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1、电子能量损失谱仪电子能量损失谱仪在材料科学中的应用在材料科学中的应用段晓峰中国科学院电子显微镜重点实验室中国科学院物理研究所凝聚态物理中心电子与样品的相互作用电子与样品的相互作用电子的非弹性散射电子与样品的相互作用:原子散射截面Inelastic scattering透射电镜和电子能量损失谱仪Project crossover扫描透射电镜和电子能量损失谱仪调整 EELS位置的3种途径1 磁棱镜 energy shift 2 高压 mapping3 Drift tube EELS像模式光路图衍射模式光路图EELS 的聚焦和AC杂散磁场补偿聚焦和补偿：0峰变高变窄和稳定CCD的尺寸：1K x 1K
2、2K x 2K动态范围： 14比特：016383 16比特：065535冷却1小时以上避免使用强电子束照射:零损失峰，透射斑CCD结构示意图EELS包含的信息等离子激发The main exci-tation allowed for core elec-trons obeys the dipole selection rule:K-edge absorptionL1-edge absorptionL2,3-edge absorption1s2s3s2p3p3dM1-edge absorptionM2,3-edge absorptionS-likeP-likeD-likeEf内壳层电子的激发和跃
3、迁内层电子激发和能带结构内壳层电子的激发符号规定内壳层电子的激发和周期表电子能量损失谱和X射线能谱EELS的优点：灵敏度高，分辨率高会聚角和接收角的测量EELS的特征角EELS的特征角qE接收角=(2-4)qE 不能qE样品厚度对EELS的影响样品厚度对EELS的影响:多次散射样品厚度的影响:非弹性散射平均自由程样品厚度的影响:等离子损失谱样品厚度的影响:电离损失峰样品厚度的影响:最佳厚度退卷积退卷积: Fourier ratio方法消除谱仪的影响退卷积: Fourier log方法退卷积：Fourier ratio方法EELS的背底扣除：指数定律EELS的背底扣除:窗口位置的影响EELS的背
4、底扣除: 指数定律失效等离子散射可以看作是多体散射问题，根据电磁场理论介质的损失函数可以推导出了二阶微分散射截面的表达形式：被称为损失函数， 为介质的介电常数 在介电理论中， 低能损失谱的应用:损失函数根据Kramers-Kronig关系: 求出相应的实部从电子能量损失谱可以得到 的虚部 ，得到材料的复介电常数Kramers-Kronig 分析低能量损失的应用：介电常数电离损失峰分析：峰位的确定拐点拐点二阶微分：确定电离损失峰峰位拐点拐点拐点拐点二阶微分：微量元素分析成分定量分析1 退卷积2 扣背底3 散射截面计算近边精细结构近边精细结构:碳和碳化物近边精细结构:过渡族金属氧化物近边精细结构:
5、硼化物近边精细结构：化学位移(离子键）近边精细结构：化学位移(共价键）近边精细结构(5)近边精细结构:分子轨道近边精细结构:八面体结构近边精细结构：八面体结构和四面体结构近边精细结构:过渡族金属L23近边精细结构:氧化铜的L23Dipole rule: L3: 2p3/2 to 3d3/2,3d5/2 ; L2: 2p1/2 to 3d3/2近边精细结构:确定锰元素的价态近边精细结构:过渡族金属的L3/L2EXELFS模型EXELFS分析 取向效应:散射几何取向效应:石墨的ELNES取向效应:石墨的 EXELFS Substitutional/interstitutionalSubstitut
6、ional/interstitutional impurity identification impurity identification Atom row selectivityAtom row selectivity取向效应：ALCHEMI(改变s s)S0Fig. 11 projection of the wurtzite GaN structure model. The direction of the cation (Ga) to the anion (N) is defined as 0001 in the real space.0001GaN取向效应: ALCHEMI(改变g
7、g)氮化镓的极性Fig. 13 The calculated thickness-averaged electron current density across a unit cell at (0002) (a), and (000-2) (b) Bragg conditions for the impact parameter b= 0.0nm (without delocalization), 0.073nm, and 0.087nm.The sample thickness is 0.40002. 取向效应:氮化镓的极性 Fig. 12 Comparison of the EEL sp
8、ectra acquired at (0002) and (000-2) Bragg conditions. The inset is the magnified N K-edge. 取向效应:氮化镓的极性Fig. 16 The difference of the calculated averaged-thickness electron current density vs. the sample thickness. The thickness is expressed in units of the two-beam extinction distance 0002.The diffe
9、rence of the calculated averaged-thickness electron current density does not change sign when the thickness changes. 取向效应:氮化镓的极性 GaAsEELSSpectrometerAnnular Detector1.4AsGaObjective LensForms a 1.3Probe I Z2 Z=31 Z=3319882019Invented by Crewe in 1960sIncoherent imaging with electronsAtomic resolutio
10、n spectroscopyNow standard on all commercial TEMsZ-Contrast Scanning Transmission Electron MicroscopySpatially resolved EELS(1)电子的非弹性散射能量损失谱中的主要信息能量损失谱中的主要信息低能损失区 050eV1 样品厚度2 复介电系数3 价带和导带电子态密度,禁带宽度高能损失区 502000eV1 元素成分（LiU）2 化学价态和态密度，近邻结构3 径向分布函数（配位数和配位距离）电子能量过滤成像1 完全弹性散射电子像2 元素成分分布图3 其他特征能量电子过滤成像总结谢谢！
