《【毕业答辩】CdSe量子点的微续合成与表面修饰》由会员分享，可在线阅读，更多相关《【毕业答辩】CdSe量子点的微续合成与表面修饰（36页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、CdSe量子点的微连续合成与表面修饰量子点的微连续合成与表面修饰硕士学位答辩硕士学位答辩浚棱捡划应称陡寨拐咬踏箔揍自督身疽衙酥赢虑刷辨寡拖气冲寐缀俗忆子【毕业答辩】CdSe量子点的微续合成与表面修饰【毕业答辩】CdSe量子点的微续合成与表面修饰毕业答辩毕业答辩毕业答辩毕业答辩内容提要内容提要背景综述背景综述试验装置搭建试验装置搭建CdSe量子点的连续合成量子点的连续合成 CdSe量子点的有机材料表面改性量子点的有机材料表面改性 CdSe/ZnS量子点的合成量子点的合成 总结与展望总结与展望 梁陛雷拎输染饯掣梦艳外哇毕壳泳荤垃情速疮濒好当谤肥衬依彦派撒筏狭【毕业答辩】CdSe量子点的微续合成与表
2、面修饰【毕业答辩】CdSe量子点的微续合成与表面修饰毕业答辩毕业答辩毕业答辩毕业答辩综述综述发光原理和发光特性发光原理和发光特性发光范围可调发光范围可调易激发易激发抗漂白能力强抗漂白能力强琉拥量企锯瑞撩抿盟干个萤或购撞症橱栈魂鸟拥鞍听话真梨忻狄朱兆臣颖【毕业答辩】CdSe量子点的微续合成与表面修饰【毕业答辩】CdSe量子点的微续合成与表面修饰毕业答辩毕业答辩毕业答辩毕业答辩量子点已成为研究热点量子点已成为研究热点应用应用 医用成像医用成像 生物标记生物标记 药物筛选药物筛选 光电子元件光电子元件 性能指标性能指标 尺寸尺寸 单分散性单分散性 尺寸分布尺寸分布 高荧光性能高荧光性能表面修饰可改善
3、其荧光性能表面修饰可改善其荧光性能微连续合成使反应易控微连续合成使反应易控综述综述应用与性能指标应用与性能指标唾窝恋倾章掐愉揪僻焦味峰锨嘉吟呜斤连龟豌朵纤挟煞鳞埃舟老溃停萤遥【毕业答辩】CdSe量子点的微续合成与表面修饰【毕业答辩】CdSe量子点的微续合成与表面修饰毕业答辩毕业答辩毕业答辩毕业答辩综述综述制备方法和修饰方法制备方法和修饰方法Se-TOPAr效率高，可重复型好效率高，可重复型好能量、原料损耗低能量、原料损耗低研究周期短研究周期短安全性好安全性好影响因素多影响因素多重复性差重复性差不能实现规模生产不能实现规模生产提高量子产率提高量子产率改善稳定性改善稳定性降低生物毒性降低生物毒性躯
4、失环酬桔触伶攒熄卜枣射历坛层效诣茵谜植哦丝穆边椽鬼壁瘩靳衫聂蛙【毕业答辩】CdSe量子点的微续合成与表面修饰【毕业答辩】CdSe量子点的微续合成与表面修饰毕业答辩毕业答辩毕业答辩毕业答辩试验装置的搭建与表征试验装置的搭建与表征Cd源：源： CdO + OA + ODESe源：源： Se+ TOP + ODEa图图3.2 原料液照片（原料液照片（a）为硒源（）为硒源（b）为镉源）为镉源Se源源Cd源源大气中大气中肖丰莹档打提步阀应锄漫惫伞脑攒瘦氓耐访息郑税陨希椭了详俄傍斌瀑幌【毕业答辩】CdSe量子点的微续合成与表面修饰【毕业答辩】CdSe量子点的微续合成与表面修饰毕业答辩毕业答辩毕业答辩毕业答
5、辩试验装置的搭建与表征试验装置的搭建与表征v温度温度v停留时间停留时间v原料配比原料配比考察参数考察参数考察参数考察参数v吸收光谱吸收光谱v荧光光谱荧光光谱vXRD vTEMv动力学计算表征方法表征方法表征方法表征方法成核成核+ +生长生长乏贰襄佑花笆简酱肝辛返忆毅赂锦谅统竹闺耿缩躲襄漠穷施喧积诽旦狠概【毕业答辩】CdSe量子点的微续合成与表面修饰【毕业答辩】CdSe量子点的微续合成与表面修饰毕业答辩毕业答辩毕业答辩毕业答辩CdSe量子点的连续合成量子点的连续合成停留时间和温度停留时间和温度 不同温度、不同停留时间不同温度、不同停留时间(a)浓度，浓度，(b)平均直径平均直径(c)荧光光谱半峰
6、宽荧光光谱半峰宽奢太酉秩龟式悲债肪市嘎脐札赎石韦岁箔捌憨夜尧箕栅宁愈帚痘躇个驯惟【毕业答辩】CdSe量子点的微续合成与表面修饰【毕业答辩】CdSe量子点的微续合成与表面修饰毕业答辩毕业答辩毕业答辩毕业答辩CdSe量子点的连续合成量子点的连续合成原料配比原料配比不同油酸与不同油酸与CdCd比例，比例，最优最优OA:Cd10:1Se:Cd1:5 1:1 避裙稠挫沧甥挠啮槽恨红昌入报妨横描宗苦帚舀优渤险两掖元训栖杉悉蠕【毕业答辩】CdSe量子点的微续合成与表面修饰【毕业答辩】CdSe量子点的微续合成与表面修饰毕业答辩毕业答辩毕业答辩毕业答辩 XRD图谱 CdSe量子点的连续合成量子点的连续合成TEM
7、&XRDTEMHRTEM禁骆篷哪收媳脏匀巴审氓纹臻茬斑诊卤勃亭白贤琶嫁减潭唤挎够阀虚祥尽【毕业答辩】CdSe量子点的微续合成与表面修饰【毕业答辩】CdSe量子点的微续合成与表面修饰毕业答辩毕业答辩毕业答辩毕业答辩温度梯度法温度梯度法试验装置试验装置温度梯度微反应装置温度梯度微反应装置Se Se 原料液原料液Cd Cd 原料液原料液1234568101412111397TEM生嚏软它搂尝钠不卤彪扣铃针赞垢稀匆兔赵祸啪铱傻坞坝悔驼伞凝蓄樱统【毕业答辩】CdSe量子点的微续合成与表面修饰【毕业答辩】CdSe量子点的微续合成与表面修饰毕业答辩毕业答辩毕业答辩毕业答辩 温度温度( oC)平均平均直径直径
8、(nm)核浓度核浓度(1017L-1)吸收吸收半峰半宽半峰半宽(nm)荧光荧光半峰宽半峰宽(nm)2873.022.043549287-2662.773.111934287-2472.663.7421362662.872.6223452472.843.552444温度梯度法温度梯度法两方法对比两方法对比梯度法梯度法: :陡峭陡峭, ,蓝移蓝移, ,浓度高浓度高哗誉抒谨蝇恭潍冲艾殊植赫渝寅瓮耙妻苍介导纺疼颊蛊缨详茎供芽厨雅度【毕业答辩】CdSe量子点的微续合成与表面修饰【毕业答辩】CdSe量子点的微续合成与表面修饰毕业答辩毕业答辩毕业答辩毕业答辩温度梯度法温度梯度法高温段长度的影响高温段长度的影
9、响影响量子点浓度和尺寸影响量子点浓度和尺寸翠墨惨栏琢淖螺估盟册识堆利汀瞬领妇馁铂矫试稀妻刹宠疗轿汪掐酞星旗【毕业答辩】CdSe量子点的微续合成与表面修饰【毕业答辩】CdSe量子点的微续合成与表面修饰毕业答辩毕业答辩毕业答辩毕业答辩温度梯度法温度梯度法低温段长度的影响低温段长度的影响影响不大，转折点为影响不大，转折点为13s13s 遭慨弟荒瘁碍廉昼荚憎违娩欺宝婪聘铸绸晃彼娄惠纶寥柄瞎幂彬皋茄鹊烛【毕业答辩】CdSe量子点的微续合成与表面修饰【毕业答辩】CdSe量子点的微续合成与表面修饰毕业答辩毕业答辩毕业答辩毕业答辩温度梯度法温度梯度法低温段温度的影响低温段温度的影响最优低温为最优低温为2622
10、62 撮端勃嘛锰骡物胡汾碧陆慰斩绍砸迅橙拟漫诀鸣危仿茨扣浸废款邦念嘛整【毕业答辩】CdSe量子点的微续合成与表面修饰【毕业答辩】CdSe量子点的微续合成与表面修饰毕业答辩毕业答辩毕业答辩毕业答辩本章小结本章小结（CdSe量子点合成试验）量子点合成试验）大气中大气中制备了粒径可变的制备了粒径可变的CdSe量子点量子点温度温度和和停留时间停留时间是重要反应参数是重要反应参数发现发现CdSe纳米晶尺寸分布时间上的纳米晶尺寸分布时间上的转折点转折点利用温度梯度法得到的利用温度梯度法得到的CdSe量子点，量子点，尺寸分布窄，颗粒浓尺寸分布窄，颗粒浓度高度高验证了量子点生长的理论验证了量子点生长的理论瘸抢
11、贾貌公紫佩底倒够佛操扁塑略螺办俐舞差弹唯捏缓锁坛禽祥叠价域题【毕业答辩】CdSe量子点的微续合成与表面修饰【毕业答辩】CdSe量子点的微续合成与表面修饰毕业答辩毕业答辩毕业答辩毕业答辩表面改性表面改性反应温度优化反应温度优化最优反应温度为最优反应温度为285285油油胺胺柿缅辑崖啡丹除钞狼赵压蹦陛诣滤蘸力腊空种蠢氨面水园竿毡哑棘提骇枣【毕业答辩】CdSe量子点的微续合成与表面修饰【毕业答辩】CdSe量子点的微续合成与表面修饰毕业答辩毕业答辩毕业答辩毕业答辩不同油胺浓度不同停留时间下制备的不同油胺浓度不同停留时间下制备的CdSe量子点的吸收光谱，量子点的吸收光谱，T=285 表面改性表面改性停留
12、时间优化停留时间优化改善长停留时间尺寸分布改善长停留时间尺寸分布, ,最优停留时间最优停留时间20s20s皿趣器勿旅列柜蛹帚鸦雇胶福夜液护凉僳递渠烂爸土凳谷陶观蘑爬性残妆【毕业答辩】CdSe量子点的微续合成与表面修饰【毕业答辩】CdSe量子点的微续合成与表面修饰毕业答辩毕业答辩毕业答辩毕业答辩核浓度核浓度平均直径平均直径表面改性表面改性动力学数据动力学数据睬昌陡毒叼域玛膨忧吧奇徐吾踌肖蒸款每喊箕浩聊洼畦销瘦恼衫裙雇堵茅【毕业答辩】CdSe量子点的微续合成与表面修饰【毕业答辩】CdSe量子点的微续合成与表面修饰毕业答辩毕业答辩毕业答辩毕业答辩 不同油胺浓度下制备的不同油胺浓度下制备的CdSeCd
13、Se量子点的吸收光谱量子点的吸收光谱 ( (T T=285, Se:Cd=5:1, =285, Se:Cd=5:1, t t=8 s) =8 s) 表面改性表面改性荧光性能改善荧光性能改善荧光强度提高荧光强度提高11倍倍最小的半峰宽为最小的半峰宽为32nm轧密淮倾耽动既搏道膀炯宽钒獭枕氧岳络恩秘钧南课氨帆筋聚哇揉莲秘尉【毕业答辩】CdSe量子点的微续合成与表面修饰【毕业答辩】CdSe量子点的微续合成与表面修饰毕业答辩毕业答辩毕业答辩毕业答辩 图图4.10 添加添加2 ml油胺制备出的油胺制备出的CdSe量子点的量子点的TEM照片照片（a）和）和HRTEM照片（照片（b）(T=285oC; t=
14、10 s)Fig.4.10 (a) TEM, (b) HRTEM images and of CdSe NCs prepared with 2ml OLA in source solution (T=285oC; t=10 s) 表面改性表面改性TEM&XRDTEMHRTEMXRD泛裹挚执仪那熙龄翟蓄谩呕锐滴妹宠反极工阁冬柱淳砚瑰柱嚣寻望惊吠拖【毕业答辩】CdSe量子点的微续合成与表面修饰【毕业答辩】CdSe量子点的微续合成与表面修饰毕业答辩毕业答辩毕业答辩毕业答辩本章小结本章小结（表面改性）（表面改性）油胺改善表面缺陷，促进形核油胺改善表面缺陷，促进形核随油胺浓度的增加，尺寸分布随油胺浓度的
15、增加，尺寸分布转折点推迟转折点推迟出现出现参数优化：参数优化：2.8 ml改善明显；改善明显；T=285oC，t=20 s荧光强度提高了荧光强度提高了11倍，荧光半峰宽最小可达倍，荧光半峰宽最小可达32 nm肩钢蔷毛靳柿辟坊八硅堪追井炕诗肃劳陕春戴柜瑞何淡烯冲果朝嘻肥粘链【毕业答辩】CdSe量子点的微续合成与表面修饰【毕业答辩】CdSe量子点的微续合成与表面修饰毕业答辩毕业答辩毕业答辩毕业答辩 CdSe/ZnS量子点的合成量子点的合成绿色绿色哈照猪峰骄挠骗罪胺米胞潦客黔尺抓榔群胖尔悦亏略溶捉菱恬泛判断弗枢【毕业答辩】CdSe量子点的微续合成与表面修饰【毕业答辩】CdSe量子点的微续合成与表面修
16、饰毕业答辩毕业答辩毕业答辩毕业答辩CdSe/ZnS量子点的合成量子点的合成绿色绿色(C2H5)2NCSS2Zn + TOP + oleylamine + ODE教疮陪绞惨宿茄纂饮惰辜秸咐停类婉啼驱了春铸缺酚耍睦晒郁沥粗粘捉逼【毕业答辩】CdSe量子点的微续合成与表面修饰【毕业答辩】CdSe量子点的微续合成与表面修饰毕业答辩毕业答辩毕业答辩毕业答辩绿色绿色CdSe/ZnS量子点量子点温度优化温度优化最优包裹温度最优包裹温度120项振铡狼殷细拾窟赦魔蔽诸辉荫啮晦斩柯丘骋沾馈巢钧坊苹悬浇椰颇翟赠【毕业答辩】CdSe量子点的微续合成与表面修饰【毕业答辩】CdSe量子点的微续合成与表面修饰毕业答辩毕业答
17、辩毕业答辩毕业答辩绿色绿色CdSe/ZnS量子点量子点停留时间优化停留时间优化最优包裹停留时间最优包裹停留时间10s钱皇危搽驱碉产酞孵说健腰营梦轰磕纪历峪矾搁祟研滚客贩裔亲伎七抛捏【毕业答辩】CdSe量子点的微续合成与表面修饰【毕业答辩】CdSe量子点的微续合成与表面修饰毕业答辩毕业答辩毕业答辩毕业答辩 CdSe量子点和量子点和CdSe/ZnS量子点量子点 绿色绿色CdSe/ZnS量子点量子点荧光性能荧光性能未未包包裹裹 包包裹裹 2.4nm3.6nm2层TEM高质量纯绿色高质量纯绿色辱咆砰父艘白饥得易畴女内羽收居溶鬼恭宗扣葫帕刷杭烦宣缅教瑚提崔影【毕业答辩】CdSe量子点的微续合成与表面修饰
18、【毕业答辩】CdSe量子点的微续合成与表面修饰毕业答辩毕业答辩毕业答辩毕业答辩橙色橙色CdSe/ZnS量子点量子点停留时间优化停留时间优化最优停留时间为最优停留时间为30s30sSe:CdSe:Cd1 1：2 2悦窖惜康柑抛前则敲景娃笛妈笑这内材量随默凶韦烽药帮崇讳凉轨玻估恍【毕业答辩】CdSe量子点的微续合成与表面修饰【毕业答辩】CdSe量子点的微续合成与表面修饰毕业答辩毕业答辩毕业答辩毕业答辩 橙色橙色CdSe/ZnS量子点量子点温度优化温度优化最优包裹温度为最优包裹温度为140140主牡唾否腋井营尖凿勃辱嚼瞻丑送彝桓郴狠厩煞樱炯粳寐匆徊猿潜恢镁杜【毕业答辩】CdSe量子点的微续合成与表面
19、修饰【毕业答辩】CdSe量子点的微续合成与表面修饰毕业答辩毕业答辩毕业答辩毕业答辩TEM未包裹未包裹 包裹包裹 3.3 nm3.9 nm1层层橙色橙色CdSe/ZnS量子点合成量子点合成包裹厚度包裹厚度眶逸哎凉据谅揖宗悬坷玖藩紧帅倦岳承赏铃词择盾驮己篙我灶堡嚏滑久哉【毕业答辩】CdSe量子点的微续合成与表面修饰【毕业答辩】CdSe量子点的微续合成与表面修饰毕业答辩毕业答辩毕业答辩毕业答辩CdSe/ZnS量子点连续合成量子点连续合成QYQYCdSeCdSe23.9 23.9 5 s-20 s62.5 62.5 10 s-20 s59.2 59.2 20 s-20 s53.3 53.3 10 s-
20、30 s67.7 67.7 瞳荒市辅寅老吩眷迫忆蹦栏沦吾笼吃仲榆葫茹玲墅烙爷肯气牟琶耍应鸵审【毕业答辩】CdSe量子点的微续合成与表面修饰【毕业答辩】CdSe量子点的微续合成与表面修饰毕业答辩毕业答辩毕业答辩毕业答辩v制备了发绿色和橙色光的制备了发绿色和橙色光的CdSe/ZnS核壳结构量子点核壳结构量子点, 将其将其荧光效果分别提高了几倍。荧光效果分别提高了几倍。v发发绿绿光：光：t10 s；T120oC；包裹层数为；包裹层数为2层。层。v发发橙橙色：色：t30 s；T140oC；包裹层数为；包裹层数为1层。层。v搭建了可实现多步连续合成的微反应系统搭建了可实现多步连续合成的微反应系统本章小结
21、本章小结（CdSe/ZnS量子点连续合成量子点连续合成）因胖叔跑邪涣趟样哇基涟辫骋斩痹嘱彪丛缀倪征蠢员史符极广菱殃铆暇呛【毕业答辩】CdSe量子点的微续合成与表面修饰【毕业答辩】CdSe量子点的微续合成与表面修饰毕业答辩毕业答辩毕业答辩毕业答辩总总 结结p搭建了搭建了大气下大气下合成合成CdSe量子点和量子点和CdSe/ZnS量子点的微反量子点的微反应应装置装置p合成了单分散性较好的合成了单分散性较好的CdSe量子点量子点，考察参数与生长机理，考察参数与生长机理p添加有机胺添加有机胺，改善量子点的表面缺陷，提高其荧光性，改善量子点的表面缺陷，提高其荧光性p制备了发绿色光和橙色光的制备了发绿色光
22、和橙色光的CdSe/ZnS量子点量子点，改善，改善CdSe量子点的荧光量子产率，搭建了量子点的荧光量子产率，搭建了连续合成连续合成核壳量子点的装核壳量子点的装置。置。纺荐郊账篡孜便阴毅暴跪世厩痰夏榆金堆隅吁榜鬃跳尸再骇合笨帖迄奇舒【毕业答辩】CdSe量子点的微续合成与表面修饰【毕业答辩】CdSe量子点的微续合成与表面修饰毕业答辩毕业答辩毕业答辩毕业答辩创新点与展望创新点与展望创新点创新点创新点创新点v在空气条件下，实现在空气条件下，实现CdSe量子点以及量子点以及CdSe/ZnS量子点的量子点的制备制备v通过在加热部件实现可控的温度梯度进行量子点合成反通过在加热部件实现可控的温度梯度进行量子点
23、合成反应中形核与生长过程的有效控制，和动力学数据研究应中形核与生长过程的有效控制，和动力学数据研究展望展望展望展望v改善硬件设施改善硬件设施v拓展发光范围拓展发光范围, ,以及连续包裹摸索以及连续包裹摸索v其他复合结构制备其他复合结构制备v应用应用吐冻屏矮协裁咬扇唾怀搭攫项婿氟交犯恿翁浦钳寒泪螺疆伏镣肾拙垮奴则【毕业答辩】CdSe量子点的微续合成与表面修饰【毕业答辩】CdSe量子点的微续合成与表面修饰毕业答辩毕业答辩毕业答辩毕业答辩硕士期间发表文章及专利情况硕士期间发表文章及专利情况文章：文章：文章：文章：1 Ningning Fan, Hongwei Yang, Weiling Luan,
24、Shan-tung Tu. Preparation of Highly Luminescent Nanocrystals Via Microreaction：Open-to-Air synthesis with Oleylamine as a Coligand. Nanotechnology (submit)2 Weiling Luan, Hongwei Yang, Ningning Fan, Shan-tung Tu Synthesis of Efficient Green Luminescent CdSe/ZnS Nanocrystals via MicroreactionNanoscal
25、e Research Letters,2008.03专利：专利：栾伟玲栾伟玲, ,杨洪伟杨洪伟, ,黄永黄永, ,范宁宁，专利名称：一种利用温度梯度合成硒化镉范宁宁，专利名称：一种利用温度梯度合成硒化镉纳米晶的微反应装置与方法，专利申请单位：华东理工大学，纳米晶的微反应装置与方法，专利申请单位：华东理工大学， 申请号：申请号：200710047918.1200710047918.1， 申请时间：申请时间：2007.112007.11。获奖获奖: : v2008.03 2008.03 获华东理工大学校优秀毕业生获华东理工大学校优秀毕业生v2007.11 2007.11 获华东理工大学校优秀学生干
26、部获华东理工大学校优秀学生干部v2007.11 2007.11 获华东理工大学校社会工作一等奖获华东理工大学校社会工作一等奖v2006.11 2006.11 获华东理工大学校综合课程二等奖获华东理工大学校综合课程二等奖想钝坊始卞鳃频垃景匹蚊彦塞旧拆蓖蛊杰念娄闽浙裔娟曰久膨瓷质岸斩共【毕业答辩】CdSe量子点的微续合成与表面修饰【毕业答辩】CdSe量子点的微续合成与表面修饰毕业答辩毕业答辩毕业答辩毕业答辩致致致致 谢谢谢谢 特别感谢导师栾伟玲教授的指导特别感谢导师栾伟玲教授的指导！ 感谢各位专家、教授的莅临与指导！感谢各位专家、教授的莅临与指导！感谢实验室全体同学的关心和帮助，特感谢实验室全体同学的关心和帮助，特别感谢师兄杨洪伟同学！别感谢师兄杨洪伟同学！水贪与仍萄岂镰吟戎年绵彰祸失械蹈绥变妆蝇遂桑几邦签嚷淌恕咐尹匆拖【毕业答辩】CdSe量子点的微续合成与表面修饰【毕业答辩】CdSe量子点的微续合成与表面修饰
