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1、用电场屏蔽方法封装量子用电场屏蔽方法封装量子02020202级物理一班级物理一班级物理一班级物理一班 黄黄黄黄 亮亮亮亮 PB02203151PB02203151PB02203151PB02203151 单元逻辑器件单元逻辑器件指导老师：叶邦角指导老师：叶邦角v一、一、QCA简介简介v二、二、QCA做逻辑器件的优点做逻辑器件的优点v三、用三、用QCA做逻辑器件的现状做逻辑器件的现状v四、四、QCA做出实用的逻辑器件所面临的五大挑战做出实用的逻辑器件所面临的五大挑战v五、解决信号干扰问题的模型五、解决信号干扰问题的模型v六、结论六、结论v参考文献参考文献v致谢致谢 目录返回首页一、一、QCA简介
2、简介返回目录量子单元自动操作(quantumcellularautomata)，简称QCA。在这种结构中，每个单元保持两个电子构成一个电容器，它们有两种极化状态，分别表示“0”和“1”（如右图）。相邻的单元之间以库仑力相互作用，而且无需以其他方法连接，这种单元的列阵可以用来传输二进位信息，能够应用布氏原理进行操作，模拟复杂的功能，显示了制造超大规模集成电路的前景。图解：当相邻的两个单元状态分别为“1”和“0”时，系统处于高能态，这时状态为“0”的单元将变为状态“1”，以使系统处于低能态。把一系列这种量子单元有序的排列起来就可以不通过电流而实现二进制信息的传递。二、二、QCA做逻辑器件的优点做逻
3、辑器件的优点v高集成度（Highfunctionaldensity）；在本文的结论中，QCA逻辑器件的尺寸可以控制在250nm。而目前，在传统的半导体工业中，仅是逻辑器件中一个CMOS场效应管要做到250nm的尺寸就已经很难了，要作出一个有特定逻辑功能的逻辑器件则尺寸比QCA器件大一到二个数量级，甚至更多。即QCA器件比CMOS器件的体积小36个数量级，可见QCA逻辑器件的前景十分广阔。v信号传导无需导线（Nointerconnectinsignalpath）；v高速，低功耗（Fastandlowpower）。返回目录三、用三、用QCA做逻辑器件的现状做逻辑器件的现状vQCA逻辑器件的几大优点
4、正是当前微电子技术的所亟待解决的几大难题，因此很多科学家纷纷把过目光转向这种新的逻辑器件制作方法。v目前，在理论上已经可以构造出代替导线的QCA“导线”和与门、或门、反向器等逻辑电路所需的基本逻辑门，甚至能构造出较复杂的逻辑电路。v下面以图片的形式列出几种典型的QCA逻辑器件和由这些逻辑器件组成的二进制全加器。返回目录A.面积为5961nm2的量子单元组B.在SEM下的量子单元图像和手工绘制的量子单元轮廓返回目录普通QCA”导线”有两个输出端QCA“导线”三输入的QCA与门QCA反向器返回目录完全用QCA单元构造的二进制全加器图解：该器件由“QCA导线”、反向器和高电平有效的多输入门组成。Ci
5、-1是向前进位控制端，Ci是向后进位控制端S端输出A和B全加后的结果。在整个运算过程中无须外界提供任何能量，因此其功耗极低。返回目录四、四、QCA做出实用的逻辑器件所面做出实用的逻辑器件所面 临的五大挑战临的五大挑战v低扇出数（Limitedfanout）；v尺度控制（Dimensionalcontrol）；v结构的构造（Architecture）；v有用反馈的引入（Feedbackfromdevices）；对干扰信号的屏蔽（Backgroundcharge）。返回目录五、解决信号干扰问题的模型五、解决信号干扰问题的模型v根据计算和实验的结果，若外界干扰信号对QCA单元作用的能量超过QCA单元
6、状态转变所需能量的十分之一，此时干扰是有效的，QCA单元将由一个状态转变为临一个状态。v为避免上述情况发生，我们必须保证干扰信号作用在QCA单元上的能量不超过0.0022MeV6。返回目录为简化计算，现建立一个同心球模型，模型中包括一个半径为R的金属球a和一个半径为r的带电球b。b是一个QCA逻辑器件，a是为b做的封装。若满足以下条件，即可认为封装b成功的解决了为QCA器件屏蔽干扰信号的问题。1.金属球可以把外界的电场屏蔽掉（需要考虑由于金属球过小而不能提供足量的感应电荷）2.金属球内壁上的电子打在b上时，没有足够的能量改变QCA单元的状态。返回目录baI先看第一个条件设外电场为均匀电场E0=
7、5V,R=150nm,则静电平衡时，金属球内部感应电荷产生的电场：由高斯定理8：从而这相当于的电子数为结论1：封装中至少要有83个自由电子 返回目录II再看第二个问题电子的能量包括四部分：(1)设电子从金属球内壁跑出来消耗的能量为设球a全部由构成，则原子最外层电子的能量7：（=2*0.85+3*0.35，Z=6，n=2）(2)设R=150nm,r=100nm,b中有10个QCA单元，每个单元带电量为2e,则b的电量Q=20e；一个电子从a到b克服库伦力所消耗的的能量8：(3)前面已经论述过：电子打在b，使其中的QCA单元改变状态的临界能量为=0.0022MeV 返回目录返回目录(4)电子总能量
8、：由相对论公式9得电子从金属球打在QCA单元上并使其改变状态所需的最小速度：又由麦克斯韦速度分布律，得电子速度超过的概率10：其中式中的第二项的被积函数的曲线如右图:则由几何关系得：代入式得：设返回目录由于运算的数量级超出了普通计算机的运算范围，故采用泰勒展开的方法估算如下：式代入得结论2：可认为此器件在有限的使用期间内不会被金属球上的电子打 中并改变状态。 返回目录六、结论六、结论 由结论1可以看出要为QCA器件做出有效屏蔽干扰信号的封装需满足材料上的要求，即封装中至少要有83个自由电子。 在得出结论2过程中，一个电子从a到b需要的能量是R和r的函数，且 ，故可看出封装对尺寸的要求并不严格，
9、只要封装的半径大到不会与其中的QCA器件发生量子效应即可。因此可以用参入特定元素而具有金属性质的亚纳米管作为QCA器件的封装。例如：QCA器件的最大半径为100nm,则封装的最小半径取250nm即可。说明：1.亚纳米管指尺寸略大于纳米尺度的管子。2.在对第一个条件进行计算时，我把封装等效成了一个金属球。在做实际的封装时由于尺度过小，不能采用金属做封装，但考虑到在碳纳米管中掺入一些特定的元素后可以使纳米管具有金属的性质，故模型仍然适用。返回目录参考文献n n1 Lee,H.Depley,L.J.Hong,H.G.Mallouk.T.E.J.Am.Chem.Soc.1988,110:6181 Le
10、e,H.Depley,L.J.Hong,H.G.Mallouk.T.E.J.Am.Chem.Soc.1988,110:618 国外纳米材料技术进展与应用国外纳米材料技术进展与应用朱朱 屯屯 王福明王福明 王习东等编著王习东等编著 化学工业出版社化学工业出版社 2002 2002年年6 6月第月第1 1版版 n n2 2 图片来自图片来自纳米尺度的电磁现象纳米尺度的电磁现象 叶邦角讲座叶邦角讲座n n3 Evaluation of the effect of fabrication tolerances on the ground-state 3 Evaluation of the effect
11、 of fabrication tolerances on the ground-state n n energy of electrostatically defined quantum dots M. MACUCCI, G. energy of electrostatically defined quantum dots M. MACUCCI, G. n n IANNACCONE Dipartimento di Ingegneria dellInformazione, Universit IANNACCONE Dipartimento di Ingegneria dellInformazi
12、one, Universit n n degli studi di Pisa, Via Diotisalvi 2, I-56126 Pisa, Italy C. VIEU, H. degli studi di Pisa, Via Diotisalvi 2, I-56126 Pisa, Italy C. VIEU, H. n n LAUNOIS , Y. JIN Superlattices and Microstructures, Vol. 27, No. 5/6, LAUNOIS , Y. JIN Superlattices and Microstructures, Vol. 27, No.
13、5/6, n n 2000 2000n n4 Tougaw P D and Lent C S W 1994 4 Tougaw P D and Lent C S W 1994 J. Appl. Phys. J. Appl. Phys. 75 75 18181818 Quantum Cellular Automata: The Physics of Computing with Arrays Quantum Cellular Automata: The Physics of Computing with Arrays of Quantum Dot Molecules Craig. S. Lent,
14、 P.Douglas Tougaw, and of Quantum Dot Molecules Craig. S. Lent, P.Douglas Tougaw, and Wolfgang PorodDepartment of Electrical Engineering, University of Wolfgang PorodDepartment of Electrical Engineering, University of Notre Dame, Notre Dame, IN 46556 Notre Dame, Notre Dame, IN 46556n n55 Nanoelectro
15、nics-Outlook, Challenges and Vision Dr. Rational You Nanoelectronics-Outlook, Challenges and Vision Dr. Rational You n n IEK/ITRI 2002/10/1 IEK/ITRI 2002/10/1n n6 6 同同33n n7 7 无机化学（上册无机化学（上册 第三版）第三版） 武汉大学等校编武汉大学等校编 曹锡章曹锡章 宋天佑宋天佑 王杏乔王杏乔 修订修订n n8 8 电磁学电磁学胡友秋胡友秋 程福臻程福臻 刘之景刘之景 编编 高等教育出版社高等教育出版社 19941994年年5 5月第月第1 1版版 n n9 9 力学力学杨维宏编杨维宏编 中国科学技术大学出版社中国科学技术大学出版社 20022002年年4 4月第月第1 1版版n n1010热学热学张玉民编张玉民编 中国科学技术大学出版社中国科学技术大学出版社 20002000年年5 5月第月第1 1版版返回目录致谢n n感谢叶邦角老师对我的指导；n n感谢朝夕相处的同学：蔡洪冰、曲建涛、涂镭、张银、廖昭亮等参与讨论；n n感谢所有关心和帮助过我的朋友和师长！ Thank you!返回目录
