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1、第七章第七章 半导体存储器半导体存储器7.1 概述概述能存储大量二值信息的器件能存储大量二值信息的器件一、一般结构形式一、一般结构形式输输入入/ /出出电电路路I/OI/O输入/出 控制二、分类1、从存/取功能分：只读存储器(Read-Only-Memory）随机读/写（Random-Access-Memory）2、从工艺分：双极型MOS型7.2 ROM7.2.1 掩模掩模ROM一、结构参看书参看书P7172地地 址址数数 据据A1A0D3D2D1D0000101011011100100111110A0An-1W0W(2n-1)D0Dm两个概念：存储矩阵的每个交叉点是一个“存储单元”，存储单元
2、中有器件存入为“1”，无器件存入则为“0”存储器的容量：“字数 x 位数”掩模ROM的特点：出厂时已经固定，不能更改，适合大量生产,简单，便宜，非易失性简化图：板书7.2.2 可编程可编程ROM（PROM）总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同7.2.3 可擦除的可编程可擦除的可编程ROM（EPROM）电可擦除的可编程电可擦除的可编程ROM（E2PROM）叠栅注入叠栅注入MOS管管浮栅隧道氧化层浮栅隧道氧化层MOS管管快闪存储器快闪存储器Flash Memory集成度高，快速可靠，使用方便集成度高，快速可靠，使用方便7.3 随机存储器随机存储器RAM7.3.1 静态随机存储器（静态随机存储器
3、（SRAM）一、结构与工作原理简化一下简化一下二、SRAM的存储单元六管六管N N沟道增强型沟道增强型MOSMOS管管7.3.2* 动态随机存储器（动态随机存储器（DRAM）动态存储单元是利用MOS管栅极电容可以存储电荷的原理7.4 存储器容量的扩展存储器容量的扩展7.4.1 位扩展方式位扩展方式1)字数够而位数不够时字数够而位数不够时接法：将各片的地址线、读写线、片选线并联即可接法：将各片的地址线、读写线、片选线并联即可例：用八片例：用八片1024 x 11024 x 1位位 1024 x 81024 x 8位的位的RAMRAM7.4.2 字扩展方式字扩展方式 2)位数够而字数不够时位数够而
4、字数不够时1024 x 8RAM例：用四片例：用四片256 x 8256 x 8位位1024 x 81024 x 8位位 RAMRAM思考：思考：256 x 8位位1024 x 16位位 RAM？7.5 用存储器实现组合逻辑函数用存储器实现组合逻辑函数一、基本原理一、基本原理从从ROM的数据表可见：的数据表可见：若以地址线为输入变量，则数据线即为一组关于若以地址线为输入变量，则数据线即为一组关于地址变量的逻辑函数地址变量的逻辑函数地 址数 据A1A0D3D2D1D0000101011011100100111110A0An-1W0W(2n-1)二、举例例例7.5.1 见书见书P377例：用16X4位的ROM设计一个将两个2位二进制数相乘的乘法器电路。作业：作业：7.1 7.2 7.37.1 7.2 7.3 7.4 7.8 7.4 7.8
