轮机员培训教案电子器件及电路课件

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1、下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页电子器件及电路电子器件及电路天津理工大学海运学院2013.4下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页一、一、半导体、半导体、PNPN结的概念结的概念1. 1.半导体的导电特性：半导体的导电特性：半导体的导电特性：半导体的导电特性：( ( ( (可做成温度敏感元件，如热敏电阻可做成温度敏感元件，如热敏电阻可做成温度敏感元件，如热敏电阻可做成温度敏感元件，如热敏电阻) ) ) )。掺杂性掺杂性掺杂性掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电往纯净的半导体中

2、掺入某些杂质，导电 能力明显改变能力明显改变能力明显改变能力明显改变( ( ( (可做成各种不同用途的半导可做成各种不同用途的半导可做成各种不同用途的半导可做成各种不同用途的半导 体器件，如二极管、三极管和晶闸管等）。体器件，如二极管、三极管和晶闸管等）。体器件，如二极管、三极管和晶闸管等）。体器件，如二极管、三极管和晶闸管等）。光敏性：光敏性：光敏性：光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化当受到光照时，导电能力明显变化当受到光照时，导电能力明显变化当受到光照时，导电能力明显变化 ( ( ( (可做可做可做可做 成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极成各种光敏

3、元件，如光敏电阻、光敏二极成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极 管、光敏三极管等管、光敏三极管等管、光敏三极管等管、光敏三极管等) ) ) )。热敏性：热敏性：热敏性：热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强当环境温度升高时，导电能力显著增强当环境温度升高时，导电能力显著增强当环境温度升高时，导电能力显著增强下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页本征半导体本征半导体 完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征半导体。半导体。半导体。半导体。晶体中原

4、子的排列方式晶体中原子的排列方式晶体中原子的排列方式晶体中原子的排列方式硅单晶中的共价健结构硅单晶中的共价健结构硅单晶中的共价健结构硅单晶中的共价健结构共价健共价健共价键中的两个电子，称为共价键中的两个电子，称为共价键中的两个电子，称为共价键中的两个电子，称为价电子价电子价电子价电子。 Si Si Si Si价电子价电子下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页 Si Si Si Si价电子价电子 价电子在获得一定能量价电子在获得一定能量价电子在获得一定能量价电子在获得一定能量（温度升高或受光照）后，（温度升高或受光照）后，（温度升高或受光照）后，（温度升高或受光照）后，即可挣

5、脱原子核的束缚，即可挣脱原子核的束缚，即可挣脱原子核的束缚，即可挣脱原子核的束缚，成为成为成为成为自由电子自由电子自由电子自由电子（带负电），（带负电），（带负电），（带负电），同时共价键中留下一个空同时共价键中留下一个空同时共价键中留下一个空同时共价键中留下一个空位，称为位，称为位，称为位，称为空穴空穴空穴空穴（带正电）（带正电）（带正电）（带正电）。本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理这一现象称为本征激发。这一现象称为本征激发。空穴空穴 温度愈高，晶体中产温度愈高，晶体中产温度愈高，晶体中产温度愈高，晶体中产生的自由电子便愈多。生的自由电子便愈多

6、。生的自由电子便愈多。生的自由电子便愈多。自由电子自由电子 在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子来填补，而在该原子中出现一个空穴，其结果相当来填补，而在该原子中出现一个空穴，其结果相当来填补，而在该原子中出现一个空穴，其结果相当来填补，而在该原子中出现一个空穴，其结果相当于空穴的运动（相当于正电荷的移动）。于空穴的运动（相当于正电荷的移动）。于空穴的运动（相当于正电荷的移动）。于空穴的运动（相当于正电荷的移动）。下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页

7、上一页本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理 当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现两部分电流两部分电流两部分电流两部分电流 (1)(1)自由电子作定向运动自由电子作定向运动自由电子作定向运动自由电子作定向运动 电子电流电子电流电子电流电子电流 (2)(2)价电子递补空穴价电子递补空穴价电子递补空穴价电子递补空穴 空穴电流空穴电流空穴电流空穴电流注意：注意：注意：注意： (1) (1) 本征半导体中载流子数目极少本征半导体中

8、载流子数目极少本征半导体中载流子数目极少本征半导体中载流子数目极少, , 其导电性能很差；其导电性能很差；其导电性能很差；其导电性能很差； (2) (2) 温度愈高，温度愈高，温度愈高，温度愈高， 载流子的数目愈多载流子的数目愈多载流子的数目愈多载流子的数目愈多, ,半导体的导电性半导体的导电性半导体的导电性半导体的导电性能也就愈好。能也就愈好。能也就愈好。能也就愈好。所以，温度对半导体器件性能影响很大。所以，温度对半导体器件性能影响很大。所以，温度对半导体器件性能影响很大。所以，温度对半导体器件性能影响很大。自由电子和自由电子和自由电子和自由电子和空穴都称为载流子。空穴都称为载流子。空穴都称

9、为载流子。空穴都称为载流子。 自由电子和自由电子和自由电子和自由电子和空穴成对地产生的同时，又不断复合。空穴成对地产生的同时，又不断复合。空穴成对地产生的同时，又不断复合。空穴成对地产生的同时，又不断复合。在一定温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡，在一定温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡，在一定温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡，在一定温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡，半导体中载流子便维持一定的数目。半导体中载流子便维持一定的数目。半导体中载流子便维持一定的数目。半导体中载流子便维持一定的数目。下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页N型半导体型半导体 掺杂

10、后自由电子数目掺杂后自由电子数目掺杂后自由电子数目掺杂后自由电子数目大量增加，自由电子导电大量增加，自由电子导电大量增加，自由电子导电大量增加，自由电子导电成为这种半导体的主要导成为这种半导体的主要导成为这种半导体的主要导成为这种半导体的主要导电方式，称为电子半导体电方式，称为电子半导体电方式，称为电子半导体电方式，称为电子半导体或或或或N N型半导体。型半导体。型半导体。型半导体。掺入五价元素掺入五价元素掺入五价元素掺入五价元素 Si Si Si Sip+多余多余电子电子磷原子磷原子在常温下即可在常温下即可变为自由电子变为自由电子失去一个失去一个电子变为电子变为正离子正离子 在本征半导体中掺

11、入微量的杂质（某种元素）在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素）在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素）在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素）, ,形成杂质半导体。形成杂质半导体。形成杂质半导体。形成杂质半导体。 在在在在N N 型半导体中型半导体中型半导体中型半导体中自由电子是自由电子是自由电子是自由电子是多数载流子，空穴是少数载流多数载流子，空穴是少数载流多数载流子，空穴是少数载流多数载流子，空穴是少数载流子。子。子。子。动画动画下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页P 型半导体型半导体 掺杂后空穴数目大量掺杂后空穴数目大量掺杂后空穴数目大量掺杂后空穴数目大量增加，空

12、穴导电成为这增加，空穴导电成为这增加，空穴导电成为这增加，空穴导电成为这种半导体的主要导电方种半导体的主要导电方种半导体的主要导电方种半导体的主要导电方式，称为空穴半导体或式，称为空穴半导体或式，称为空穴半导体或式，称为空穴半导体或 P P型半导体。型半导体。型半导体。型半导体。掺入三价元素掺入三价元素掺入三价元素掺入三价元素 Si Si Si Si 在在在在 P P 型半导体中型半导体中型半导体中型半导体中空穴是多空穴是多空穴是多空穴是多数载流子，自由电子是少数载数载流子，自由电子是少数载数载流子，自由电子是少数载数载流子，自由电子是少数载流子。流子。流子。流子。B硼原子硼原子接受一个接受一

13、个接受一个接受一个电子变为电子变为电子变为电子变为负离子负离子负离子负离子空穴空穴无论无论无论无论N N型或型或型或型或P P型半导体都是中性的，对外不显电性。型半导体都是中性的，对外不显电性。型半导体都是中性的，对外不显电性。型半导体都是中性的，对外不显电性。下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页2. PN结的单向导电性结的单向导电性PNPN结的形成结的形成多子的扩散运动多子的扩散运动内电场内电场少子的漂移运动少子的漂移运动浓度差浓度差P P 型半导体型半导体型半导体型半导体N N 型半导体型半导体型半导体型半导体 内电场越强，漂移运内电场越强，漂移运内电场越强，漂移运内

14、电场越强，漂移运动越强，而漂移使空间动越强，而漂移使空间动越强，而漂移使空间动越强，而漂移使空间电荷区变薄。电荷区变薄。电荷区变薄。电荷区变薄。 扩散的结果使扩散的结果使空间电荷区变宽。空间电荷区变宽。空间电荷区也称空间电荷区也称 PN 结结 扩散和漂移扩散和漂移扩散和漂移扩散和漂移这一对相反的这一对相反的这一对相反的这一对相反的运动最终达到运动最终达到运动最终达到运动最终达到动态平衡，空动态平衡，空动态平衡，空动态平衡，空间电荷区的厚间电荷区的厚间电荷区的厚间电荷区的厚度固定不变。度固定不变。度固定不变。度固定不变。+动画动画形成空间电荷区形成空间电荷区下一页下一页总目录总目录 章目录章目录

15、返回返回上一页上一页PN结的单向导电性结的单向导电性 1. PN 1. PN 结加正向电压结加正向电压结加正向电压结加正向电压（正向偏置）（正向偏置）（正向偏置）（正向偏置）PN 结变窄结变窄 P接正、接正、N接负接负 外电场外电场IF 内电场被内电场被内电场被内电场被削弱，多子削弱，多子削弱，多子削弱，多子的扩散加强，的扩散加强，的扩散加强，的扩散加强，形成较大的形成较大的形成较大的形成较大的扩散电流。扩散电流。扩散电流。扩散电流。 PN PN 结加正向电压时，结加正向电压时，结加正向电压时，结加正向电压时，PNPN结变窄，正向电流较结变窄，正向电流较结变窄，正向电流较结变窄，正向电流较大，

16、正向电阻较小，大，正向电阻较小，大，正向电阻较小，大，正向电阻较小，PNPN结处于导通状态。结处于导通状态。结处于导通状态。结处于导通状态。内电场内电场PN+动画动画+下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页2. PN 2. PN 结加反向电压结加反向电压结加反向电压结加反向电压（反向偏置）（反向偏置）（反向偏置）（反向偏置）外电场外电场外电场外电场 P P接负、接负、接负、接负、N N接正接正接正接正 内电场内电场内电场内电场P PN N+ + + + + + + + + + + + + + + + + + +动画动画+下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上

17、一页PN PN 结变宽结变宽结变宽结变宽2. PN 2. PN 结加反向电压结加反向电压结加反向电压结加反向电压（反向偏置）（反向偏置）（反向偏置）（反向偏置）外电场外电场外电场外电场 内电场被加内电场被加强，少子的漂强，少子的漂移加强，由于移加强，由于少子数量很少，少子数量很少，形成很小的反形成很小的反向电流。向电流。IR P P接负、接负、接负、接负、N N接正接正接正接正 温度越高少子的数目越多，反向电流将随温度增加。温度越高少子的数目越多，反向电流将随温度增加。温度越高少子的数目越多，反向电流将随温度增加。温度越高少子的数目越多，反向电流将随温度增加。动画动画+ PN PN 结加反向电

18、压时，结加反向电压时，结加反向电压时，结加反向电压时，PNPN结变宽，反向电流较小，结变宽，反向电流较小，结变宽，反向电流较小，结变宽，反向电流较小，反向电阻较大，反向电阻较大，反向电阻较大，反向电阻较大，PNPN结处于截止状态。结处于截止状态。结处于截止状态。结处于截止状态。内电场内电场内电场内电场P PN N+ + + + + + + + + + + + + + + + + + +下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页二、二、二极管的基本特性二极管的基本特性1.二极管的构成与伏安特性二极管的构成与伏安特性(a) (a) 点接触型点接触型点接触型点接触型(b)(b)面接触

19、型面接触型面接触型面接触型 结面积小、结面积小、结面积小、结面积小、结电容小、正结电容小、正结电容小、正结电容小、正向电流小。用向电流小。用向电流小。用向电流小。用于检波和变频于检波和变频于检波和变频于检波和变频等高频电路。等高频电路。等高频电路。等高频电路。 结面积大、结面积大、结面积大、结面积大、正向电流大、正向电流大、正向电流大、正向电流大、结电容大，用结电容大，用结电容大，用结电容大，用于工频大电流于工频大电流于工频大电流于工频大电流整流电路。整流电路。整流电路。整流电路。(c) (c) 平面型平面型平面型平面型 用于集成电路制作工艺中。用于集成电路制作工艺中。用于集成电路制作工艺中。

20、用于集成电路制作工艺中。PNPN结结面积可大可小，结结面积可大可小，结结面积可大可小，结结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。用于高频整流和开关电路中。用于高频整流和开关电路中。用于高频整流和开关电路中。下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页阴极引线阴极引线阳极引线阳极引线二氧化硅保护层二氧化硅保护层P型硅型硅N型硅型硅( c ) 平面型平面型金属触丝金属触丝阳极引线阳极引线N型锗片型锗片阴极引线阴极引线外壳外壳( a ) 点接触型点接触型铝合金小球铝合金小球N型硅型硅阳极引线阳极引线PN结结金锑合金金锑合金底座底座阴极引线阴极引线( b ) 面接触型面接触型半导体二极

21、管的结构和符号半导体二极管的结构和符号 二极管的结构示意图二极管的结构示意图二极管的结构示意图二极管的结构示意图阴极阴极阳极阳极( d ) 符号符号D下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页伏安特性伏安特性硅管硅管硅管硅管0.5V,0.5V,锗管锗管锗管锗管0 0.1V.1V。反向击穿反向击穿电压电压U(BR)导通压降导通压降导通压降导通压降 外加电压大于死区外加电压大于死区外加电压大于死区外加电压大于死区电压二极管才能导通。电压二极管才能导通。电压二极管才能导通。电压二极管才能导通。 外加电压大于反向击外加电压大于反向击外加电压大于反向击外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿

22、，穿电压二极管被击穿，穿电压二极管被击穿，穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。失去单向导电性。失去单向导电性。失去单向导电性。正向特性正向特性正向特性正向特性反向特性反向特性特点：非线性特点：非线性特点：非线性特点：非线性硅硅硅硅0 0 0 0.60.8V.60.8V锗锗锗锗0 0.2.20.3V0.3VUI死区电压死区电压死区电压死区电压PN+PN+ 反向电流反向电流反向电流反向电流在一定电压在一定电压在一定电压在一定电压范围内保持范围内保持范围内保持范围内保持常数。常数。常数。常数。下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页2.二极管的主要参数二极管的主要参数1. 1. 正

23、向平均电流正向平均电流正向平均电流正向平均电流 I IF F二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。平均电流。平均电流。平均电流。2. 2. 反向工作峰值电压反向工作峰值电压反向工作峰值电压反向工作峰值电压U URWMRWM是保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压，是保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压，是保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压，是保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压，一般是二极管反向击穿电压一般是二极管反向击穿电压一般是二极管反向击穿电

24、压一般是二极管反向击穿电压U UBRBR的一半或三分之二。的一半或三分之二。的一半或三分之二。的一半或三分之二。二极管击穿后单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。二极管击穿后单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。二极管击穿后单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。二极管击穿后单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。3. 3. 反向峰值电流反向峰值电流反向峰值电流反向峰值电流I IRMRM指二极管加最高反向工作电压时的反向电流。反指二极管加最高反向工作电压时的反向电流。反指二极管加最高反向工作电压时的反向电流。反指二极管加最高反向工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，向电流大，说明管子的单向导电

25、性差，向电流大，说明管子的单向导电性差，向电流大，说明管子的单向导电性差，I IRMRM受温度的受温度的受温度的受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流较大，为硅管的几十到几百倍。锗管的反向电流较大，为硅管的几十到几百倍。锗管的反向电流较大，为硅管的几十到几百倍。锗管的反向电流较大，为硅管的几十到几百倍。下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页3.二极管二极管的选用的选用 1. 1. 二极管的反向峰值电压是实际

26、峰值的两倍，标二极管的反向峰值电压是实际峰值的两倍，标二极管的反向峰值电压是实际峰值的两倍，标二极管的反向峰值电压是实际峰值的两倍，标称的额定电压是反向峰值电压的称的额定电压是反向峰值电压的称的额定电压是反向峰值电压的称的额定电压是反向峰值电压的80%80%。 2. 2. 恢复时间在恢复时间在恢复时间在恢复时间在5us5us以上的称整理二极管，也就是普以上的称整理二极管，也就是普以上的称整理二极管，也就是普以上的称整理二极管，也就是普通二极管。通二极管。通二极管。通二极管。下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页三、三、稳压二极管稳压二极管1. 1. 符号符号符号符号 UZI

27、ZIZM UZ IZ2. 2. 伏安特性伏安特性伏安特性伏安特性 稳压管正常工作稳压管正常工作稳压管正常工作稳压管正常工作时加反向电压时加反向电压时加反向电压时加反向电压使用时要加限流电阻使用时要加限流电阻使用时要加限流电阻使用时要加限流电阻 稳压管反向击穿稳压管反向击穿稳压管反向击穿稳压管反向击穿后，电流变化很大，后，电流变化很大，后，电流变化很大，后，电流变化很大，但其两端电压变化但其两端电压变化但其两端电压变化但其两端电压变化很小，利用此特性，很小，利用此特性，很小，利用此特性，很小，利用此特性，稳压管在电路中可稳压管在电路中可稳压管在电路中可稳压管在电路中可起稳压作用。起稳压作用。起稳

28、压作用。起稳压作用。_+UIO下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页3. 3. 主要参数主要参数主要参数主要参数(1) (1) (1) (1) 稳定电压稳定电压稳定电压稳定电压U UZ Z 稳压管正常工作稳压管正常工作稳压管正常工作稳压管正常工作( (反向击穿反向击穿反向击穿反向击穿) )时管子两端的电压。时管子两端的电压。时管子两端的电压。时管子两端的电压。(2)(2)(2)(2) 稳定电流稳定电流稳定电流稳定电流 I IZ Z 、最大稳定电流最大稳定电流最大稳定电流最大稳定电流 I IZMaxZMax(3)(3)(3)(3) 最大允许耗散功率最大允许耗散功率最大允许耗散

29、功率最大允许耗散功率 P PZM ZM = = U UZ Z I IZMaxZMax下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页四、使用万用表进行二极管性能测量与极性判断四、使用万用表进行二极管性能测量与极性判断四、使用万用表进行二极管性能测量与极性判断四、使用万用表进行二极管性能测量与极性判断下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页uDO1. 单相半波整流电路单相半波整流电路2. 2. 工作原理工作原理工作原理工作原理 u u 正半周，正半周，正半周，正半周，V Va aVVb b，二极管二极管二极管二极管D D导通；导通；导通；导通；3. 3. 工作波形工作

30、波形工作波形工作波形 u 负半周，负半周，VaVVb b，二二二二极管极管极管极管 D D1 1、 D D3 3 导通，导通，导通，导通， D D2 2、 D D4 4 截止截止截止截止 。3. 3. 工作波形工作波形工作波形工作波形uD2uD41. 1. 电路结构电路结构电路结构电路结构 uD t tRLuiouo1234ab+ + 动画动画u下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页单相桥式全波整流电路工作原理单相桥式全波整流电路工作原理当当 u20 时，时，二极管二极管 D1 1、D3 3 导通。导通。返回下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页单相桥式

31、全波整流电路工作原理单相桥式全波整流电路工作原理当当 u2uC时时，二极管导通，二极管导通，电源在给负载电源在给负载RL供电的供电的同时也给电容充电，同时也给电容充电， uC 增加，增加，uo= uC 。 u u u uC时时时时，二极管截止，电容通过负载，二极管截止，电容通过负载，二极管截止，电容通过负载，二极管截止，电容通过负载R RL L 放电，放电，放电，放电，u uC C按指数规律下降，按指数规律下降，按指数规律下降，按指数规律下降， u uo o= = u uC 。+Cici +aDuoubRLio= uC 3. 3. 工作波形工作波形工作波形工作波形二极管承受的最高反向电压为二极

32、管承受的最高反向电压为 。u tO tO下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页电容滤波电路的特点电容滤波电路的特点电容滤波电路的特点电容滤波电路的特点( (T T 电源电压的周期电源电压的周期电源电压的周期电源电压的周期) ) ) )输出电压的脉动程度与平均值输出电压的脉动程度与平均值Uo与放电时间与放电时间 常数常数RLC有关。有关。 R RL LC C 越大越大越大越大 电容器放电越慢电容器放电越慢电容器放电越慢电容器放电越慢 输出电压的平均值输出电压的平均值输出电压的平均值输出电压的平均值U Uo o 越大，波形越平滑。越大，波形越平滑。越大，波形越平滑。越大，波形越

33、平滑。近似估算取：近似估算取： Uo = 1. 2 U ( 桥式、全波）桥式、全波） Uo = 1. 0 U （半波）半波）当负载当负载当负载当负载R RL L 开路时，开路时，开路时，开路时，U UOO 为了得到比较平直的输出电压为了得到比较平直的输出电压下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页电感电容滤波器电感电容滤波器1. 1. 电路结构电路结构电路结构电路结构L uRLuo+C2. 2. 滤波原理滤波原理滤波原理滤波原理 对直流分量对直流分量对直流分量对直流分量: : : : X XL L=0 =0 =0 =0 ，L L L L相当于短路相当于短路相当于短路相当于短路

34、, , , ,电压大部分降电压大部分降电压大部分降电压大部分降在在在在R RL L上。对谐波分量上。对谐波分量上。对谐波分量上。对谐波分量: : : : f f 越高越高越高越高, , , ,X XL L越大越大越大越大, , , ,电压大部分降电压大部分降电压大部分降电压大部分降在在在在L L上。上。上。上。因此因此因此因此, , , ,在负载上得到比较平滑的直流电压。在负载上得到比较平滑的直流电压。在负载上得到比较平滑的直流电压。在负载上得到比较平滑的直流电压。 当流过电感的电流发生变化时，线圈中产生自感当流过电感的电流发生变化时，线圈中产生自感当流过电感的电流发生变化时，线圈中产生自感当

35、流过电感的电流发生变化时，线圈中产生自感电势阻碍电流的变化电势阻碍电流的变化电势阻碍电流的变化电势阻碍电流的变化, ,使负载电流和电压的脉动减小。使负载电流和电压的脉动减小。使负载电流和电压的脉动减小。使负载电流和电压的脉动减小。 LCLC滤波适合于电流较大、要求输出电压脉动较小滤波适合于电流较大、要求输出电压脉动较小滤波适合于电流较大、要求输出电压脉动较小滤波适合于电流较大、要求输出电压脉动较小的场合，用于高频时更为合适。的场合，用于高频时更为合适。的场合，用于高频时更为合适。的场合，用于高频时更为合适。下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页 形形滤波器滤波器 形形形形

36、LC LC 滤波器滤波器滤波器滤波器 滤波效果比滤波效果比LC滤波器更好，滤波器更好，但二极管的冲但二极管的冲击电流较大。击电流较大。 比比 形形 LC 滤波器的体积滤波器的体积小、成本低。小、成本低。L uRLuo+C2+C1 形形形形 RC RC 滤波器滤波器滤波器滤波器R uRLuo o+C2+C1 R R 愈大，愈大，愈大，愈大，C C2 2愈大，愈大，愈大，愈大，滤波效果愈好。但滤波效果愈好。但滤波效果愈好。但滤波效果愈好。但R R 大将使直大将使直大将使直大将使直流压降增加，流压降增加，流压降增加，流压降增加，主要适用于负载电流较小而又要求输主要适用于负载电流较小而又要求输主要适用

37、于负载电流较小而又要求输主要适用于负载电流较小而又要求输出电压脉动很小的场合。出电压脉动很小的场合。出电压脉动很小的场合。出电压脉动很小的场合。下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页直流稳压电源直流稳压电源 稳压电路（稳压器）是为电路或负载提供稳定的输稳压电路（稳压器）是为电路或负载提供稳定的输稳压电路（稳压器）是为电路或负载提供稳定的输稳压电路（稳压器）是为电路或负载提供稳定的输出电压的一种电子设备。出电压的一种电子设备。出电压的一种电子设备。出电压的一种电子设备。 稳压电路的输出电压大小基本上与电网电压、负载稳压电路的输出电压大小基本上与电网电压、负载稳压电路的输出电压

38、大小基本上与电网电压、负载稳压电路的输出电压大小基本上与电网电压、负载及环境温度的变化无关。理想的稳压器是输出阻抗为及环境温度的变化无关。理想的稳压器是输出阻抗为及环境温度的变化无关。理想的稳压器是输出阻抗为及环境温度的变化无关。理想的稳压器是输出阻抗为零的恒压源。实际上，它是内阻很小的电压源。其内零的恒压源。实际上，它是内阻很小的电压源。其内零的恒压源。实际上，它是内阻很小的电压源。其内零的恒压源。实际上，它是内阻很小的电压源。其内阻越小，稳压性能越好。阻越小，稳压性能越好。阻越小，稳压性能越好。阻越小，稳压性能越好。 稳压电路是整个电子系统的一个组成部分，也可以稳压电路是整个电子系统的一个

39、组成部分，也可以稳压电路是整个电子系统的一个组成部分，也可以稳压电路是整个电子系统的一个组成部分，也可以是一个独立的电子部件。是一个独立的电子部件。是一个独立的电子部件。是一个独立的电子部件。下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页稳压管稳压电路稳压管稳压电路2. 2. 工作原理工作原理工作原理工作原理UO = UZ IR = IO + IZUIUZRL (IO ) IR 设设UI一定，负载一定，负载RL变化变化UO 基本不变基本不变 IR (IRR) 基本不变基本不变 UO (UZ ) IZ 1. 1. 电路电路电路电路+UIRL+CIOUO+uIRRDZIz限流调压限流调

40、压稳压电路稳压电路下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页稳压管稳压电路稳压管稳压电路2. 2. 工作原理工作原理工作原理工作原理UO = UZ IR = IO + IZUIUZUI UZ 设负载设负载设负载设负载R RL L一定，一定，一定，一定， U UI I 变化变化变化变化 UO 基本不变基本不变 IRR IZ IR 1. 1. 电路电路电路电路+UIRL+CIOUO+uIRRDZIz下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页集成稳压电源集成稳压电源1. 分类分类XXXX两位数字为输出电压值两位数字为输出电压值三三端端稳稳压压器器输出固定电压输出固定电

41、压输出可调电压输出可调电压输出可调电压输出可调电压输出正电压输出正电压78XX 输出负电压输出负电压79XX （1. 25 37 V 连续可调）连续可调）下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页2. 2. 外形及引脚功能外形及引脚功能外形及引脚功能外形及引脚功能W7800系列稳压器外形系列稳压器外形1输入端输入端3 公共端公共端2 输出端输出端W7900系列稳压器外形系列稳压器外形1 公共端公共端3输入端输入端2 输出端输出端塑料封装塑料封装塑料封装塑料封装下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页输出为固定正电压时的接法如图所示。输出为固定正电压时的接法如图

42、所示。 (1)(1) 输出为固定电压的电路输出为固定电压的电路输出为固定电压的电路输出为固定电压的电路输入与输输入与输输入与输输入与输出之间的出之间的出之间的出之间的电压不得电压不得电压不得电压不得低于低于低于低于3V3V！三端固定输出集成稳压器的应用三端固定输出集成稳压器的应用三端固定输出集成稳压器的应用三端固定输出集成稳压器的应用COW7805CiUi+_+_UO123 0.11 F1 F为了瞬时增减负载电流为了瞬时增减负载电流为了瞬时增减负载电流为了瞬时增减负载电流时，不致引起输出电压时，不致引起输出电压时，不致引起输出电压时，不致引起输出电压有较大的波动。即用来有较大的波动。即用来有较

43、大的波动。即用来有较大的波动。即用来改善负载的瞬态响应。改善负载的瞬态响应。改善负载的瞬态响应。改善负载的瞬态响应。用来抵消输入端接线用来抵消输入端接线用来抵消输入端接线用来抵消输入端接线较长时的电感效应，较长时的电感效应，较长时的电感效应，较长时的电感效应，防止产生自激振荡。防止产生自激振荡。防止产生自激振荡。防止产生自激振荡。即用以改善波形。即用以改善波形。即用以改善波形。即用以改善波形。下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页(2)(2)同时输出正、负电压的电路同时输出正、负电压的电路同时输出正、负电压的电路同时输出正、负电压的电路23220V 24V+C 24V+CW

44、7815Ci+15V123CiW79151COCO 15V1 F1 F0.33 F0.33 F1000 F1000 F下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页八、八、晶体管晶体管基本结构基本结构NNP基极基极基极基极发射极发射极发射极发射极集电极集电极集电极集电极NPNNPN型型型型BECB BE EC CPNPPNP型型型型P PP PN N基极基极基极基极发射极发射极发射极发射极集电极集电极集电极集电极符号：符号：符号：符号：BECIBIEICBECIBIEICNPNNPN型三极管型三极管型三极管型三极管PNPPNP型三极管型三极管型三极管型三极管下一页下一页总目录总目录

45、 章目录章目录返回返回上一页上一页基区：最薄，基区：最薄，基区：最薄，基区：最薄，掺杂浓度最低掺杂浓度最低掺杂浓度最低掺杂浓度最低发射区：掺发射区：掺发射区：掺发射区：掺杂浓度最高杂浓度最高杂浓度最高杂浓度最高发射结发射结发射结发射结集电结集电结集电结集电结B B B BE E E EC C C CN N N NN N N NP P P P基极基极基极基极发射极发射极发射极发射极集电极集电极集电极集电极结构特点：结构特点：结构特点：结构特点：集电区：集电区：集电区：集电区：面积最大面积最大面积最大面积最大下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页电流分配和放大原理电流分配和放大

46、原理1. 1. 三极管放大的外部条件三极管放大的外部条件三极管放大的外部条件三极管放大的外部条件B BEC CN NN NP PEBRBE EC CRC发射结正偏、集电结反偏发射结正偏、集电结反偏发射结正偏、集电结反偏发射结正偏、集电结反偏 PNPPNP发射结正偏发射结正偏发射结正偏发射结正偏 V VB B V VE E集电结反偏集电结反偏集电结反偏集电结反偏 V VC C V VE E集电结反偏集电结反偏集电结反偏集电结反偏 V VC C V VB B 下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页2. 2. 各电极电流关系及电流放大作用各电极电流关系及电流放大作用各电极电流关系

47、及电流放大作用各电极电流关系及电流放大作用I IB B(mA(mA) )I IC C(mA(mA) )I IE E(mA(mA) )0 00.020.020.040.040.060.060.080.080.100.100.0010.0010.700.701.501.502.302.303.103.103.953.950.0010.0010.720.721.541.542.362.363.183.184.054.05结论结论结论结论: :1 1）三电极电流关系）三电极电流关系）三电极电流关系）三电极电流关系 I IE E = = I IB B + + I IC C2 2） I IC C I IB

48、 B ， I IC C I IE E 3 3） I IC C I IB B 把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。化的特性称为晶体管的电流放大作用。化的特性称为晶体管的电流放大作用。化的特性称为晶体管的电流放大作用。 实质实质实质实质: :用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化，是变化，是变化，是变化

49、，是CCCSCCCS器件器件器件器件。下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页3. 特性曲线特性曲线 即管子各电极电压与电流的关系曲线，是管子内即管子各电极电压与电流的关系曲线，是管子内部载流子运动的外部表现，反映了晶体管的性能，是部载流子运动的外部表现，反映了晶体管的性能，是分析放大电路的依据。分析放大电路的依据。为什么要研究特性曲线：为什么要研究特性曲线：为什么要研究特性曲线：为什么要研究特性曲线： 1 1 1 1）直观地分析管子的工作状态）直观地分析管子的工作状态）直观地分析管子的工作状态）直观地分析管子的工作状态 2 2 2 2）合理地选择偏置电路的参数，设计性能良好

50、的）合理地选择偏置电路的参数，设计性能良好的）合理地选择偏置电路的参数，设计性能良好的）合理地选择偏置电路的参数，设计性能良好的电路电路电路电路 重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页发射极是输入回路、输出回路的公共端发射极是输入回路、输出回路的公共端发射极是输入回路、输出回路的公共端发射极是输入回路、输出回路的公共端 共发射极电路共发射极电路输入回路输入回路输出回路输出回路 测量晶体管特性的实验线路测量晶体管特性的实验线路测量晶体管特性的实验线路测量晶体管特性的实验线路ICEBmA AVU

51、CEUBERBIBECV+下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页1. 1. 输入特性输入特性输入特性输入特性特点特点特点特点: : : :非线性非线性非线性非线性死区电压：死区电压：死区电压：死区电压：硅管硅管硅管硅管0.50.50.50.5V V，锗管锗管锗管锗管0.10.10.10.1V V。正常工作时发射结电压：正常工作时发射结电压：正常工作时发射结电压：正常工作时发射结电压： NPNNPN型硅管型硅管型硅管型硅管 U UBE BE 0.60.7V 0.60.7VPNPPNP型锗管型锗管型锗管型锗管 U UBE BE 0.2 0.2 0.3V 0.3VIB( A)UB

52、E(V)204060800.40.8UCE 1VO下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页2. 输出特性输出特性IB=020 A40 A60 A80 A100 A36IC(mA )1234UCE(V)912O放大区放大区输出特性曲线通常分三个工作区：输出特性曲线通常分三个工作区：输出特性曲线通常分三个工作区：输出特性曲线通常分三个工作区：(1) (1) 放大区放大区放大区放大区 在放大区有在放大区有在放大区有在放大区有 I IC C= = I IB B ，也也也也称为线性区，具有称为线性区，具有称为线性区，具有称为线性区，具有恒流特性。恒流特性。恒流特性。恒流特性。 在放大区

53、，在放大区，在放大区，在放大区，发射结处发射结处发射结处发射结处于正向偏置、集电结处于正向偏置、集电结处于正向偏置、集电结处于正向偏置、集电结处于反向偏置，晶体管工于反向偏置，晶体管工于反向偏置，晶体管工于反向偏置，晶体管工作于放大状态。作于放大状态。作于放大状态。作于放大状态。下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页I IB B=0=02020 A A4040 A A6060 A A8080 A A100100 A A3 36 6I IC C( (mmA A ) )1 12 23 34 4U UCECE(V)(V)9 91212O（2 2）截止区）截止区）截止区）截止区I

54、IB B 0 0 以下区域为以下区域为以下区域为以下区域为截止区，有截止区，有截止区，有截止区，有 I IC C 0 0 。 在截止区发射结处于反向偏置，集电结处于反在截止区发射结处于反向偏置，集电结处于反在截止区发射结处于反向偏置，集电结处于反在截止区发射结处于反向偏置，集电结处于反向偏置，晶体管工作于截止状态。向偏置，晶体管工作于截止状态。向偏置，晶体管工作于截止状态。向偏置，晶体管工作于截止状态。饱饱饱饱和和和和区区区区截止区截止区截止区截止区（3 3）饱和区）饱和区）饱和区）饱和区 当当当当U UCECE U UBEBE时时时时，晶晶晶晶体管工作于饱和状态。体管工作于饱和状态。体管工作

55、于饱和状态。体管工作于饱和状态。 在饱和区，在饱和区，在饱和区，在饱和区， I IB B I IC C，发射结处于正向偏发射结处于正向偏发射结处于正向偏发射结处于正向偏置，置，置，置，集电结也处于正集电结也处于正集电结也处于正集电结也处于正偏。偏。偏。偏。 深度饱和时，深度饱和时，深度饱和时，深度饱和时， 硅管硅管硅管硅管U UCES CES 0.3V 0.3V， 锗管锗管锗管锗管U UCES CES 0.1V 0.1V。下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页4. 主要参数主要参数1. 1. 电流放大系数电流放大系数电流放大系数电流放大系数 ， 直流电流放大系数直流电流放大

56、系数直流电流放大系数直流电流放大系数交流电流放大系数交流电流放大系数交流电流放大系数交流电流放大系数当晶体管接成发射极电路时，当晶体管接成发射极电路时，当晶体管接成发射极电路时，当晶体管接成发射极电路时， 表示晶体管特性的数据称为晶体管的参数，晶体表示晶体管特性的数据称为晶体管的参数，晶体表示晶体管特性的数据称为晶体管的参数，晶体表示晶体管特性的数据称为晶体管的参数，晶体管的参数也是设计电路、选用晶体管的依据。管的参数也是设计电路、选用晶体管的依据。管的参数也是设计电路、选用晶体管的依据。管的参数也是设计电路、选用晶体管的依据。注意：注意：注意：注意： 和和和和 的含义不同，但在特性曲线近于平

57、行等的含义不同，但在特性曲线近于平行等的含义不同，但在特性曲线近于平行等的含义不同，但在特性曲线近于平行等距并且距并且距并且距并且I ICE0 CE0 较小的情况下，两者数值接近。较小的情况下，两者数值接近。较小的情况下，两者数值接近。较小的情况下，两者数值接近。常用晶体管的常用晶体管的常用晶体管的常用晶体管的 值在值在值在值在20 20020 200之间。之间。之间。之间。下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页例：在例：在例：在例：在U UCECE= 6 V= 6 V时，时，时，时， 在在在在 QQ1 1 点点点点I IB B=40=40 A, A, I IC C=1.5

58、mA=1.5mA； 在在在在 QQ2 2 点点点点I IB B=60 =60 A, A, I IC C=2.3mA=2.3mA。在以后的计算中，一般作近似处理：在以后的计算中，一般作近似处理：在以后的计算中，一般作近似处理：在以后的计算中，一般作近似处理： = = = = 。I IB B=0=02020 A A4040 A A6060 A A8080 A A100100 A A3 36 6I IC C( (mmA A ) )1 12 23 34 4U UCECE(V)(V)9 912120 0QQ1 1QQ2 2在在在在 QQ1 1 点，有点，有点，有点，有由由由由 QQ1 1 和和和和QQ2

59、 2点，得点，得点，得点，得下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页2. 2.集集集集- - - -基极反向截止电流基极反向截止电流基极反向截止电流基极反向截止电流 I ICBOCBO I ICBOCBO是由少数载流子的是由少数载流子的是由少数载流子的是由少数载流子的漂移运动所形成的电流，漂移运动所形成的电流，漂移运动所形成的电流，漂移运动所形成的电流，受温度的影响大。受温度的影响大。受温度的影响大。受温度的影响大。 温度温度温度温度I ICBOCBO ICBO A+EC3. 3.集集集集- - - -射极反向截止电流射极反向截止电流射极反向截止电流射极反向截止电流( ( (

60、 (穿透电流穿透电流穿透电流穿透电流) ) ) )I ICEOCEO AICEOIB=0+ I ICEOCEO受温度的影响大。受温度的影响大。受温度的影响大。受温度的影响大。温度温度温度温度I ICEOCEO ，所以所以所以所以I IC C也相应增加。也相应增加。也相应增加。也相应增加。三极管的三极管的三极管的三极管的温度特性较差。温度特性较差。温度特性较差。温度特性较差。下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页4. 4. 集电极最大允许电流集电极最大允许电流集电极最大允许电流集电极最大允许电流 I ICMCM5. 5. 集集集集- - - -射极反向击穿电压射极反向击穿电压

61、射极反向击穿电压射极反向击穿电压U U(BR)CEO(BR)CEO 集电极电流集电极电流集电极电流集电极电流 I IC C上升会导致三极管的上升会导致三极管的上升会导致三极管的上升会导致三极管的 值的下降，值的下降，值的下降，值的下降，当当当当 值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为为为为 I ICMCM。 当集当集当集当集射极之间的电压射极之间的电压射极之间的电压射极之间的电压U UCE CE 超过一定的数值时，超过一定的数值时，超过一定的数值时，超过一定的数值时，三极

62、管就会被击穿。手册上给出的数值是三极管就会被击穿。手册上给出的数值是三极管就会被击穿。手册上给出的数值是三极管就会被击穿。手册上给出的数值是2525 C C、基极开路时的击穿电压基极开路时的击穿电压基极开路时的击穿电压基极开路时的击穿电压U U(BR)(BR) CEOCEO。6. 6. 集电极最大允许耗散功耗集电极最大允许耗散功耗集电极最大允许耗散功耗集电极最大允许耗散功耗P PCMCM P PCMCM取决于三极管允许的温升，消耗功率过大，取决于三极管允许的温升，消耗功率过大，取决于三极管允许的温升，消耗功率过大，取决于三极管允许的温升，消耗功率过大，温升过高会烧坏三极管。温升过高会烧坏三极管

63、。温升过高会烧坏三极管。温升过高会烧坏三极管。 P PC C P PCM CM = =I IC C U UCECE 硅硅硅硅管允许结温约为管允许结温约为管允许结温约为管允许结温约为140140 C C，锗锗锗锗管约为管约为管约为管约为7070 9090 C C。下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页I IC CU UCECE=P=PCMCMICMU(BR)CEO安全工作区安全工作区由三个极限参数可画出三极管的安全工作区由三个极限参数可画出三极管的安全工作区由三个极限参数可画出三极管的安全工作区由三个极限参数可画出三极管的安全工作区ICUCEO下一页下一页总目录总目录 章目录

64、章目录返回返回上一页上一页九、九、基本放大电路基本放大电路基本放大电路各元件作用基本放大电路各元件作用 晶体管晶体管晶体管晶体管T T-放大元放大元放大元放大元件件件件, , , , i iC C= = i iB B。要保要保要保要保证集电结反偏证集电结反偏证集电结反偏证集电结反偏, , , ,发发发发射结正偏射结正偏射结正偏射结正偏, , , ,使晶体使晶体使晶体使晶体管工作在放大区管工作在放大区管工作在放大区管工作在放大区 。基极电源基极电源基极电源基极电源E EB B与基极与基极与基极与基极电阻电阻电阻电阻R RB B-使发射结使发射结使发射结使发射结 处于正偏，并提供处于正偏，并提供处

65、于正偏，并提供处于正偏，并提供大小适当的基极电大小适当的基极电大小适当的基极电大小适当的基极电流。流。流。流。共发射极基本电路共发射极基本电路共发射极基本电路共发射极基本电路ECRSesRBEBRCC1C2T+RL+ui+uo+ + uBEuCE iCiBiE下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页九、九、基本放大电路基本放大电路基本放大基本放大电路各元件作用电路各元件作用 集电极电源集电极电源集电极电源集电极电源E EC C -为为为为电路提供能量。并电路提供能量。并电路提供能量。并电路提供能量。并保证集电结反偏。保证集电结反偏。保证集电结反偏。保证集电结反偏。集电极电阻集

66、电极电阻集电极电阻集电极电阻R RC C-将将将将变化的电流转变为变化的电流转变为变化的电流转变为变化的电流转变为变化的电压。变化的电压。变化的电压。变化的电压。耦合电容耦合电容耦合电容耦合电容C C1 1 、C C2 2 -隔离输入、输出隔离输入、输出隔离输入、输出隔离输入、输出与放大电路直流的与放大电路直流的与放大电路直流的与放大电路直流的联系，同时使信号联系，同时使信号联系，同时使信号联系，同时使信号顺利输入、输出。顺利输入、输出。顺利输入、输出。顺利输入、输出。信信信信号号号号源源源源负载负载负载负载共发射极基本电路共发射极基本电路共发射极基本电路共发射极基本电路ECRSesRBEBR

67、CC1C2T+RL+ui+uo+ + uBEuCE iCiBiE下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页九、九、基本放大电路基本放大电路单电源供电时常用的画法单电源供电时常用的画法单电源供电时常用的画法单电源供电时常用的画法共发射极基本电路共发射极基本电路共发射极基本电路共发射极基本电路+UCCRSesRBRCC1C2T+RLui+uo+ + uBEuCE iCiBiEECRSesRBEBRCC1C2T+RL+ui+uo+ + uBEuCE iCiBiE下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页15.2.1 用估算法确定静态值用估算法确定静态值1. 1. 直流

68、通路估算直流通路估算直流通路估算直流通路估算 I IB B根据电流放大作用根据电流放大作用2. 2. 由直流通路估算由直流通路估算由直流通路估算由直流通路估算U UCECE、I IC C当当UBE 0 0、E EG G 0 0A AKKGGEA+_R T1T2EG_+下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页EA+_R T1T2EGA A_+KK 晶闸管导通后，去晶闸管导通后，去晶闸管导通后，去晶闸管导通后，去掉掉掉掉E EGG ， 依靠正反馈，依靠正反馈，依靠正反馈，依靠正反馈，仍可维持导通状态。仍可维持导通状态。仍可维持导通状态。仍可维持导通状态。2. 工作原理工作原理E

69、EA A 0 0、E EG G 0 0形成正反馈过程形成正反馈过程形成正反馈过程形成正反馈过程G下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页晶闸管导通的条件：晶闸管导通的条件：晶闸管导通的条件：晶闸管导通的条件： (1)(1)晶闸管阳极电路晶闸管阳极电路晶闸管阳极电路晶闸管阳极电路( (阳极与阴极之间阳极与阴极之间阳极与阴极之间阳极与阴极之间) )施加正施加正施加正施加正向电压。向电压。向电压。向电压。 (2)(2)晶闸管控制电路晶闸管控制电路晶闸管控制电路晶闸管控制电路( (控制极与阴极之间控制极与阴极之间控制极与阴极之间控制极与阴极之间) )加正加正加正加正向电压或正向脉冲向

70、电压或正向脉冲向电压或正向脉冲向电压或正向脉冲( (正向触发电压正向触发电压正向触发电压正向触发电压) )。 晶闸管导通后，控制极便失去作用。晶闸管导通后，控制极便失去作用。晶闸管导通后，控制极便失去作用。晶闸管导通后，控制极便失去作用。 依靠正依靠正依靠正依靠正反馈，反馈，反馈，反馈，晶闸管仍可维持导通状态。晶闸管仍可维持导通状态。晶闸管仍可维持导通状态。晶闸管仍可维持导通状态。晶闸管关断的条件：晶闸管关断的条件：晶闸管关断的条件：晶闸管关断的条件： (1)(1)必须使可控硅阳极电流减小，直到必须使可控硅阳极电流减小，直到正反馈正反馈效效应不能维持。应不能维持。 (2)(2)将阳极电源断开或

71、者在晶闸管的将阳极电源断开或者在晶闸管的阳极和阴极阳极和阴极阳极和阴极阳极和阴极间加反向电压。间加反向电压。间加反向电压。间加反向电压。下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页正向特性正向特性正向特性正向特性反向特性反向特性反向特性反向特性URRMUFRMIG2 IG1 IG0 UBRIFUBO正向转折电压正向转折电压正向转折电压正向转折电压IHOUIIG0IG1IG2+ +_ _+ +_ _反向转折电压反向转折电压反向转折电压反向转折电压正向平均电流正向平均电流维持电流维持电流维持电流维持电流U U3. 伏安特性伏安特性下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上

72、一页4 . 主要参数主要参数(1)(1)正向重复峰值电压正向重复峰值电压正向重复峰值电压正向重复峰值电压UDRM 晶闸管晶闸管控制极开路且正向阻断情况下控制极开路且正向阻断情况下, ,可以重复可以重复加在加在晶闸管晶闸管两端的正向峰值电压。两端的正向峰值电压。 一般一般UDRM 比正向转折电压比正向转折电压UBO低低100V 。(2)(2)反向重复峰值电压反向重复峰值电压反向重复峰值电压反向重复峰值电压URRM 晶闸管晶闸管控制极开路时控制极开路时, ,可以重复加在可以重复加在晶闸管晶闸管两端两端的反向峰值电压。的反向峰值电压。 一般一般URRM 比反向转折电压比反向转折电压| |UBO|低低

73、100V 。(3)(3)正向平均电流正向平均电流正向平均电流正向平均电流 IF 环境温度为环境温度为40C及及标准散热条件下，标准散热条件下，晶闸管处于晶闸管处于全导通时全导通时可以连续通过的工频正弦半波电流的平均可以连续通过的工频正弦半波电流的平均值。值。下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页IFt 2 如果正弦半波电流的最大值为如果正弦半波电流的最大值为Im, 则则普通晶闸管普通晶闸管IF为为1A 1000A。(4)(4)维持电流维持电流维持电流维持电流 I IHH 在规定的环境和控制极断路时，晶闸管维持导通在规定的环境和控制极断路时，晶闸管维持导通在规定的环境和控制极

74、断路时，晶闸管维持导通在规定的环境和控制极断路时，晶闸管维持导通状态所必须的最小电流。状态所必须的最小电流。状态所必须的最小电流。状态所必须的最小电流。下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页2. 单相半控桥式整流电路单相半控桥式整流电路(1)(1) 电路电路电路电路(2)(2) 工作原理工作原理工作原理工作原理 T T1 1和和和和D D2 2承受正向承受正向承受正向承受正向电压。电压。电压。电压。 T T1 1控制极加触控制极加触控制极加触控制极加触发电压发电压发电压发电压, , , , 则则则则T T1 1和和和和D D2 2导导导导通，通，通，通，电流的通路为电流的通

75、路为电流的通路为电流的通路为T T1 1、T T2 2 晶闸管晶闸管晶闸管晶闸管D D1 1、D D2 2晶体管晶体管晶体管晶体管aRLD2T1b电压电压电压电压u u 为正半周为正半周为正半周为正半周时：时：时：时：此时，此时，此时，此时，T T1 1和和和和D D2 2均承受反向电压而截止。均承受反向电压而截止。均承受反向电压而截止。均承受反向电压而截止。i io o+T1T2RLuOD1D2a a u u+b b十二、晶闸管的基本应用下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页 T T2 2和和和和D D1 1承受正向承受正向承受正向承受正向电压。电压。电压。电压。 T T

76、2 2控制极加触控制极加触控制极加触控制极加触发电压发电压发电压发电压, , , , 则则则则T T2 2和和和和D D1 1导导导导通，通，通，通，电流的通路为电流的通路为电流的通路为电流的通路为电压电压电压电压u u 为负半周为负半周为负半周为负半周时：时：时：时：bRLD1T2a此时，此时，此时，此时，T T1 1和和和和D D2 2均承受反向电压而截止。均承受反向电压而截止。均承受反向电压而截止。均承受反向电压而截止。i io o+T1T2RLuOD1D2a a u u+b b下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页 tO t tO tO(3)(3)(3)(3)工作波

77、形工作波形2 下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页(4) (4) 输出电压及电流的平均值输出电压及电流的平均值下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页2. 三相桥式半控整流电路三相桥式半控整流电路2. 2.工作原理工作原理工作原理工作原理1 1 1 1. . 电路电路电路电路u2a2 u2bu2ct1t2oT T T T1 1R RL LuoD D3 3 T T2 2T T3 3D D2 2D D1 1io c cb ba au+ + + 下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页十三、使用万用表进行晶闸管的极性判断下一页下一页总目录总目

78、录 章目录章目录返回返回上一页上一页1. 理想运算放大器理想运算放大器Auo ， rid ，ro 0 ， KCMR 2. 电压传输特性电压传输特性 uo= f (ui)线性区：线性区：uo = Auo( (u+ u)非线性区：非线性区：u+ u 时，时， uo = +Uo(sat) u+ u 时，时， uo = + Uo(sat) u+ 0 ui = Ui uu 时，时，时，时，u uo o= += +U Uo o (sat)(sat) u u+ +uu 时，时，时，时，u uo o= = U Uo o (sat)(sat) 即即即即 u ui iUUUR R 时，时，时，时，u uo o =

79、 = U Uo o (sat)(sat)可见，在可见，在 ui =UR 处输出电压处输出电压 uo 发生跃变。发生跃变。参考电压参考电压下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页1. 1. 常量与变量的关系常量与变量的关系常量与变量的关系常量与变量的关系逻辑代数运算法则逻辑代数运算法则2. 2. 逻辑代数的基本运算法则逻辑代数的基本运算法则逻辑代数的基本运算法则逻辑代数的基本运算法则自等律自等律自等律自等律0-10-1律律律律重叠律重叠律重叠律重叠律还原律还原律还原律还原律互补律互补律互补律互补律交换律交换律交换律交换律十六、数字逻辑电路下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返

80、回返回上一页上一页2. 2. 逻辑代数的基本运算法则逻辑代数的基本运算法则逻辑代数的基本运算法则逻辑代数的基本运算法则普通代数普通代数普通代数普通代数不适用！不适用！不适用！不适用！证证证证: :结合律结合律结合律结合律分配律分配律分配律分配律A+1=1 A A=A.下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页110011111100反演律反演律反演律反演律列状态表证明：列状态表证明：AB00011011111001000000吸收律吸收律吸收律吸收律(1) A+AB = A (2) A(A+B) = A对偶式对偶式对偶式对偶式下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页

81、上一页对偶关系：对偶关系：对偶关系：对偶关系： 将某逻辑表达式中的将某逻辑表达式中的将某逻辑表达式中的将某逻辑表达式中的与与与与( )( )换成或换成或换成或换成或 (+)(+)，或，或，或，或(+)(+)换成与换成与换成与换成与( )( )，得到一个新的逻辑表得到一个新的逻辑表得到一个新的逻辑表得到一个新的逻辑表达式，即为原逻辑式的达式，即为原逻辑式的达式，即为原逻辑式的达式，即为原逻辑式的对偶式对偶式对偶式对偶式。若原逻辑恒等若原逻辑恒等若原逻辑恒等若原逻辑恒等式成立，则其对偶式也成立。式成立，则其对偶式也成立。式成立，则其对偶式也成立。式成立，则其对偶式也成立。证明证明：A+AB = A

82、（3）（4）对偶式对偶式对偶式对偶式（5）（6）对偶式对偶式对偶式对偶式下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页RS 触发器触发器两互补输出端两互补输出端1. 1. 基本基本基本基本 R RS S 触发器触发器触发器触发器两输入端两输入端&Q QQ Q.G1&.G2S SD DR RD D 正常情况下，正常情况下，正常情况下，正常情况下，两输出端的状态两输出端的状态两输出端的状态两输出端的状态保持相反。通常保持相反。通常保持相反。通常保持相反。通常以以以以Q Q端的逻辑电端的逻辑电端的逻辑电端的逻辑电平表示触发器的平表示触发器的平表示触发器的平表示触发器的状态，即状态，即状态

83、，即状态，即Q Q=1=1，Q Q=0=0时，称为时，称为时，称为时，称为“ “1”1”态；反之为态；反之为态；反之为态；反之为“ “0”0”态。态。态。态。反馈线反馈线十七、触发器下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页 触发器输出与输入的逻辑关系触发器输出与输入的逻辑关系100 01设触发器原态设触发器原态为为“1”态。态。翻转为翻转为“0”态态(1) SD=1，RD = 01 10 01 10 0Q QQ Q.G1&.&G2S SD DR RD D下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页设原态为设原态为“0”态态10 00 01 11 11 10触发器

84、保持触发器保持“0”态不态不变变复位复位0 0 结论结论: 不论不论 触发器原来触发器原来 为何种状态，为何种状态， 当当 SD=1， RD=0时时， 将使将使触发器触发器 置置“0”或称或称 为为复位复位。Q QQ Q.G1&.&G2S SD DR RD D下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页0 01 1设原态为设原态为“0”态态0 01 11 11 10 00翻转为翻转为“1”态态(2) SD=0，RD = 1Q QQ Q.G1&.&G2S SD DR RD D下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页设原态为设原态为“1”态态01 11 10 00

85、00 01触发器保持触发器保持“1”态不态不变变置位置位1 1 结论结论: 不论不论 触发器原来触发器原来 为何种状态，为何种状态， 当当 SD=0， RD=1时时， 将使将使触发器触发器 置置“1”或称或称 为为置位置位。Q QQ Q.G1&.&G2S SD DR RD D下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页1 11 1设原态为设原态为“0”态态0 01 10 00 01 11保持为保持为“0”态态(3) SD=1，RD = 1Q QQ Q.G1&.&G2S SD DR RD D下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页设原态为设原态为“1”态态11 1

86、1 10 00 00 01触发器保持触发器保持“1”态不态不变变1 1 当当 SD=1， RD=1时时， 触发器保持触发器保持 原来的状态，原来的状态， 即即触发器具触发器具 有保持、记有保持、记 忆功能忆功能。Q QQ Q.G1&.&G2S SD DR RD D下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页110011111110若若G1先翻转，则触发器为先翻转，则触发器为“0”态态“1”态态(4) SD=0，RD = 0 当信号当信号SD= RD = 0同时变为同时变为1时，由时，由于与非门的翻转于与非门的翻转时间不可能完全时间不可能完全相同相同，触发器状触发器状态可能是态可能

87、是“1”态，态，也可能是也可能是“0”态，态，不能根据输入信不能根据输入信号确定。号确定。Q QQ Q.G1&.&G2S SD DR RD D10若先翻转若先翻转若先翻转若先翻转下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页基本基本基本基本 R RS S 触发器状态表触发器状态表触发器状态表触发器状态表逻辑符号逻辑符号R RD D(Reset Direct)-(Reset Direct)-直接置直接置直接置直接置“0”“0”端端端端( (复位复位复位复位端端端端) )S SD D(Set Direct)-(Set Direct)-直接置直接置直接置直接置“1”“1”端端端端( (置

88、位端置位端置位端置位端) )QQSDRDSDRDQ1 0 0 置置00 1 1 置置11 1 不变不变 保持保持0 0 同时变同时变 1后不确定后不确定功能功能低电平有效低电平有效低电平有效低电平有效下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页2. 2. 可控可控可控可控 RSRS 触发器触发器触发器触发器基本基本R-S触发器触发器导引电路导引电路& G4SR& G3C.& G1& G2.SDRDQQ时钟脉冲时钟脉冲时钟脉冲时钟脉冲下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页当当C=0时时011 R R，S S 输入状态输入状态输入状态输入状态 不起作用。不起作用。

89、不起作用。不起作用。 触发器状态不变触发器状态不变触发器状态不变触发器状态不变11.& G1& G2.SDRDQQ& G4SR& G3C S SD D，R RD D 用于预置触用于预置触用于预置触用于预置触发器的初始状态，发器的初始状态，发器的初始状态，发器的初始状态， 工作过程中应处于工作过程中应处于工作过程中应处于工作过程中应处于高电平，对电路工作高电平，对电路工作高电平，对电路工作高电平，对电路工作状态无影响。状态无影响。状态无影响。状态无影响。被封锁被封锁被封锁被封锁被封锁被封锁被封锁被封锁下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页当当 C = 1 时时1打开打开触发器

90、状态由触发器状态由触发器状态由触发器状态由R R，S S 输入状态决定。输入状态决定。输入状态决定。输入状态决定。11打开打开打开打开触发器的翻转触发器的翻转触发器的翻转触发器的翻转时刻受时刻受时刻受时刻受C C控制控制控制控制（C C高电平时高电平时高电平时高电平时翻转）翻转）翻转）翻转），而触而触而触而触发器的状态由发器的状态由发器的状态由发器的状态由R R，S S的状态的状态的状态的状态决决决决定。定。定。定。.& G1& G2.SDRDQQ& G4SR& G3C下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页当当 C = 1 时时1打开打开打开打开(1) S=0, R=000

91、11触发器保持原态触发器保持原态触发器状态由触发器状态由R，S 输入状态决定。输入状态决定。11打开打开打开打开.& G1& G2.SDRDQQ& G4SR& G3C下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页1101010(2) S = 0, R= 1触发器置触发器置“0”(3) S =1, R= 0触发器置触发器置“1”11.& G1& G2.SDRDQQ& G4SR& G3C下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页1110011110若先翻若先翻若先翻若先翻若先翻若先翻若先翻若先翻Q=1Q=011(4) S =1, R= 1当时钟由当时钟由 1变变 0 后

92、后 触发器状态不定触发器状态不定11.& G1& G2.SDRDQQ& G4SR& G3C下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页可控可控可控可控RSRS状态表状态表状态表状态表0 0 SR0 1 01 0 11 1 不定不定Qn+1QnQ Qn n时钟到来前触发器的状态时钟到来前触发器的状态时钟到来前触发器的状态时钟到来前触发器的状态Qn+1时钟到来后触发器的状态时钟到来后触发器的状态逻辑符号逻辑符号QQSR CSDRDC C高电平时触发器状态由高电平时触发器状态由高电平时触发器状态由高电平时触发器状态由R R、S S确定确定确定确定跳转跳转下一页下一页总目录总目录 章目录

93、章目录返回返回上一页上一页例：例：例：例：画出可控画出可控画出可控画出可控 R RS S 触发器的输出波形触发器的输出波形触发器的输出波形触发器的输出波形R RS SC C不定不定不定不定可控可控可控可控 R RS S状态表状态表状态表状态表C C高电平时触发器高电平时触发器高电平时触发器高电平时触发器状态由状态由状态由状态由R R、S S确定确定确定确定QQ0 010 0 SR0 1 01 0 11 1 不定不定Qn+1Qn下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页存在问题：存在问题：存在问题：存在问题： 时钟脉冲不能过宽，否则出现空翻现时钟脉冲不能过宽，否则出现空翻现时钟脉

94、冲不能过宽，否则出现空翻现时钟脉冲不能过宽，否则出现空翻现象，即在一个时钟脉冲期间触发器翻象，即在一个时钟脉冲期间触发器翻象，即在一个时钟脉冲期间触发器翻象，即在一个时钟脉冲期间触发器翻转一次以上。转一次以上。转一次以上。转一次以上。C克服办法：采用克服办法：采用克服办法：采用克服办法：采用 JKJK 触发器或触发器或触发器或触发器或 D D 触发器触发器触发器触发器0 0 SR 0 1 0 1 0 1 1 1 不定不定Qn+1QnQ=SQ=R下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页主从主从主从主从JKJK触发器触发器触发器触发器1.1.1.1.电路结构电路结构电路结构电路结

95、构从触发器从触发器主触发器主触发器反反反反馈馈馈馈线线线线C C CF主主JKRS CF从从QQQSDRD1互补时互补时钟控制钟控制主、从主、从触发器触发器不能同不能同时翻转时翻转下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页2. 2. 工作原理工作原理工作原理工作原理01F F主主主主打开打开打开打开F F主主主主状态由状态由状态由状态由J J、K K决决决决定，接收信号并定，接收信号并定，接收信号并定，接收信号并暂存。暂存。暂存。暂存。F F从从从从封锁封锁封锁封锁F F从从从从状态保持不变。状态保持不变。状态保持不变。状态保持不变。01C CRS CF从从QQQSDRD1 C

96、F主主JKC C01下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页10状态保持不变。状态保持不变。状态保持不变。状态保持不变。从触发器的状态取从触发器的状态取从触发器的状态取从触发器的状态取决于主触发器，并决于主触发器，并决于主触发器，并决于主触发器，并保持主、从状态一保持主、从状态一保持主、从状态一保持主、从状态一致，因此称之为主致，因此称之为主致，因此称之为主致，因此称之为主从触发器。从触发器。从触发器。从触发器。F F从从从从打开打开打开打开F主主封锁封锁0RS CF从从QQQSDRD1 CF主主JKC C01C010下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页

97、10010C高电平时触发器接高电平时触发器接收信号并暂存（即收信号并暂存（即F主主状态由状态由J、K决定，决定，F从从状态保持不变）。状态保持不变）。要求要求C高电平期间高电平期间J、K的状态保持不变。的状态保持不变。C下降沿下降沿( )触发器触发器翻转翻转（ F从从状态与状态与F主主状态一致）。状态一致）。C低电平时低电平时,F主主封锁封锁J、K不起作用不起作用CRS CF从从QQQSDRD1 CF主主JKC 下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页01RS CF从从QQQSDRD1 CF主主JKC C010分析分析分析分析JKJK触发器触发器触发器触发器的逻辑功能的逻辑功

98、能的逻辑功能的逻辑功能(1)J=1, K=1 设触发器原设触发器原态为态为“0”态态翻转为翻转为“1”态态11 0110101001状态不变状态不变状态不变状态不变主从状主从状主从状主从状态一致态一致态一致态一致状态不变状态不变状态不变状态不变01下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页RS CF从从QQQSDRD1 CF主主JKC C010(1)J=1,K=110设触发器原设触发器原态为态为“1”态态为为“？”状态状态J=1, K=1时，每来时，每来一个时钟脉冲，状一个时钟脉冲，状态翻转一次，态翻转一次，即具即具有计数功能。有计数功能。(1)J=1, K=1跳转跳转下一页下

99、一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页01RS CF从从QQQSDRD1 CF主主JKC C010(2)J=0，K=1 设触发器原设触发器原态为态为“1”态态翻转为翻转为“0”态态01 100101011001设触发器原设触发器原态为态为“0”态态为为“？”态态下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页01RS CF从从QQQSDRD1 CF主主JKC C010(3)J=1，K=0 设触发器原设触发器原态为态为“0”态态翻转为翻转为“1”态态10 011010100101设触发器原设触发器原态为态为“1”态态为为“？”态态下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返

100、回上一页上一页RS CF从从QQQSDRD1 CF主主JKC C010(4)J=0，K=0 设触发器原设触发器原态为态为“0”态态保持原态保持原态00 010001保持原态保持原态保持原态保持原态保持原态保持原态保持原态保持原态下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页RS CF从从QQQSDRD1 CF主主JKC C01001结论：结论：结论：结论：C高电平时高电平时F主主状态状态由由J、K决定，决定，F从从状状态不变。态不变。C下降沿下降沿( )触发器触发器翻转翻转（ F从从状态与状态与F主主状态一致）。状态一致）。下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页

101、3. 3. JKJK触发器的逻辑功能触发器的逻辑功能触发器的逻辑功能触发器的逻辑功能Qn10 0 1 1 1 0 0Qn0 0 0 1 0 01 0 1 1Q Qn+1n+1Q Qn nS S R R 0 1C高电平时高电平时F主主状态状态由由J、K决定，决定，F从从状状态不变。态不变。C下降沿下降沿( )触发器触发器翻转翻转（ F从从状态与状态与F主主状态一致）。状态一致）。 J J K K Q Qn n Q Qn+1 n+1 0 00 0 0 1 0 1 1 01 0 1 11 1 JKJK触发器状态表触发器状态表触发器状态表触发器状态表0 1 0 1 0 1 0 1 下一页下一页总目录总

102、目录 章目录章目录返回返回上一页上一页J K Qn+1 0 0 Qn 0 1 0 1 0 1 1 1 Qn JKJK触发器状态表触发器状态表触发器状态表触发器状态表( (保持功能保持功能保持功能保持功能) ) ( (置置置置“ “0”0”功能功能功能功能) ) ( (置置置置“ “1”1”功能功能功能功能) ) (计数功能计数功能计数功能计数功能)C C下降沿触发翻转下降沿触发翻转下降沿触发翻转下降沿触发翻转S SD D 、 R RD D为直接置为直接置为直接置为直接置 1 1、置、置、置、置 0 0 端，不受时钟控制，端，不受时钟控制，端，不受时钟控制，端，不受时钟控制，低电平有效，低电平有

103、效，低电平有效，低电平有效，触发器工作时触发器工作时SD 、 RD应接高电平。应接高电平。逻辑符号逻辑符号逻辑符号逻辑符号 CQJKSDRDQ下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页例：例：JK 触发器工作波形触发器工作波形CJKQ下降沿触发翻转下降沿触发翻转下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页基本基本R-S触发器触发器导引电路导引电路& G2& G1QQSDRD& G3& G4& G5& G6CD维持阻塞维持阻塞维持阻塞维持阻塞 D D 触发器触发器触发器触发器1.1.1.1.电路结构电路结构电路结构电路结构反反馈馈线线跳转跳转下一页下一页总目录总目录

104、 章目录章目录返回返回上一页上一页& G2& G1QQSDRD& G3& G4& G5& G6CD维持阻塞维持阻塞维持阻塞维持阻塞 D D 触发器触发器触发器触发器2. 2.逻辑功能逻辑功能逻辑功能逻辑功能01（1 1）D D = 0= 01触发器状态不变触发器状态不变触发器状态不变触发器状态不变0当当当当C C = 0= 0时时时时110当当当当C C = 1= 1时时时时0101触发器置触发器置触发器置触发器置“ “0 0” ”封锁封锁封锁封锁在在在在C C = 1= 1期间期间期间期间，触发器保持触发器保持触发器保持触发器保持“ “0 0” ”不变不变不变不变下一页下一页总目录总目录 章

105、目录章目录返回返回上一页上一页& G2& G1QQSDRD& G3& G4& G5& G6CD维持阻塞维持阻塞维持阻塞维持阻塞 D D 触发器触发器触发器触发器2. 2.逻辑功能逻辑功能逻辑功能逻辑功能01（1 1）D D = 1= 10触发器状态不变触发器状态不变触发器状态不变触发器状态不变1当当当当C C = 0= 0时时时时111当当当当C C = 1= 1时时时时0110触发器置触发器置触发器置触发器置“ “1 1” ”封锁封锁封锁封锁在在在在C C = 1= 1期间期间期间期间，触发器保持触发器保持触发器保持触发器保持“ “1 1” ”不变不变不变不变封锁封锁封锁封锁下一页下一页总目

106、录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页D D触发器状态表触发器状态表触发器状态表触发器状态表D Qn+1 0101上升沿触上升沿触上升沿触上升沿触发翻转发翻转发翻转发翻转逻辑符号逻辑符号D CQQRDSDC C上升沿前接收信号，上升沿前接收信号，上升沿前接收信号，上升沿前接收信号，上降沿时触发器翻转，上降沿时触发器翻转，上降沿时触发器翻转，上降沿时触发器翻转，（ 其其其其Q Q的状态与的状态与的状态与的状态与D D状状状状态一致；但态一致；但态一致；但态一致；但Q Q的状态的状态的状态的状态总比总比总比总比D D的状态变化晚的状态变化晚的状态变化晚的状态变化晚一步，即一步，即一步，即一步，即Qn+1 =Dn；上升沿后输入上升沿后输入上升沿后输入上升沿后输入 D D不再不再不再不再起作用，触发器状态起作用，触发器状态起作用，触发器状态起作用，触发器状态保持。保持。保持。保持。 即即即即( (不会空翻不会空翻不会空翻不会空翻) )结论：结论：结论：结论：下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页例：例：例：例：D D 触发器工作波形图触发器工作波形图触发器工作波形图触发器工作波形图CDQ上升沿触发翻转上升沿触发翻转上升沿触发翻转上升沿触发翻转