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1、Ref.Mat.&CeramicsBranch AT&M 大功率密度封装用粉末冶金大功率密度封装用粉末冶金热沉材料热沉材料安泰科技股份有限公司安泰科技股份有限公司安泰科技股份有限公司安泰科技股份有限公司Ref.Mat.&CeramicsBranch AT&M 集集集集成成成成电电电电路路路路封封封封装装装装就就就就是是是是将将将将一一一一个个个个具具具具有有有有一一一一定定定定功功功功能能能能的的的的集集集集成成成成电电电电路路路路芯芯芯芯片片片片（包包包包括括括括半半半半导导导导体体体体集集集集成成成成电电电电路路路路芯芯芯芯片片片片、薄薄薄薄膜膜膜膜集集集集成成成成电电电电路路路路基基基基
2、片片片片、混混混混合合合合集集集集成成成成电电电电路路路路芯芯芯芯片片片片）放放放放置置置置在在在在一一一一个个个个与与与与之之之之相相相相应应应应的的的的外外外外壳壳壳壳容容容容器器器器中中中中，为为为为芯芯芯芯片片片片提提提提供供供供一一一一个个个个稳稳稳稳定定定定可可可可靠靠靠靠的的的的工工工工作作作作环环环环境境境境，保保保保护护护护芯芯芯芯片片片片不不不不受受受受或或或或少少少少受受受受外外外外部部部部环环环环境境境境影影影影响响响响，使使使使集集集集成成成成电电电电路路路路具具具具有有有有稳稳稳稳定定定定正正正正常的功能。常的功能。常的功能。常的功能。Ref.Mat.&Cerami
3、csBranch AT&MRef.Mat.&CeramicsBranch AT&M 塑料封装材料（酚醛类、环氧类、聚脂塑料封装材料（酚醛类、环氧类、聚脂塑料封装材料（酚醛类、环氧类、聚脂塑料封装材料（酚醛类、环氧类、聚脂 类、有机硅）类、有机硅）类、有机硅）类、有机硅） 金属封装材料（金属封装材料（金属封装材料（金属封装材料（CuCuCuCu、可伐、可伐、可伐、可伐、Si/AlSi/AlSi/AlSi/Al、WCuWCuWCuWCu、MoCuMoCuMoCuMoCu、 Cu-Mo-CuCu-Mo-CuCu-Mo-CuCu-Mo-Cu） 陶瓷封装材料（陶瓷封装材料（陶瓷封装材料（陶瓷封装材料（A
4、lNAlNAlNAlN、SiCSiCSiCSiC、BeOBeOBeOBeO） 陶瓷金属封装材料（陶瓷金属封装材料（陶瓷金属封装材料（陶瓷金属封装材料（SiC/Al)SiC/Al)SiC/Al)SiC/Al) 其他（其他（其他（其他（CVD DiamondCVD DiamondCVD DiamondCVD Diamond、Diamond/CuDiamond/CuDiamond/CuDiamond/Cu、Diamond/AgDiamond/AgDiamond/AgDiamond/Ag）电子封装材料分类电子封装材料分类Ref.Mat.&CeramicsBranch AT&M 塑料封装由于具有成本低和
5、便于自塑料封装由于具有成本低和便于自动化生产的优点，国际上动化生产的优点，国际上9090的集成电的集成电路都采用塑料封装，并且随着塑封材料、路都采用塑料封装，并且随着塑封材料、封装结构和工艺的不断改善，比例还在封装结构和工艺的不断改善，比例还在不断扩大。不断扩大。Ref.Mat.&CeramicsBranch AT&M在在功功率率半半导导体体器器件件、高高集集成成度度微微电电子子器器件件、微微波波电电子子器器件件、光光电电器器件件中中，随随着着工工作作频频率率和和功功率率密密度度的的不不断断提提高高，对对器器件件的散热问题提出了严重的挑战。的散热问题提出了严重的挑战。Intelhas“hita
6、thermalwall”纽约时报纽约时报5/17/2004Ref.Mat.&CeramicsBranch AT&MThermalManagement电路设计电路设计封装材料选择（封装材料选择（Heatsink)生产工艺选择生产工艺选择封装结构设计封装结构设计Ref.Mat.&CeramicsBranch AT&MRef.Mat.&CeramicsBranch AT&MRef.Mat.&CeramicsBranch AT&MRef.Mat.&CeramicsBranch AT&M热沉材料（热沉材料（热沉材料（热沉材料（HeatsinkMaterialsHeatsinkMaterials）1、具有
7、高的导热系数、具有高的导热系数芯芯片片的的高高集集成成度度要要求求电电子子封封装装日日益益小小型型化化，这这就就必必然然带带来来一一个个问问题题：芯芯片片发发热热量量提提高高，电电路路工工作作温温度度不不断断上上升升。在在半半导导体体器器件件中中，温温度度每每升升高高18，失失效效的的可可能能性性就就增增加加23倍倍。因因此此热热沉沉材材料料必必须须具具有有高高的的导导热热性性能能，辅辅助助散散发发电电路中产生的热量。路中产生的热量。Ref.Mat.&CeramicsBranch AT&M 2 2、匹配的热膨胀系数、匹配的热膨胀系数 匹匹配配即即与与电电子子器器件件用用陶陶瓷瓷或或其其他他介介
8、质质的的膨膨胀胀系系数数的的差差值值小小于于1010，这这样样可可以以降降低低热热阻阻，提提高高工工件件的的稳稳定定性性、可靠性，延长使用寿命。可靠性，延长使用寿命。Ref.Mat.&CeramicsBranch AT&MRef.Mat.&CeramicsBranch AT&M3 3 3 3、气密性、气密性、气密性、气密性 为保证电子元件工作的稳定性，高精密为保证电子元件工作的稳定性，高精密为保证电子元件工作的稳定性，高精密为保证电子元件工作的稳定性，高精密度的电子元件空腔要求为高真空，封装材料度的电子元件空腔要求为高真空，封装材料度的电子元件空腔要求为高真空，封装材料度的电子元件空腔要求为高
9、真空，封装材料任何微量的漏气都可能导致电子元件的失任何微量的漏气都可能导致电子元件的失任何微量的漏气都可能导致电子元件的失任何微量的漏气都可能导致电子元件的失效。因此要求电子封装材料具有很高的气密效。因此要求电子封装材料具有很高的气密效。因此要求电子封装材料具有很高的气密效。因此要求电子封装材料具有很高的气密性。在热沉材料中，高的相对密度意味着高性。在热沉材料中，高的相对密度意味着高性。在热沉材料中，高的相对密度意味着高性。在热沉材料中，高的相对密度意味着高的气密性。的气密性。的气密性。的气密性。 4 4 4 4、一定的机械强度、一定的机械强度、一定的机械强度、一定的机械强度 保护整体封装结构
10、，防止外部机械性的破坏。保护整体封装结构，防止外部机械性的破坏。保护整体封装结构，防止外部机械性的破坏。保护整体封装结构，防止外部机械性的破坏。Ref.Mat.&CeramicsBranch AT&M材材料料成成分分密密度度（g/cm3）热膨胀系数热膨胀系数（10-6/K）热导率热导率（W/mK）AlSiCAl+(50%-70%)SiC3.006.5-9.0170-200CuWW+(10%-20%)Cu15.6-17.06.5-8.3180-200CuMoMo+(15%-20%)Cu10.007.0-8.0160-170AlSi60%Al+40%Si2.5315.4126KovarFe+Ni8
11、.105.917Cu8.9617.8398Al2.7023.6238Si2.304.2151GaAs5.236.554Al2O33.606.717BeO2.907.6250AlN98%purity3.304.5160-200Ref.Mat.&CeramicsBranch AT&M二、热沉材料的制备工艺二、热沉材料的制备工艺传统传统AlAl2 2O O3 3陶瓷基片生产工艺陶瓷基片生产工艺Ref.Mat.&CeramicsBranch AT&M原料粉末混合原料粉末混合压坯成型压坯成型烧结烧结圆盘研磨圆盘研磨CNC加工加工行星研磨行星研磨电镀电镀Ni、Au高热导高热导WCuWCu、MoCuMoCu
12、、AlNAlN生产工艺生产工艺Ref.Mat.&CeramicsBranch AT&M AlNAlNAlNAlN陶陶陶陶瓷瓷瓷瓷的的的的烧烧烧烧结结结结非非非非常常常常困困困困难难难难，采采采采用用用用热热热热压压压压、热热热热等等等等静静静静压压压压、SPSSPSSPSSPS烧烧烧烧结结结结等等等等方方方方法法法法能能能能够够够够制制制制备备备备出出出出高高高高密密密密度度度度高高高高质质质质量量量量的的的的AlNAlNAlNAlN制制制制品品品品，但但但但这这这这些些些些工工工工艺艺艺艺成成成成本本本本高高高高、效效效效率率率率低低低低，无无无无法法法法满满满满足足足足电电电电子子子子行行
13、行行业业业业日日日日益益益益增增增增长长长长的的的的需需需需求求求求量量量量。目目目目前前前前常常常常用用用用的的的的方方方方法法法法是是是是添添添添加加加加Y Y Y Y2 2 2 2O O O O3 3 3 3、CaOCaOCaOCaO等等等等烧烧烧烧结助剂的常压烧结。结助剂的常压烧结。结助剂的常压烧结。结助剂的常压烧结。 添添添添加加加加剂剂剂剂在在在在高高高高温温温温下下下下和和和和AlNAlNAlNAlN颗颗颗颗粒粒粒粒表表表表面面面面的的的的氧氧氧氧化化化化铝铝铝铝反反反反应应应应生生生生成成成成低低低低熔熔熔熔物物物物，产产产产生生生生液液液液相相相相，促促促促进进进进了了了了A
14、lNAlNAlNAlN陶陶陶陶瓷瓷瓷瓷的的的的致致致致密密密密化化化化。液液液液态态态态晶晶晶晶界界界界相相相相的的的的存存存存在在在在也也也也减减减减少少少少了了了了AlNAlNAlNAlN晶晶晶晶格格格格中中中中的的的的氧氧氧氧缺缺缺缺陷陷陷陷，提提提提高高高高了了了了AlNAlNAlNAlN陶陶陶陶瓷瓷瓷瓷的的的的热热热热导导导导率率率率。采采采采用用用用这这这这种种种种方方方方法法法法可可可可制制制制备备备备出出出出热热热热导导导导率率率率为为为为170170170170220w/m220w/m220w/m220w/m k k k k的的的的AlNAlNAlNAlN基片。基片。基片。基
15、片。Ref.Mat.&CeramicsBranch AT&M W-Cu W-Cu、Mo-CuMo-Cu合金热沉材料的制备合金热沉材料的制备W W粉与粉与CuCu粉直接混合烧结。粉直接混合烧结。 由由于于W W、MoMo与与CuCu几几乎乎没没有有任任何何的的溶溶解解度度，直直接接混混粉粉烧烧结结很很难难获获得得高高致致密密度度WcuWcu、MoCuMoCu复复合合材材料料。NiNi、FeFe烧烧结结组组剂剂的的添添加加将将极极大大降降低低WCuWCu、MoCuMoCu的的导导热热性性。比比较较成成功功的的工工艺艺是是机机械械合合金金化化与与W/CuW/Cu包包覆覆粉粉末末制备工艺。制备工艺。R
16、ef.Mat.&CeramicsBranch AT&M一定配比原料粉末一定配比原料粉末一定配比原料粉末一定配比原料粉末卧式高能球磨卧式高能球磨卧式高能球磨卧式高能球磨ArAr气保护气保护气保护气保护超细超细超细超细WCuWCu合金粉末合金粉末合金粉末合金粉末烧结烧结烧结烧结优点：工艺流程相对简单。优点：工艺流程相对简单。缺点：高能球磨带入杂质缺点：高能球磨带入杂质对导热率影响。对导热率影响。Ref.Mat.&CeramicsBranch AT&MW W包包CuCu合金粉末直接烧结合金粉末直接烧结WO3CuO 混合高能球磨还原WO3+CuOWO3+Cu （300C）WO3+CuWO2.9+Cu
17、（380 C）WO2.9+CuWO2.9+WO2.72Cu （500C）WO2.9+WO2.72CuWO2+Cu （600C）WO2+CuWO2+WCu （650C）WO2+WCuW+Cu （over 700C）Ref.Mat.&CeramicsBranch AT&M90WCu90WCu90WCu90WCu混粉直接烧结金相照片混粉直接烧结金相照片混粉直接烧结金相照片混粉直接烧结金相照片烧结密度低，孔隙大，导热率低烧结密度低，孔隙大，导热率低烧结密度低，孔隙大，导热率低烧结密度低，孔隙大，导热率低Ref.Mat.&CeramicsBranch AT&M复合包覆粉末烧结复合包覆粉末烧结复合包覆粉末
18、烧结复合包覆粉末烧结WCuWCuWCuWCu金相照片金相照片金相照片金相照片Ref.Mat.&CeramicsBranch AT&M其其它它常常用用的的制制备备方方法法为为熔熔渗渗法法，即即将将W W粉粉、MoMo粉粉压压制制成成型型后后，在在一一定定温温度度下下烧烧结结得得到到所所需需的的骨骨架架孔孔隙隙度度，再再将将CuCu渗渗入入孔孔隙隙中。中。其其优优点点是是用用这这种种方方法法制制备备的的材材料料，热热导导率高，气密性好。率高，气密性好。缺缺点点：工工艺艺过过程程较较复复杂杂，无无法法使使用用MIMMIM工工艺制备复杂形状产品。艺制备复杂形状产品。 Ref.Mat.&Ceramics
19、Branch AT&MWW粉末成型粉末成型粉末成型粉末成型预制件烧结预制件烧结预制件烧结预制件烧结CuCu熔融浸渗熔融浸渗熔融浸渗熔融浸渗机械加工机械加工机械加工机械加工电镀电镀电镀电镀国内目前主要采用的工艺，国内目前主要采用的工艺，由于各工序对最终由于各工序对最终CuCu含量均含量均有影响，对精确控制有影响，对精确控制W/CuW/Cu合合金的成分，即精确控制热导金的成分，即精确控制热导率上有一定困难。率上有一定困难。Ref.Mat.&CeramicsBranch AT&MRef.Mat.&CeramicsBranch AT&MSiC/AlSiC/Al材料的制备材料的制备目目前前采采用用的的方
20、方法法是是先先成成型型SiCSiC颗颗粒粒预预制制件件，再再将将AlAl液液熔熔化化后后渗渗入入合合成成。由由于于SiCSiC和和AlAl的的润润湿湿性性差差，AlAl无无法法自自发发渗渗入入，多多采采用用压压力力熔熔渗渗、基基体体金金属属合合金金化化、陶陶瓷瓷颗颗粒粒表面涂层等方法改善其润湿性。表面涂层等方法改善其润湿性。Ref.Mat.&CeramicsBranch AT&M不同不同不同不同AlAlAlAl含量含量含量含量SiC/AlSiC/AlSiC/AlSiC/Al的的的的CETCETCETCET值值值值Ref.Mat.&CeramicsBranch AT&M原料粉末原料粉末原料粉末原
21、料粉末成型成型成型成型粉坯活性处理粉坯活性处理粉坯活性处理粉坯活性处理高温热处理高温热处理高温热处理高温热处理渗铝处理渗铝处理渗铝处理渗铝处理多孔粉坯多孔粉坯多孔粉坯多孔粉坯半成品半成品半成品半成品多孔多孔多孔多孔SiCSiC骨架骨架骨架骨架SiC/AlSiC/Al复合材料复合材料复合材料复合材料压力浸渗压力浸渗压力浸渗压力浸渗自浸渗自浸渗自浸渗自浸渗Ref.Mat.&CeramicsBranch AT&M浸渗浸渗浸渗浸渗SiC/AlSiC/AlSiC/AlSiC/Al复合材料金相照片复合材料金相照片复合材料金相照片复合材料金相照片Ref.Mat.&CeramicsBranch AT&MPRO
22、PERTIES DATA Series7001200Densityg/cc3.022.77Thermal Conductivity W/m K210170Thermal Expansion PPM /C6.0 - 8.016.0 18.0Electrical Conductivity%IACS725 27Youngs ModulusGpa224100Thermal CapacityJ/cc C2.222.05国外国外国外国外SiC/AlSiC/Al热沉产品性能热沉产品性能热沉产品性能热沉产品性能Ref.Mat.&CeramicsBranch AT&MRef.Mat.&CeramicsBranc
23、h AT&MRef.Mat.&CeramicsBranch AT&MRef.Mat.&CeramicsBranch AT&M热膨胀系热膨胀系数数6.56.59.5109.510-6-6/K/K之间任意可调之间任意可调导热率导热率170170200 W/mK200 W/mK电阻率电阻率30305050cmcm抗弯强度抗弯强度350350500 MPa500 MPa弹性模量弹性模量200200230 GPa230 GPa密度密度2.952.953.00 g/cm3.00 g/cm3 3尺寸范围尺寸范围330.5 mm330.5 mm3 31006010 mm1006010 mm3 3尺寸精度尺寸精
24、度0.05mm0.05mm表面粗糙表面粗糙度度1.61.63.2m3.2m镀层厚度镀层厚度3 310m10m镀层质量镀层质量400400空气烤空气烤15min15min，镀层无起泡、起，镀层无起泡、起 皮或变色现象皮或变色现象国内报道国内报道国内报道国内报道SiC/AlSiC/Al材料性能材料性能材料性能材料性能Ref.Mat.&CeramicsBranch AT&M超高热导热沉材料CVD金刚石薄膜Ref.Mat.&CeramicsBranch AT&M金刚石熔点高达金刚石熔点高达金刚石熔点高达金刚石熔点高达3000300030003000 C C C C以上，抗氧化能力强，以上，抗氧化能力强
25、，以上，抗氧化能力强，以上，抗氧化能力强，天然天然天然天然IIaIIaIIaIIa型金刚石晶体室温下热导率为型金刚石晶体室温下热导率为型金刚石晶体室温下热导率为型金刚石晶体室温下热导率为2000W/mk2000W/mk2000W/mk2000W/mk，是已知物质中最高的，为，是已知物质中最高的，为，是已知物质中最高的，为，是已知物质中最高的，为CuCuCuCu的的的的5 5 5 5倍。倍。倍。倍。化学气相沉积（化学气相沉积（化学气相沉积（化学气相沉积（CVD)CVD)CVD)CVD)金刚石为多晶结构，膜内金刚石为多晶结构，膜内金刚石为多晶结构，膜内金刚石为多晶结构，膜内存在大量杂质与缺陷，其导
26、热性能一般达不到存在大量杂质与缺陷，其导热性能一般达不到存在大量杂质与缺陷，其导热性能一般达不到存在大量杂质与缺陷，其导热性能一般达不到天然金刚石的水平。天然金刚石的水平。天然金刚石的水平。天然金刚石的水平。金刚石热沉是解决迅猛发展的芯片散热问题的金刚石热沉是解决迅猛发展的芯片散热问题的金刚石热沉是解决迅猛发展的芯片散热问题的金刚石热沉是解决迅猛发展的芯片散热问题的理想材料。理想材料。理想材料。理想材料。Ref.Mat.&CeramicsBranch AT&M热丝热丝CVDCVD制备金刚石薄膜的基本原理是将制备金刚石薄膜的基本原理是将含碳气源（如甲烷）和氢气在灯丝产生含碳气源（如甲烷）和氢气在
27、灯丝产生的高温（的高温（20002000C C以上）作用下分解离化以上）作用下分解离化后产生含碳基团和原子氢等，他们的相后产生含碳基团和原子氢等，他们的相互作用促使构成金刚石的互作用促使构成金刚石的SP3SP3杂化碳碳杂化碳碳键的形成，从而在基体（温度键的形成，从而在基体（温度600-600-10001000C C）表面沉积金刚石薄膜。）表面沉积金刚石薄膜。Ref.Mat.&CeramicsBranch AT&MRef.Mat.&CeramicsBranch AT&M颗粒增强型金刚石颗粒增强型金刚石颗粒增强型金刚石颗粒增强型金刚石/ / / /金属基复合热沉材料金属基复合热沉材料金属基复合热沉
28、材料金属基复合热沉材料Ref.Mat.&CeramicsBranch AT&M金刚石颗粒金刚石颗粒金刚石颗粒金刚石颗粒/SiC/SiC热沉材料热沉材料热沉材料热沉材料Ref.Mat.&CeramicsBranch AT&M金刚石颗粒增强金刚石颗粒增强金刚石颗粒增强金刚石颗粒增强CuCu基热沉材料基热沉材料基热沉材料基热沉材料Ref.Mat.&CeramicsBranch AT&M金刚石颗粒增强金刚石颗粒增强金刚石颗粒增强金刚石颗粒增强AlAl基热沉材料基热沉材料基热沉材料基热沉材料Ref.Mat.&CeramicsBranch AT&MRef.Mat.&CeramicsBranch AT&M总
29、结总结总结总结高热导封装材料对于高频率、高功率密度的高热导封装材料对于高频率、高功率密度的高热导封装材料对于高频率、高功率密度的高热导封装材料对于高频率、高功率密度的ICICICIC器件的性能、可靠性有至关重要的作用。器件的性能、可靠性有至关重要的作用。器件的性能、可靠性有至关重要的作用。器件的性能、可靠性有至关重要的作用。通过材料的改进，可以省去高功率密度集成电通过材料的改进，可以省去高功率密度集成电通过材料的改进，可以省去高功率密度集成电通过材料的改进，可以省去高功率密度集成电路需要的散热管（针）、风扇、冷却液等装置。路需要的散热管（针）、风扇、冷却液等装置。路需要的散热管（针）、风扇、冷
30、却液等装置。路需要的散热管（针）、风扇、冷却液等装置。高热导封装材料向着更高的热导率、更轻的重高热导封装材料向着更高的热导率、更轻的重高热导封装材料向着更高的热导率、更轻的重高热导封装材料向着更高的热导率、更轻的重量、更低的成本方向发展，在无线通讯、高集量、更低的成本方向发展，在无线通讯、高集量、更低的成本方向发展，在无线通讯、高集量、更低的成本方向发展，在无线通讯、高集成度微电子产品、便携式电子产品、相控阵列成度微电子产品、便携式电子产品、相控阵列成度微电子产品、便携式电子产品、相控阵列成度微电子产品、便携式电子产品、相控阵列雷达等军事电子器件、航天航天等领域有非常雷达等军事电子器件、航天航
31、天等领域有非常雷达等军事电子器件、航天航天等领域有非常雷达等军事电子器件、航天航天等领域有非常广阔的应用前景。广阔的应用前景。广阔的应用前景。广阔的应用前景。Ref.Mat.&CeramicsBranch AT&M 国外第二代国外第二代国外第二代国外第二代WCuWCuWCuWCu、MoCuMoCuMoCuMoCu、Cu/Mo/CuCu/Mo/CuCu/Mo/CuCu/Mo/Cu、AlNAlNAlNAlN、SiC/AlSiC/AlSiC/AlSiC/Al等新等新等新等新型高导热封装材料已可以规模化生产，通过生产工艺型高导热封装材料已可以规模化生产，通过生产工艺型高导热封装材料已可以规模化生产，通
32、过生产工艺型高导热封装材料已可以规模化生产，通过生产工艺的不断改进，产品质量的稳定性不断提高、产品价格的不断改进，产品质量的稳定性不断提高、产品价格的不断改进，产品质量的稳定性不断提高、产品价格的不断改进，产品质量的稳定性不断提高、产品价格不断降低，已达到工业化使用水平。热导率大于不断降低，已达到工业化使用水平。热导率大于不断降低，已达到工业化使用水平。热导率大于不断降低，已达到工业化使用水平。热导率大于500W/mK500W/mK500W/mK500W/mK的第三代颗粒增强型金刚石热沉材料已有产品的第三代颗粒增强型金刚石热沉材料已有产品的第三代颗粒增强型金刚石热沉材料已有产品的第三代颗粒增强
33、型金刚石热沉材料已有产品生产，热导率大于生产，热导率大于生产，热导率大于生产，热导率大于1000W/mK1000W/mK1000W/mK1000W/mK的的的的CVDCVDCVDCVD金刚石薄膜热沉材料金刚石薄膜热沉材料金刚石薄膜热沉材料金刚石薄膜热沉材料的研究正在进行中，已能在试验室合成。的研究正在进行中，已能在试验室合成。的研究正在进行中，已能在试验室合成。的研究正在进行中，已能在试验室合成。 国内目前还没有可以批量化生产第二代高热导封装材国内目前还没有可以批量化生产第二代高热导封装材国内目前还没有可以批量化生产第二代高热导封装材国内目前还没有可以批量化生产第二代高热导封装材料的单位。中南
34、大学、西北工业大学、安泰科技股份料的单位。中南大学、西北工业大学、安泰科技股份料的单位。中南大学、西北工业大学、安泰科技股份料的单位。中南大学、西北工业大学、安泰科技股份有限公司、北京有色金属研究总院分别在不同的封装有限公司、北京有色金属研究总院分别在不同的封装有限公司、北京有色金属研究总院分别在不同的封装有限公司、北京有色金属研究总院分别在不同的封装材料领域进行研究。材料领域进行研究。材料领域进行研究。材料领域进行研究。Ref.Mat.&CeramicsBranch AT&M高热导封装材料的使用要求很高，对产高热导封装材料的使用要求很高，对产品质量的稳定性、机械加工精度、电镀品质量的稳定性、
35、机械加工精度、电镀水平有一系列非常严格要求，是国内该水平有一系列非常严格要求，是国内该类材料研究的主要难点。类材料研究的主要难点。国内目前对高热导封装材料的实际应用国内目前对高热导封装材料的实际应用需求较少，限制了对材料研究的投入。需求较少，限制了对材料研究的投入。Ref.Mat.&CeramicsBranch AT&M高导热封装材料的研究是高导热封装材料的研究是ICIC发展过程中发展过程中无法回避的问题。在中国正逐步成为世无法回避的问题。在中国正逐步成为世界界ICIC器件生产、制造中心的大环境下，器件生产、制造中心的大环境下，需要政府、企业、研究院所共同对研发需要政府、企业、研究院所共同对研发进行投入，克服困难，早日实现国内高进行投入，克服困难，早日实现国内高导热封装材料的规模化生产。导热封装材料的规模化生产。Ref.Mat.&CeramicsBranch AT&M谢谢 谢谢Thank you for your Thank you for your attentionattention
