内存的发展与鉴赏2

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1、内存发展与内存鉴赏4.14.1 存储器组织结构存储器组织结构4.2 4.2 存储器类型存储器类型4.3 4.3 内存条性能指标与接口内存条性能指标与接口4.4 4.4 常用内存常用内存4.5 4.5 内存条选购内存条选购 计算机主存储器（计算机主存储器（Main MemoryMain Memory），），又称内部存储器，又称内部存储器，简称内存。内存是一组或多组具备数据输入、输出和数据简称内存。内存是一组或多组具备数据输入、输出和数据存储功能的半导体集成电路芯片，或由这些内存芯片组成存储功能的半导体集成电路芯片，或由这些内存芯片组成的内存模块（颗粒），以及由内存模块组成的的内存模块（颗粒），以

2、及由内存模块组成的内存条内存条。 所有的程序和数据必须调人内存才能被所有的程序和数据必须调人内存才能被CPUCPU执行和操作。执行和操作。所以内存中除存放程序代码外，还有各种输入、输出数据所以内存中除存放程序代码外，还有各种输入、输出数据和中间计算结果。内存中的数据只有存放到外部存储器中和中间计算结果。内存中的数据只有存放到外部存储器中才能被保存。才能被保存。 内存是计算机硬件系统必要的组成部件之一，其容量和内存是计算机硬件系统必要的组成部件之一，其容量和性能将直接关系到计算机系统的速度、稳定性和兼容性。性能将直接关系到计算机系统的速度、稳定性和兼容性。是除是除CPUCPU外表明电脑档次的另一

3、标准。外表明电脑档次的另一标准。4.14.1 存储器组织结构存储器组织结构 最初的最初的80888088构成的计算机和为此开发的构成的计算机和为此开发的DOSDOS操作系统只能管操作系统只能管理理1 1MBMB的存储器。随着计算机的发展，内存容量不断扩大，为了的存储器。随着计算机的发展，内存容量不断扩大，为了DOSDOS使用的延续性，使用的延续性，286286以上的以上的CPUCPU设计了两种工作模式：设计了两种工作模式：1 1、实模式实模式 内存管理和使用范围为内存管理和使用范围为1 1MBMB2 2、保护模式保护模式 内存管理和使用范围大于内存管理和使用范围大于1 1MBMB（由由CPUC

4、PU定）定） 为此产生了内存管理程序，其思路是根据内存不同的使用方为此产生了内存管理程序，其思路是根据内存不同的使用方法，将内存划分为不同区域，分级管理。法，将内存划分为不同区域，分级管理。 概括起来，计算机在概括起来，计算机在DOSDOS环境下使用的存储器（环境下使用的存储器（RAMRAM）可划分可划分为三种类型：系统存储器为三种类型：系统存储器、扩展存储器和扩充存储器扩展存储器和扩充存储器。4.1.1 4.1.1 系统存储器系统存储器 系统存储器就是系统存储器就是DOSDOS所能管理的所能管理的1 1MBMB地址空间以内的存储器。地址空间以内的存储器。由常规内存、和上位内存由常规内存、和上

5、位内存组成组成。n n 常规内存（常规内存（BaseBase） 0-6400-640KBKB空间，为基本内存或实内存。其最低端为中断向空间，为基本内存或实内存。其最低端为中断向量表、量表、BIOSBIOS和和DOSDOS数据区，用户应用程序只能使用数据区，用户应用程序只能使用600600K K左右。左右。n n 上位内存（上位内存（UMBUMB） 640 640KB-1024KBKB-1024KB（384384KBKB）空间，一般不能被用户应用程序空间，一般不能被用户应用程序使用，属保留内存只归系统使用，用于视频缓冲区、使用，属保留内存只归系统使用，用于视频缓冲区、ROM ROM BIOSBI

6、OS驻留区（装载驻留区（装载DOSDOS常驻内存程序又称影子内存常驻内存程序又称影子内存）。）。4.1.2 4.1.2 扩展存储器（扩展存储器（XMSXMS） 1 1MBMB以上的存储器空间为扩展存储器。为了能在以上的存储器空间为扩展存储器。为了能在DOSDOS平台使用平台使用扩展存储器，制定了扩展存储器扩展存储器，制定了扩展存储器XMSXMS规范，编制了扩展存储器管规范，编制了扩展存储器管理程序理程序HIMEM.SYSHIMEM.SYS。扩展存储器包括高端内存和扩展内存。扩展存储器包括高端内存和扩展内存。n n 高端内存（高端内存（HMAHMA） DOS 1MB DOS 1MB边界上端第一个

7、边界上端第一个6464KBKB区域。区域。8028680286以上的以上的CPUCPU可通过可通过激活激活A20A20地址线在实模式下访问。地址线在实模式下访问。n n 扩展内存（扩展内存（EMBEMB） 它是扩展存储器中除去它是扩展存储器中除去HMAHMA的剩余部分，只能在保护模式下的剩余部分，只能在保护模式下访问。访问。WindowsWindows操作系统具有完善的扩展内存管理功能操作系统具有完善的扩展内存管理功能。4.1.3 4.1.3 扩充存储器（扩充存储器（EMSEMS） 扩充存储器是遵守扩充存储器是遵守EMSEMS规范的内存，位于计算机正规内存规范的内存，位于计算机正规内存之外，之

8、外，DOSDOS不直接参与不直接参与EMSEMS的管理，而是由的管理，而是由EMM386.EXEEMM386.EXE管理。管理。 依据依据EMSEMS规范规范，将扩充存储器板的实际物理存储器划分为将扩充存储器板的实际物理存储器划分为1616KBKB的的“页面页面”，然后在保留内存（上位内存）中开辟，然后在保留内存（上位内存）中开辟6464KBKB的空闲区域作为窗口，系统透过这个窗口访问扩充存储器页的空闲区域作为窗口，系统透过这个窗口访问扩充存储器页面。每次可以读、写面。每次可以读、写4 4个不同的页面，最多可以管理个不同的页面，最多可以管理3232MBMB扩页扩页存储器（存储器（EMS4.0E

9、MS4.0）。）。 XMSXMS（扩展存储器）只能用于（扩展存储器）只能用于8028680286以上的以上的CPUCPU，绝大部分，绝大部分使用扩展内存的软件如使用扩展内存的软件如WINDOWSWINDOWS、OFFICEOFFICE等基本上都支持等基本上都支持XMSXMS规范。目前很少有软件支持规范。目前很少有软件支持EMSEMS（扩充存储器）（扩充存储器）。4.1.4 4.1.4 存储器容量单位存储器容量单位 位（位（BitBit）是存储器容量的最小单位。是存储器容量的最小单位。 例如：例如：100=64(100=64(H)=0110,0100(B)H)=0110,0100(B)。n n

10、一位二进制数对应于存储器中一个晶体管存储电路。一位二进制数对应于存储器中一个晶体管存储电路。n n 一位二进制数可表示一位二进制数可表示0,10,1两个数，对应于晶体管存储电路两个数，对应于晶体管存储电路饱和、截止两种工作状态。饱和、截止两种工作状态。 字节（字节（ByteByte）字节是存储器容量的基本单位（单元）。字节是存储器容量的基本单位（单元）。n n 一个字节由一个字节由8 8位二进制数构成位二进制数构成。n n 一字节表示最小值为一字节表示最小值为00000000(00000000(B)B)，最大值为最大值为11111111(11111111(B)B)。所以一个字节可表示所以一个字

11、节可表示2 28 8=256=256个数字或个数字或256256种信息。种信息。4.1.5 4.1.5 存储器常用单位换算存储器常用单位换算n n 千字节（千字节（KBKB）：）： 1KB=1024Byte 1KB=1024Byten n 兆字节（兆字节（MBMB）：）： 1MB=1024KB 1MB=1024KBn n 千兆字节（千兆字节（GBGB）：）：1GB=1024MB1GB=1024MB 各单位的关系如下各单位的关系如下 1GB = 1024 1GB = 1024（MBMB） = = 1024102410241024（KBKB） = = 10241024102410241024102

12、4（ByteByte）例：例：256256MBMB（兆字节）兆字节）1024=2621441024=262144KBKB 512512MBMB（兆字节）兆字节）1024=5242881024=524288KBKB4.1.6 4.1.6 存储器数据位宽度存储器数据位宽度 存储器数据位宽度又称数据位数。指存储器一次读写数据存储器数据位宽度又称数据位数。指存储器一次读写数据的位数，也可以理解为内存一次与的位数，也可以理解为内存一次与CPUCPU交换数据的位数。交换数据的位数。 微机内存根据微机内存根据CPUCPU数据总线的宽度可分为：数据总线的宽度可分为：8 8、1616、3232、64bit64b

13、it（位（位）几种。显然，几种。显然，1616位内存可由两个位内存可由两个8 8位位芯片组成，芯片组成，3232位内存需四个位内存需四个8 8位芯片组成，位芯片组成，6464位内存可以由八位内存可以由八个个8 8位芯片或四个位芯片或四个1616位芯片组成，依次类推。位芯片组成，依次类推。 在微机系统中，二级缓存一般为在微机系统中，二级缓存一般为128128或或256256位。通常意义上位。通常意义上的内存为的内存为6464位。位。4.2 4.2 存储器类型存储器类型4.2.1 4.2.1 只读存储器只读存储器 只读存储器只读存储器ROMROM是电脑厂商预先将程序烧制在芯片中，用是电脑厂商预先将

14、程序烧制在芯片中，用户使用时只能读而不能写，关机和掉电时其中的数据不会丢户使用时只能读而不能写，关机和掉电时其中的数据不会丢失，可以通过专用的设备和程序对其内容进行刷新（修改）。失，可以通过专用的设备和程序对其内容进行刷新（修改）。 ROM ROM可分为两种类型：可分为两种类型：n n EPROM EPROM 紫外光擦除可编程只读存储器。紫外光照射紫外光擦除可编程只读存储器。紫外光照射1515分分钟一擦全擦，安全性高（指病毒侵害）。钟一擦全擦，安全性高（指病毒侵害）。n n Flash ROM Flash ROM 电擦除可编程快闪只读存储器（闪存）。可电擦除可编程快闪只读存储器（闪存）。可按字

15、节擦写，安全性较差。按字节擦写，安全性较差。 ROM ROM用来制造微机系统中的用来制造微机系统中的BIOSBIOS 芯片芯片。4.2.2 4.2.2 随机存取存储器随机存取存储器 随机存取存储器随机存取存储器RAMRAM是指是指CPUCPU根据需要，通过指令可以随机对根据需要，通过指令可以随机对其进行访问的存储器，既通常意义上的微机内存。其进行访问的存储器，既通常意义上的微机内存。 RAM RAM既能读又能写，但在关机或掉电后其中信息随之丢失。既能读又能写，但在关机或掉电后其中信息随之丢失。1 1、动态随机存储器、动态随机存储器DRAMDRAM DRAM DRAM是利用是利用MOSMOS（金

16、属氧化物半导体）晶体管的结电容存储金属氧化物半导体）晶体管的结电容存储电荷来保存信息。由于电荷来保存信息。由于MOSMOS管结电容缓慢放电，造成数据丢失，管结电容缓慢放电，造成数据丢失，所以工作时需不断刷新。所以工作时需不断刷新。DRAMDRAM速度稍慢、但价格低。速度稍慢、但价格低。 不论何种存储器，都是由大量基本存储单元构成的矩阵结不论何种存储器，都是由大量基本存储单元构成的矩阵结构，这个矩阵结构就是一个完整存储体构，这个矩阵结构就是一个完整存储体( (BANK)BANK)。 DRAM DRAM用于制造微机系统的内存主体，也称用于制造微机系统的内存主体，也称内存条内存条。2 2、静态随机存

17、储器、静态随机存储器SRAMSRAM SRAMSRAM的基本存储单元是一个包含的基本存储单元是一个包含4 4个或个或6 6个高速晶体三极个高速晶体三极管组成的双稳态电路（管组成的双稳态电路（JSJS触发器），利用双稳态电路的两个触发器），利用双稳态电路的两个稳态（稳态（0 0逻辑和逻辑和1 1逻辑状态逻辑状态）保存信息。保存信息。 由于改变双稳态电路的逻辑状态比改变结电容上的电荷由于改变双稳态电路的逻辑状态比改变结电容上的电荷要快得多，所以要快得多，所以SRAMSRAM速度快，约为速度快，约为DRAMDRAM的的3-43-4倍，且工作时倍，且工作时不需刷新。不需刷新。 由于由于SRAMSRAM

18、基本存储单元由多个晶体管构成，所以功耗高基本存储单元由多个晶体管构成，所以功耗高于于DRAMDRAM，体积较大，价格相对也高。体积较大，价格相对也高。 SRAM SRAM用来制造微机系统的用来制造微机系统的高速缓存高速缓存和和CMOS CMOS RAMRAM。4.2.3 4.2.3 存储器速度和容量组合方式存储器速度和容量组合方式1 1、存储器、存储器( (芯片芯片) )速度和容量速度和容量n n 芯片速度芯片速度 即芯片读写数据的速度，一般反映在型号上。即芯片读写数据的速度，一般反映在型号上。 例：例：4464-84464-8或或4464-804464-80则速度均为则速度均为8080nSn

19、S。n n 芯片容量芯片容量 即芯片寻址范围，即存储芯片的存储单元数。即芯片寻址范围，即存储芯片的存储单元数。 一个存储芯片完整的表示方法是：存储单元数一个存储芯片完整的表示方法是：存储单元数数据位数。数据位数。 例：一根容量为例：一根容量为128MB128MB，数据位宽是数据位宽是6464位的内存条位的内存条，可以表可以表示为：示为：128128MBMB64(64(bit)bit)2 2、存储模块和内存条、存储模块和内存条 存储芯片按照一定的规格组合在一个芯片中构成存储模块存储芯片按照一定的规格组合在一个芯片中构成存储模块（颗粒）（颗粒）。一般有一般有512512KBKB8bit8bit、1

20、MB1MB88bitbit、16MB16MB88bitbit、64MB64MB88bitbit、64MB64MB1616bitbit、128MB128MB88bitbit等多种规格。等多种规格。 存储模块（颗粒）按照要求安装在条形存储模块（颗粒）按照要求安装在条形PCBPCB（印刷电路）（印刷电路）板上就构成板上就构成内存条内存条。3 3、内存容量的组合方式、内存容量的组合方式 存储器芯片或存储模块组合成内存，要满足三个要求：存储器芯片或存储模块组合成内存，要满足三个要求：n n 组合后的存储器组合后的存储器数据位数数据位数要满足内存要求要满足内存要求n n 组合后的组合后的存储容量存储容量要

21、满足内存要求要满足内存要求n n 要考虑要考虑奇偶效验位奇偶效验位（如果需要的话）（如果需要的话）例：组成例：组成286286微机的微机的1 1MBMB16bit16bit内存（包括奇偶效验位），需要内存（包括奇偶效验位），需要4125641256芯片（芯片（256256K K11bitbit）几片？几片？ 解：解：1 1、4125641256是是1 1位芯片，故需位芯片，故需1616片才能构成片才能构成1616bitbit数据位。数据位。 2 2、因为每、因为每8 8bitbit需配需配1 1个个bitbit作为奇偶效验，即作为奇偶效验，即1616bitbit数据位数据位宽需宽需2 2片片4

22、125641256作为奇偶效验，故作为奇偶效验，故1818片片4125641256才能构成一个完整的才能构成一个完整的组合（组合（BANKBANK）。）。一个组合为一个组合为256256KB16bit+KB16bit+奇偶效验奇偶效验。 3 3、故构成、故构成1 1MBMB16bit+16bit+奇偶效验内存则需奇偶效验内存则需4 4个组合。个组合。所以共需要所以共需要4125641256芯片为芯片为184=72184=72（片）。片）。 BANK BANK（存储体）即为一个可独立使用的由大量基本存储单存储体）即为一个可独立使用的由大量基本存储单元构成的矩阵结构，存储体有时就是一个基本存储芯片

23、。元构成的矩阵结构，存储体有时就是一个基本存储芯片。4.3 4.3 内存条性能指标与接口内存条性能指标与接口4.3.1 4.3.1 几个概念几个概念1 1、奇偶效验、奇偶效验 具有奇偶效验的内存在每一字节（具有奇偶效验的内存在每一字节（8 8位）外增加一位（第位）外增加一位（第9 9位）作为错误检测之用，称奇偶效验位。将一字节的位）作为错误检测之用，称奇偶效验位。将一字节的8 8位相互位相互相加，结果若是奇数，效验位就定义为相加，结果若是奇数，效验位就定义为1 1，反之则为，反之则为0 0。 CPU CPU读取数据时，都要将读取字节的读取数据时，都要将读取字节的8 8位数相加并与其效验位数相加

24、并与其效验位比较，当位比较，当CPUCPU发现二者不同时则死机。发现二者不同时则死机。例：有一数例：有一数 10011101(B)10011101(B)， 8 8位数相加位数相加（1+0+0+1+1+1+0+11+0+0+1+1+1+0+1）=5=5， Parity Parity（奇偶效验奇偶效验）=1=1。2 2、ECCECC效验效验 ECCECC( (Error CheckingError Checking) )是用来检验是用来检验RAMRAM中的整体数据的一种中的整体数据的一种电子方式。它不仅能检测出多位数据错误，同时还可以指定电子方式。它不仅能检测出多位数据错误，同时还可以指定出错的数

25、位并改正。出错的数位并改正。 ECC ECC效验也是通过外加数据位来实现的。如效验也是通过外加数据位来实现的。如8 8位数据，奇偶位数据，奇偶效验需效验需1 1位，位，ECCECC检验则需检验则需5 5位位。这额外的这额外的5 5位是用来重建错误位是用来重建错误的数据的。当内存数据位数增加一倍，奇偶效验也增加一倍，的数据的。当内存数据位数增加一倍，奇偶效验也增加一倍，而而ECCECC只需增加一位。当数据为只需增加一位。当数据为6464位时位时ECCECC和奇偶效验位数相和奇偶效验位数相同（都是同（都是8 8位）。位）。 在纠错时系统的性能将明显降低，但你不会发觉你的数据在纠错时系统的性能将明显

26、降低，但你不会发觉你的数据出过错。出过错。3 3、SPDSPD（串行存在检测）串行存在检测） SPD(Serial Presence Detect)SPD(Serial Presence Detect)是是1 1颗颗8 8脚的脚的SOICSOIC封装的封装的256256字节的字节的E E2 2PROMPROM芯片，型号多为芯片，型号多为2424LC01/02LC01/02。里面保存该内存的里面保存该内存的容量、速度、电压、是否具备容量、速度、电压、是否具备ECCECC校验和行校验和行/ /列地址带宽等参列地址带宽等参数信息，这些信息一般由内存条制造商写入数信息，这些信息一般由内存条制造商写入S

27、PDSPD芯片中。支持芯片中。支持SPDSPD的主板在启动时自动检测的主板在启动时自动检测SPDSPD中的信息，并以此设定内存中的信息，并以此设定内存的工作参数。它是识别的工作参数。它是识别PC 100PC 100以上的内存的一个重要标志。以上的内存的一个重要标志。 现在几乎所有的主板现在几乎所有的主板BIOSBIOS都支持都支持SPDSPD，而对于内存上的假而对于内存上的假SPDSPD来说，就会有不兼容或死机的现象出现，这是检测假冒内来说，就会有不兼容或死机的现象出现，这是检测假冒内存条的好方法。当然，你可以通过存条的好方法。当然，你可以通过CMOSCMOS设置关闭设置关闭SPDSPD功能，

28、手功能，手动设置内存工作参数。动设置内存工作参数。4.3.2 4.3.2 内存主要性能指标内存主要性能指标1 1、TCKTCK（内存时钟周期（内存时钟周期） TCK TCK由系统时钟频率由系统时钟频率f f决定，说明内存能运行的最大频率，决定，说明内存能运行的最大频率， TCK=1/fTCK=1/f。系统工作在系统工作在100100MHzMHz时，时，TCKTCK10ns10ns。2 2、TRCDTRCD（RAS to CAS DelayRAS to CAS Delay） 行地址有效到读行地址有效到读/ /写命令（列地址寻址命令）发出之间的写命令（列地址寻址命令）发出之间的间隔间隔，即即RAS

29、RAS相对相对CASCAS的延时时间。的延时时间。3 3、CLCL（CAS LatencyCAS Latency） 指列地址选中后，经过触发数据传输，数据真正出现在内指列地址选中后，经过触发数据传输，数据真正出现在内存存I/O I/O 端口所需的等待时间（列地址脉冲的反应时间）。一端口所需的等待时间（列地址脉冲的反应时间）。一般为般为2 2个、个、3 3个或个或4 4个时钟周期。个时钟周期。 4 4、TACTAC（内存存取时间（内存存取时间） 指确定一个存储单元后，进行数据存取操作所需的时间。指确定一个存储单元后，进行数据存取操作所需的时间。即在最大的即在最大的CLCL时的最大的数据输出时间。

30、如：时的最大的数据输出时间。如： 100MHz 100MHz时，时，TCKTCK1010nsns、CL=3CL=3、TACTAC66nsns。4 4、TRPTRP（Row Row PrechargePrecharge command Period command Period） 从开始关闭现有的工作行，到可以打开新的工作行之间的从开始关闭现有的工作行，到可以打开新的工作行之间的间隔间隔（行预充电有效周期）。一般为行预充电有效周期）。一般为2 2个、个、3 3个或个或4 4个时钟周期。个时钟周期。 5 5、内存存取周期、内存存取周期 内存存取周期内存存取周期= =系统时钟周期系统时钟周期CLCL

31、模式数模式数+ +存取时间。存取时间。例：某例：某PC100PC100内存的存取时间为内存的存取时间为6 6nsns，设定设定CLCL模式数为模式数为2 2，则则存取周期存取周期=10=10ns2+6ns=26nsns2+6ns=26ns。4.3.3 4.3.3 内存条接口内存条接口 内存条由内存颗粒（模块）、内存条由内存颗粒（模块）、PCBPCB印刷电路板、印刷电路板、SPDSPD芯片和芯片和内存条引脚（接口，由称金手指）几个部分组成。内存条引脚（接口，由称金手指）几个部分组成。 内存条引脚和内存插槽构成了与外部进行数据交换的接口。内存条引脚和内存插槽构成了与外部进行数据交换的接口。内存条引

32、脚数目（线数）由内存架构（类型）决定。内存条内存条引脚数目（线数）由内存架构（类型）决定。内存条接口有三大类接口有三大类：1 1、SIMM(Single In-line Memory Module)SIMM(Single In-line Memory Module)单边接触内存模组单边接触内存模组n n 30 30线线SIMMSIMM 支持支持FPMFPM内存。单根内存。单根8 8位，双根位，双根1616位，用于位，用于286286、386386SXSX微机。微机。n n 72 72线线SIMMSIMM 支持支持EDOEDO内存。单根内存。单根3232位，用于位，用于386386DSDS、48

33、6DX486DX微机。双根微机。双根6464位，用于位，用于586586微机。微机。2 2、DIMM(Dual In-line Memory Module)DIMM(Dual In-line Memory Module)双边接触内存模组双边接触内存模组 DIMMDIMM属于属于6464位接口，一根位接口，一根DIMMDIMM内存条就能覆盖整个数据总内存条就能覆盖整个数据总线，线，DIMMDIMM内存条有三种接口内存条有三种接口: :n n 168168线线DIMMDIMM 支持支持SDRAMSDRAM内存，单根内存，单根6464位。位。n n 1 18484线线DIMMDIMM 支持支持DDR

34、DDR内存，单根内存，单根6464位。位。n n 240240线线DIMMDIMM 支持支持DDRDDR内存，单根内存，单根6464位。位。3 3、RIMM(RambusRIMM(Rambus Interface Memory Interface Memory Module)RambusModule)Rambus内存模组内存模组 用于用于RambusRambus公司生产的公司生产的RDRAMRDRAM内存，有单内存，有单/ /双通道两种接口双通道两种接口: :n n 184184线线RIMMRIMM 支持支持1616位单通道位单通道RDRAMRDRAM内存。内存。n n 232 232线线RI

35、MMRIMM 支持支持3232位双通道位双通道RDRAMRDRAM内存。内存。4.4 4.4 常用内存常用内存4.4.1 FPM RAM4.4.1 FPM RAM（快速页面模式快速页面模式内存内存） 这是较早的微机系统使用的内存，它每三个时钟脉冲周这是较早的微机系统使用的内存，它每三个时钟脉冲周期传送一次数据，一次读期传送一次数据，一次读/ /写操作需写操作需50-7050-70nSnS。FPMFPM RAM RAM工作工作电压为电压为5 5V V，采用采用3030线线SIMMSIMM接口，常用于接口，常用于286286和和386386微机中。微机中。4.4.2 EDO RAM4.4.2 ED

36、O RAM（扩展数据输出扩展数据输出内存内存） EDO EDO存储器在读写两个连续地址存储单元时，在前一个存储器在读写两个连续地址存储单元时，在前一个单元读写周期内便启动下一个读写周期（双存储体），因此单元读写周期内便启动下一个读写周期（双存储体），因此减小了两个存储周期之间的时间间隔，读写速度达到减小了两个存储周期之间的时间间隔，读写速度达到25-25-3030nSnS。EDOEDO RAM RAM工作电压工作电压5 5V V，采用采用7272线线SIMMSIMM接口，用于接口，用于486486和和早期的早期的586586微机微机4.4.3 SDRAM 4.4.3 SDRAM 内存（内存（S

37、ynchronous DRAMSynchronous DRAM） SDRAM SDRAM又称同步动态又称同步动态内存内存，是，是PP时代普遍使用的内存类时代普遍使用的内存类型。型。SDRAMSDRAM采用双存储体结构，一个用于采用双存储体结构，一个用于CPUCPU读写数据，另一读写数据，另一个则为个则为CPUCPU读写数据作准备，两者相互自动切换。读写数据作准备，两者相互自动切换。 SDRAMSDRAM以以6464位并行方式传送数据，且工作频率与位并行方式传送数据，且工作频率与CPUCPU的外的外频同步，每一时钟周期上升沿传送一次数据，不存在延时或频同步，每一时钟周期上升沿传送一次数据，不存在

38、延时或等待，速度比等待，速度比EDOEDO提高提高13%13%。 SDRAM SDRAM有有PC 100/133/150PC 100/133/150几种规格，以几种规格，以PC 133PC 133为例，数据为例，数据传输率为传输率为1.064GB/s1.064GB/s。（。（133MHz133MHz6464bit8=1.064GB/sbit8=1.064GB/s） SDRAM SDRAM工作电压工作电压3.33.3V V，采用，采用168168线线DIMMDIMM接口。从接口。从586586开始至开始至早期的早期的P4P4，所有主板几乎都支持所有主板几乎都支持SDRAMSDRAM。4.4.4

39、DDR SDRAM 4.4.4 DDR SDRAM 内存（内存（Double Data RateDouble Data Rate） DDRDDR又称又称SDRAM SDRAM ，是，是P4P4时代普遍使用的内存类型。时代普遍使用的内存类型。DDRDDR是是VIAVIA（威胜）和（威胜）和AMDAMD在在SDRAMSDRAM的基础上联合推出的双倍速率的基础上联合推出的双倍速率DRAMDRAM，DDRDDR采用采用OCDOCD（离线驱动调整）技术和一个称为离线驱动调整）技术和一个称为DQSDQS的的特殊逻辑部件，提供完整的数据选通信号对数据精确定位，特殊逻辑部件，提供完整的数据选通信号对数据精确定

40、位，能够在一个时钟周期的上升和下降沿两次传送数据。能够在一个时钟周期的上升和下降沿两次传送数据。 DDRDDR内存内存以以6464位并行方式传送数据，但是数据传输率是位并行方式传送数据，但是数据传输率是SDRAMSDRAM内存的两倍。内存的两倍。DDRDDR内存有内存有DDR 266/300/333/400DDR 266/300/333/400几种规几种规格，工作电压为格，工作电压为2.52.5V V，采用采用184184线线DIMMDIMM接口。接口。 以以DDR 400DDR 400为例，时钟频率为为例，时钟频率为200200MHzMHz，因此数据传输率为因此数据传输率为200200MHz

41、MHz264264bit8=3.2GB/sbit8=3.2GB/s。用于支持用于支持200/400200/400MHz FSBMHz FSB系统。系统。 双双通通道道DDRDDR是是通通过过扩扩展展内内存存子子系系统统位位宽宽来来实实现现的的，它它依依赖赖于于主主板板芯芯片片组组的的内内存存控控制制器器发发生生作作用用，双双通通道道DDRDDR系系统统则则有有两两个个6464位位具具备备互互补补性性的的智智能能内内存存控控制制器器，两两个个内内存存控控制制器器都都能能够够在在彼彼此此间间零零等等待待时时间间的的情情况况下下同同时时并并行行运运作作，等等同同于于一一个个128128位的内存体系。

42、位的内存体系。 双通道双通道DDRDDR有有DDR 400/500/533/600DDR 400/500/533/600几种规格，数据传输率几种规格，数据传输率是普通是普通DDRDDR的两倍，工作电压为的两倍，工作电压为2.5-2.652.5-2.65V V，主要用于支持主要用于支持533/800533/800MHz FSBMHz FSB系统系统。 如果主板上既有如果主板上既有DDRDDR内存插槽，又有内存插槽，又有SDRAMSDRAM内存插槽。当你内存插槽。当你只使用只使用DDRDDR内存而不使用内存而不使用SDRAMSDRAM内存时，必须将所有空着的内存时，必须将所有空着的SDRAMSDR

43、AM插槽插上插槽插上“SDRAMSDRAM接口终结卡接口终结卡”，否则系统不能启动。，否则系统不能启动。 DDRDDR在不提升内存速度前提下提高内存整体数据传输率。在不提升内存速度前提下提高内存整体数据传输率。1 1、改改进进针针脚脚设设计计 采采用用双双向向数数据据控控制制针针脚脚，针针脚脚有有200200、220220、240240（桌面系统）三种。桌面系统）三种。2 2、更低的工作电压、更低的工作电压 采用采用0.090.09微米工艺，工作电压微米工艺，工作电压1.81.8V V。3 3、更小的封装、更小的封装 普通普通DDRDDR内存采用内存采用TSOP-TSOP-封装，封装，DDRD

44、DR改用改用更先进的更先进的FBGAFBGA（细间距球栅阵列）细间距球栅阵列）无铅封装技术。无铅封装技术。4 4、增加增加cell(cell(内存颗粒内部单元内存颗粒内部单元) ) DDRDDR使用两个并行运行使用两个并行运行的两位的两位( (bit)cellbit)cell，采用采用4 4位位PrefetchPrefetch( (数据预取数据预取) )技术技术。5 5、片内信号终结器、片内信号终结器 终结器由板载改为片内，减小驻波干扰。终结器由板载改为片内，减小驻波干扰。 DDRDDR有有DDR 400/500/533/600/800DDR 400/500/533/600/800几种规格，主

45、要用于支几种规格，主要用于支持持533/800533/800MHz FSBMHz FSB系统系统。 DDR DDR属于八倍资料率同步动态随机存取内存。属于八倍资料率同步动态随机存取内存。一、特点一、特点1 1、8bit8bit预取设计（预取设计（DDR2DDR2为为4bit4bit预取），这样预取），这样DRAMDRAM内核的频率内核的频率只有接口频率的只有接口频率的1/81/8，DDR3-800DDR3-800的核心工作频率只有的核心工作频率只有100MHz100MHz。 2 2、采用点对点的拓朴架构，以减轻地址、采用点对点的拓朴架构，以减轻地址/ /命令与控制总线的命令与控制总线的负担。负

46、担。 3 3、采用、采用100nm100nm以下的生产工艺，工作电压从以下的生产工艺，工作电压从1.8V1.8V降至降至1.5V1.5V。4 4、新增了更为先进的、新增了更为先进的CWDCWD、ResetReset、ZQZQ、SRTSRT、RASRRASR功能。功能。二、与二、与DDR2DDR2几个主要不同之处几个主要不同之处 1.1.突发长度（突发长度（Burst LengthBurst Length，BLBL） 2.2.寻址时序（寻址时序（TimingTiming） 3.DDR33.DDR3新增的重置（新增的重置（ResetReset）功能）功能 4.4.5 RDRAM 4.4.5 RDR

47、AM 内存（内存（Direct Direct RambusRambus DRAM DRAM） RDRAMRDRAM又称存储器总线式动态又称存储器总线式动态内存内存，是是RamBusRamBus公司开发的公司开发的新型新型DRAMDRAM，采用铜线连接工艺，引入了处理器设计中的采用铜线连接工艺，引入了处理器设计中的RISCRISC思想，具有相互独立的行、列地址寻址总线。思想，具有相互独立的行、列地址寻址总线。RDRAMRDRAM能在很高能在很高的频率范围内通过一个高速串行总线在一个时钟周期的上升的频率范围内通过一个高速串行总线在一个时钟周期的上升和下降沿两次传送数据。和下降沿两次传送数据。 单通

48、道单通道RDRAMRDRAM以以1616位串行方式传送数据，实际一个时钟周位串行方式传送数据，实际一个时钟周期传送期传送3232位数据。常见的规格有位数据。常见的规格有PC 600/700/800PC 600/700/800/ /10661066几种。几种。单通道单通道RDRAMRDRAM采用采用184184线线RIMMRIMM接口。接口。 以以PC 800PC 800为例，工作（时钟）频率为例，工作（时钟）频率400MHz400MHz，则数据传输率则数据传输率为为400400MHz16MHz1688221.6GB/s1.6GB/s。用于支持用于支持200200MHz FSBMHz FSB系统

49、。系统。 双通道双通道RDRAMRDRAM以以3232位串行方式传送数据，实际在单个位串行方式传送数据，实际在单个RIMMRIMM模组中一个时钟周期传送模组中一个时钟周期传送6464位数据。常见的规格有位数据。常见的规格有RIMM RIMM 3200/4200/48003200/4200/4800几种。双通道几种。双通道RDRAMRDRAM采用采用232232线线RIMMRIMM接口。接口。 以以RIMM 4200RIMM 4200为例，工作频率为为例，工作频率为533MHz533MHz，则数据传输率为则数据传输率为533533MHz32MHz3288224.2GB/s4.2GB/s。主要用于

50、支持主要用于支持533/800533/800MHz MHz FSBFSB系统系统。 RDRAM RDRAM工作电压为工作电压为2.52.5V V，IntelIntel公司在公司在820820、840840以及以及850850芯芯片组产品中加入对片组产品中加入对RDRAMRDRAM的支持的支持。 RDRAM RDRAM工作于高速串行方式，使用时所有的内存插槽都必工作于高速串行方式，使用时所有的内存插槽都必须用内存条插满。如有空槽，应该用专用的终结器将空槽插须用内存条插满。如有空槽，应该用专用的终结器将空槽插满，否则满，否则RDRAMRDRAM将不能工作将不能工作。 4.4.6 4.4.6 内存条

51、命名内存条命名1 1、SDRAMSDRAM内存命名内存命名 SDRAM SDRAM按工作频率命名，如按工作频率命名，如PC100PC100或或PC133PC133，即按即按PC XXX PC XXX 规规范来命名。范来命名。SDRAMSDRAM内存工作频率就是时钟频率。内存工作频率就是时钟频率。 数据传输率数据传输率= =时钟频率时钟频率646488。( (单位：单位：MB/s)MB/s)2 2、DDR SDRAMDDR SDRAM内存命名内存命名 DDRDDR内存有两种命名方法，一种是以实际工作频率来命名，内存有两种命名方法，一种是以实际工作频率来命名，如如DDR266DDR266，表示内存

52、运行在表示内存运行在133133MhzMhz（时钟频率）。另一种是按时钟频率）。另一种是按照内存峰值带宽来命名，如照内存峰值带宽来命名，如PC2700PC2700，表示内存最大数据带宽为表示内存最大数据带宽为2.72.7GB/SGB/S。两种命名方法的换算：两种命名方法的换算：PC XXXX8=DDR XXXPC XXXX8=DDR XXX 数据传输率数据传输率= =时钟频率时钟频率26426488。( (单位：单位：MB/s)MB/s)3 3、RDRAMRDRAM内存命名内存命名单通道（单通道（1616位）位）RDRAMRDRAM内存条以实际工作频率来命名，如内存条以实际工作频率来命名，如P

53、C800PC800、PC1066PC1066等，表示内存运行在等，表示内存运行在400400MhzMhz、533533MhzMhz（时钟时钟频率），这是频率），这是RDRAMRDRAM内存在一个时钟周期传送辆次数据的缘内存在一个时钟周期传送辆次数据的缘故。故。 数据传输率数据传输率= =时钟频率时钟频率21621688。( (单位：单位：MB/s)MB/s) 双通道（双通道（3232位）位）RDRAMRDRAM内存条按内存峰值带宽来命名，如内存条按内存峰值带宽来命名，如RIMM4200RIMM4200、RIMM4800RIMM4800等，表示内存最大数据带宽为等，表示内存最大数据带宽为4.24

54、.2GB/SGB/S、4.84.8GB/SGB/S。其数据传输率其数据传输率= =时钟频率时钟频率23223288。 由此不难算出双通道由此不难算出双通道RDRAMRDRAM实际工作频率。例如，实际工作频率。例如，RIMM4200RIMM4200的实际工作频率是：的实际工作频率是：42004=106642004=1066MHzMHz。4.5 4.5 内存条选购内存条选购4.5.1 4.5.1 内存种类选择内存种类选择 根据主板前端总线频率（根据主板前端总线频率（FSBFSB）和芯片组考虑。和芯片组考虑。PC133 SDRAMPC133 SDRAM（用于用于PP）和）和DDR400 SDRAMD

55、DR400 SDRAM（用于用于P4P4）是目前）是目前市场的主流。市场的主流。4.5.2 4.5.2 内存品牌选择内存品牌选择n n 应选择名牌产品，因名牌产品在性能上有一定的宽裕度。应选择名牌产品，因名牌产品在性能上有一定的宽裕度。n n 内存模块（颗粒内存模块（颗粒）品牌与内存条品牌有时不是一回事。品牌与内存条品牌有时不是一回事。 内存模块生产厂商有内存模块生产厂商有KingMaxKingMax、三星、三星、HYHY、LGLG、西门子等。西门子等。进口内存条生产厂商有进口内存条生产厂商有KingMaxKingMax、三星、三星、NECNEC、东芝等，国产内东芝等，国产内存条鱼龙混杂，台湾

56、产品较好的有存条鱼龙混杂，台湾产品较好的有KingstonKingston。n n 版面光洁、色泽均匀。版面光洁、色泽均匀。n n 焊接整齐、焊点光泽。焊接整齐、焊点光泽。n n 金手指光亮、标识清晰。金手指光亮、标识清晰。n n 警惕拼装的次品内存条和警惕拼装的次品内存条和RemarkRemark的的内存内存条条4.5.4 4.5.4 解读内存标识解读内存标识n n 内存标识包括内存条标识和内存模块（颗粒）标识，它内存标识包括内存条标识和内存模块（颗粒）标识，它们从不同的角度反映了内存的性能参数。们从不同的角度反映了内存的性能参数。n n 内存标识是我们理解所购买内存性能的基本方法。内存标识

57、是我们理解所购买内存性能的基本方法。n n 解读内存标识解读内存标识。4.5.3 4.5.3 内存制造工艺内存制造工艺1 1、SDRAMSDRAM内存条编号内存条编号一般表示为一般表示为： PC PC xm-aabc-ddefxm-aabc-ddefx x：代表时钟（工作）频率，代表时钟（工作）频率，100/133/150100/133/150MHzMHz等等M M：模组类型，模组类型，U U（无缓冲）；无缓冲）；R R（有缓冲）；有缓冲）；S S（SODIMMSODIMM）aaaa：最小的最小的CLCL模式数，用时钟数表示，一般为模式数，用时钟数表示，一般为2 2或或3 3b b：最小的最小

58、的TRCDTRCD（RASRAS相对相对CASCAS的延时）时间，一般为的延时）时间，一般为2 2c c：最小最小TRPTRP（RASRAS预充电时间），一般为预充电时间），一般为2 2dddd：最大最大TACTAC（内存存取）时间，多为内存存取）时间，多为6 6nsns、7ns7ns等数值等数值e e：JEDEC SPDJEDEC SPD的版本号（如的版本号（如2 2则代表则代表V1.2V1.2）f f：f f为模组的版本或是一个保留值为为模组的版本或是一个保留值为0 0（JEDECJEDEC：电子工程设计发展联合协会）电子工程设计发展联合协会）2 2、DDRDDR内存条编号内存条编号一般表

59、示为：一般表示为：PC PC xm-aabc-efxm-aabc-efx x：为内存条峰值带宽（为内存条峰值带宽（MB/sMB/s）M M：模组类型，模组类型，U U（无缓冲）；无缓冲）；R R（有缓冲）；有缓冲）；S S（小型化）小型化） aaaa：最小的最小的CLCL模式数，用时钟数表示模式数，用时钟数表示b b：最小的最小的TRCDTRCD（RASRAS相对相对CASCAS的延时）时间的延时）时间c c：最小最小TRPTRP（RASRAS预充电时间）预充电时间）e e：为为JEDEC SPDJEDEC SPD的版本的版本f f：为模组的版本或是一个保留值为为模组的版本或是一个保留值为0

60、0 3 3、KingstonKingston（金士顿）内存条编号（金士顿）内存条编号一般表示为：一般表示为：KVRxxxXaaCbb/dddKVRKVR：代表代表kingstonkingston value RAM value RAMxxxxxx：工作频率工作频率aaaa：6464为没有为没有ECCECC；7272代表有代表有ECCECCbbbb：最小的最小的CLCL模式数，模式数，3 3、2.52.5或或2 2/ /：分隔符号分隔符号dddddd：内存的容量内存的容量 金士顿金士顿Value RAM SDRAMValue RAM SDRAM内存命名方式也和内存命名方式也和DDRDDR一样。一

61、样。4 4、LGSLGS公司（公司（LG-LG-SemiconSemicon）内存模块（颗粒）编号内存模块（颗粒）编号通式：通式：GM72V GM72V abab cdcd e 1 f g T h e 1 f g T habab：容量（容量（MBMB） cdcd：数据位宽（数据位宽（bitbit） e e： 包括的包括的BANKBANK数数f f： 内核的版本号（越往后越新，可为空白）内核的版本号（越往后越新，可为空白） g g： 若是若是“L”L”就是低功耗，普通型则为空白就是低功耗，普通型则为空白T T： TSOP TSOP封装封装h h： TAC TAC（内存存取时间（内存存取时间）通式

62、：通式：HYB39S HYB39S abab cdcd 00 e T f -g 00 e T f -gabab：容量（容量（MBMB） cdcd：数据位宽（数据位宽（bitbit）e e： 内核的版本号（越后越新，可为空白）内核的版本号（越后越新，可为空白）T T： TSOP TSOP封装；封装；f f： 若是若是“L”L”就是低功耗，普通型则为空白就是低功耗，普通型则为空白- -g g：TACTAC（内存存取时间（内存存取时间）5 5、SiemensSiemens（西门子）内存模块（颗粒）编号西门子）内存模块（颗粒）编号1 1、根据使用的操作系统考虑根据使用的操作系统考虑n n Win 98

63、 Win 98：最低最低1616MBMB，基本基本3232MBMB，最好最好6464MBMB以上。以上。n n Win 2000 Win 2000：最低最低6464MBMB，基本基本128128MBMB，最好最好256256MBMB以上。以上。n n Win XPWin XP：最低：最低128128MBMB，基本基本256256MBMB，最好最好512512MBMB以上。以上。2 2、根据使用的软件考虑、根据使用的软件考虑n n 一般软件使用一般软件使用256256MBMB内存已足够，但运行图象（视频）处内存已足够，但运行图象（视频）处理软件最好使用理软件最好使用512512MBMB内存。内存

64、。n n 当内存容量足够大时，若再提高内存容量，则对计算机的当内存容量足够大时，若再提高内存容量，则对计算机的性能已不产生多大的影响。性能已不产生多大的影响。4.5.5 4.5.5 内存容量选择内存容量选择4.5.6 4.5.6 了解系统内存需求了解系统内存需求 最简单的方法是：右键单击最简单的方法是：右键单击“任务栏任务栏”单击单击“任务管理任务管理器器”，就可以直接观察到，就可以直接观察到CPUCPU和内存在不同的应用程序时的使和内存在不同的应用程序时的使用情况。用情况。4.5.7 4.5.7 软件检测内存软件检测内存 内存检测的目的一方面是通过检测软件查看内存内存检测的目的一方面是通过检

65、测软件查看内存SPDSPD芯片芯片内的信息，了解内存的技术参数、辨别内存的真假。另一方内的信息，了解内存的技术参数、辨别内存的真假。另一方面是检测内存动态性能（如内存带宽基准测试等）。面是检测内存动态性能（如内存带宽基准测试等）。 内存检测软件很多，一般常用下列两种：内存检测软件很多，一般常用下列两种：1 1、CPU-ZCPU-Z CPU-Z CPU-Z软件是一个小巧但实用的基于软件是一个小巧但实用的基于CPUIDCPUID检测引擎的免费检测引擎的免费检测软件检测软件。可以用来检测内存的技术参数。可以用来检测内存的技术参数。2 2、SiSoftwareSiSoftware Sandra San

66、dra SiSoftwareSiSoftware Sandra Sandra属于系统分析软件，可以检测内存的属于系统分析软件，可以检测内存的技术参数，也可以检测内存的动态特性。技术参数，也可以检测内存的动态特性。ENDEND计算机存储器组织结构计算机存储器组织结构示意图示意图1024K1024K0FFFFF0FFFFF0K0K640K640K0A00000A00000000000000001088K1088K高端内存高端内存HMAHMA10FFFF10FFFF扩展内存扩展内存EMBEMB上位内存上位内存UMBUMB扩展存储器扩展存储器（XMSXMS）常规内存常规内存系统存储器系统存储器上位内存

67、上位内存16M16MFFFFFFFFFFFF常规内存常规内存BASEBASE扩充存储器示意图扩充存储器示意图1024K1024K常规内存常规内存FFFFFFFFFF0K0K640K640KA0000A00000000000000上位内存上位内存上位内存上位内存常规内存常规内存6464K EMSK EMS页面窗口页面窗口扩充存储器扩充存储器（EMSEMS）1616K K页面页面。1616K K页面页面1616K K页面页面1616K K页面页面只读存储器只读存储器（ROMROM）EPROMEPROM Flash ROMFlash ROM 擦除窗口擦除窗口Flash ROMFlash ROM构成的

68、构成的 BIOS BIOS 芯片芯片主板主板 BIOS BIOS 芯片芯片 VGAVGA（显卡）显卡）BIOS BIOS 芯片芯片 动态存储器基本存储单元物理结构动态存储器基本存储单元物理结构动态存储器动态存储器 （DRAMDRAM）存储器芯片存储器芯片存储器模块存储器模块静态存储器静态存储器 （SRAMSRAM）CacheCacheCMOS RAMCMOS RAM 存储器分类存储器分类存储器分类存储器分类存储器分类存储器分类在微机中的应用在微机中的应用在微机中的应用在微机中的应用ROMROMEPROM EPROM Flash ROMFlash ROMBIOS ROMBIOS ROMKeybo

69、ard Keyboard BIOSBIOS VGA BIOSVGA BIOSRAMRAMSRAMSRAMCacheCache（高速缓存）高速缓存）CMOS RAMCMOS RAMDRAMDRAM主内存（内存条）主内存（内存条）存储器芯片与逻辑符号存储器芯片与逻辑符号芯片容量芯片容量= =寻址范围寻址范围= =2 21010=1024=1024（存储单元）存储单元）= 1= 1KBKB44bit bit 芯片速度芯片速度=30=30nSnS芯片速度：芯片速度：3030nSnS存储模块（颗粒）存储模块（颗粒）6060nSnS1010nSnS古老的三种内存条古老的三种内存条FPM DRAMFPM D

70、RAMEDO DRAMEDO DRAMSDRAMSDRAM主板上的存储器芯片组合主板上的存储器芯片组合这是这是486486微机的微机的L2 CacheL2 Cache 6125661256是是256256K8bit K8bit 芯片芯片 4 4片构成一个完整组合（片构成一个完整组合（BANKBANK）：）：256K256K（4848）bitbit两个两个BANKBANK构成：构成： 256K2256K2（3232bitbit）=512K=512K3232bit bit 芯片速度：芯片速度：1515nSnSSPDSPD（串行存在检测）串行存在检测）内存条组成内存条组成印刷电路板印刷电路板（PCB

71、PCB）SPDSPD芯片芯片内存条引脚内存条引脚（金手指）（金手指）内存模块内存模块（颗粒）（颗粒）商商 标标保质贴标保质贴标内存引脚（金手指）内存引脚（金手指）排排 阻阻贴片电容贴片电容3030线线SIMMSIMM内存安装情况内存安装情况7272线线 SIMMSIMM内存安装情况内存安装情况168168线线 DIMMDIMM内存安装情况内存安装情况184184线线 DIMMDIMM内存插槽内存插槽184184线线 DIMMDIMM内存安装情况内存安装情况240240线线 DIMM DIMM 双通道内存插槽双通道内存插槽184线 RIMM 16bit 单通道内存插槽184184线线 RIMMR

72、IMM内存安装情况内存安装情况232232线线 RIMM 32bit RIMM 32bit 双通道内存插槽双通道内存插槽FPM DRAM FPM DRAM 内存内存 EDO DRAM EDO DRAM 内存内存SDRAM SDRAM 内存内存Cross point ofCross point ofVREF & /DQSVREF & /DQSAfter OCD ImpedanceAfter OCD ImpedanceCross point ofCross point ofDQS & /DQSDQS & /DQSPull-up = Pull-downPull-up = Pull-downDDR S

73、DRAM DDR SDRAM 内存内存双通道双通道 DDR SDRAM DDR SDRAM 内存内存A A通道通道B B通道通道B B1 1B B2 2A A1 1A2A2双通道原则：隔行插入双通道原则：隔行插入B B通道通道A A通道通道A AB B1 1B2B2双通道原则：双通道原则：A A与与B1B1或或B2B2双通道双通道 DDR DDR 内存条的两种安装形式内存条的两种安装形式SDRAM SDRAM 接口终结卡接口终结卡DDR DDR 内存模块（颗粒）封装内存模块（颗粒）封装FBGA FBGA 封装（封装（DDR DDR ）TSOP-TSOP-封装封装（DDRDDR）SPDSPDSP

74、DSPDDDR SDRAM DDR SDRAM 内存内存DDR3DDR3内存颗粒内存颗粒DDR2DDR2和和DDR3DDR3兼容主板兼容主板 纯纯DDR3DDR3主板主板 完美的完美的DDR3DDR3内存布线内存布线三星金条三星金条DDRDDR 1333MHz 1333MHz内存内存金士顿金士顿DDRDDRDDRDDR 1333 1333MHzMHz 2 2 2 2G G普条普条单通道单通道 RDRAM RDRAM 内存内存脉冲上升沿脉冲上升沿 脉冲下降沿脉冲下降沿 一个时钟周期传送两次数据一个时钟周期传送两次数据双通道双通道 RDRAM RDRAM 内存内存RDRAM RDRAM 终结器终结

75、器1616位单通道位单通道3232位双通道位双通道SDRAM SDRAM 和和 DDR DDR 内存性能内存性能单通道单通道 RDRAM RDRAM 内存条编号内存条编号双通道双通道 RDRAM RDRAM 内存条编号内存条编号RDRAM RDRAM 内存性能内存性能ALUKAALUKA（樵风）樵风）128128M M内存（内存（SDRAMSDRAM）KingMaxKingMax 256256M M 内存（内存（SDRAMSDRAM）KingMaxKingMax 512512M M 内存（内存（DDR 333DDR 333）SamsungSamsung（三星）三星）256256M M 内存（内

76、存（DDR DDR ）警惕警惕RemarkRemark内存内存假真OCZ OCZ 256256M DDRM DDR双通道内存（双通道内存（DDR500DDR500）RAmosRAmos 128128M M 内存（内存（SDRAMSDRAM）KingstonKingston（金士顿）金士顿）512512M M 内存（内存（DDR DDR ）带带ECCECC效验的服务器专用内存条效验的服务器专用内存条现代现代 256 256M M内存（内存（SDRAMSDRAM）带带ECCECC效验的服务器专用内存条效验的服务器专用内存条IBM 256MIBM 256M内存（内存（DDRDDR）便携式计算机机专用

77、内存条便携式计算机机专用内存条128M SDRAM128M SDRAM256M DDR256M DDR SDRAM SDRAMSDRAM SDRAM 内存条编号内存条编号HYUNDAIHYUNDAI（现代）内存现代）内存RamaxelRamaxel（记忆科技）记忆科技） 内存内存SDRAM SDRAM 内存条编号内存条编号RAmosRAmos 内存内存RamaxelRamaxel（记忆科技）记忆科技） 内存内存DDR DDR 内存条编号内存条编号RAmosRAmos 内存内存HYNIXHYNIX（新现代）内存新现代）内存DDR DDR 内存条编号内存条编号Micron Micron 公司工程样

78、板内存公司工程样板内存RamaxelRamaxel（记忆科技）记忆科技） 内存内存KingstonKingston（金士顿）内存条编号（金士顿）内存条编号GM72V161621ET7GM72V161621ET7LGLG公司内存模块编号公司内存模块编号GM72VGM72V：LGLG公司公司SDRAMSDRAM芯片容量：芯片容量：1616MBMB数据位数：数据位数：1616bitbitBANKBANK数：数：2 2内核版本：内核版本：E E芯片封装：芯片封装：TSOPTSOP存取速度：存取速度：TAC=7nSTAC=7nS注意：注意： AG1AG1最好，最好，AG6AG6最差最差HYB39S648

79、00AT-8HYB39S64800AT-8西门子公司内存模块编号西门子公司内存模块编号HYB39SHYB39S：西门子公司西门子公司 SDRAMSDRAM芯片容量：芯片容量：6464MBMB数据位数：数据位数：8 8bitbit内核版本：内核版本：A A芯片封装：芯片封装：TSOPTSOP存取速度：存取速度：TAC=8nSTAC=8nSHY57V651620HGT-7HY57V651620HGT-7现代公司内存模块编号现代公司内存模块编号HY57VHY57V：现代公司现代公司 SDRAMSDRAM6464：64MB64MB1616：1616bitbit-7-7：TAC=7nSTAC=7nS工作

80、频率：工作频率：133M133M现代公司的名称已改为：现代公司的名称已改为：HYNIXHYNIXWin 2000Win 2000下查看内存和下查看内存和CPUCPU使用情况使用情况相对静止状态相对静止状态Win 2000Win 2000下查看内存和下查看内存和CPUCPU使用情况使用情况打开了一个媒体播放器打开了一个媒体播放器Win 2000Win 2000下查看内存和下查看内存和CPUCPU使用情况使用情况使用使用CPU-Z CPU-Z 进行内存参数检测进行内存参数检测使用使用 Sandra Sandra 进行内存信息检测进行内存信息检测使用使用 Sandra Sandra 进行内存性能检测进行内存性能检测