《化学沉铜介绍章节优讲》由会员分享，可在线阅读，更多相关《化学沉铜介绍章节优讲（23页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、孔金属化目的：在基材表面沉积导电层，实现层间电气连接化学沉铜（Electroless Copper)：lating Through Holes1优质教学生产流程刷板 去钻污处理 化学沉铜2优质教学刷 板 目的：1. 去孔口毛刺 2. 板面清洁3优质教学去钻污处理目的: 1. 去除内层铜箔残留的钻污,保证结 合良好. 2. 改善孔壁结构,加强结合力.工艺流程: 溶胀 去钻污 中和4优质教学溶胀(Swelling)目的: 使树脂表面膨胀,降低分子键能,利 于去钻污反应的进行.工艺控制: 温度60-80C 时间5-10 min5优质教学去钻污(Desmearing)目的:利用KMnO4的强氧化性,将
2、钻污除去反应原理: MnO4+C+OH MnO42-+CO2+2H2O 副反应: MnO4-+OH-MnO42-+O2+2H2O MnO42-+H20 MnO2+O2+2OH-工艺控制: 温度75-85C 时间10-20 min6优质教学中和（Reducing)目的：将残留于孔壁的MnO4-、MnO42-、 MnO2还原工艺控制：温度40-50C 时间4-8 min7优质教学化学沉铜工艺流程：调整 微蚀 预浸 催化 加速 沉铜8优质教学调整（Conditioner)目的：调整孔壁电性，利于对胶体钯的 吸附工艺控制：温度45-55C 时间4-8 min9优质教学微蚀（Micro Etch)目的：
3、1. 清洁板面 2. 板面形成粗糙结构,保证沉铜层 与基材铜的结合力.反应原理:Cu+Na2S2O8 CuSO4+Na2SO4工艺控制：温度25-35C 时间1-3 min10优质教学预浸(Predip)目的: 防止前工位处理对催化槽的污染工艺控制：温度 常温 时间1-2 min11优质教学催化（atalyst）目的：孔壁吸附沉铜反应所需的催化剂钯胶体（dSnCL3n -)工艺控制：温度 40-45C 时间 4-6 min钯胶体的水解：d（SnCL）d+Sn(OH)2+ Sn(OH)4+CL-12优质教学加速（ccelerator)目的：将钯d周围的n沉积物除去工艺控制：温度2-3C 时间-
4、min反应原理：Sn(OH)2+ Sn(OH)4+- Sn2+ Sn4+H2O13优质教学化学沉铜（lectroless Copper)反应原理：Cu2+2HCHO+4OH- Pd Cu+ 2HCOO-+2H20+H2反应特点：.自身催化反应.一定时间内沉积一定厚度的铜层工艺控制：温度-3C 时间- min14优质教学化学沉铜（lectroless Copper)主要副反应：Cu2+HCHO+OH-CuO+ HCOO-+H20CuO+ H20 Cu+ Cu2+ OH-HCHO+ OH- HCOO-+CH3OH解决方法：.维持鼓气.加强过滤.周期性维护沉铜槽15优质教学品质控制.背光检查：要求级
5、.沉铜厚度：.um.去钻污厚度：.mg/cm2.层间结合：热冲击实验、金相切片16优质教学问题及设备加工能力问题：.孔内无金属.孔壁粗糙.层间分离加工能力：.加工尺寸：“*”、板厚.mm、板厚孔径比：.最大加工产能m2/月17优质教学化学沉铜工艺分类催化剂分类：.胶体钯d（SnCL）.离子钯d2+沉铜厚度分类：.沉薄铜（.um）.沉厚铜（.um）18优质教学化学沉铜存在的缺点.溶液中含有，废水处理难.使用甲醛作还原剂，甲醛是致癌物质不利于健康.氧化还原反应，过程控制难19优质教学直接电镀特点：.不含、等.反应为物理吸附过程，易控制。.工艺流程简化.适用于水平或垂直分类：.d导电金属薄层.导电高
6、分子材料.炭或石墨导电层20优质教学钯系列常见工艺流程：（去钻污处理） 整孔 预浸 催化 加速 硫化 后处理 微蚀供应商：Shipley、Atotech、Blasberg等适用设备：水平线及垂直线21优质教学导电性高分子系列常见工艺流程：（去钻污处理） 整孔 KMnO4氧化处理 有机单体催化处理 浸酸原理：C+KMnO4 CO2+MnO2MnO2+ 吡咯 导电性聚吡咯 + Mn2+供应商：Atotech、Blasberg等适用设备：水平线及垂直线22优质教学碳黑系列常见工艺流程：（去钻污处理） 清洁 整孔 黑孔化 干燥 微蚀准备 微蚀 水洗供应商：MacDermid、Electro-chemical等适用设备：水平线及垂直线23优质教学
