二极管及其基本电路

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1、第三章第三章 二极管及其基本电路二极管及其基本电路 基本要求基本要求：1 了解半导体器件内部物理过程；了解半导体器件内部物理过程；2 理解二极管工作原理、主要参数、使理解二极管工作原理、主要参数、使 用方法；用方法；3 掌握二极管外特性、二极管基本应用掌握二极管外特性、二极管基本应用 电路及其分析方法。电路及其分析方法。第三章第三章 二极管及其基本电路二极管及其基本电路 3.1 3.1 半导体的基本知识半导体的基本知识 3.2 PN3.2 PN结的形成及特性结的形成及特性3.4 3.4 二极管的基本电路及其分析方法二极管的基本电路及其分析方法 3.5 3.5 特殊二极管特殊二极管 3.3 3.

2、3 二极管二极管 3.1半导体基本知识n半导体器件特点：半导体器件特点： 体积小、重量轻、使用寿命长、输入功率小、体积小、重量轻、使用寿命长、输入功率小、功率转换效率高。功率转换效率高。3.1.1 半导体材料半导体材料：（Semiconductor materials)(-cm )10+910-3导体导体如金属等如金属等绝缘体绝缘体如橡皮、塑料等如橡皮、塑料等典型半导体：典型半导体：硅硅SiSi、锗、锗GeGe、砷化镓、砷化镓GaAsGaAs等等 半导体半导体半导体的导电特性：半导体的导电特性： ( ( ( (可做成温度敏感元件，如热敏电阻可做成温度敏感元件，如热敏电阻可做成温度敏感元件，如热

3、敏电阻可做成温度敏感元件，如热敏电阻) ) ) )掺杂性掺杂性掺杂性掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电 能力明显改变。能力明显改变。能力明显改变。能力明显改变。光敏性：光敏性：光敏性：光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化。当受到光照时，导电能力明显变化。当受到光照时，导电能力明显变化。当受到光照时，导电能力明显变化。 ( ( ( (可做成各种光敏元件，如光敏电阻、可做成各种光敏元件，如光敏电阻、可做成各种光敏元件，如光敏电阻、可做成各种光敏元件，如光敏电阻、 光敏二极管、光敏三极管等

4、光敏二极管、光敏三极管等光敏二极管、光敏三极管等光敏二极管、光敏三极管等) ) ) )。热敏性：热敏性：热敏性：热敏性： 当环境温度升高时，导电能力显著增强。当环境温度升高时，导电能力显著增强。当环境温度升高时，导电能力显著增强。当环境温度升高时，导电能力显著增强。 ( ( ( (可做成各种不同用途的半导体器件，可做成各种不同用途的半导体器件，可做成各种不同用途的半导体器件，可做成各种不同用途的半导体器件， 如二极管、三极管和晶闸管等）。如二极管、三极管和晶闸管等）。如二极管、三极管和晶闸管等）。如二极管、三极管和晶闸管等）。 3.1.2 3.1.2 半导体的共价键结构半导体的共价键结构 简化

5、模型 最外层上的电子，决定了物质的化学特性和导电性； Si硅原子硅原子Ge锗原子锗原子 1 1、SiSi、GeGe的原子结构的原子结构 价电子： 惯性核 3.1.2 3.1.2 半导体的共价键结构半导体的共价键结构 2 2、共价键、共价键硅和锗的晶体结构硅和锗的晶体结构共价键共价键共用电子对共用电子对+4+4+4+4+4+4表示表示惯性核惯性核3.1 3.1 半导体基本知识半导体基本知识 3.1.33.1.3 本征半导体、空穴及其导电作用本征半导体、空穴及其导电作用本征半导体、空穴及其导电作用本征半导体、空穴及其导电作用 完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征完全纯净的、具有晶体结构的半导

6、体，称为本征完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征半导体。半导体。半导体。半导体。晶体中原子的排列方式晶体中原子的排列方式晶体中原子的排列方式晶体中原子的排列方式硅单晶中的共价健结构硅单晶中的共价健结构硅单晶中的共价健结构硅单晶中的共价健结构共价健共价健共价键中的两个电子，称为共价键中的两个电子，称为共价键中的两个电子，称为共价键中的两个电子，称为价电子价电子价电子价电子。 Si Si Si Si价电子价电子 Si Si Si Si价电子价电子 价电子在获得一定能量价电子在获得一定能量价电子在获得一定能量价电子在获得一定能量（温度升高或受光照）后，

7、（温度升高或受光照）后，（温度升高或受光照）后，（温度升高或受光照）后，即可挣脱原子核的束缚，即可挣脱原子核的束缚，即可挣脱原子核的束缚，即可挣脱原子核的束缚，成为成为成为成为自由电子自由电子自由电子自由电子（带负电），（带负电），（带负电），（带负电），同时共价键中留下一个空同时共价键中留下一个空同时共价键中留下一个空同时共价键中留下一个空位，称为位，称为位，称为位，称为空穴空穴空穴空穴（带正电）（带正电）（带正电）（带正电）。本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理这一现象称为本征激发。这一现象称为本征激发。空穴空穴 温度愈高，晶体中产温度愈高，晶体

8、中产温度愈高，晶体中产温度愈高，晶体中产生的自由电子便愈多。生的自由电子便愈多。生的自由电子便愈多。生的自由电子便愈多。自由电子自由电子 在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子来填补，而在该原子中出现一个空穴，其结果相当来填补，而在该原子中出现一个空穴，其结果相当来填补，而在该原子中出现一个空穴，其结果相当来填补，而在该原子中出现一个空穴，其结果相当于空穴的运动（相当于正电荷的移动）。于空穴的运动（相当于正电荷的移动）。于空穴的运动（相当于正电荷的移动）。于空穴的运

9、动（相当于正电荷的移动）。本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理 当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现两部分电流：两部分电流：两部分电流：两部分电流： 1 1）自由电子作定向运动）自由电子作定向运动）自由电子作定向运动）自由电子作定向运动 电子电流电子电流电子电流电子电流 2 2）价电子递补空穴）价电子递补空穴）价电子递补空穴）价电子递补空穴 空穴电流空穴电流空穴电流空穴电流 1. 1. 本征半导体中载流子数目极少，其导电

10、性能很差；本征半导体中载流子数目极少，其导电性能很差；本征半导体中载流子数目极少，其导电性能很差；本征半导体中载流子数目极少，其导电性能很差； 2. 2. 温度愈高，温度愈高，温度愈高，温度愈高， 载流子的数目愈多，半导体的导电性能载流子的数目愈多，半导体的导电性能载流子的数目愈多，半导体的导电性能载流子的数目愈多，半导体的导电性能也就愈好。也就愈好。也就愈好。也就愈好。所以，温度对半导体器件性能影响很大。所以，温度对半导体器件性能影响很大。所以，温度对半导体器件性能影响很大。所以，温度对半导体器件性能影响很大。自由电子和自由电子和自由电子和自由电子和空穴都称为载流子。空穴都称为载流子。空穴都

11、称为载流子。空穴都称为载流子。 自由电子和自由电子和自由电子和自由电子和空穴成对地产生的同时，又不断复合空穴成对地产生的同时，又不断复合空穴成对地产生的同时，又不断复合空穴成对地产生的同时，又不断复合 在一定温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡，在一定温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡，在一定温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡，在一定温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡，半导体中载流子便维持一定的数目。半导体中载流子便维持一定的数目。半导体中载流子便维持一定的数目。半导体中载流子便维持一定的数目。注意：注意：注意：注意： 3.1.4 3.1.4 杂质半导体杂质半导体 在本征半导体中

12、掺入某些微量元素作为杂质，在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。可使半导体的导电性发生显著变化。 N N型半导体型半导体掺入五价杂质元素（如磷）掺入五价杂质元素（如磷） P P型半导体型半导体掺入三价杂质元素（如硼）掺入三价杂质元素（如硼） 掺入的杂质主要是三价或五价元素。掺入的杂质主要是三价或五价元素。 掺入杂质的本征半导体称为掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体杂质半导体。3.1 3.1 半导体基本知识半导体基本知识 1. N1. N型半导体型半导体 多余的一个价电子因多余的一个价电子因无共价键束缚而很容易形无共价键束缚而很容易形成成自由电子自由电子。 在在

13、N型半导体中型半导体中自由自由电子是多数载流子，电子是多数载流子，它主要由杂质原它主要由杂质原子提供子提供；空穴是少数载流子空穴是少数载流子, 由热激发形成。由热激发形成。 提供自由电子的五价杂质原子因带正电荷而成为提供自由电子的五价杂质原子因带正电荷而成为正离子正离子，因此五价杂质原子也称为因此五价杂质原子也称为施主杂质施主杂质。多余电子多余电子硅原子硅原子SiPSiSi 五价杂质原子只有四个五价杂质原子只有四个价电子能与周围四个半导体价电子能与周围四个半导体原子中的价电子形成共价键原子中的价电子形成共价键硅硅(锗锗) +磷磷 N型半导体型半导体 3.1.4 杂质半导体杂质半导体 2.P2.

14、P型半导体型半导体 在在P型半导体中型半导体中空穴是空穴是多数载流子，多数载流子，它主要由掺杂它主要由掺杂形成形成；自由自由电子是少数载流子，电子是少数载流子， 由热激发形成。由热激发形成。 空穴很容易俘获电子，使杂质原子成为空穴很容易俘获电子，使杂质原子成为负离子负离子。三价杂。三价杂质质 因而也称为因而也称为受主杂质受主杂质。 因缺少一个价电子而在因缺少一个价电子而在共价键中留下一个共价键中留下一个空穴空穴。空穴空穴SiSiSiB 三价杂质原子在与三价杂质原子在与硅原子形成共价键硅原子形成共价键硅硅(锗锗) +硼硼 P型半导体型半导体 3.1.4 3.1.4 杂质半导体杂质半导体杂质半导体

15、的示意表示法杂质半导体的示意表示法+ 3.1.4 3.1.4 杂质半导体杂质半导体P P型半导体型半导体N N型半导体型半导体3.1 3.1 半导体基本知识半导体基本知识 3.2.1 3.2.1 载流子的漂移与扩散载流子的漂移与扩散3.2 PN3.2 PN结的形成及特性结的形成及特性漂移运动：由于电场作用而导致载流子的运动漂移运动：由于电场作用而导致载流子的运动扩散运动：载流子由高浓度区域向低浓度区扩散运动：载流子由高浓度区域向低浓度区 域移动的现象域移动的现象空穴的移动方向与电场方向相同电子的移动方向与电场方向相反P P型半导体型半导体N N型半导体型半导体+扩散运动内电场E漂移运动3.2.

16、2 PN3.2.2 PN结的形成结的形成 漂移运动P P型半导体型半导体N N型半导体型半导体+扩散运动内电场E3.2 PN3.2 PN结的形成及其特性结的形成及其特性内电场越强，就使漂内电场越强，就使漂移运动越强，而漂移移运动越强，而漂移使空间电荷区变薄。使空间电荷区变薄。扩散的结果是使空间电扩散的结果是使空间电荷区逐渐加宽，空间电荷区逐渐加宽，空间电荷区越宽。荷区越宽。漂移运动P P型半导体型半导体N N型半导体型半导体+扩散运动内电场E所以扩散和漂所以扩散和漂移这一对相反移这一对相反的运动最终达的运动最终达到平衡，相当到平衡，相当于两个区之间于两个区之间没有电荷运动，没有电荷运动，空间电

17、荷区的空间电荷区的厚度固定不变。厚度固定不变。3.2.2 PN3.2.2 PN结的形成结的形成 3.2 PN3.2 PN结的形成及其特性结的形成及其特性 因浓度差因浓度差空间电荷区形成内电场空间电荷区形成内电场 内电场促使少子漂移内电场促使少子漂移 内电场阻止多子扩散内电场阻止多子扩散 最后最后,多子的多子的扩散扩散和少子的和少子的漂移漂移达到达到动态平衡动态平衡。多子的扩散运动多子的扩散运动由由杂质离子形成空间电荷区杂质离子形成空间电荷区 在一块本征半导体在两侧通过扩散不同的杂质在一块本征半导体在两侧通过扩散不同的杂质, ,分别分别形成形成N型半导体和型半导体和P型半导体。型半导体。 3.2

18、.1 PN 3.2.1 PN结的形成结的形成 3.2 PN3.2 PN结结一、一、PN结外加正向偏置电压时的导电情况：结外加正向偏置电压时的导电情况：电源电源VF+ P- N空间电荷区厚度空间电荷区厚度 内电场内电场 I扩扩 I漂漂扩散扩散 漂移漂移 正向导通状态正向导通状态、小电阻、小电阻 ，正向导通电流正向导通电流 IF I扩扩 IF 3.2.3 PN结单向导电性结单向导电性:二、二、PN结加反向偏置电压时的导电情况：结加反向偏置电压时的导电情况：空间电荷区厚度空间电荷区厚度 内电场内电场 漂移漂移 扩散扩散 I漂漂 I扩扩反向截止状态，反向截止状态，大电阻大电阻反向电流反向电流 IR=

19、I漂漂IR电源电源VR+ N- P反向反向饱和电流饱和电流ISPN结正偏结正偏PN结反偏结反偏三、结论：三、结论：PN结具有结具有单向导电性。单向导电性。 PN结加正向电压时，结加正向电压时，正向导通正向导通： 电阻值很小，具有较大的正向导通电流，电阻值很小，具有较大的正向导通电流， 开关闭合开关闭合 PN结加反向电压时，结加反向电压时，反向截止反向截止：呈现高电阻，具有较小反向饱和电流，呈现高电阻，具有较小反向饱和电流， 开关断开开关断开流过流过PN结结电流电流A反向饱反向饱和电流和电流A加在加在PN结结两端电压两端电压VVT =KT/q=26mV T=300K VD 0正正向导通向导通四、

20、四、PN结结V-I特性表示式：特性表示式：（二极管特性方程）（二极管特性方程）发射系数发射系数(1 2)3.2.4 PN的反向击穿的反向击穿（P65自学自学 熟悉）熟悉） 当当PN结的反向电压结的反向电压增加到一定数值时，增加到一定数值时，反反向电流突然快速增加向电流突然快速增加，此现象称为此现象称为PN结的结的反向反向击穿。击穿。反向击穿段反向击穿段3.2.5 PN结电容效应结电容效应（P66自学了解）自学了解）一一 、符号：、符号： 阳极阳极+-阴极阴极二、二、 结构：结构： （1）点接触型二极管：点接触型二极管：阳极阳极+-阴极阴极（2）面接触型二极管：）面接触型二极管：（3）平面型二极

21、管：平面型二极管：3.3.1 二极管结构二极管结构:3.3 二极管（Diode)具体型号及参数参见具体型号及参数参见P72 表表3.3.13.3.2 3.3.2 伏安特性伏安特性伏安特性伏安特性（V-I特性）特性）(P70)硅管硅管硅管硅管0.5V,0.5V,锗管锗管锗管锗管0.1V0.1V。反向击穿反向击穿电压电压VBR导通压降导通压降导通压降导通压降 外加电压大于死区外加电压大于死区外加电压大于死区外加电压大于死区电压二极管才能导通。电压二极管才能导通。电压二极管才能导通。电压二极管才能导通。 外加电压大于反向击外加电压大于反向击外加电压大于反向击外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，穿电

22、压二极管被击穿，穿电压二极管被击穿，穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。失去单向导电性。失去单向导电性。失去单向导电性。正向特性正向特性正向特性正向特性反向特性反向特性特点：非线性特点：非线性特点：非线性特点：非线性硅硅硅硅0 0 0 0.7V,.7V,锗锗锗锗0 0.2V.2V。UI死区电压死区电压死区电压死区电压PN+PN+ 反向电流反向电流反向电流反向电流在一定电压在一定电压在一定电压在一定电压范围内保持范围内保持范围内保持范围内保持常数。常数。常数。常数。一、一、 最大整流电流最大整流电流IF 二极管长期连续工作时，允许通过二极管的最大正二极管长期连续工作时，允许通过二极管的最大正向平

23、均电流。向平均电流。二、二、反向击穿电压反向击穿电压VBR 二极管反向电流急剧增加时对应的反向电压值。二极管反向电流急剧增加时对应的反向电压值。 3.3.3 二极管主要参数二极管主要参数（P71 自学熟悉）自学熟悉）三、三、反向电流反向电流IR 在室温及规定的反向电压下的反向电流值。在室温及规定的反向电压下的反向电流值。 硅管：硅管：(0.1 A)； 锗管：锗管： (几十几十 A)。四、四、结电容结电容Cd 反映二极管中反映二极管中PN结结电容效应的参数。在高频结结电容效应的参数。在高频 和开关状态时运用时必须考虑。和开关状态时运用时必须考虑。五、五、最高工作频率最高工作频率fM 二极管工作上

24、限频率。二极管工作上限频率。六、六、反向恢复时间反向恢复时间TRR 二极管由正向导通过渡到反向截止时所需的时间。二极管由正向导通过渡到反向截止时所需的时间。3.4 二极管的基本电路 及其分析方法3.4.1 简单二极管电路的图解分析法简单二极管电路的图解分析法 ( P73 自学了解自学了解)3.4.2 二极管电路的简化模型分析法：二极管电路的简化模型分析法：1 理想模型：理想模型： (理想二极管理想二极管) (vD 0正偏正偏) 二极管导通二极管导通V D =0 r D =0(vD 0反偏反偏) 二极管截止二极管截止iD =0 rD =一、一、 二极管二极管V-I特性的建模：特性的建模：2 恒压

25、降模型：恒压降模型：(vD VF ) 二极管导通二极管导通vD = VF r=0 开关闭合开关闭合(vD V V阴阴阴阴或或或或 U UD D为正为正为正为正( ( 正向偏置正向偏置正向偏置正向偏置 ) )，二极管导通，二极管导通，二极管导通，二极管导通若若若若 V V阳阳阳阳 V 3V 3V，二极管导通，可看作短路，二极管导通，可看作短路，二极管导通，可看作短路，二极管导通，可看作短路 u uo o = 3V = 3V u ui i 3V VVb b，二二二二极管极管极管极管 D D1 1、 D D3 3 导通，导通，导通，导通， D D2 2、 D D4 4 截止截止截止截止 。3. 3.

26、 工作波形工作波形工作波形工作波形1. 1. 电路结构电路结构电路结构电路结构 uRLuiouo1234ab+ + Eg.4 全波整流电路全波整流电路（P97 题题3.4.2）2. 2. 工作原理工作原理工作原理工作原理3. 3. 工作波形工作波形工作波形工作波形1. 1. 电路结构电路结构电路结构电路结构RLuiouo1234ab+ + u 正半周，正半周，VaVb，二极二极管管 1、3 导通，导通，2、4 截止截止 。 u 负半周，负半周，VaVb，二极二极管管 2、4 导通，导通，1、3 截止截止 。u 作作 业业 题题 必做必做 (P97) ：3.4.5、3.4.6(a) 3.4.9(

27、用理想模型分析用理想模型分析)选做选做 3.4.7 3.5 特殊二极管（P84）光电二极管光电二极管发光二极管发光二极管激光二极管激光二极管齐纳二极管齐纳二极管变容二极管变容二极管光电子器件光电子器件肖特基二极管肖特基二极管3.5.1 齐纳（齐纳（稳压）二极管稳压）二极管1. 1. 符号符号符号符号 VZIZ（min）IZ(max) VZ IZ2. 2. 伏安特性伏安特性伏安特性伏安特性 稳压管正常工作稳压管正常工作稳压管正常工作稳压管正常工作时加反向电压时加反向电压时加反向电压时加反向电压使用时要加限流电阻使用时要加限流电阻使用时要加限流电阻使用时要加限流电阻 + 稳压管反向击穿后，稳压管反

28、向击穿后，稳压管反向击穿后，稳压管反向击穿后，电流变化很大，但其电流变化很大，但其电流变化很大，但其电流变化很大，但其两端电压变化很小，两端电压变化很小，两端电压变化很小，两端电压变化很小，利用此特性，稳压管利用此特性，稳压管利用此特性，稳压管利用此特性，稳压管在电路中可起稳压作在电路中可起稳压作在电路中可起稳压作在电路中可起稳压作用。用。用。用。VI3. 3. 主要参数主要参数主要参数主要参数(1) (1) (1) (1) 稳定电压稳定电压稳定电压稳定电压U UZ Z 稳压管正常工作稳压管正常工作稳压管正常工作稳压管正常工作( (反向击穿反向击穿反向击穿反向击穿) )时管子两端的电压。时管子

29、两端的电压。时管子两端的电压。时管子两端的电压。(2) (2) (2) (2) 电压温度系数电压温度系数电压温度系数电压温度系数 环境温度每变化环境温度每变化环境温度每变化环境温度每变化1 1 1 1 C C引起引起引起引起稳压值变化的稳压值变化的稳压值变化的稳压值变化的百分数百分数百分数百分数。(3) (3) (3) (3) 动态电阻动态电阻动态电阻动态电阻(4) (4) (4) (4) 稳定电流稳定电流稳定电流稳定电流 IZ（min） 、最大稳定电、最大稳定电、最大稳定电、最大稳定电流流流流 IZ(max)(5) (5) (5) (5) 最大允许耗散功率最大允许耗散功率最大允许耗散功率最大

30、允许耗散功率 P PZM ZM = = U UZ Z I IZMZMrZ愈小，曲线愈陡，稳压性能愈好。愈小，曲线愈陡，稳压性能愈好。愈小，曲线愈陡，稳压性能愈好。愈小，曲线愈陡，稳压性能愈好。4. 4. 基本稳压电路基本稳压电路基本稳压电路基本稳压电路稳压管工作必要条件：稳压管工作必要条件： 工作在反向击穿状态工作在反向击穿状态 I IZminZmin I IZ Z I IZmaxZmax （自学例（自学例P86P86例例3.5.13.5.1例例3.5.23.5.2）2 2、上述电路、上述电路、上述电路、上述电路V VI I为正为正为正为正弦波，且幅值大于弦波，且幅值大于弦波，且幅值大于弦波，

31、且幅值大于V VZ Z ， V VOO的波形是的波形是的波形是的波形是怎样的？怎样的？怎样的？怎样的？1 1、电阻、电阻、电阻、电阻R R的作用是什的作用是什的作用是什的作用是什么？不加可不可以？么？不加可不可以？么？不加可不可以？么？不加可不可以？思考：思考：复复 习习 思思 考考 题题作业：作业： ( P99 ) ( P99 ) 3.5.1 ( 3.5.1 (二极管导通电压为二极管导通电压为0.7V0.7V) )P95: 3.6.1 3.6.23.5.4 3.5.4 光电二极管光电二极管光电二极管光电二极管反向电流随光照强度的增加而上升。反向电流随光照强度的增加而上升。反向电流随光照强度的

32、增加而上升。反向电流随光照强度的增加而上升。I IU U 照度增加照度增加照度增加照度增加符号符号符号符号光电二极管光电二极管光电二极管光电二极管有正向电流流过时，发出一定波长范围的光，目有正向电流流过时，发出一定波长范围的光，目有正向电流流过时，发出一定波长范围的光，目有正向电流流过时，发出一定波长范围的光，目前的发光管可以发出从红外到可见波段的光，它的前的发光管可以发出从红外到可见波段的光，它的前的发光管可以发出从红外到可见波段的光，它的前的发光管可以发出从红外到可见波段的光，它的电特性与一般二极管类似，正向电压较一般二极管电特性与一般二极管类似，正向电压较一般二极管电特性与一般二极管类似，正向电压较一般二极管电特性与一般二极管类似，正向电压较一般二极管高，电流为几高，电流为几高，电流为几高，电流为几 几十几十几十几十mAmA光电二极管光电二极管光电二极管光电二极管发光二极管发光二极管发光二极管发光二极管