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1、常用电子元器件简介TheivorytowerbiasofChinesehighereducation,withtheassumptionthatauniversityeducationmeansyouneverhavetogetyourhandsdirty.Thishasledtoautomotiveengineerswhohaveneverdrivenacarandcoalmineengineerswhohaveneverbeeninamine.丰田汽车创始人讲道：丰田汽车创始人讲道：“技术人员不了解现场，产品技术人员不了解现场，产品制造就无从谈起制造就无从谈起”。TheSignifican
2、ce-大学生大学生创新新创业实践基地践基地-1.2.3 1.2.3 贴片电阻贴片电阻-大学生大学生创新新创业实践基地践基地-观察一下焊接方式观察一下焊接方式对比一下体积大小对比一下体积大小1.3 1.3 电容器电容器(Capacitor)(Capacitor)-大学生大学生创新新创业实践基地践基地-电解电容瓷片电容独石电容1.3.1 1.3.1 电容器的电路符号电容器的电路符号-大学生大学生创新新创业实践基地践基地- a b c d e fa 电容器一般符号 b 电解电容器 c 国外电解电容器d 微调电容器 e 单联可变电容器 f 双联可变电容器 1.3.2 1.3.2 电容器的额定工作电压电
3、容器的额定工作电压-大学生大学生创新新创业实践基地践基地-额额定工作电压又称耐压值，是表示电容接入电路后，能长期、连续可靠的工作而不被击穿所能承受的最高界限工作电压。否则电容器就要损坏或被击穿。电容量的单位换算关系：1.3.3 1.3.3 电容器的标称容量电容器的标称容量-大学生大学生创新新创业实践基地践基地-数码表示法电容量的数码表示法也称三位数字表示法。三位数字的前两位数字为标称容量的有效数字，第三位数字表示有效数字后面零的个数，它们的单位都是pFpF。如102表示标称容量为1000pF；221表示标称容量为220pF；224表示标称容量为2210pF。在这种表示法中有一个特殊情况，就是当
4、第三位数字用“9”表示时，是用有效数字乘上10来表示容量大小。如229表示标称容量为2210pF 2.2pF。1.3.4 1.3.4 贴片电容贴片电容1.4 1.4 电感器电感器-大学生大学生创新新创业实践基地践基地-E E型电源变压器型电源变压器 C C型电源变压器型电源变压器 环型电源变压器环型电源变压器 中频变压器中频变压器天线线圈天线线圈偏转线圈偏转线圈 1.4.1 1.4.1 电感器的电路符号电感器的电路符号-大学生大学生创新新创业实践基地践基地-电感器电感器是用导线在绝缘骨架上单层或多层绕制而成的一种电子器件，（也有部分不用骨架的线圈）。电感器通常用L表示，电感量的单位是亨利，用H
5、表示。1.4.2 1.4.2 电感器的分类电感器的分类-大学生大学生创新新创业实践基地践基地-自感作用自感作用互感作用互感作用固定电感固定电感线圈电感线圈电感色环电感色环电感低、中、高频低、中、高频变压器变压器脉冲变压器脉冲变压器1.4.3 1.4.3 变压器变压器-大学生大学生创新新创业实践基地践基地-变变压器是根据电磁感应原理制成的，两个电感线圈相互靠近，就会产生互感现象。因此从基本原理上来说，变压器属于电感器。变变压器在电子产品中能够起到交流电压变换、电流变换、传递功率和阻抗变换的作用。利用互耦线圈实现升压或降压功能，如果对变压器一侧线圈（初极线圈）施加变化的电压（如交流电压），利用互感
6、原理就会在另一侧线圈（次级线圈）中得到一个电压。1.5 1.5 二极管二极管-大学生大学生创新新创业实践基地践基地-半导体二极管半导体二极管常见二极管：整流二极管、检波二极管、稳压二极管常见二极管：整流二极管、检波二极管、稳压二极管 等；等；特殊二极管：微波二极管、变容二极管、雪崩二极管特殊二极管：微波二极管、变容二极管、雪崩二极管 等；等；敏感二极管：光敏二极管、热敏二极管、压敏二极管敏感二极管：光敏二极管、热敏二极管、压敏二极管 等；等；发光二极管发光二极管 普通二极管 开关二极管 发光二极管 肖特基二极管1.5.1 1.5.1 二极管的结构二极管的结构-大学生大学生创新新创业实践基地践基
7、地-按照结构工艺不同，半导体二极管可以分为点接触型和面接触型。点接触型二极管适用于高频电路，在检波、变频等电路中工作；面接触型二极管PN结的接触面积大，结电容比较大，可以通过较大的电流，多用于频率较低的整流电路。面接触型二极管点接触型二极管1.5.2 1.5.2 二极管的特性曲线二极管的特性曲线-大学生大学生创新新创业实践基地践基地-半导体二极管可以用锗材料或用硅材料制造。锗二极管的正向电阻很小，正向导通电压约为0.2V，但反向漏电流大，温度稳定性较差，现在在大部分场合被肖特基二极管（正向导通电压约为0.2V）取代；硅二极管的反向漏电流比锗二极管小很多，缺点是需要较高的正向电压（约0.50.7
8、V）才能导通，只适用于信号较强的电路。1.5.3 1.5.3 二极管的电路符号二极管的电路符号-大学生大学生创新新创业实践基地践基地-1.5.3 1.5.3 简单的例子简单的例子-大学生大学生创新新创业实践基地践基地-1.5.4 1.5.4 二极管的极性二极管的极性-大学生大学生创新新创业实践基地践基地-二极管应该按照极性接入电路。大部分情况下，应该使二极管的正极（或称阳极）接电路的高电位端，负极（或称阴极）接低电位端；但稳压二极管的负极要接电路的高电位端，其正极接电路的低电位端。1.5.5 1.5.5 发光二极管（发光二极管（LEDLED）-大学生大学生创新新创业实践基地践基地-LED Li
9、ght Emitting DiodesBlueandwhiteLEDsaremuchmoreexpensivethantheothercolours.ThecolorofanLEDisdeterminedbythesemiconductormaterial,notbythecoloringofthepackage.Tri-colorLEDhasaredandagreenLEDcombinedinonepackagewiththreeleads，mixedredandgreenlightappearstobeyellow.1.5.6 LED1.5.6 LED显示器件显示器件-大学生大学生创新新创
10、业实践基地践基地-7-segmentStarburst Dot matrix1.6 1.6 三极管三极管-大学生大学生创新新创业实践基地践基地-半导体三极管是具有半导体三极管是具有电流电流放大功能的元件放大功能的元件1.6.1 1.6.1 三极管的结构与类型三极管的结构与类型-大学生大学生创新新创业实践基地践基地-晶体管的结构晶体管的结构它由发射结、集电结和N型与P型半导体构成，有三个电极，即基极（B）、发射极（E）、集电极（C）。 e e发射极发射极集电结集电结N+NPb b基极基极c c集电极集电极发射结发射结1.6.2 1.6.2 三极管的工作状态三极管的工作状态-大学生大学生创新新创业
11、实践基地践基地-1截至状态截至状态23当加在发射结的电压当加在发射结的电压小于小于PNPN结的导通电压，结的导通电压，集电极和发射极之间集电极和发射极之间相当于的断开状态，相当于的断开状态，称三极管处于截止状称三极管处于截止状态。态。当加在发射结的电压当加在发射结的电压大于大于PNPN结的导通电压，结的导通电压，并处于某一恰当的值并处于某一恰当的值时，基极电流对集电时，基极电流对集电极电流起着控制作用，极电流起着控制作用，使三极管具有电流放使三极管具有电流放大作用，称三极管处大作用，称三极管处于放大状态。于放大状态。当加在发射结的电压当加在发射结的电压大于大于PNPN结的导通电压，结的导通电压
12、，基极电流增大到一定基极电流增大到一定程度，集电极和发射程度，集电极和发射极之间相当于导通状极之间相当于导通状态，称三极管处于饱态，称三极管处于饱和状态。和状态。 放大状态放大状态饱和状态饱和状态1.6.3 1.6.3 三极管的开关作用三极管的开关作用-大学生大学生创新新创业实践基地践基地-Thecollector-emitterresistanceRCEiscontrolledbythebasecurrentIB:IB=0RCE=infinitytransistoroffIBsmallRCEreducedtransistorpartlyonIBincreasedRCE=0transistor
13、fullon(saturated)switchamplifierFunction:1.6.2 1.6.2 三极管的封装三极管的封装-大学生大学生创新新创业实践基地践基地-1.7 1.7 集成电路集成电路-大学生大学生创新新创业实践基地践基地-IC: Integrated Circuit Integrated Circuit 集成电路（集成电路（ICIC） 是一种半导体电子设备，由上是一种半导体电子设备，由上千至数百万的微电阻、电容和晶体千至数百万的微电阻、电容和晶体管组成。集成电路广泛应用于各类管组成。集成电路广泛应用于各类数字设备或微处理器等。其中微处数字设备或微处理器等。其中微处理器走在集
14、成电路应用前端。理器走在集成电路应用前端。 我们通常所接触的电子产品我们通常所接触的电子产品, ,包括电视、电脑、通讯、智能化系包括电视、电脑、通讯、智能化系统、空间技术、等等都是在微电子统、空间技术、等等都是在微电子技术的基础上发展起来的。技术的基础上发展起来的。GSIULSIVLSILSIMSISSI109107109105 107103 105102 103102规模单芯片上元件数量1.7.1 1.7.1 集成电路的集成电路的“封装封装”-大学生大学生创新新创业实践基地践基地-Whats the package ? 集成电路使得半导体产品在一片硅芯集成电路使得半导体产品在一片硅芯片上能够
15、集成许多不同功能。因为硅芯片片上能够集成许多不同功能。因为硅芯片非常的脆弱非常的脆弱, ,即使是非常细小的灰尘或者即使是非常细小的灰尘或者水滴都可以破坏它们的功能，光照同样会水滴都可以破坏它们的功能，光照同样会引发功能失灵。为了与这些问题抗争引发功能失灵。为了与这些问题抗争, ,硅硅芯片采用芯片采用“封装封装”来进行保护。来进行保护。 今天今天, ,已经拥有高价值封装技术如已经拥有高价值封装技术如SiPSiP( (系统级封装系统级封装) )。SiPSiP所扮演的角色已经超所扮演的角色已经超过了过了 保护保护,如今已经成为高性能产品的如今已经成为高性能产品的必要技术必要技术, , 并且是客户做采
16、购决定时参考并且是客户做采购决定时参考的关键因素。的关键因素。1.7.1_1.7.1_ “ “封装封装”的作用的作用-大学生大学生创新新创业实践基地践基地-环境影响环境影响电性连接电性连接散散热热搬搬运运隔绝环境影响隔绝环境影响 震动、撞击、光照震动、撞击、光照和磁场，空气中的和磁场，空气中的湿气、灰尘，会引湿气、灰尘，会引发功能失灵。封装发功能失灵。封装隔绝了这些外部影隔绝了这些外部影响。响。提供电性连接提供电性连接 外部的金属外部的金属 脚脚 由由引脚框架组成引脚框架组成(BGA(BGA的话是锡球的话是锡球) )允许允许信号从半导体产品信号从半导体产品传输到外界和从外传输到外界和从外界接收
17、信号。界接收信号。散散 热热 硅芯片工作时会发硅芯片工作时会发热热. .如果芯片的实如果芯片的实际温度变得很高际温度变得很高, ,芯片的功能将失灵芯片的功能将失灵. .封装可以有效的释封装可以有效的释放这些热量。放这些热量。提高搬运提高搬运& &安装安装 建立在硅片上的电建立在硅片上的电路和硅片本身都十路和硅片本身都十分精细，把芯片放分精细，把芯片放在封装中更容易被在封装中更容易被搬运和安装在印刷搬运和安装在印刷线路板上。线路板上。Funct i on1.7.1_1.7.1_ “ “封装封装”的形式的形式-大学生大学生创新新创业实践基地践基地-1.7.1_1.7.1_ “ “封装封装”的形式的形式-大学生大学生创新新创业实践基地践基地-1.7.1 1.7.1 封装的发展趋势封装的发展趋势-大学生大学生创新新创业实践基地践基地-提高封装技术包括增加管脚数量、小型化和提提高封装技术包括增加管脚数量、小型化和提高密度，更多的半导体产品集成在一块指定的空间高密度，更多的半导体产品集成在一块指定的空间内。未来，对于越来越复杂的新型封装的需求将驱内。未来，对于越来越复杂的新型封装的需求将驱动封装的创新。动封装的创新。SIP(SIP(系统级封装系统级封装)CSP(CSP(芯片级封装芯片级封装) )结束语结束语谢谢大家聆听！谢谢大家聆听！38
