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1、MOSMOS集成电路工艺入门集成电路工艺入门资料资料IC工艺常用术语净化级别：Class 1, Class 10, Class 10,000每立方米空气中含灰尘的个数去离子水氧化扩散注入光刻.集成电路（集成电路（Integrated Circuit, IC）：半导体：半导体IC，膜，膜IC，混合，混合IC半导体半导体IC：指用半导体工艺把电路中的有源器件、无源元件及互指用半导体工艺把电路中的有源器件、无源元件及互联布线等以相互不可分离的状态制作在半导体上，最后封装在一联布线等以相互不可分离的状态制作在半导体上，最后封装在一个管壳内，构成一个完整的、具有特定功能的电路。个管壳内，构成一个完整的、
2、具有特定功能的电路。半导体半导体IC双极双极ICMOSICBiCMOSPMOS ICCMOS ICNMOS ICMOS IC及工艺MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor . 金属氧化物半导体场效应晶体管Si金属氧化物（绝缘层、SiO2）半导体MOS(MIS)结构P衬底n+n+漏源栅栅氧化层氧化层沟道GDSVTVGSIDVDS 0反型层 沟道源（Source）S漏（Drain）D栅（Gate）G栅氧化层厚度：50埃1000埃（5nm100nm）VT阈值电压电压控制N N沟沟MOSMOS（NMOSNMOS） P型衬底，受主杂
3、质； 栅上加正电压，表面吸引电子，反型，电子通道； 漏加正电压，电子从源区经N沟道到达漏区，器件开通。N衬底p+p+漏源栅栅氧化层场氧化层沟道P P沟沟MOSMOS（PMOSPMOS）GDSVTVGSID+-VDS 0 N型衬底，施主杂质，电子导电； 栅上加负电压，表面吸引空穴，反型，空穴通道； 漏加负电压，空穴从源区经P沟道到达漏区，器件开通。CMOS CMOS：Complementary Symmetry Metal Oxide Semiconductor 互补对称金属氧化物半导体特点：低功耗VSSVDDVoViCMOS倒相器PMOSNMOSI/OI/OVDDVSSCCCMOS传输门N-S
4、iP+P+n+n+P-阱DDVoVGVSSSSVDDCMOS倒相器截面图CMOS倒相器版图pwellactivepolyN+ implantP+ implantomicontactmetalA NMOS ExamplepwellPwellActivePolyN+ implantP+ implantOmicontactMetalNtype SiSiO2光刻胶光刻胶光光MASK PwellNtype SiSiO2光刻胶光刻胶光刻胶光刻胶MASK PwellNtype SiSiO2光刻胶光刻胶光刻胶光刻胶SiO2Ntype SiSiO2SiO2PwellpwellactivePwellActiveP
5、olyN+ implantP+ implantOmicontactMetalNtype SiSiO2PwellSiO2光刻胶光刻胶MASK activeMASK ActiveSi3N4Ntype SiSiO2PwellSiO2光刻胶光刻胶光刻胶光刻胶MASK activeMASK ActiveSi3N4Ntype SiSiO2PwellSiO2光刻胶光刻胶光刻胶光刻胶Si3N4Ntype SiSiO2PwellSiO2场氧场氧场氧场氧场氧场氧PwellPwellSi3N4Ntype SiSiO2Pwell场氧场氧场氧场氧场氧场氧PwellPwellNtype SiSiO2PwellSiO2场氧
6、场氧场氧场氧场氧场氧PwellPwellpolyactivepwellpolyPwellActivePolyN+ implantP+ implantOmicontactMetalNtype SiSiO2PwellSiO2MASK poly场氧场氧场氧场氧场氧场氧PwellPwellpoly光刻胶光刻胶Ntype SiSiO2PwellSiO2MASK poly场氧场氧场氧场氧场氧场氧PwellPwell光刻胶光刻胶polyNtype SiSiO2PwellSiO2场氧场氧场氧场氧场氧场氧PwellPwellpolyNtype SiSiO2PwellSiO2场氧场氧场氧场氧场氧场氧PwellPw
7、ellpolyactivepwellpolyN+ implantPwellActivePolyN+ implantP+ implantOmicontactMetalNtype SiSiO2PwellSiO2MASK N+场氧场氧场氧场氧场氧场氧PwellPwellpoly光刻胶光刻胶Ntype SiSiO2PwellSiO2场氧场氧场氧场氧场氧场氧PwellPwell光刻胶光刻胶polyN+ implantS/DactivepwellpolyP+ implantPwellActivePolyN+ implantP+ implantOmicontactMetalNtype SiSiO2PwellSiO2MASK N+场氧场氧场氧场氧场氧场氧PwellPwellpoly光刻胶光刻胶光光S/D结束结束
