强关联电子新材料的生长

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强关联电子新材料的生长VS2的生长内容强关联电子系统 VS2的性质 生长方法 强关联电子系统电子电子相互作用占主导地位的系统经典的固体理论忽略价电子之间的库仑斥力能带理论固体性质氧化物高温超导、庞磁电阻等材料经典固体理论失效强关联电子系统理论(探索中)VS2的性质V(固)+S(汽)VS2(固)700C VS2(固)+I2(汽)900C (VI)(汽)+S(汽) (VI)(汽)+S(汽) 850C VS2(固)+I2(汽)反应一: 反应二: 反应三: 生长方法:化学汽相输运法700C 900C 850C 发生反应一,生成VS2多晶发生反应二,I2浓度减小,S、(VI)浓度增加发生反应三, I2浓度增加,S、(VI)浓度减小S、(VI)I2Thanks!

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