77晶闸管的触发电路

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1、7-7晶闸管的触发电路教学要求:1、掌握单结晶体管触发电路的工作原理2、熟悉晶体管触发电路的工作原理一、触发电路:为晶体管门极提供触发电压的电路。1、 对触发电路的要求:(1)触发电压必须与晶闸管阳极电压同步,以保证晶闸管在每一周期的同一时刻触发。(2)触发电压应满足主电路移相范围的要求,移相范围即主电路导通角的变化范围。7-7晶闸管的触发电路触发电路的要求(3)触发脉冲的前沿要陡,以保证触发时刻的准确,宽度要满足一定的要求,以保证可靠触发。(4)具有一定的抗干扰能力。(5)触发电压应有足够的电压和功率,电压幅度一般4-10v。触发电路2、触发脉冲的输出方式:直接输出和脉冲变压器输出。3、触发

2、电路的种类:单结晶体管触发电路和晶体管触发电路。二、单结晶体管触发电路1、单结晶体管 (1) 外形及符号 图10.27所示为单结晶体管的外形图及电路符号。图10.27 单结管的外形、符号图单结晶体管触发电路 (2) 单结管的结构 单结晶体管的结构及等效电路如图所示。单结晶体管又称为双基极二极管,有一个PN结,一个发射极和两个基极。 单结管结构及等效电路 (3) 单结管的伏安特性 用实验方法可以得出单结管的伏安特性,如图10.29所示。 图10.29 单结晶体管的特性谷点峰点单结管的伏安特性图中: 单结管的伏安特性分为三个区: 截止区:当uEB1UP,PN结正偏,iE猛增,uEB1反而减小,呈现

3、负阻效应。 饱和区:当uEB1下降到谷点以后,iE增加,uEB1也有所增加,但变化较小,器件进入饱和区,当uEB1Uv时管子重新截止。 单结管的伏安特性单结晶体管的特点(4)单结晶体管的特点1)单结晶体管发射极电压等于峰点电压时,单结晶体管导通,导通之后,当发射极电压小于谷点电压时,管子由导通变为截止,谷点电压在2-5v之间。2)单结晶体管的发射极与第一基极的电阻RB1是一个阻值随发射极电流增大而减小的电阻, RB2则是一个与发射极电流无关的电阻。3)不同的晶体管有不同的UP、UV,若电源电压不同,二者也会改变,在触发电路中常选用UV大一些或IV大一些的单结晶体管。2、单结晶体管振荡电路ER1

4、当电源接通时电源通过R对C充电,E点电位逐渐升高,当上升到up时,单结管导通,发射极电流突然增大,电容C通过发射极、第一基极、电阻R1放电,由于R1很小,故放电速度快,电容两端电压下降很快,uO下降很快,当下降到单结晶体管的谷点电压,单结晶体管截止,输出电流、电压为0。接着电源又重新开始对C充电,重复以上过程。因此,在电容器两端得到锯齿波,在输出端得到脉冲尖顶波。调整RC可以调整电容充放电速度,使输出波形前移或移,从而控制晶闸管的触发时刻。RC乘积较大时,后移。单结晶体管振荡电路单结晶体管触发电路3、单结晶体管触发电路由于每半个周期内第一个脉冲将晶体管触发后,后面的脉冲均无作用,因此只要改变每

5、半周第一个脉冲产生的时间即改变了控制角的大小,在实际中可利用改变充电电阻R的方法来实现改变控制角从而实现移相的目的。特点:电路简单,调试方便,脉冲前沿陡,抗干扰能力强,但输出功率和移相范围小,脉冲较窄,多用中、小容量晶闸管的单相可控整流。图10.33(a) 单结晶体管同步触发器电路图 电路中各点波形如图10.33(b)所示。图10.33(b) 单结晶体管同步触发器波形图晶体管触发电路4、晶体管触发电路对要求触发功率大,输出电压与控制电压线性好的晶闸管整流电路,常采用由晶体管组成的触发电路。常见的有同步电压为锯齿波的晶体管触发电路。见P237图7-41特点: 移相范围大,输出电压和电流线性好,适用于大中容量的晶闸管。

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