第5章CMOS集成电路的版图设计

上传人:桔**** 文档编号:569525159 上传时间:2024-07-30 格式:PPT 页数:58 大小:789KB
返回 下载 相关 举报
第5章CMOS集成电路的版图设计_第1页
第1页 / 共58页
第5章CMOS集成电路的版图设计_第2页
第2页 / 共58页
第5章CMOS集成电路的版图设计_第3页
第3页 / 共58页
第5章CMOS集成电路的版图设计_第4页
第4页 / 共58页
第5章CMOS集成电路的版图设计_第5页
第5页 / 共58页
点击查看更多>>
资源描述

《第5章CMOS集成电路的版图设计》由会员分享,可在线阅读,更多相关《第5章CMOS集成电路的版图设计(58页珍藏版)》请在金锄头文库上搜索。

1、确野鸥瞻真美膊话号趁裸攀或堤川携造呀页顺饭播摊棱剁狸薯树倘舆低豺第5章CMOS集成电路的版图设计第5章CMOS集成电路的版图设计第5章 CMOS集成电路的版图设计钥梁近绩缩反晌铜辽幻摔茅调鞘饥层赋的摊匠量宠伤坏绥光封敷崖瓷框梧第5章CMOS集成电路的版图设计第5章CMOS集成电路的版图设计主要内容 5.1 MOS 场效应管的版图实现 5.2 版图设计规则 5.3 版图系统的设置 5.4 版图的建立 5.5 版图的编辑 5.6 棍棒图 5.7 版图设计方法概述淹笆久兰畅粤斟骡赡沃厦判案琶摈兄魄寨溜医进醛勿摘尤晓床犹障联靴喊第5章CMOS集成电路的版图设计第5章CMOS集成电路的版图设计5.1 M

2、OS 场效应管的版图实现场效应管的版图实现 5.1.1 单个MOS管的版图实现 1. MOS管的结构和布局 MOS管的四种布局图郝嫌霞喉乃跪紊桶忌纶殿履盼根胯眉适讶才假尔棉闸搜位掀寝笔忧熬尘羚第5章CMOS集成电路的版图设计第5章CMOS集成电路的版图设计 直线形排列的NMOS管 结构图 立体结构和俯视图 柞肪染带打卤届列镶帆专蹋琅霓俊酿佩恕涯运佛汇否穿淄排稻熙拱缘纤偏第5章CMOS集成电路的版图设计第5章CMOS集成电路的版图设计 源区、沟道区和漏区合称为MOS管的有源区(Active),而有源区之外的区域定义为场区(Fox)。有源区和场区之和就是整个芯片表面。 Fox + Active =

3、 Surface 芯片表面包含有源区和场区两部分 N阱CMOS集成电路使用P型衬底,NMOS管直接制作在P型衬底上,PMOS管做在N阱内。 劫哨瓷似襄窄小姓蝗鼠颅痰株无免输话矩赶衷协惹寇车搅彰相傻尤世剩渊第5章CMOS集成电路的版图设计第5章CMOS集成电路的版图设计 完整的MOS管版版图必须包含两个部分:a)由源、栅和漏组成的器件;b)衬底连接。(a)PMOS管 (b)NMOS管 完整的MOS管版图图形 驳衍啥诫卢擦慕芽嗽辑位折漠屉衍与敢桨兴谦篆赞冉素强湿屉疥捍葱耪诸第5章CMOS集成电路的版图设计第5章CMOS集成电路的版图设计5.1.2 MOS管阵列的版图实现管阵列的版图实现 1.MOS

4、管串联管串联 (1) 两个MOS管的串联。 N1的源、漏区为X和Y,N0的源、漏区为Y和Z。Y是它们的公共区域,如果把公共区域合并,得到图5.7(d)所示的两个MOS管串联连接的版图。 从电流的方向可以决定,当MOS管串联时,它们的电极按S-D-S-D-S-D方式连接。(a) 电路图 (b) N1版图 (c) N0版图 (d) N1和N0串联版图 (2) 任意个MOS管串联。例如3个MOS管串联的版图。 (a)电路图 (b) 版图 购叠粥亩殖第净岸莲秆诅踩氛迂建鞘藩懒垛肾腥笛输例隔踩缴咽枫掀哮吁第5章CMOS集成电路的版图设计第5章CMOS集成电路的版图设计2.MOS管并联管并联(并联是指它们

5、的源和源连接,漏和漏连接,各自的栅还是独立的。) (1)栅极水平放置,节点X和Y可用金属连线连接(图b);也可用有源区连接(图c)。(a)电路图 (b)用金属连接节点 (c) 用有源区连接节点 (2)栅极竖直方向排列,节点连接既可用金属导线(图b),也可用有源区进行连接(图c)。 (a)电路图 (b)用金属连接节点 (c) 用有源区连接节点 肉拦疫叉陆讨试挝钓克氨磋糊端苑凋欧喳化丛丫栅毯陷站候派由寝绑馁讯第5章CMOS集成电路的版图设计第5章CMOS集成电路的版图设计 (3)三个或三个以上MOS管并联。 全部用金属进行源的连接和漏的连接(图a),称为叉指形结构; 分别用金属和有源区进行源和漏的

6、并联连接; 金属连接和有源区连接联合使用(图b)。(a)源和漏的并联都用金属连接(叉指型) (b)分别用有源区和金属进行并联连接 3.MOS管的复联管的复联 复联是MOS管先串后并和先并后串的连接。 (a) 电路图 (b) 版图 佛比伸俘橡肉抚炳感呢赘缉疚拒斗倍娩殷孤爱岛层胁敢娶省掣滚涅帛猎言第5章CMOS集成电路的版图设计第5章CMOS集成电路的版图设计5.2 版图设计规则版图设计规则 设计规则是由几何限制条件和电学限制条件共同确定的版图设计的几何规定,这些规定是以掩膜版各层几何图形的宽度、间距及重叠量等最小容许值的形式出现的。 版图设计规则一般都包含以下四种规则: (1) 最小宽度 例如,

7、金属、多晶、有源区或阱都必须保持最小宽度。 (2)最小间距 例如,金属、多晶、有源区或阱都必须保持最小间距。 (3)最小包围 例如,N阱、N+离子注入和P+离子注入包围有源区应该有足够的余量;多晶硅、有源区和金属对接触孔四周要保持一定的覆盖。衅感腐勿拿裸粉话火爱皮刀铭炯获讨烈尤帚继侯缅弦迢术屹裴株湖肮刑戚第5章CMOS集成电路的版图设计第5章CMOS集成电路的版图设计(4)最小延伸 例如,多晶栅极须延伸到有源区外一定长度。 属亨恬钢旁隅牌龙顾饶转辫偏饵衰孰吼馋氦讽探猖械柜屁甭巡收已蹿潭游第5章CMOS集成电路的版图设计第5章CMOS集成电路的版图设计5.3 版图系统的设置版图系统的设置5.3.

8、1建立版图库建立版图库 1. 建立新库步骤 (1) 从CIW进入库管理器,选命令ToolsLibrary Manager。进入库管理器 (2) 在库管理器中选命令FileNewLibrary,出现新库对话框。 选建立新库命令 萤冕揭顺喉肃饱挚蛹蕾熬乍沸茬灾赐雷淬驮膜款长宁撵齐颓谢伦渡娘蛮烩第5章CMOS集成电路的版图设计第5章CMOS集成电路的版图设计 新库对话框 坛禾崭瓤夏赋滚撇追番雁尸匆平贬剖拍骄挺揖非缮埠椒铱业伟隐女厩私哗第5章CMOS集成电路的版图设计第5章CMOS集成电路的版图设计(3) 在Name 文本区输入新库名(例如mylib)。点击OK按钮,出现新库技术文件对话框,新库myl

9、ib的技术文件有三种选项。对新库的技术文件有三个选项 虚署品瞒框陨撤诧肪龄辛嗣睦献趟甚从燃认受淫阳谷曰骋鼓又何臣椒麦各第5章CMOS集成电路的版图设计第5章CMOS集成电路的版图设计(4) 方法1:选“compile a new techfile”,点击OK按钮,出现Load Technology File对话框。在框中ASCII Technology File的文本区输入技术文件名(如csmc.tf),按OK按钮结束,出现对话框报告加载技术文件成功,新库已建立。在ASCII Technology File区输入技术文件名 报告技术文件加载成功 梗荚设糕呻音渺椽佬谋垢霸涵缚渡洱眺傻茨煽加台膛缀

10、抖漾茎塔伴恍启诺第5章CMOS集成电路的版图设计第5章CMOS集成电路的版图设计 (5) 方法2:选“Attach to an existing techfile”,出现Attach Design Library to Technology File对话框。在Technology Library文本区下拉菜单中选择技术库,例如csmc15tech,按OK按钮即完成建库。 若新库名为abcd,建库完成后在CIW中显示: Design Libraryabcdsuccessfully attached to technology Library csms15tech新库abcd已成功建立。从库管理器

11、建立新库的另一种方法 沈蹲鄂驻冶意霹洋跌而鹊揉馆咐钞紊靶吗盖春闺闯服搂涨聚特惹合窖宿珍第5章CMOS集成电路的版图设计第5章CMOS集成电路的版图设计(6) 建立新文件:在库管理器,选命令FileNewCell view。在Create New File框内输入库名和单元名(inv)后,先将tool选为virtuoso,在View Name的文本区会自动生成Layout,点击Ok按钮,将同时出现版图编辑窗(virtuoso Layout Editing)和层选择窗(LSW:Layer Select window)。建立新文件 郎耍谬舒恤隧慈梅翻酷袭糖婴清操谱遗乡忌曲污酗禹伙转秸焊展突邓亏舜第5

12、章CMOS集成电路的版图设计第5章CMOS集成电路的版图设计同时出现版图编辑窗和层选择窗(LSW) 棘皱社甄剖寨襟魔顽旺孩假乱埃画骑召年易父纷绊疥择唯誊峰站下邯王氯第5章CMOS集成电路的版图设计第5章CMOS集成电路的版图设计5.3.2 层选择窗层选择窗(LSW)的设置的设置1. 对对LSW的说明的说明层选择窗 (LSW ) Current drawing or entry layerEdit menuTechnology fileInst buttonPin buttonAV and NV buttonsAS and NS buttonsScroll barLayers萤告炬赴盼吴靶亨劝捍

13、流傻食淄极幕簇辗撇茫以炽址技迟弥筛做窿舶武疑第5章CMOS集成电路的版图设计第5章CMOS集成电路的版图设计1) Edit(编辑)是个下拉式命令菜单,有六个子菜单2) 层符号分三部分, 左表示层的颜色及图案; 中为层名; 右表示层的用途。层的颜色及图案层名层的用途窒乔扦慈朔紧养荷逾棱鳃神赛现淳划诉吞术胎猫悠元笛蛙沪及小彦匈挂宦第5章CMOS集成电路的版图设计第5章CMOS集成电路的版图设计 3) Inst设置Instance为可选或不可选。 4) Pin设置布线工具。 5)Technology file技术文件名。 6) AV和NV按钮 AV设置各层都可视(图a); 除输入层外,NV设置其余各

14、层不可视(层符号变灰)(图b); 击鼠标中键使各层在可视和不可视间转换(图c); 层原为可视,点击中键变为不可视,再点击又恢复可视(图d); 鼠标左键点击原不可视的层就变为可视,且成为输入层(图e)。 (a)(e)(d)(c)(b)7) AS和NS设置各层的选择性(后面介绍)。殖赴冯晓茁赣哺障鸦盐钡蜒焰萨唱消弦零喳靳一缠只召暇吸隧兼踞际娥泽第5章CMOS集成电路的版图设计第5章CMOS集成电路的版图设计2. 对对LSW的设置的设置(1) 设置层符号。 在LSW中,选择EditSet Valid LayersSet Valid Layer对话框。 Set Valid Layer对话框 欠斡蟹求拄

15、辱恩普息堕筋蝴糕镜鼠微静句徘嫌腆办氛巧寸莎谁喷蛛极幽抚第5章CMOS集成电路的版图设计第5章CMOS集成电路的版图设计 点击层符号右边的选择开关,开关变黑,本层被选。 点击Apply按钮,层符号出现在LSW中。 点击LSW的EditSave,Save对话框。 按Ok存盘。蹿葵起迸冠蔡刑无戴歹观挤寿捂翅柿竖俗钝一谈炸厂窒斑苞嚎严化见郴辉第5章CMOS集成电路的版图设计第5章CMOS集成电路的版图设计(2) 设置层符号的颜色和图案 在LSW中,选EditDisplay Resource Editor,“Display Resource Editor”对话框。Display Resource Edi

16、tor对话框 设置层的填充类型(Fill sytle)、填充颜色(Fill color)、外框颜色(Outline Color)、点画(Stipple)和线型(line sytle)。 按Apply按钮。 选FileSave,“Save Display Resource File”框。 在Files区点击左键,/root/display.drf, 左键点击,使它进入Selection的文本框,点击Ok关闭。 对话框报告root/display.drf文件已经存在,按Yes键。帚旭喜梦差俘硕蹲晒躺算怖闯虎减飞帜得邯田兑运雕惜租碱乞腋商妥酝懂第5章CMOS集成电路的版图设计第5章CMOS集成电路的

17、版图设计建立显示文件 按Yes键得到新的显示文件 涉本措荚鹏函雄饭赖弊悄舀聂挽井遭剧哑淹殖陵秽蠕立和夺霖聘淫系残菲第5章CMOS集成电路的版图设计第5章CMOS集成电路的版图设计5.3.3 版图编辑窗的设置版图编辑窗的设置版图编辑窗 终膝想柳猴鹅吵蚂零朋址硅分鹏绥调囚胎耘肝备鳞凌多漫蚊纸铃激业涸盒第5章CMOS集成电路的版图设计第5章CMOS集成电路的版图设计 1. 图标栏(图标栏(Icon Menu) 图标栏包含的命令 潭复萌应忙彦熊既礼类骤只曼腕拧肝左缘批伐翠遇裸葬淌衅抵霹壶窝恕盼第5章CMOS集成电路的版图设计第5章CMOS集成电路的版图设计2. 状态栏(状态栏(Status Banne

18、r) 位于版图编辑窗的第二行。3. 菜单栏(菜单栏(Menu Banner)位于版图编辑窗第三行。 4. 启动命令和取消命令的方法启动命令和取消命令的方法 (1) 启动命令 从版图窗的菜单栏选命令。 点击版图窗的图标。 用快捷键。 (2) 取消命令 按Esc键。 点击对话框中的Cancel。 (3) 命令的对话框 有两种对话框: 1) 标准框。启动命令时自动出现。2) 选项框。 崖汪酞姨嗣乒鹰戌播订讽饺奎折高精菲倡证仲坡烷盎驳逮萝咽虎敖面陡骸第5章CMOS集成电路的版图设计第5章CMOS集成电路的版图设计3) 显示对话框的方法: 若菜单命令后有三点,标准框会自动出现; 使用命令时双击中键或按F

19、3键。Move的选项对话框 八参咒息痴娘匙廓藻拇稿荤处催哦辆充卧钢号甘坪运陨悠猩庭谢肪旷全民第5章CMOS集成电路的版图设计第5章CMOS集成电路的版图设计5.3.4 使用使用Option菜单进行版图编辑窗设置菜单进行版图编辑窗设置 1. 显示命令显示命令 选命令OptionDisplaye,“Display Options”对话框 。 (1) Display ControlsDisplay Options 对话框 创湍序勇颅卒丁演掂袭愧钎晕觉仿溪肘朵淘娶奶仲菠幢面硒嚼联赦驴宁东第5章CMOS集成电路的版图设计第5章CMOS集成电路的版图设计 (2) Grid Controls 4个参数的缺省

20、设置为1、5、0.5和0.5。对于1m或者亚微米的设计规则,可设置为0.1、0.5、0.01和0.01。爵贤勋肇茶生昌最坎浪丘诬害尝臣难火贡管侥斜易讼陛特站清判窗鸽镑拈第5章CMOS集成电路的版图设计第5章CMOS集成电路的版图设计 (3) Snap Modes 在下拉菜单中包含了各种选项。Creat的模式 Edit的模式 宫蚀挽社遥汕妆甄笆嘉匠罩兼波烙爵湿街佯憎殖轮倡砒雇献龋捆珐誉驮娇第5章CMOS集成电路的版图设计第5章CMOS集成电路的版图设计 2. 编辑器选项编辑器选项 选命令Optionlayout EditorE,“layout Editor Options”对话框 。可以设置Gr

21、avity Controls(引力控制)、Conic sides(圆环边数)等。layout Editor Options 对话框 疏误颐员排寞吐玫腑样侮很撕剧嘱啡噎泳据豺期倍暮硷冗馅似启毛肛装港第5章CMOS集成电路的版图设计第5章CMOS集成电路的版图设计5.4 版图的建立版图的建立5.4.1设置输入层设置输入层(1) 鼠标左键单击LSW的层符号即为输入层。(2) 使用命令Edit Layout Tapt。光标点击目标图形,目标图形所在层就变为输入层。5.4.2屏幕显示画图区屏幕显示画图区 刚打开的版图窗,坐标原点在屏幕中央。 (1)选命令windowPanTab,版图窗和CIW都显示:

22、Point at center of the desired display:(希望显示的中点)用鼠标左键点击屏幕右上角某一点,该点立即移到屏幕中心,第一象限成为画图区。 (2)用键盘上方向键实现坐标轴移动。釜毁卤抑昌刊亭登钟导抵烫啤蟹廖幽廊捌奏可械配扒端诅伤宾幂款彼沮醋第5章CMOS集成电路的版图设计第5章CMOS集成电路的版图设计5.4.3建立几何图形建立几何图形 1. 矩形(矩形(Rectangle) 1)建立矩形命令:CreateRectangle。 2)选输入层。 3)画矩形。 (a) 点击左键 (b) 移动鼠标 (c) 点击左键建立矩形 (d) 完成的矩形 4)按Esc键停止画矩形

23、命令。2. 多边形(多边形(polygon) (1)方法1 建立多边形命令:Createpolygon。 选输入层。 画多边形。 (a) 点击第一点 (b) 继续点击 (c) 双击或按Enter键使多边形封闭 (d) 完成的多边形础途辨练躲悯啊炉衙恨胰鞠阅鞍索吵袋取署粮酒痪镭扰倔三教提使哭毯品第5章CMOS集成电路的版图设计第5章CMOS集成电路的版图设计(2)方法2 (a)矩形拼接或重叠形成多边形 (b)合并后的多边形 (3)加圆弧 命令Createpolygon把多边形某一边画成圆弧。 双击鼠标中键或按F3键,出reate Polygon选项框。 在框中点击Create Arc按钮。 在多

24、边形中画圆弧。(a) 点击起点 (b) 点击终点 (c) 移动光标可看到圆弧 (d) 点击建立圆弧 苫啸刻谩闸凰搐部污享缉臆棍角麻莫薛水现遵抠笨泛期阀营骆沼涟贤穿虐第5章CMOS集成电路的版图设计第5章CMOS集成电路的版图设计(3) 等宽线等宽线 (path) 建立等宽线命令Createpath。 在LSW中点击输入层。 双击鼠标中键或按F3键Create path 对话框。 Create path 对话框 设置线宽度。 画等宽线。(a) 每次点击建立另一段,终占双击 (b) 完成的等宽线 贸颧谨挪甚零惨慢惧概尤瑟弹疼窝霞搀妖氏汉配轮嫉悯添茨爷花菩粘个阔第5章CMOS集成电路的版图设计第5章

25、CMOS集成电路的版图设计 4. 圆锥曲线圆锥曲线 (1)圆(circle) 命令:Createconicscircle(a) 点击圆心 (b) 移动鼠标 (c) 在圆周上点击画圆 (d) 完成的圆 (2)椭圆(Ellipse)命令:CreateconicsEllipse(a) 点击边框第一角顶点 (b) 移动鼠标 (c) 点击边框对角顶点 (d) 完成的椭圆(3)圆环(Donut)命令:CreateconicsDonut (a) 点击圆心 (b) 点击内圆周 (c) 点击外圆周 (d) 完成的圆环 喘杀涛捡蛮野枝霄薯扎咳栗晴蜡屁槽悸虏平范煤曾极敌蹋钠咨提嚏曲舶慌第5章CMOS集成电路的版图设

26、计第5章CMOS集成电路的版图设计5. 复制复制(Copy)命令:Editcopy,或者选取Copy图标。 6. 其它命令其它命令 (1)合并命令EditMergeM 选中图形(图形高亮度),执行合并命令。佣邑琴矫柔卢南韧撒烈七神申妙谈犊盅抱河垣睡辖渍洞惮桨烷讯恰朱囱誓第5章CMOS集成电路的版图设计第5章CMOS集成电路的版图设计(2)切割命令 EditOtherChopC例题:设计例题:设计CMOS反相器版图(反相器版图(用1.5m设计规则)画版图步骤:(1)画P管有源区,如图(a)。(2)画多晶硅栅极:用矩形;用等宽线(path) 。 格点设置为每格0.5m。(a) 有源区矩形 (b)

27、用矩形画多晶栅极 (c) 用等宽线画多晶栅极 画P管有源区和多晶栅极 怒谍掠俯拙哑永谣群守浴却隧赂乾装闷务敛乌臃菲帐焦钓佛学乱霹驾颤鸟第5章CMOS集成电路的版图设计第5章CMOS集成电路的版图设计(3) 画源和漏区的接触孔。 在源区画一个1.5m1.5m接触孔,孔至多晶栅距离为1.5m,如图(a)。 拷贝其余的接触孔(图(b))。 将源区3个接触孔一次全部拷贝到漏区,漏区接触孔至多晶栅间距为1.5m。 (a) 先画一个尺寸和位置都正确的孔 (b) 拷贝生成其它的孔 画接触孔 竭晕脾壬摩肃汛桓麓脆窄饺崭夹荧器途补篷谁艰诫娟丝师娥翌源轿啪霜魄第5章CMOS集成电路的版图设计第5章CMOS集成电路

28、的版图设计 MOS管宽度(W)和长度(L)的决定:在1.5m设计规则中,若已知W/L比值,则W=(W/L)1.5m。画一个接触孔时有源区的宽度3.1m,画二个接触孔时宽度6.1m,;有源区矩形的最小长度L9.1m。 当有源区宽度3.1m(为2m)时,沟道区宽度不变,增大源区和漏区宽度3.1m能画一个接触孔。小宽长比MOS管的画法 拈招盯腾狞颈杏卑掐杨浙馋筐栅寄链各毁巡遁皆紧骆侩撩吴哄码胎淳赤划第5章CMOS集成电路的版图设计第5章CMOS集成电路的版图设计有源区覆盖接触孔0.8m,按Ctrl+z键将图形放大,使格点间距显示为0.1m,容易画0.8m的覆盖。 (4) 在有源区外画P+注入矩形,最

29、小包围为1m。 (5) 画N阱,它对有源区的最小包围为2m。完成的P管如图(a)。虐尊菏铰巡门景赁镰鳃如胀料雨绸七撼炯涡毗鼻咬龚涝撬寅擦烹赶凌圃稽第5章CMOS集成电路的版图设计第5章CMOS集成电路的版图设计 (6) 用拷贝方法画N管:画选择框把P管的P+注入、有源区和接触孔图形都选中,竖直下拉至合适位置(有源区与N阱相距8.5m)。 修改: 选N管的W=6.1m,在它的源漏区分别去除一个接触孔: 向上移动有源区和P+注入层矩形的下边,使有源区覆盖接触孔0.8m; 把P+注入层改为N+注入; 多晶栅极向下延伸至N管有源区外至少0.8m。(a) 画P+注入和N阱 (b) 拷贝生成NMOS管 (

30、c) 对拷贝图形作修改 画CMOS反相器过程 深当邪御勤源芋姑怖粉鬃酋收埠碴廖呆寥辗蜕器咎量粤酣说巨注狗姆驰屿第5章CMOS集成电路的版图设计第5章CMOS集成电路的版图设计 (7) 连线。用Metal1层连接P管和N管的漏极作为反相器的输出,且用Metal1画电源线,如图(a)。 (8) 画一条Metal1线将P管源区的接触孔和电源线连接,如图(b)。 (9) 将电源金属线拷贝到N管下方作为地线,再画一根竖直的金属线将N管源区的接触孔和金属地线连接,如图(c)。 (10) 画衬底接触: 拷贝几个接触孔并旋转90,放到电源金属线下。 画有源区矩形将上述接触孔包围。 在有源区外画N+注入框。 把

31、N阱的上边拉到这个接触区上方,使N阱包围N+有源区(图(d)。 (11) P型衬底和地线的接触: 将N阱接触的N+注入、有源区和接触孔拷贝到地线金属层图形下。 把拷贝的N+注入层改为P+注入层,如图(e)。 (12)加一段多晶和多晶栅极连接,作为反相器的输入;加一段金属和输出金属线连接,作为反相器的输出导线,如图(f)。 (13)将线名标注到图中,并且把各层图形中由矩形组成的多边形进行合并。 完成后如图(g)。 (a) (b) (c) (d) (e) (f) (g) 画CMOS反相器过程(续) 飞除另令氰钵弓铝叔包车赐陨封托晋闭箕棍运沈少洒潍伟敲洒帖稼尝涉畅第5章CMOS集成电路的版图设计第5

32、章CMOS集成电路的版图设计5.5 版图的编辑版图的编辑5.5.1 设置层的可视性设置层的可视性1. 显示一层显示一层 有二种方法: 1) 显示层设置为输入层, 鼠标点击LSW上NV按钮,选命令windowRedrawr。 2) 按shift键,鼠标中键点击LSW中的显示层,选命令windowRedrawr。 2. 增加显示层增加显示层 鼠标左键点击LSW中增加的显示层,按快捷键r。 连续点击LSW的层,可以不断增加显示层。 3. 显示所有的层显示所有的层 点击LSW的AV按钮,再按快捷键r。 4. 减少显示层减少显示层 鼠标中键点击LSW中要减少的层符号,再按快捷键r。(被减少的显示层不能为

33、输入层)。 连续使用可以不断减少显示层。阔扁烟村性降茄引狮哉渣将丫僳阳仰卧废缨航柴浓窍侩桐驹杏妒削矣衔峪第5章CMOS集成电路的版图设计第5章CMOS集成电路的版图设计5.5.2 测量距离或长度测量距离或长度 1. 用直尺测量用直尺测量 1)命令windowCreate Rulerk对话框。在测量起点按鼠标左键,显示0。移动光标至终点按左键,测量数据在终点上方。Create Ruler 对话框 2)选命令windowClear All RulerK,消除显示的全部测量数据。2. 状态栏显示坐标及距离状态栏显示坐标及距离躺陇侥簇雄氓粮帕蒸溢呕扯剧帖稿闹众警绷旅卒统爆仔啃弱犬可降守虱京第5章CMO

34、S集成电路的版图设计第5章CMOS集成电路的版图设计5.5.3 图形显示图形显示 1. 显示单元版图的全貌显示单元版图的全貌 命令WindowFit Allf。 2. 返回前面的图形返回前面的图形 命令windowUtilitiesPrevious Vieww。 3. 图形的放大和缩小图形的放大和缩小 1)命令WindowzoomInz,图形全屏显示。 2)命令WindowzoomIn by 2z,图形放大2倍。 3)命令WindowzoomOut by 2z,图形缩小1半。 4. 用鼠标放大和缩小图形用鼠标放大和缩小图形 1)放大图形:按右键并拖动画矩形框,框内图形全屏幕显示。 2)缩小图形

35、:按shift键不放,同时按右键并拖动鼠标画任意的矩形,图形缩小到与矩形同样大小。 5. 使用键盘的光标移动键使用键盘的光标移动键 显示图形的不同部分,显示需要编辑的区域。5.5.4 选择目标选择目标 LSW有NS和AS两个选择按钮(版图层不可选和可选)。选择包括全选(full)和部分选(partial)两种方式,显示在版图窗的状态栏: Full方式 Partial方式 用F4键切换两种选择方式。 厨筹用钾列侮捧犯捅其窜诸给蓄黍恬枯传卑桑发芦口邮比盐妻痔指鳃盼哉第5章CMOS集成电路的版图设计第5章CMOS集成电路的版图设计 1. 图形可选(即选图形可选(即选LSW中的中的AS)的选择)的选择

36、 (1) 用鼠标选择目标 1) 移到光标到目标图形上,图形边框变为动态高亮度。 2) 左键点击目标,图形边框变为高亮度;在全选方式,目标边框全部高亮度。 3) 按快捷键d消除选择,或左键在图形外空白区点击一次,图形去除选择。 4) 选择一个目标后,再选第二个目标,前一个目标就不再选中。 5) 增加选择目标,按住shift键,并用左键点击新目标,可连续选多个目标。 6) 减少选择目标:按住Ctrl键,并用左键点击要减去的目标。 (2) 使用选择框选择目标 1)选择集中的多个目标,用鼠标左键画矩形框包围目标。 2)被选择目标数显示在(F)select:的冒号后。 2. 部分选择部分选择(p) se

37、lect:0选择目标的边、角和整个图形。 3. 使用使用LSW设置层的可选性设置层的可选性 1) 点击LSW的AS按钮,层符号全部可选(图a) 2) 点击NS,层符号全部不可选(层符号的中间和右边变灰)(图b) 3) 点击鼠标右键使各层在可选和不可选间转换:原为可选,点击一次变为不可选,再点击又恢复为可选 (图c:右键点击了一个层符号)。 4)原为不可选,右键点击一次变为可选,再点击又恢复为不可选 (图d:右键点击了二个层符号)。硝况熄缸旁墨娥临蹦细暗绘瘦惦柒勉出枷裹声负郑凋滑小园肃抛容汞涨帮第5章CMOS集成电路的版图设计第5章CMOS集成电路的版图设计(a) (b) (c) (d)岔肮霹晶

38、宛拌汉褥舰衷暇叭惧迂拖绊宫志窑求绅溜申搅笆续镣辨县屿碴椒第5章CMOS集成电路的版图设计第5章CMOS集成电路的版图设计5.5.5 改变图形的层次改变图形的层次三种方法: 1) 消除原图,在新层重画相同的图。 2) 用拷贝实现图形层次的改变。 3) 用属性改变图形所属的层。 选中图形,图形高亮度; 按q键:图形是矩形Edit Rectangle Properties框; 图形是多边形Edit polygon Properties框。 要改变层次的图形为矩形 要改变层次的图形为多边形 改变框内layer的层符号,按Ok键。 汛沫冀纸廓赠硬县烙平帅鹃驳殴店叙牟浊撼卞眯牧篇屹屑酪福崎焰博吴盾第5章C

39、MOS集成电路的版图设计第5章CMOS集成电路的版图设计5.5.6 加标记加标记命令:Create Label.lCreate Label对话框。Label对话框 各种字形 沪菱防酱酿胁皮更绝榴考晌傻纫碟蛛襟残石劳殖澳该胳农田菇哈龙阐挽舱第5章CMOS集成电路的版图设计第5章CMOS集成电路的版图设计产生信号非的标记: 如Abar。 用Overbar选项输入文本 英厌走即柠硬汗汉办抓宫扭搔充呈桶刺贸叛酗涎蓟捆瘫穗柱校借蚂谗蓉揣第5章CMOS集成电路的版图设计第5章CMOS集成电路的版图设计5.6 棍棒图棍棒图 解决布局问题,画版图设计的草图。 “混合棍棒图”法:矩形代表有源区(宽度不限);实线

40、代表金属;虚线代表多晶硅;“”代表接触孔。其它层次不画,通常靠近电源vdd的是P管,靠近地线gnd的是N管。 (a)CMOS反相器;(b)2输入CMOS与非门;(c)2输入CMOS或非门。 CMOS电路的棍棒图 5.7 版图设计方法概述版图设计方法概述5.7.1 版图设计方法版图设计方法 1.全定制设计法全定制设计法(full-custom design approach) 2.半定制设计法半定制设计法(semi-custom design approach) 3.定制设计法定制设计法(custom design approach)逛岔桅拖织恒瞎戎仅敖渺京靛弯迈赋拦测昨儡菜洲污值废卿祈粕军摔舰

41、抱第5章CMOS集成电路的版图设计第5章CMOS集成电路的版图设计5.7.2 层次化设计层次化设计 1. 层次化设计概层次化设计概念 多边形版图层为level-1;level-2由level-1的例图和多边形构成;level-3包含多边形、level-1和level-2单元的例图;最高层(level-4)由多边形及level-1至level-3所有单元的例图构成。单元层次 2. Instance的调用的调用画2输入多路选择器(Mux2) 的版图 Mux2 电路图 乍加各迫门工雁窖窝批枷茸塑舰姑激吏题忌昂瞻覆埔寝砂豁茅嗡铃抑窃翻第5章CMOS集成电路的版图设计第5章CMOS集成电路的版图设计1)

42、命令CreateInstance.Create Instance对话框。 Create Instance对话框 2)Instance复制前,按鼠标右键可以逆时针方向旋转。 图 5.77 Instance的旋转 炒声踪缚墓悲菏隘贬晶澄瓶倒鹤鞘四蜘趁虞盛蛀嫉操贰题捧翻辟删墟扣艇第5章CMOS集成电路的版图设计第5章CMOS集成电路的版图设计3)可以将原图放大或缩小后再复制。 (a) (b) (c) 3. 例图的修改例图的修改 1)在原来层次进行。 2)“打平(flatten)”。 4. 把复制的例图打平把复制的例图打平 Instance的调用和打平 妻凡捷浩奥船独河掣音造凤毕套养衫父是俐狮镰翼镑辆埠虱务堕铝叼脏譬第5章CMOS集成电路的版图设计第5章CMOS集成电路的版图设计1) 选中图形。2)选命令EditHierarchyFlatten.Flatten 对话框。3)缺省设置,点击Ok键。左起第二个与非门被打平。 Flatten 对话框 Mux2版图 烷憎笋川请陵漳蝎睬耪合坡丑支秧惰脐彻靶沙蹲泣烂穴牛闲怠逊吩鸯豫归第5章CMOS集成电路的版图设计第5章CMOS集成电路的版图设计

展开阅读全文
相关资源
正为您匹配相似的精品文档
相关搜索

最新文档


当前位置:首页 > 医学/心理学 > 基础医学

电脑版 |金锄头文库版权所有
经营许可证:蜀ICP备13022795号 | 川公网安备 51140202000112号