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1、二极管的工艺流程一、二氧化硅的去除2.1 BOE液的配制氢氟酸(浓度%):氟化氨(浓度40%)=1:52.2 工艺流程把硅片放在BOE液中(水浴3C),看颜色,或脱水,一般为每分钟为200nm,根据情况而定。二、普通硅片的清洗1.1 3#液的配制双氧水(浓度30%):浓硫酸(浓度96%)=1:351.2 工艺过程把3#液加热为12C左右,放入硅片分钟;若3#液长时间放置,请根据需要放入双氧水。1.3 清洗后在去离子水中反复冲洗(至少10次),去除多余的酸。三、烘干把所要烘干的硅片放在支架中,放入器皿中,在放入器皿中,加热、烘干。四、氧化开始的准备工作,若长时间没使用设备,首先清洗更换湿氧化器皿
2、(反复冲洗干净、加水),并加热至9C炉子预热为C左右(打到档),恒温分钟;4.2 打开氧气、氮气的气阀,调节减压阀大约为1格;4.3 清洗管道,顺序:下氮气下水浴氧气下氧气,均为2升,各5分钟;4.4 开始进样,拉出石英舟(一定要慢:推10公分,停1分钟,大约为3-4次)将片子小心地放在石英舟上。注意:抛光面要朝向炉子外,保证背向气流;4.5 舟进入炉管中间恒温区,关下氮气阀门,开下水浴氧气阀,同时调高温度至1100C,恒温后,保持分钟4.6 关下水浴氧气阀,开下氧气阀,15-30分钟后,再关下氧气阀4.7 打开下氮气阀门,同时降温至8档并慢速出片。五、清洗六、匀胶光刻6.1 匀胶工艺打开电源
3、-开真空泵一调节工艺流程-转速I(500转/分钟、时间18秒)、转速11(3000转/分钟、时间28秒)-吸片-滴胶(7-8滴)启动6.2 焙烘工艺加热恒温7C,时间为分钟6.3曝光工艺开电源、真空泵-调-节掩膜板-吸-住掩膜板-放-置硅片-吸住硅片-定-位-上-顶硅片-固-定旋钮-放-置到光源的中央-曝光-(大约为18秒)曝光结束后,打开旋钮-下-调-载物台-拉-开掩膜板-硅片解吸-取-片,其他还原6.3显影工艺显影分钟定影秒显微镜观看若合适坚膜C、时间为分钟七、打底膜蚀刻二氧化硅7.1打底膜工艺主机:开电源打开离子刻蚀机上盖装片关盖开低速度泵开高速泵;配电柜:开电源真空规管加热(电流为毫安
4、)开启匹配射频电源开氧气开角阀开质量流量计(大约为22sccm)计时器复零(40秒左右)看起辉起辉结束按开设备的反方向关设备7.2刻蚀放入BOE液中刻蚀八、匀硼源8.1 去光刻胶-放入3#液中,与前面的清洗工艺一样8.2 烘干8.3 匀硼源如前面的匀光刻胶一样九、预扩散9.1 打开氧气、氮气的气阀,调节减压阀大约为1格,并开上氮气;炉子预热为C左右(打到档),恒温分钟;9.3 开始进样,拉出石英舟(一定要慢:推10公分,停1分钟,大约为3-次4)-将-片-子小心地放在石英舟上。注意:抛光面要朝向炉子外,保证背向气流;9.4 把石英舟放到炉口,烘干5分钟,以后要慢推,推10公分,停1-分2钟,让
5、有机溶剂挥发,9.5 开上氧气、关氮气,计时20分钟,让氧气与有机溶剂继续反应;9.6 关氧气,开氮气,升温960C(开到档),恒温分钟9.7 开上氧气,关上氮气,降温为C左右(打到档),在窗口处得到一定厚度的二氧化硅,具体的时间待定。9.8 打开上氮气阀门,缓慢拉出(拉10公分,停1分钟)。十、刻蚀-清洗-测试10.1扩散后,用BOE液漂洗30秒10.2 用纯水清洗10.3 烘干、测试陪片10.4 用3#液清洗,大约5-10分钟十一、再扩散-测试11.1放入芯片,开氮气11.2慢慢推入(推10公分、停1分钟)11.3 关闭氮气,开水浴氧11.4 1100C(放10档),恒温湿氧1小时11.5 关湿氧,开干氧15分钟11.6关干氧,开氮气,降温为920C(调节为8档)11.7慢拉出炉子(拉10公分、停1分钟)11.8取出硅片和陪片,测量方阻(大约为150-200Q/)主要的步骤有:1、传感器的意义2、传感器的原理3、实验的步骤4、测试5、总结