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1、光电检测器件的类型光电检测器件的类型光电检测器件是利用物质的光电效应把光信号转换成电信号的器件.光电检测器件分为两大类:光子(光电子)检测器件热电检测器件探测器件探测器件热电探测元件热电探测元件光子探测元件光子探测元件外光电效应外光电效应内光电效应内光电效应非放大型非放大型放放 大大 型型光电导探测器光电导探测器光磁电探测器光磁电探测器光生伏特探测器光生伏特探测器本征型本征型掺杂型掺杂型非放大非放大放大型放大型真空光电管真空光电管充气光电管充气光电管光电倍增管光电倍增管变像管变像管摄像管摄像管像增强器像增强器光敏电阻光敏电阻红外探测器红外探测器光电池光电池光电二极管光电二极管光电三极管光电三极
2、管光电场效应管光电场效应管雪崩型光电二极管雪崩型光电二极管光电器件分类及特点光子探测器光子探测器探测器探测器响应波长有选择性，一般有截止波长，超过该波长，器件无响应。无波长选择性，对可见光到远红外的各种波长的辐射同样敏感响应快，吸收辐射产生信号需要的时间短， 一般为纳秒到几百微秒响应慢，一般为几毫秒4.1 4.1 光电器件的性能参数光电器件的性能参数响应特性噪声特性量子效率一、响应特性一、响应特性响应度（或称灵敏度）：是光电探测器输出电信号与输入光信号之间关系的度量。描述的是光电探测器件的光电转换效率。响应度是随入射光波长变化而变化的响应度分电压响应率和电流响应率响应时间：响应时间是描述光电探
3、测器对入射光响应快慢的一个参数（如图）。 脉冲响应特性上升时间tr：入射光照射到光电探测器后，光电探测器输出上升到稳定值所需要的时间。10%90%下降时间tf ：入射光遮断后，光电探测器输出下降到稳定值所需要的时间。 90%10%、信噪比信噪比是判定噪声大小的参数。是负载电阻上信号功率与噪声功率之比若用分贝（dB）表示，为、噪声等效功率(NEP)定义：光电器件输出的信号电压有效值等与噪声方均根电压值时的入射光功率这时，投射到探测器上的辐射功率所产生的输出电压（或电流）等于探测器本身的噪声电压（或电流）一般一个良好的探测器件的NEP约为10-11W。NEP越小，噪声越小，器件的性能越好。第二节
4、光电发射器件光电发射效应：物体吸收了光能后转换为该物体中某些电子的能量，从而产生的电效应。光电传感器的工作原理基于光电效应。分为外光电效应和内光电效应。一、光电效应及元件 用光照射某一物体，可以看作物体受到一连串具有能量（每个光子能量的大小等于普朗克常数h乘以光的频率，即E=h）的光子的轰击，组成这物体的材料吸收光子能量而发生相应电效应的物理现象称为光电效应。分类：外光电效应光导效应光生伏特效应（一）外光电效应外光电效应：在光线的作用下能使电子逸出物体表面的现象称为外光电效应。元件：紫外光电管、光电倍增管、光电摄像管等。E=h=m2/2 +A1光电子能否产生，取决于光子的能量是否大于该物体的表
5、面逸出功。每种物体都有相对应的光频阈值，称为红限频率，用0表示。 0=A/h 若入射光的频率小于红限频率，光子的能量不足以使物体内的电子逸出，因此小于红限频率的入射光，光再强也不会产生光电效应。反之，若入射光的频率高于红限频率，即使光强微弱，也会使照射的物体有光电子发射出来。E=h=m2/2 +A2当入射光的频谱成分不变时，产生的光电流与光强度成正比。光愈强，意味着入射的光子数目越多，逸出的光电子数也就越多。3光电子逸出物体表面时的初动能决定于入射光的频率。对于一定的物质，电子逸出功A是一定的，所以光子的能量h越大，则电子的初动能越大。光电倍增管及其基本特性由光阴极、次阴极(倍增电极)以及阳极
6、三部分组成。光阴极是由半导体光电材料锑铯做成；次阴极是在镍或铜-铍的衬底上涂上锑铯材料而形成的，次阴极多的可达30级；阳极是最后用来收集电子l;k入射光光电阴极第一倍增极阳极第三倍增极的，收集到的电子数是阴极发射电子数的105106倍。即光电倍增管的放大倍数可达几万倍到几百万倍。光电倍增管的灵敏度就比普通光电管高几万倍到几百万倍。因此在很微弱的光照时，它就能产生很大的光电流。光电倍增管光电倍增管(PMT)光光电电倍倍增增管管是是利利用用外外光光电电效效应应制制成成的的一一种种光光电电探探测测器器件件。其其光光电电转转换换分分为为光光电电发发射射和和电子倍增电子倍增两个过程。两个过程。 把微弱的
7、光输入转化为光电子，把微弱的光输入转化为光电子，并使光电子并使光电子获得倍增获得倍增的一种光电探测的一种光电探测器件。器件。光电倍增管使用注意要点光电倍增管使用注意要点不宜用强光，容易引起疲劳不宜用强光，容易引起疲劳额定电压和电流内工作额定电压和电流内工作入射光斑尺寸和管子的有效阴极面尺寸向对应入射光斑尺寸和管子的有效阴极面尺寸向对应电场屏蔽和磁屏蔽电场屏蔽和磁屏蔽测交变光时，负载电阻不宜过大测交变光时，负载电阻不宜过大光电导效应定义：光照变化引起半导体材料电导变化的现象。内光电效应内光电效应产生的自由电子停留在物体内内光电效应产生的自由电子停留在物体内部，不发生电子逸出。部，不发生电子逸出。
8、器件：器件：光敏电阻光敏电阻、由光敏电阻制作的、由光敏电阻制作的光导管光导管。分类：本征光电导效应与杂质光电导效应光敏电阻利用半导体光电导效应制成的器件称为光电导器件，也称光敏电阻。光敏电阻材料：主要是硅、锗和化合物半导体，例如：硫化镉（CdS），锑化铟（InSb）等。工作机理：工作机理：当入射光子使半导体中的电子由价带当入射光子使半导体中的电子由价带跃迁到导带时，导带中的电子和价带跃迁到导带时，导带中的电子和价带中的空穴均参与导电，其阻值急剧减中的空穴均参与导电，其阻值急剧减小，电导增加。小，电导增加。光敏电阻分类价带导带电子空穴Eg价带导带电子空穴施主本征型用于可见光长波段,杂质型用于红外
9、波段。本征型：当入射光子的能量等于或大于半导体材料的禁带宽度Eg时，激发一个电子空穴对，在外电场的作用下，形成光电流。杂质型：对于型半导体，当入射光子的能量等于或大于杂质电离能时，将施主能级上的电子激发到导带而成为导电电子，在外电场的作用下，形成光电流。7、暗电阻和暗电流：、暗电阻和暗电流：光敏电阻在黑暗时的阻值称为暗电阻，光敏电阻在黑暗时的阻值称为暗电阻，一般情况下，暗电阻都大于一般情况下，暗电阻都大于10兆，受光兆，受光照时的阻值称为亮阻。暗阻与亮阻的比照时的阻值称为亮阻。暗阻与亮阻的比值也可作为衡量灵敏度的高低，比值越值也可作为衡量灵敏度的高低，比值越大，灵敏度越高。大，灵敏度越高。8、
10、前历效应：、前历效应：光敏电阻的应用基本功能：根据自然光的情况决定是否开灯。基本结构：整流滤波电路；光敏电阻及继电器控制；触电开关执行电路基本原理：光暗时，光敏电阻阻值很高，继电器关，灯亮；光亮时，光敏电阻阻值降低，继电器工作，灯关。照明灯自动控制电路K220V灯常闭CdS三种主要的热电效应温差电效应：温差产生电动势温差电效应：温差产生电动势热电偶和热电堆热电偶和热电堆电阻温度效应：辐射引起电阻率变化电阻温度效应：辐射引起电阻率变化测辐射热计测辐射热计(Bolometer)(Bolometer)热释电效应热释电效应 ：辐射变化引起表面电荷变化：辐射变化引起表面电荷变化热释电探测器热释电探测器原
11、理：原理：基于光辐射与物质相互作用的热电效应制基于光辐射与物质相互作用的热电效应制作的器件。作的器件。入射辐射入射辐射- -器件温升器件温升- -材料参量变化。材料参量变化。优点：优点：大部分大部分不需制冷不需制冷、在很宽的光谱波段有平、在很宽的光谱波段有平坦的响应两大持点。坦的响应两大持点。缺点：缺点：探测率较低和时间常数较大。要同时获得探测率较低和时间常数较大。要同时获得灵敏度高、响应快的性能是困难的。新型热电探灵敏度高、响应快的性能是困难的。新型热电探测器测器热释电探测器热释电探测器的出现及其近年来的发展，的出现及其近年来的发展，逐步解决了这一矛盾。逐步解决了这一矛盾。二、热电探测器的特
12、点二、热电探测器的特点起源：起源：18261826年年 红外探测器件。红外探测器件。应用：高、低温的温度探测领域。应用：高、低温的温度探测领域。 基基本本原原理理：基基于于温温差差电电第第一一效效应应塞塞贝贝克克效效应应。两两种种不不同同材材料料或或材材料料相相同同而而逸逸出出功功不不同同的的物物体体，当当它它们们构构成成回回路路时时，如如果果两两个个接接触触点点的的温温度度不不同同，回回路路中中就就会会产产生生温温差差电电动动势势。只只要要两两触触点点间间的的温温差不变，温差电动势将得到保持。差不变，温差电动势将得到保持。许多个热电偶串联起来即成为热电堆。许多个热电偶串联起来即成为热电堆。4
13、.6.2 温差电偶温差电偶 三、热电偶的基本参数三、热电偶的基本参数1. 温差电势率温差电势率M当当冷冷端端开开路路时时，开开路路电电压压UOC与与入入射射辐辐射射产产生生的的温温升升T的关系为的关系为通常半导体材料构成的热电偶比金属材料的温差电通常半导体材料构成的热电偶比金属材料的温差电通常半导体材料构成的热电偶比金属材料的温差电通常半导体材料构成的热电偶比金属材料的温差电势率高（铋和锑温差电势率为势率高（铋和锑温差电势率为势率高（铋和锑温差电势率为势率高（铋和锑温差电势率为100100V/CV/C，而半导体，而半导体，而半导体，而半导体热电偶可达热电偶可达热电偶可达热电偶可达500V/C
14、500V/C ）式中，式中，式中，式中，MM为为为为塞贝克常量塞贝克常量塞贝克常量塞贝克常量，也称，也称，也称，也称温差电势率温差电势率温差电势率温差电势率，单位为，单位为，单位为，单位为V/V/u原原理理：吸吸收收辐辐射射，产产生生温温升升，从从而而引引起起材材料料电电阻的变化。阻的变化。u主要材料类型：金属、半导体和超导体。主要材料类型：金属、半导体和超导体。u共共同同点点：都都敏敏感感于于辐辐射射，光光谱谱响响应应基基本本上上与与入入射辐射的波长无关射辐射的波长无关。吸收辐射吸收辐射温升温升-电阻变化电阻变化热敏电阻热敏电阻在电子电路中的符号在电子电路中的符号 光电成像器件光电成像器件（
15、Photoelectronic Imaging Devices） 定义：一类能够输出图像信息（图像或视频信号）的功能器件，也称为光电图像传感器 。分类：直视型、摄像型。直视型光电成像器件直视型光电成像器件 具有图像的转换、增强、显示等功能部件和高真空管壳，通常简称为像管。 摄像型光电成像器件摄像型光电成像器件 将二维空间的光强分布（光学图像）转换为一维时序电信号，不直接输出图像（只有对时序电信号进行再处理后才可获得目标图像）。 光电成像器件的分类 变像管 直视型： 像管 像增强器 光电发射型光电成像器件 电真空摄像管 光电导式 热释电摄像guan 摄像型： 电荷耦合器件 固体摄像器件 CMOS
16、图像传感器 红外焦平面阵列器件 像管 变像管像增强管一、典型结构与工作原理物镜目镜阴极阳极荧光屏目标物所发出某波长范围的辐射通过物镜在半透明光电阴极上形成目标的像，引起光电发射。阴极面每一点发射的电子束密度正比于该点的辐照度。这样，光阴极将光学图像转变成电子束密度图像。通过阳极的电子透镜作用，使阴极发出的光电子聚焦成像在荧光屏上。荧光屏在一定速度的电子轰击下发出可见的荧光，最终，在荧光屏上便可得到目标物的可见图像。变像管：光阴极面上的材料红外或紫外光线敏感；像增强管光阴极面上的材料微弱可见光敏感。像管成像物理过程1.辐射图像的光电转换:利用外光电效应.光敏面采用光电发射型材料.发射的电子流分布
17、正比于人射的辐射通量分布.由此完成辐射图像转换为电子图像的过程.2.电子图像增强:电场加速 或微通道板中二次电子发射.3电子图像的发光显示高能电子轰击荧光屏,发出可见光.摄像管电视摄像过程是将两维空间分布的光学图电视摄像过程是将两维空间分布的光学图像转换为一维时间变化的视频电信号。像转换为一维时间变化的视频电信号。步骤：步骤：摄像管的光敏元件接受输入图像的辐照进行光电转换，将两维空间分布的光强转变为两维空间分布的电量；摄像管的电荷存贮元件在一帧的周期内连续积累由光敏元件产生的电量，并保持电荷量在空间的分布。这一存贮电荷的元件称之为靶；摄像管的电子枪产生空间两维扫描的电子束，在一帧的周期内完成全
18、靶面的扫描。逐点扫描的电子束到达靶面的电荷量与靶面贮存的电荷量相关，因此扫描电子束的电流被靶面电荷量所制，从而在输出电路上即可得到视频信号。 一般摄像管一般摄像管应具有的结应具有的结构构它主要由两它主要由两大部分组成大部分组成光电变换与光电变换与存贮部分存贮部分信号阅读部信号阅读部分。分。 1光电变换与存贮部分光电变换与存贮部分 (1) 光电变换部分构成：光敏元件。根据材料分类： 光电发射体 光电导体视像管。 (2)电荷存贮与积累部分帧周期内要求信号不能漏走存贮元件具有足够的绝缘能力。2信号阅读部分信号阅读部分 阅读部分扫描电子枪系统莫尔条纹测长仪两块光栅：一块为指示光栅与工作台固定一块为长光栅工作台前后移动的距离由两块光栅形成的莫尔条纹进行计数得到指示光栅相对移动一个节距，莫尔条纹变化一周指示光栅移动的距离为： ：指示光栅移动距离中包含的光栅线对数，：小于个光栅节距的小数简单光栅读数头：灯，：聚光镜，：指示光栅，：长光栅，：光电探测器莫尔条纹测长仪光电探测器接收到的明暗变化的光信号转换成电信号；通过对莫尔条纹的直接测量，可以测的光栅的位移量；在较宽的莫尔条纹间隔内安放细分装置进行细分，可读取位移的分数，提高测量的灵敏度和精度光栅输出信号波形
