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1、电 力 电 子 技 术Power Electronic Technology第五讲第五讲 电力电子器件四电力电子器件四4.1 4.1 电力电子器件驱动电路电力电子器件驱动电路4.2 4.2 电力电子器件器件的维护电力电子器件器件的维护4.3 4.3 电力电子器件器件的串联和并联运用电力电子器件器件的串联和并联运用4.1 4.1 电力电子器件驱动电电力电子器件驱动电路路4.1.1 4.1.1 电力电子器件驱动电路概述电力电子器件驱动电路概述4.1.2 4.1.2 晶闸管的触发电路晶闸管的触发电路4.1.3 4.1.3 典型全控型器件的驱动电路典型全控型器件的驱动电路前往4.1.1 4.1.1 电
2、力电子器件驱动电路概述电力电子器件驱动电路概述驱动电路路主主电路与控制路与控制电路之路之间的接口的接口使使电力力电子子器器件件任任务在在较理理想想的的开开关关形形状状，缩短短开开关关时间，减减小小开开关关损耗耗，对安安装装的的运运转效效率率、可可靠靠性性和和平安性都有重要的意平安性都有重要的意义对器器件件或或整整个个安安装装的的一一些些维护措措施施也也往往往往设在在驱动电路中，或路中，或经过驱动电路路实现驱动电路的根本路的根本义务：将将信信息息电子子电路路传来来的的信信号号按按控控制制目目的的的的要要求求，转换为加加在在电力力电子子器器件件控控制制端端和和公公共共端端之之间，可可以以使使其其开
3、通或关断的信号开通或关断的信号对半控型器件只需提供开通控制信号半控型器件只需提供开通控制信号对全全控控型型器器件件那那么么既既要要提提供供开开通通控控制制信信号号，又又要要提提供供关断控制信号关断控制信号前往4.1.1 4.1.1 电力电子器件驱动电路概述电力电子器件驱动电路概述驱动电路还要提供控制电路与主电路之间的电气隔离环节，普通采用光隔离或磁隔离光隔离普通采用光耦合器磁隔离的元件通常是脉冲变压器图1-25光耦合器的类型及接法a)普通型b)高速型c)高传输比型4.1.1 4.1.1 电力电子器件驱动电路概述电力电子器件驱动电路概述电流流驱动型和型和电压驱动型型详细方方式式可可为分分立立元元
4、件件的的，但但目目前前的的趋势是是采用公用集成采用公用集成驱动电路路双双列列直直插插式式集集成成电路路及及将将光光耦耦隔隔离离电路路也也集集成成在内的混合集成在内的混合集成电路路为到到达达参参数数最最正正确确配配合合，首首选所所用用器器件件消消费厂厂家家专门开开发的集成的集成驱动电路路4.1.2 4.1.2 晶闸管的触发电路晶闸管的触发电路作作用用：产产生生符符合合要要求求的的门门极极触触发发脉脉冲冲，保保证证晶晶闸闸管管在在需求的时辰由阻断转为导通需求的时辰由阻断转为导通广广义义上上讲讲，还还包包括括对对其其触触发发时时辰辰进进展展控控制制的的相相位位控控制制电路电路晶闸管触发电路应满足以下
5、要求：晶闸管触发电路应满足以下要求：触触发发脉脉冲冲的的宽宽度度应应保保证证晶晶闸闸管管可可靠靠导导通通结结合合擎擎住住电电流的概念流的概念触发脉冲应有足够的幅度触发脉冲应有足够的幅度不不超超越越门门极极电电压压、电电流流和和功功率率定定额额，且且在在可可靠靠触触发发区区域之内域之内应应有有良良好好的的抗抗干干扰扰性性能能、温温度度稳稳定定性性及及与与主主电电路路的的电电气隔离气隔离前往4.1.2 4.1.2 晶闸管的触发电路晶闸管的触发电路图1-26理想的晶闸管触发脉冲电流波形t1t2脉冲前沿上升时间1st1t3强脉宽度IM强脉冲幅值3IGT5IGTt1t4脉冲宽度I脉冲平顶幅值1.5IGT
6、2IGT4.1.2 4.1.2 晶闸管的触发电路晶闸管的触发电路V1、V2构成脉冲放大环节脉冲变压器TM和附属电路构成脉冲输出环节V1、V2导通时，经过脉冲变压器向晶闸管的门极和阴极之间输出触发脉冲VD1和R3是为了V1、V2由导通变为截止时脉冲变压器TM释放其储存的能量而设图1-27常见的晶闸管触发电路4.1.3 4.1.3 典型全控型器件的驱动电典型全控型器件的驱动电路路1.电流流驱动型型器器件件的的驱动电路路GTOGTO的的开开通通控控制制与与普普通通晶晶闸管管类似似，但但对脉脉冲冲前前沿沿的的幅幅值和和陡陡度度要要求求高高，且且普普通通需需在在整整个个导通通期期间施加正施加正门极极电流
7、流使使GTO关关断断需需施施加加负门极极电流流，对其其幅幅值和和陡陡度度的的要要求求更更高高，关关断断后后还应在在门阴阴极极施施加加约5V的的负偏偏压以以提提高高抗抗干干扰才才干干图图1-28引荐的引荐的GTO门极电压电流波形门极电压电流波形前往4.1.3 4.1.3 典型全控型器件的驱动电典型全控型器件的驱动电路路驱动电路通常包括开通驱动电路、关断驱动电路和门极反偏电路三部分，可分为脉冲变压器耦合式和直接耦合式两种类型直接耦合式驱动电路可防止电路内部的相互关扰和寄生振荡，可得到较陡的脉冲前沿，因此目前运用较广，但其功耗大，效率较低4.1.3 4.1.3 典型全控型器件的驱动电典型全控型器件的
8、驱动电路路典典型型的的直直接接耦耦合合式式GTO驱驱动动电路：电路：二二极极管管VD1和和电电容容C1提提供供+5V电压电压VD2、VD3、C2、C3构构成成倍倍压整流电路提供压整流电路提供+15V电压电压VD4和电容和电容C4提供提供-15V电压电压V1开通时，输出正强脉冲开通时，输出正强脉冲V2开开通通时时输输出出正正脉脉冲冲平平顶顶部部分分V2关关断断而而V3开开通通时时输输出出负负脉脉冲冲V3关关断断后后R3和和R4提提供供门门极极负偏压负偏压图1-29典型的直接耦合式GTO驱动电路4.1.3 4.1.3 典型全控型器件的驱动电典型全控型器件的驱动电路路GTR开开通通驱驱动动电电流流应
9、应使使GTR处处于于准准饱饱和和导导通通形形状状，使之使之不进入放大区和深饱和区不进入放大区和深饱和区关关断断GTR时时，施施加加一一定定的的负负基基极极电电流流有有利利于于减减小小关关断断时时间间和和关关断断损损耗耗，关关断断后后同同样样应应在在基基射射极极之之间间施施加加一一定定幅幅值值6V左左右右的的负负偏偏压压图图1-30理想的理想的GTR基极驱动电流波形基极驱动电流波形4.1.3 4.1.3 典型全控型器件的驱动电典型全控型器件的驱动电路路GTR的的一一种种驱驱动动电电路路，包包括括电电气气隔隔离离和和晶晶体体管管放放大大电电路两部分路两部分图图1-31GTR的一种驱动电路的一种驱动
10、电路4.1.3 4.1.3 典型全控型器件的驱动电典型全控型器件的驱动电路路u二极管VD2和电位补偿二极管VD3构成贝克箝位电路，也即一种抗饱和电路，负载较轻时，如V5发射极电流全注入V，会使V过饱和。有了贝克箝位电路，当V过饱和使得集电极电位低于基极电位时，VD2会自动导通，使多余的驱动电流流入集电极，维持Ubc0。uC2为加速开经过程的电容。开通时，R5被C2短路。可实现驱动电流的过冲，并添加前沿的陡度，加快开通4.1.3 4.1.3 典型全控型器件的驱动电典型全控型器件的驱动电路路 2.电压驱动型器件的驱动电路电压驱动型器件的驱动电路 栅栅源源间间、栅栅射射间间有有数数千千皮皮法法的的电
11、电容容，为为快快速速建立驱动电压，要求驱动电路输出电阻小建立驱动电压，要求驱动电路输出电阻小 使使MOSFET开开通通的的驱驱动动电电压压普普通通1015V，使使IGBT开通的驱动电压普通开通的驱动电压普通1520V 关关断断时时施施加加一一定定幅幅值值的的负负驱驱动动电电压压普普通通取取-5-15V有利于减小关断时间和关断损耗有利于减小关断时间和关断损耗 在在栅栅极极串串入入一一只只低低值值电电阻阻数数十十欧欧左左右右可可以以减减小小寄寄生生振振荡荡，该该电电阻阻阻阻值值应应随随被被驱驱动动器器件电流额定值的增大而减小件电流额定值的增大而减小4.1.3 4.1.3 典型全控型器件的驱动电典型
12、全控型器件的驱动电路路电力力MOSFET的的一一种种驱动电路路：电气气隔隔离离和和晶体管放大晶体管放大电路两部分路两部分无无输入入信信号号时高高速速放放大大器器A输出出负电平平,V3导通通输出出负驱动电压当当有有输入入信信号号时A输出出正正电平平，V2导通通输出出正正驱动电压图1-32电力MOSFET的一种驱动电路4.1.3 4.1.3 典型全控型器件的驱动电典型全控型器件的驱动电路路专为驱动电力MOSFET而设计的混合集成电路有三菱公司的M57918L，其输入信号电流幅值为16mA，输出最大脉冲电流为+2A和-3A，输出驱动电压+15V和-10V。4.1.3 4.1.3 典型全控型器件的驱动
13、电典型全控型器件的驱动电路路IGBT的的驱动多采用公用的混合集成多采用公用的混合集成驱动器器图1-33M57962L型型IGBT驱动器器的的原原理理和和接接线图4.1.3 4.1.3 典型全控型器件的驱动电典型全控型器件的驱动电路路常用的有三菱公司的M579系列如M57962L和M57959L 和 富 士 公 司 的 EXB系 列 如 EXB840、 EXB841、EXB850和EXB851内部具有退饱和检测和维护环节，当发生过电流时能快速呼应但慢速关断IGBT，并向外部电路给出缺点信号M57962L输出的正驱动电压均为+15V左右，负驱动电压为-10V。4.2 4.2 电力电子器件器件的维电
14、力电子器件器件的维护护4.2.1 4.2.1 过电压的产生及过电压维护过电压的产生及过电压维护4.2.2 4.2.2 过电流的产生及过电流维护过电流的产生及过电流维护4.2.3 4.2.3 缓冲电路缓冲电路Snubber CircuitSnubber Circuit前往4.2.1 4.2.1 过电压的产生及过电压维过电压的产生及过电压维护护电力力电子安装能子安装能够的的过电压外因外因过电压和内因和内因过电压外因外因过电压主要来自雷主要来自雷击和系和系统中的操作中的操作过程等外因程等外因(1)操作操作过电压：由分：由分闸、合、合闸等开关操作引起等开关操作引起(2)雷雷击过电压：由雷：由雷击引起引
15、起内因内因过电压主要来自主要来自电力力电子安装内部器件的开关子安装内部器件的开关过程程(1)换相相过电压：晶晶闸管管或或与与全全控控型型器器件件反反并并联的的二二极极管管在在换相相终了了后后不不能能立立刻刻恢恢复复阻阻断断，因因此此有有较大大的的反反向向电流流流流过，当当恢恢复复了了阻阻断断才才干干时，该反反向向电流流急急剧减减小小，会会由由线路路电感感在在器件两端感器件两端感应出出过电压(2)关关断断过电压：全全控控型型器器件件关关断断时，正正向向电流流迅迅速速降降低低而由而由线路路电感在器件两端感感在器件两端感应出的出的过电压前往4.2.1 4.2.1 过电压的产生及过电压维过电压的产生及
16、过电压维护护过电压维护措施过电压维护措施图图1-34过电压制制措施及配置位置过电压制制措施及配置位置F避避雷雷器器D变变压压器器静静电电屏屏蔽蔽层层C静静电电感感应应过过电电压制制电容压制制电容RC1阀阀侧侧浪浪涌涌过过电电压压制制制制用用RC电电路路RC2阀阀侧侧浪浪涌涌过电压制制用反向阻断式过电压制制用反向阻断式RC电路电路RV压压敏敏电电阻阻过过电电压压制制制制器器RC3阀阀器器件件换换相相过过电电压压制制用制制用RC电路电路RC4直直流流侧侧RC抑抑制制电电路路RCD阀阀器器件件关关断断过过电电压压制制制用制用RCD电路电路4.2.1 4.2.1 过电压的产生及过电压维过电压的产生及过
17、电压维护护电力电子安装可视详细情况只采用其中的几种其中RC3和RCD为抑制内因过电压的措施，属于缓冲电路范畴外因过电压制制措施中，RC过电压制制电路最为常见，典型结合方式见图1-35RC过电压制制电路可接于供电变压器的两侧供电网一侧称网侧，电力电子电路一侧称阀侧，或电力电子电路的直流侧4.2.1 4.2.1 过电压的产生及过电压维过电压的产生及过电压维护护图1-35RC过电压制制电路结合方式a)单相b)三相4.2.1 4.2.1 过电压的产生及过电压维过电压的产生及过电压维护护大容量电力电子安装可采用图1-36所示的反向阻断式RC电路图1-36反向阻断式过电压制制用RC电路维护电路参数计算可参
18、考相关工程手册其他措施：用雪崩二极管、金属氧化物压敏电阻、硒堆和转机二极管BOD等非线性元器件限制或吸收过电压4.2.2 4.2.2 过电流的产生及过电流维过电流的产生及过电流维护护过电流过载和短路两种情况常用措施图1-37图1-37过电流维护措施及配置位置前往4.2.2 4.2.2 过电流的产生及过电流维过电流的产生及过电流维护护快速熔断器、直流快速断路器和过电流继电器同时采用几种过电流维护措施，提高可靠性和合理性电子电路作为第一维护措施，快熔仅作为短路时的部分区段的维护，直流快速断路器整定在电子电路动作之后实现维护，过电流继电器整定在过载时动作4.2.2 4.2.2 过电流的产生及过电流维
19、过电流的产生及过电流维护护快速熔断器快速熔断器电电力力电电子子安安装装中中最最有有效效、运运用用最最广广的的一一种种过过电电流流维护措施维护措施选择快熔时应思索：选择快熔时应思索：(1)电电压压等等级级根根据据熔熔断断后后快快熔熔实实践践接接受受的的电电压压确确定定(2)电电流流容容量量按按其其在在主主电电路路中中的的接接入入方方式式和和主主电电路结合方式确定路结合方式确定(3)快熔的快熔的I2t值应小于被维护器件的允许值应小于被维护器件的允许I2t值值(4)为为保保证证熔熔体体在在正正常常过过载载情情况况下下不不熔熔化化，应应思思索其时间索其时间电流特性电流特性4.2.2 4.2.2 过电流
20、的产生及过电流维过电流的产生及过电流维护护快熔对器件的维护方式：全维护和短路维护两种快熔对器件的维护方式：全维护和短路维护两种全全维维护护：过过载载、短短路路均均由由快快熔熔进进展展维维护护，适适用用于于小小功功率率安安装或器件裕度较大的场所装或器件裕度较大的场所短路维护方式：快熔只在短路电流较大的区域起维护作用短路维护方式：快熔只在短路电流较大的区域起维护作用对对重重要要的的且且易易发发生生短短路路的的晶晶闸闸管管设设备备，或或全全控控型型器器件件很很难用快熔维护，需采用电子电路进展过电流维护难用快熔维护，需采用电子电路进展过电流维护常常在在全全控控型型器器件件的的驱驱动动电电路路中中设设置
21、置过过电电流流维维护护环环节节，呼呼应应最快最快4.2.3 4.2.3 缓冲电路缓冲电路Snubber Snubber CircuitCircuit缓冲冲电路路吸吸收收电路路：抑抑制制器器件件的的内内因因过电压、du/dt、过电流流和和di/dt，减减小小器器件件的的开开关关损耗耗关关断断缓冲冲电路路du/dt抑抑制制电路路吸吸收收器器件件的的关关断断过电压和和换相相过电压，抑抑制制du/dt，减减小小关断关断损耗耗开开通通缓冲冲电路路di/dt抑抑制制电路路抑抑制制器器件件开开通通时的的电流流过冲冲和和di/dt，减减小小器器件件的的开开通通损耗耗将将关关断断缓冲冲电路路和和开开通通缓冲冲电
22、路路结合合在在一一同同复合复合缓冲冲电路路其其他他分分类法法：耗耗能能式式缓冲冲电路路和和馈能能式式缓冲冲电路无路无损吸收吸收电路路通通常常将将缓冲冲电路路专指指关关断断缓冲冲电路路，将将开开通通缓冲冲电路叫做路叫做di/dt抑制抑制电路路前往4.2.3 4.2.3 缓冲电路缓冲电路Snubber Snubber CircuitCircuit缓冲电路作用分析缓冲电路作用分析无缓冲电路：无缓冲电路：V开开通通时时电电流流迅迅速速上上升升，di/dt很大很大关关断断时时du/dt很很大大，并并出出现很高的过电压现很高的过电压有缓冲电路有缓冲电路V开开通通时时：Cs经经过过Rs向向V放放电电，使使i
23、C先先上上一一个个台台阶阶，以以后后因因有有Li，iC上上升升速速度度减慢减慢V关关断断时时：负负载载电电流流经经过过VDs向向Cs分分流流，减减轻轻了了V的的负负担担，抑抑制制了了du/dt和和过电压过电压图1-38di/dt抑制电路和充放电型RCD缓冲电路及波形a)电路b)波形4.2.3 4.2.3 缓冲电路缓冲电路Snubber Snubber CircuitCircuit关断时的负载曲线关断时的负载曲线无无缓缓冲冲电电路路时时：uCE迅迅速速升升，L感感应应电电压压使使VD通通，负负载载线线从从A移移到到B，之之后后iC才才下下降降到到漏漏电电流流的的大大小小，负载线随之移到负载线随之
24、移到C有有缓缓冲冲电电路路时时：Cs分分流流使使iC在在uCE开开场场上上升升时时就就下下降降，负负载载线线经过经过D到达到达C负负载载线线ADC平平安安，且且经经过过的的都都是是小小电电流流或或小小电电压压区区域域，关关断断损损耗大大降低耗大大降低图1-39关断时的负载线4.2.3 4.2.3 缓冲电路缓冲电路Snubber Snubber CircuitCircuit充放电型RCD缓冲电路图1-38，适用于中等容量的场所图1-40示出另两种，其中RC缓冲电路主要用于小容量器件，而放电阻止型RCD缓冲电路用于中或大容量器件图1-40另外两种常用的缓冲电路a)RC吸收电路b)放电阻止型RCD吸
25、收电路4.2.3 4.2.3 缓冲电路缓冲电路Snubber Snubber CircuitCircuit缓冲冲电路中的元件路中的元件选取及其他本卷取及其他本卷须知知Cs和和Rs的取的取值可可实验确定或参考工程手册确定或参考工程手册VDs必必需需选用用快快恢恢复复二二极极管管，额定定电流流不不小小于于主主电路器件的路器件的1/10尽量减小尽量减小线路路电感，且感，且选用内部用内部电感小的吸收感小的吸收电容容中中小小容容量量场所所，假假设线路路电感感较小小，可可只只在在直直流流侧设一个一个du/dt抑制抑制电路路对IGBT甚至可以甚至可以仅并并联一个吸收一个吸收电容容晶晶闸管管在在适适用用中中普
26、普通通只只接接受受换相相过电压，没没有有关关断断过电压，关关断断时也也没没有有较大大的的du/dt，普普通通采采用用RC吸收吸收电路即可路即可4.3 4.3 电力电子器件器件的电力电子器件器件的串联和并联运用串联和并联运用4.3.1 4.3.1 晶闸管的串联晶闸管的串联4.3.2 4.3.2 晶闸管的并联晶闸管的并联4.3.3 4.3.3 电力电力MOSFETMOSFET和和IGBTIGBT并联运转的特点并联运转的特点前往4.3.1 4.3.1 晶闸管的串联晶闸管的串联目目的的：当当晶晶闸闸管管额额定定电电压压小小于于要要求求时时，可可以以串串联联问问题题：理理想想串串联联希希望望器器件件分分
27、压压相相等等，但但因因特特性性差别，使器件电压分配不均匀差别，使器件电压分配不均匀静静态态不不均均压压：串串联联的的器器件件流流过过的的漏漏电电流流一一样样，但但因因静静态态伏伏安安特特性性的的分分散散性性，各各器器件件分分压压不不等等接接受受电电压压高高的的器器件件首首先先到到达达转转机机电电压压而而导导通通，使使另另一一个个器器件件承承当当全全部部电电压压也也导导通通，失失去去控控制造用制造用反反向向时时，能能够够使使其其中中一一个个器器件件先先反反向向击击穿穿，另另一个随之击穿一个随之击穿前往4.3.1 4.3.1 晶闸管的串联晶闸管的串联静态均压措施静态均压措施选用参数和特性尽量一致的
28、器件选用参数和特性尽量一致的器件采采用用电电阻阻均均压压，Rp的的阻阻值值应应比比器器件件阻阻断断时时的的正正、反反向向电阻小得多电阻小得多图图1-41晶闸管的串联晶闸管的串联a)伏安特性差别伏安特性差别b)串联均压措施串联均压措施4.3.1 4.3.1 晶闸管的串联晶闸管的串联动态均均压措施措施动态不不均均压由由于于器器件件动态参参数数和和特特性性的差的差别呵斥的不均呵斥的不均压动态均均压措施：措施：选择动态参数和特性尽量一致的器件参数和特性尽量一致的器件用用RC并并联支路作支路作动态均均压采采用用门极极强脉脉冲冲触触发可可以以显著著减减小小器器件件开开通通时间上的差上的差别4.3.2 4.
29、3.2 晶闸管的并联晶闸管的并联目的：多个器件并联来承当较大的电流目的：多个器件并联来承当较大的电流问问题题：会会分分别别因因静静态态和和动动态态特特性性参参数数的的差差别别而电流分配不均匀而电流分配不均匀均流措施均流措施挑选特性参数尽量一致的器件挑选特性参数尽量一致的器件采用均流电抗器采用均流电抗器用门极强脉冲触发也有助于动态均流用门极强脉冲触发也有助于动态均流当当需需求求同同时时串串联联和和并并联联晶晶闸闸管管时时，通通常常采采用用先串后并的方法联接先串后并的方法联接前往4.3.2 4.3.2 晶闸管的并联晶闸管的并联图143晶闸管并联均流电路4.3.3 4.3.3 电力电力MOSFETM
30、OSFET和和IGBTIGBT并联运转的并联运转的特点特点电力力MOSFET并并联运运转的特点的特点Ron具具有有正正温温度度系系数数，具具有有电流流自自动平平衡衡的的才才干干，容容易并易并联留意留意选用用Ron、UT、Gfs和和Ciss尽量相近的器件并尽量相近的器件并联电路走路走线和和规划划应尽量尽量对称称可在源极可在源极电路中串入小路中串入小电感感,起到均流起到均流电抗器的作用抗器的作用IGBT并并联运运转的特点的特点在在1/2或或1/3额定定电流流以以下下的的区区段段，通通态压降降具具有有负的的温温度系数度系数在以上的区段那么具有正温度系数在以上的区段那么具有正温度系数并并联运用运用时也
31、具有也具有电流的自流的自动平衡才干，易于并平衡才干，易于并联前往图图1-25 1-25 光耦合器的类型及接法光耦合器的类型及接法普通型高速型高传输比型前往图图1-261-26理想的晶闸管触发脉冲电流理想的晶闸管触发脉冲电流波形波形t1t2脉冲前沿上升时间1st1t3强脉冲宽度IM强脉冲幅值3IGT5IGTt1t4脉冲宽度I脉冲平顶幅值1.5IGT2IGT前往图图1-27 1-27 常见的晶闸管触发电常见的晶闸管触发电路路前往图图1-281-28引荐的引荐的GTOGTO门极电压电流波形门极电压电流波形前往图图1-291-29典型的直接耦合式典型的直接耦合式GTOGTO驱动电驱动电路路前往图图1-
32、301-30理想的理想的GTRGTR基极驱动电流波形基极驱动电流波形前往图图1-311-31GTRGTR的一种驱动电路的一种驱动电路前往图图1-321-32电力电力MOSFETMOSFET的一种驱动电路的一种驱动电路前往图图1-331-33M57962LM57962L型型IGBTIGBT驱动器的原理和接驱动器的原理和接线图线图前往图图1-341-34过电压制制措施及配置位置过电压制制措施及配置位置F避雷器D变压器静电屏蔽层C静电感应过电压制制电容RC1阀侧浪涌过电压制制用RC电路RC2阀侧浪涌过电压制制用反向阻断式RC电路RV压敏电阻过电压制制器RC3阀器件换相过电压制制用RC电路RC4直流侧
33、RC抑制电路RCD阀器件关断过电压制制用RCD电路前往图图1-351-35RCRC过电压制制电路结合方式过电压制制电路结合方式前往图图1-361-36反向阻断式过电压制制用反向阻断式过电压制制用RCRC电路电路前往图图1-371-37过电流维护措施及配置过电流维护措施及配置位置位置前往图图1-381-38di/dtdi/dt抑制电路和充放电型抑制电路和充放电型RCDRCD缓冲电路及波形缓冲电路及波形前往图图1-391-39关断时的负载线关断时的负载线前往图图1-401-40另外两种常用的缓冲电路另外两种常用的缓冲电路放电阻止型吸收电路RC吸收电路前往图图1-411-41晶闸管的串联晶闸管的串联前往图图1-431-43晶闸管的并联均流电晶闸管的并联均流电路路前往
