很多Hong Xiao, Ph. D.29www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm熱速度電子熱速度v = (kTe/me)1/2射頻電漿, Te 約 2 eVve 5.93107 cm/sec = 1.33107 mphHong Xiao, Ph. D.30www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm磁力和螺旋運動磁力作用在一個帶電粒子上:F = qvB磁力總是垂直粒子的速度帶電粒子沿著磁場線螺旋狀旋繞. 螺旋運動(Gyro-m
12、otion)Hong Xiao, Ph. D.31www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm螺旋運動帶電粒子軌跡磁力線Hong Xiao, Ph. D.32www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm螺旋轉動頻率磁場中的帶電粒子作螺旋運動環繞磁場線的頻率Hong Xiao, Ph. D.33www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm螺旋轉動半徑在磁場中帶電粒子的迴旋半徑, r, 可以下式表示:r = v/W Hong Xiao, Ph. D.34www2.austin.cc.tx.us/Hong
13、Xiao/Book.htm能量能量, Ef(E)2 - 3 eV具有足夠離子化能量的電子波茲曼分佈Hong Xiao, Ph. D.35www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm離子轟擊離子轟擊當電漿製程開始後，任何接近電漿的東西都會產生離子轟擊對於濺鍍、蝕刻和電漿增強式化學氣相沉積非常重要主要受射頻功率供給影響壓力也會影響轟擊Hong Xiao, Ph. D.36www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm離子轟擊離子轟擊電子移動比離子快很多電子首先到達電極和反應室牆邊電極帶負電，排斥電子，吸引離子. 鞘極(sheath) 電
14、位差會加速離子朝向電極移動，並造成離子轟擊. 離子轟擊對濺鍍、蝕刻和電漿增強式化學氣相沉積非常重要.Hong Xiao, Ph. D.37www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm鞘層電位+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+鞘層區VpVfx暗區巨體電漿鞘層電位電極Hong Xiao, Ph. D.38www2.austin.cc.tx.us/Ho
15、ngXiao/Book.htm離子轟擊的應用幫助如何到達非等向性蝕刻輪廓損傷機制阻絕機制氬濺鍍縫補縫隙的介電質蝕刻金屬沉積幫助控制PECVD製程中薄膜的應力較重的離子轟擊，薄膜受到的壓應力越大Hong Xiao, Ph. D.39www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm直流偏壓和射頻功率的關係時間電壓(伏特)直流偏壓射頻電位電漿電位Hong Xiao, Ph. D.40www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm直流偏壓和射頻功率0時間電漿電位0時間電漿電位直流偏壓射頻電位直流偏壓較低的射頻功率 較小的直流偏壓 較高的射頻功率
16、 較大的直流偏壓Hong Xiao, Ph. D.41www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm離子轟擊離子能量離子密度兩者受射頻功率控制Hong Xiao, Ph. D.42www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm離子轟擊控制增加射頻功率、增加直流偏壓，則離子密度也增加.離子密度和離子轟擊能量都受射頻功率控制.射頻功率是控制離子轟擊最重要的把手射頻功率也用來做為增強式化學氣相沉積製程薄膜應力的控制Hong Xiao, Ph. D.43www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm化學氣相沉積反
17、應室電漿的直流偏壓Vp = 10 20 V射頻熱電極接地電極暗區或鞘層區域Hong Xiao, Ph. D.44www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm蝕刻反應室電漿的直流偏壓直流偏壓0時間晶圓電位電漿電位自我偏壓Hong Xiao, Ph. D.45www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm蝕刻反應室電漿的直流偏壓V2A2A1V1/V2 =(A2/A1)V1 = 200 到 1000 V4直流偏壓 V1Hong Xiao, Ph. D.46www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm問與答如
18、果電擊的面積比例為1:3，試問直流偏壓和自我偏壓之間的差值為何?直流偏壓是 V1, 自我偏壓是 V1 - V2, 因此,他們的差值是V1 - (V1 - V2)/V1 = V2/V1 = (A1/A2)4 = (1/3)4 = 1/81 = 1.23%Hong Xiao, Ph. D.47www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm問與答我們是否可以在電漿中插入金屬探針來測量電漿電位V2?可以，但是當探針靠近電漿時，它會受到電子快速移動的影響而帶負電，並在其表面和巨體電漿間形成鞘層電位。因此測量的結果端視於鞘層電位的理論模式，但是這理論模式至今尚未完全發展完備H
19、ong Xiao, Ph. D.48www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm離子轟擊和電極尺寸越小的電極就會有較大的鞘層電壓，因此能產生較高能量的離子轟擊大多數的蝕刻反應室將晶圓放在較小的射頻熱電極Hong Xiao, Ph. D.49www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm使用電漿的優點IC生產線的電漿製程:電漿增強式化學氣相沉積化學氣相沉積反應室的乾式清洗電漿蝕刻物理氣相沉積離子佈植Hong Xiao, Ph. D.50www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm化學氣相沉積製程使用電漿
20、的好處相對較低的溫度有較高的沉積速率.獨立的薄膜應力控制反應室乾式清洗Hong Xiao, Ph. D.51www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htmPECVD 和 LPCVD的比較Hong Xiao, Ph. D.52www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm高密度電漿化學氣相沉積間隙填充同時沉積和濺鍍間隙的開口逐漸變細金屬線之間的間隙從底部填充上來Hong Xiao, Ph. D.53www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm0.25 mm, A/R 4:1高密度電漿CVD無空洞的間隙填充
21、Hong Xiao, Ph. D.54www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm蝕刻製程使用電漿的好處高蝕刻速率非等向性蝕刻輪廓光學式終端點偵測減少化學藥品的使用和廢棄物的處理Hong Xiao, Ph. D.55www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm物理氣相沉積製程使用電漿的好處氬氣濺射薄膜品質較高不純度低和較高的導電係數較好的均勻性較好的製程控制製程整合能力較高. 較容易沉積金屬合金薄膜Hong Xiao, Ph. D.56www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htmPECVD 和電漿蝕
22、刻反應室CVD: 添加材料到晶圓的表面自由基為了應力控制的一些離子轟擊蝕刻: 將材料由晶圓表面移除自由基激烈的的離子轟擊喜低壓，較好的離子定向性Hong Xiao, Ph. D.57www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htmPECVD反應室離子轟擊控制薄膜的應力晶圓放在接地電極射頻熱電極和接地電極兩者有相同的面積非常小的自我偏壓離子轟擊能量大約10 20 eV, 主要是由射頻功率大小決定Hong Xiao, Ph. D.58www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htmPECVD反應室的示意圖電漿吸盤RF晶圓Hong Xiao,
23、Ph. D.59www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm電漿蝕刻反應室離子轟擊移除晶圓表面材料打斷化學鍵晶圓所在的電及面積較小自我偏壓離子轟擊能量晶圓上 (射頻熱電極): 200 1000 eV反應室蓋子 (接地電極): 10 20 eV. Hong Xiao, Ph. D.60www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm電漿蝕刻反應室激烈的離子轟擊產生熱能需要控制溫度以保護做為圖案光罩的光阻水冷式晶圓冷卻台(夾盤, 陰極)低壓不利於從晶圓轉移熱能到夾盤需要把氦氣注入晶圓的背面夾環或靜電夾盤 (E-夾盤)抓住晶圓Hong Xi
24、ao, Ph. D.61www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm電漿蝕刻反應室蝕刻在低壓下進行較長的平均自由路徑,較多的離子能量和較少的濺鍍低壓, 長平均自由路徑,較少離子化碰撞很難產生和支撐電漿磁極用來強迫電子以螺旋路徑移動去增加碰撞的機會Hong Xiao, Ph. D.62www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm電漿蝕刻反應室示意圖製程氣體電漿製程反應室副產品被真空幫浦抽走夾盤射頻功率 晶圓背端用氦氣冷卻 磁場線圈晶圓Hong Xiao, Ph. D.63www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/B
25、ook.htm遙控電漿製程需要自由基 增強化學反應 避開離子轟擊避免電漿誘生傷害遙控電漿系統因此應運而生Hong Xiao, Ph. D.64www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm製程氣體電漿微波或射頻功率製程反應室副產品被真空幫浦抽走遙控電漿反應室自由基加熱板遙控電漿系統Hong Xiao, Ph. D.65www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm光阻剝除蝕刻後立即移除光阻O2 和 H2O 的化學可以整合到蝕刻系統臨場蝕刻和光阻剝除同時改善生產率和良率Hong Xiao, Ph. D.66www2.austin.cc.
26、tx.us/HongXiao/Book.htm光阻剝除製程H2O, O2電漿OO H微波製程反應室H2O, CO2, 至真空幫浦遙控電漿反應室OOOHH表面有光阻的晶圓加熱板Hong Xiao, Ph. D.67www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm遙控電漿蝕刻應用: 等向性蝕刻製程:係的局部氧化或淺溝槽絕緣氮化物剝除酒杯狀接觸窗孔蝕刻可以整合再電漿蝕刻系統改善生產率部分往取代濕式蝕刻製程努力Hong Xiao, Ph. D.68www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htmNF3電漿FFFFN2N2F微波製程反應室N2, S
27、iF4, 至真空幫浦遙控電漿反應室加熱板晶圓遙控電漿蝕刻系統Hong Xiao, Ph. D.69www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm遙控電漿清潔法沉積不只發生在晶圓表面CVD反應室需要例行清潔避免薄膜破裂的粒子污染物電漿清潔一般使用氟碳化合物的氣體離子轟擊影響零件的壽命氟碳化合物的分解率低環保人士很在意氟碳化合物的釋出Hong Xiao, Ph. D.70www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm遙控電漿清潔法微波高密度電漿 自由基流入CVD反應室和沉積薄膜反應並且移除清潔反應室緩和的製程, 延長零件的壽命高分解,少量
28、氟碳化合物釋出Hong Xiao, Ph. D.71www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htmNF3電漿FFFFN2N2F微波CVD 反應室N2, SiF4, 至真空幫浦遙控電漿反應室加熱板遙控電漿清潔法示意圖Hong Xiao, Ph. D.72www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm遙控電漿 CVD (RPCVD)磊晶矽鍺(Si-Ge)材料為高速雙載子互補型金氧半電晶體仍在研發中匣極介電質: SiO2, SiON, 和 Si3N4高介電常數(k) : HfO2, TiO2, 和 Ta2O5 PMD 氮化物阻擋層LPCVD
29、: 熱積存的限制PECVD: 限制電漿誘發損傷Hong Xiao, Ph. D.73www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm高密度電漿(HDP)能在低壓下產生高密度電漿是最大的希望低壓有較長的平均自由路徑，較少的離子濺鍍，增進蝕刻輪廓的控制. 密度越高, 離子和自由基也越多增進化學反應增加離子轟擊對CVD 製程, HDP在臨場,同步沉積/回蝕/沉積時增進間隙填充能力Hong Xiao, Ph. D.74www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm平行平板電漿源的限制電容耦合型電漿源無法產生高密度電漿在低壓下即使在磁場中，要產生
30、電漿仍然很難, 約幾毫托(mTorr)電子的平均自由路徑太長,無法形成足夠的離子化碰撞Hong Xiao, Ph. D.75www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm平行平板電漿源的限制不能單獨控制離子束流和離子能量兩者直接與射頻功率相關較佳的製程控制需要一個可以單獨控制離子通量和離子能量的電漿源Hong Xiao, Ph. D.76www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm感應耦合型電漿(ICP)和電子迴旋共振(ECR)在IC工業上最常使用感應耦合型電漿, ICP 亦稱作變壓器耦合電漿源,TCP電子迴旋共振, ECR ICP
31、可以在低壓的狀態(幾個毫托)製造高密度電漿可以單獨控制離子束流和離子能量Hong Xiao, Ph. D.77www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm感應耦合型電漿(ICP)射頻電流通過線圈時，經由感應耦合會產生一個隨時間變化的電場迴旋型電場使電子加速也是往迴旋方向加速. 電子因迴旋而能移動很長的距離而不會撞到反應室牆壁或電極. 離子化碰撞能在低壓狀態產生高密度電漿Hong Xiao, Ph. D.78www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm感應耦合型電漿(ICP)偏壓射頻功率控制離子轟擊能量射頻功率來源控制離子束流必須有
32、一個背面氦氣冷卻系統和靜電夾盤( E-chuck)來控制晶圓溫度Hong Xiao, Ph. D.79www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm感應耦合原理示意圖線圈中射頻電流 射頻磁場 感應電場Hong Xiao, Ph. D.80www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htmICP反應室示意圖氦氣射頻偏壓 晶圓靜電夾盤電漿感應線圈射頻功率源 反應室主體陶瓷蓋Hong Xiao, Ph. D.81www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htmICP的應用介電質化學氣相沉積 所有的圖案蝕刻製程金屬沉積
33、之前的濺鍍清洗金屬電漿物理氣相沉積電漿浸置型離子佈植Hong Xiao, Ph. D.82www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm電子迴旋共振(ECR)螺旋轉動頻率(Gyro-frequency)或迴旋頻率(cyclotron frequency):由磁場強度決定Hong Xiao, Ph. D.83www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm電子迴旋共振(ECR)當wMW = We時，產生電子迴旋共振電子從微波中取得能量具能量的電子和原子或分子碰撞離子化碰撞產生更多的電子電子沿著磁場線螺旋轉進即使在非常低的壓力也有許多的碰撞
34、Hong Xiao, Ph. D.84www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm電子迴旋共振(ECR)電子軌跡B微波Hong Xiao, Ph. D.85www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm氦氣射頻偏壓 磁力線微波磁場線圈ECR 電漿晶圓靜電夾盤電子迴旋共振(ECR)Hong Xiao, Ph. D.86www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm電子迴旋共振(ECR)射頻偏壓功率控制離子轟擊能量微波功率控制離子束流磁場線圈控制電漿位置和製程的均勻性背面要有一個具有靜電夾盤(E-chuck
35、)的氦氣冷卻系統來控制晶圓溫度Hong Xiao, Ph. D.87www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htmECR的應用介電質化學氣相沉積所有的圖案蝕刻製程電漿浸置型離子佈植Hong Xiao, Ph. D.88www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm概要電漿是n = n+的游離氣體電漿由中性原子(n),電子(e),和離子(i) 組成離子化、激發鬆弛和分解離子轟擊幫助蝕刻率的增加和達到非等向性蝕刻光的放射可以使用來做為蝕刻終端點平均自由路徑和壓力有關電漿的離子總是轟擊電極Hong Xiao, Ph. D.89www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm概要電容耦合型電漿，增加射頻功率同時增加離子束流和離子能量低頻射頻功率提供離子更多的能量，引起較激烈的離子轟擊蝕刻製程比PECVD需要更多的離子轟擊低壓下產生高密度電漿源是希望達到的目標ICP和ECR是兩種用在IC製造的高密度電漿系統Hong Xiao, Ph. D.90www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm
