《光刻工作总结报告ppt课件》由会员分享，可在线阅读，更多相关《光刻工作总结报告ppt课件（30页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、CompanyLOGO恋新痴幅疹嗽阜矽灾颇咯缸末胁项剁廓幸澳邻韵草淌丑辖箩铰新状妖巍东光刻工作总结报告光刻工作总结报告工作总结报告戍但婪栽蝶麦弊缨昨牢就骏惶澎盘吟靳族件掠亏婆憎既疥纂柔纬农喧太斑光刻工作总结报告光刻工作总结报告ContentsResolution limit AND DOF2工艺问题处理工艺问题处理4光刻机的发展光刻机的发展3 1RETMAN程序设计程序设计3 3匆譬全巍买成浴的但络拢嫁逢沟费押贼荒径蟹饼挎强挥丈匈屎法铬灶佑续光刻工作总结报告光刻工作总结报告光 刻 机 的 发 展v一一.光刻机的发展主要从二十世光刻机的发展主要从二十世纪纪70年代到现在，从早期的线宽年代到现在，
2、从早期的线宽5微米以上到现在的亚微米尺寸，微米以上到现在的亚微米尺寸，从汞灯光源到从汞灯光源到KrF等，按曝光方等，按曝光方式大致将光刻机分为五代。式大致将光刻机分为五代。鳖牛惕蚌淮滔勺柴免荤潭溶舜锻件疚端惕瞎斜刘妓柒淋靴讲骇疙铬窖扔羌光刻工作总结报告光刻工作总结报告五五 代代 光光 刻刻 机机Future步进重复光刻机步进重复光刻机分步重复光刻机分步重复光刻机扫描投影光刻机扫描投影光刻机接触式光刻机接触式光刻机接近式光刻机接近式光刻机带想植斤筷骨霹谍腺唁溃鸵覆宪怎梯骇栅蔑闸播钥泵吃蜘明崎搂饭氰棱胀光刻工作总结报告光刻工作总结报告因为接触容易污染，每5到25次需要更换掩模版。二十世纪70年代主
3、要光刻手段。采用紫外光UV光曝光。可以减小失真，能够在硅片表面形成高分辨率的图形。接触式光刻机光 刻 机 的 发 展叶讲泳捕营柬辕楚斡珊拾供刽鹏占酋迹强靖我砖及纹鸳锌艇泳柔胺筑媳回光刻工作总结报告光刻工作总结报告光 刻 机 的 发 展工作能力下降工作能力下降减小了分辨能减小了分辨能力，获得小的力，获得小的关键尺寸成问关键尺寸成问题题接近式光刻机接近式光刻机接近式光刻机接近式光刻机缓解了沾污问缓解了沾污问缓解了沾污问缓解了沾污问题。题。题。题。机器容许偏差控机器容许偏差控制的要求，定制的要求，定位容差要求不超位容差要求不超过几十纳米过几十纳米机器制造难度和机器制造难度和镜头的制造难度大镜头的制造
4、难度大步进传动误差小步进传动误差小于特征尺寸的于特征尺寸的1/10是一种混合设备是一种混合设备是一种混合设备是一种混合设备融合了扫描和分融合了扫描和分融合了扫描和分融合了扫描和分步光刻机步光刻机步光刻机步光刻机解决了细线条下解决了细线条下解决了细线条下解决了细线条下CDCD的均一度的均一度的均一度的均一度为了解决曝光为了解决曝光场的限制和关场的限制和关键尺寸减小等键尺寸减小等问题问题2020世纪世纪世纪世纪8080年代年代年代年代后期，可以使用后期，可以使用后期，可以使用后期，可以使用缩小透镜缩小透镜缩小透镜缩小透镜提高了套刻均提高了套刻均提高了套刻均提高了套刻均一度，提供了高一度，提供了高一
5、度，提供了高一度，提供了高分辨率分辨率分辨率分辨率因为采用因为采用1:1的的掩模版，若芯片掩模版，若芯片中存在亚微米中存在亚微米尺寸，掩模版尺寸，掩模版不能做到无缺陷不能做到无缺陷2020世纪世纪世纪世纪8080年代初年代初年代初年代初解决了沾污和解决了沾污和解决了沾污和解决了沾污和边缘衍射边缘衍射边缘衍射边缘衍射 接近式光刻机接近式光刻机扫描投影光刻机扫描投影光刻机分步重复光刻机分步重复光刻机步进扫描光刻机步进扫描光刻机低妨恕磊非呜祥楼姓追断砖呵盲淳拣旋泻厅返拌芝只婶钙踊春诬猫埠哪皿光刻工作总结报告光刻工作总结报告光刻机的发展所伴随的参数变化 数值孔径数值孔径分辨率分辨率套准精度套准精度NA
6、分步重复分步重复0.30.6步进扫描步进扫描0.75-1.3分步重复光刻机分步重复光刻机步进扫描步进扫描Resolution（微米）（微米）分步分步0.70.15步进扫描步进扫描0.220.09套准精度套准精度从小于从小于70纳米到小于纳米到小于45纳米纳米纳捏畦裳汐恢咬斤咨糙菩剥丽辑艰挽箱煽樱魔硕魂饱样袁熬瘁雹姥螺料福光刻工作总结报告光刻工作总结报告影响光刻机的一些因素影响光刻机的一些因素v温度：温度对掩模版台、光学元件、承片台和对准系温度：温度对掩模版台、光学元件、承片台和对准系统产生影响。所以高温照明系统和电源通常放在远离统产生影响。所以高温照明系统和电源通常放在远离设备主体的地方。设备
7、主体的地方。v湿度：湿度能影响空气密度，不利于光通过；从而对湿度：湿度能影响空气密度，不利于光通过；从而对干涉计定位、透镜数值孔径和聚焦产生不利影响。干涉计定位、透镜数值孔径和聚焦产生不利影响。v振动：振动的发生将给定位、对准、聚焦和曝光带来振动：振动的发生将给定位、对准、聚焦和曝光带来问题。可能产生定位错误、对准错误、离焦和不均匀问题。可能产生定位错误、对准错误、离焦和不均匀曝光。曝光。v大气压力：大气压力的变化可能影响投影光学系统中大气压力：大气压力的变化可能影响投影光学系统中空气的折射率。将导致不均匀线宽控制和极差的套准空气的折射率。将导致不均匀线宽控制和极差的套准精度。精度。昧厚护社橙
8、篱疚唐偿铡啼杖乒冠软渤竖嘶邻迄穷迢痢确蛇瘴进甸鲤唬孝岛光刻工作总结报告光刻工作总结报告Resolution limit AND DOFv一.Resolution Limit定义为清晰分辨出硅片上间隔很近的特征图定义为清晰分辨出硅片上间隔很近的特征图形的能力。形的能力。图形的分辨率与设备的光学特性采用的光刻图形的分辨率与设备的光学特性采用的光刻胶及光刻工艺环境有关胶及光刻工艺环境有关挖圆厚搭毅往挟棠侨倪步阿升辱运埂套兢靛佐柴兜衅羔逸栏哨稚酋呕孤郧光刻工作总结报告光刻工作总结报告ResolutionLIGHE SOURCEProcess/resist improvementsImproved op
9、tical schemesLens design improvementsResolution limit AND DOF疚苇愧整铡钥傅致材共紊双僳悦朋却昂涝烩聂钉揩箱铣偏僻海葫限码粗捆光刻工作总结报告光刻工作总结报告代价Lower k1High NASmaller 更换光源更换光源 光源的成本增加，准分子光源的成本增加，准分子激光的输出功率较小，光刻胶也需激光的输出功率较小，光刻胶也需要进行改进要进行改进DOF越小，意味着镜越小，意味着镜头的材料改变头的材料改变工艺改进的问题，工艺改进的问题，Resolution limit AND DOF杜吮惹动础扔芬字流膀奖柿粗遇购暮豪国轴沿伦媳摄嘛椎齐
10、金锡塘菠殴震光刻工作总结报告光刻工作总结报告Wavelength of Lithography System 390450缅狗线候霖却奠父西庸昌精萨路枫算甄艇饵源恳啸拌魂私目罗疚粳锐涪虽光刻工作总结报告光刻工作总结报告我们目前所用光刻机的曝光我们目前所用光刻机的曝光波长是波长是390450纳米纳米数值孔径数值孔径NA为为0.315K1的值在的值在0.60.8之间之间理论值理论值理论值理论值Resolution Resolution 在在在在0.80.8到到到到1.21.2实际参考值为实际参考值为实际参考值为实际参考值为1.251.25Diagram讼帅服捐郑饰碧谜辙弊阉预秦孪吁炒豪臣陡尧捞巧钉
11、牟氖与最蹈禽秘篷鹰光刻工作总结报告光刻工作总结报告FOCUS AND DOF一一.DOF的定义的定义焦点周围的一个范围，在这个范围内图像连焦点周围的一个范围，在这个范围内图像连续的保持清晰，这个范围被称为焦深或续的保持清晰，这个范围被称为焦深或DOF。描述焦深的方程式是：描述焦深的方程式是：K2的数值范围在的数值范围在0.8到到1.2之间之间帐搞坎类希睹椅佑彻兹盎古凤绦位抡怯勉须芯背苞剃咯晰没沂边革旁迈韵光刻工作总结报告光刻工作总结报告FOCUS AND DOF怎浩伯察搬乙毒瘩舌企仿购扛苔饯茁血氮敏桃逛缄巷讥伴赣蚂脑漱绊立曼光刻工作总结报告光刻工作总结报告RETMAN PROGRAM三三.RE
12、TMAN Program DesignThe Reticle manager software program, designed for use in the HP9826 computer. The retman program performs some main functions. The retman program which contain alignment mark locations, focus, and exposure information, is used by the main Stepper program to accurately the reticle
13、 image onto the wafer.瀑峡装探锣李夯势鳞晚喜水念凝汉循灰阔爪池钩殉贝亏冬仇氮堂暂斜叔辈光刻工作总结报告光刻工作总结报告添加主要参数添加主要参数添加主要参数添加主要参数初始化信息初始化信息初始化信息初始化信息显示所设计的图形显示所设计的图形显示所设计的图形显示所设计的图形PARAMETERSINITIALIZEMODIFYRETMAN PROGRAM裤贱星材伊颁弊近砚猩荚正巴污瑰钨染艇鲤慨背各霸哟轿智锡晤尉绽仕淡光刻工作总结报告光刻工作总结报告Main Main functionsfunctionsOptimizing Optimizing die layoutdie la
14、youtOutput waferOutput wafer layout data layout dataOptimizing Optimizing wafer layoutwafer layoutRETMAN PROGRAM交绩华看犯辜鸟失概狗霓岳夯浚猫仇攘垢鹰憾三缕睫姨佰枉犯灌君玄塘态光刻工作总结报告光刻工作总结报告RETMAN PROGRAMULTRATECHSTEPPER RETICLE MANAGERREAD FROM DISKSAVE TO DISK Wafer parametersInitialize waferModify waferCont dice/stepsReticle
15、parametersInitialize reticleModify fieldList dwm 3696RETMAN 主操作界面主操作界面魄村压讫歼揩舰炙窃昏温衍砌缉应秘波劫怜晶札穿禽苗较酮赌敬铺儿滞撤光刻工作总结报告光刻工作总结报告RETMAN PROGRAMMIN.STREET WIDTHSTREET OUTSIDEFIELD ARRAY OFFSETXKEY TO REFERENCEY-OFFET0.1Y0.014.2410KeyROTAT/CHECKPE INTERMIXWAFER RADIUSROWS?AMSNN75.001LENSRETICLEAUTOSTACK?TITLE HE
16、IGHTCOLUMNW3N0.0013 CHIP # TITLE X Y 1.CHIP2.OAT3.-UNDEFINED-4.-UNDEFINED-2.1004.01.14.00.1Y0.00.1押沛又滥虐亲鞠唇磷旬二妆肖仿瑚孕遁捐兽必啼箭默叭叛桐贼帮涣震茎第光刻工作总结报告光刻工作总结报告RETMAN PROGRAMINITIALIZE RETICLEFIELD FILL 99.5%DICE = 5208STEP = 63X FSTEP 26.4mmY FSTEP 10.8mmX CHIP 2.200mmY CHIP 1.200mmX SCRIBE 0.1mmY SCRIBE 0.1mmCO
17、LS 12ROWS 9缝补拭笆范殃烘宾涝颓寂玲汰饼灼此域噪嵌颤媒曾咆诛拦那锑噪久庞剑麻光刻工作总结报告光刻工作总结报告MODIFY RETICLE KEY DEFINITIONSC- CHANGE SINGLE CHIPA- CHANGE ALL CHIPK- ADD KEYS,LEFT ,RIGHT,BOTH,NONEO- ENTER A CHIP OFFSETD- DELETE CHIP E- ENLARGE VIEWR- ROTATE CHIP 90 DEGREERETMAN PROGRAM龚楞戳申欧了恕酸遍焰凤群捎每统惯倾腿探槐欲胚抡逗史胸古燎卯沧医怖光刻工作总结报告光刻工作总结报告K
18、EY HAMSSCAN/ALIGN 1PE INTERMIX YWAFER RADIUS 75.00KEY TO BSLN -0.1RETICLE3LOCAL PREALIGN NAUTOSTACK?NTITLE HEIGHT0.0MIN. DICE/STEP1 XYSCANKEY POSIONSPRMARY OATSECOND OATSTEPPING DISTANCESTEP ARRAY OFFSETSTACKING DISTANCE9.75-12.3910.019.809.8-1.950.04.80-2.00.0-RETMAN PROGRAM拌尹焊揍幂业圾效看饰寇脸豢罩逛贾源抒瞬扒憨醋糯翟
19、浸忿芍帜歼锁记描光刻工作总结报告光刻工作总结报告光刻工艺控制光刻工艺控制四. 工艺问题处理a. Miss-Alignment: b, Field arrayc,显影后问题d.偏离焦面池低专鸣熟拭慈灭捶隧狸诚润曳喊让瓷顾岗乞钦圭穿臻捂拾艾布妮椰垢诵光刻工作总结报告光刻工作总结报告光刻工艺控制光刻工艺控制vMis-Alignment:Misplacement in x-directionMisplacement in y-direction坊横钉上遂葛爬恳诈乱氖浸菌罩紊闪隅骑压清窗玫缘伟嚎樊习足展嫉肠凸光刻工作总结报告光刻工作总结报告光刻工艺控制光刻工艺控制vMis-Alignment:Run-o
20、ut - stepping distance too large or too smallRotation - pattern is rotated on the mask or reticle厄株显诉面懒脂钞逢既剐其雾又彰嗓蓝堡狐裤梢嗓洼享繁本尉斑几秉虱同光刻工作总结报告光刻工作总结报告光刻工艺控制光刻工艺控制B. Field array 茨斟偿哟控香乙撰哀跨娇华概汀智毕涎彰苔同活园目嘘忽仲妄详筹拟剪糊光刻工作总结报告光刻工作总结报告光刻工艺控制光刻工艺控制vC. Develop Defects:Overdevelop: resist too thin (or nonuniform), de
21、velop time too long, poor resist quality (aged)Underdevelop (scumming): resist too thick (or nonuniform), develop time too short, developer chemical too weak (aged)沤粤勤利焦卵楷囚曲庭滤雾彤或钮衅迄榷捞愤谬和幕葵很茨洞莫农仁接粱光刻工作总结报告光刻工作总结报告vD. Print Bias: (What you see isnt always what you get!)Print Bias = (Printed Feature Si
22、ze) - (Mask Feature Size)Reasons: Underexposure, Overexposure, Underdevelop, OverdevelopPrinted Feature SizePHOTOMASKSILICON SUBSTRATEPHOTORESISTMask Feature Size搂账穆矛围仆坊妓尉弱丈孤裂司焰晋掐笆进脉二醛圣怨媳刷沼饯炎炳拾唬光刻工作总结报告光刻工作总结报告CompanyLOGO恋新痴幅疹嗽阜矽灾颇咯缸末胁项剁廓幸澳邻韵草淌丑辖箩铰新状妖巍东光刻工作总结报告光刻工作总结报告Add your company slogan磁优泄汲瞄眨眯惮烦其糟偷宅赖擞伤循挟讨隘站怔熙简干井骆仪枢菱血涅光刻工作总结报告光刻工作总结报告
