《7第7章金半和异质结》由会员分享，可在线阅读，更多相关《7第7章金半和异质结（6页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、7金属半导体接触金属半导体接触1 1，肖特基势垒的形成，肖特基势垒的形成 金属的能带图金属的能带图 功函数功函数金属的功函数金属的功函数半导体的功函数半导体的功函数半导体的电子亲和势半导体的电子亲和势 接触电势差：接触电势差：2 2，金属半导体接触的金属半导体接触的金属半导体接触的金属半导体接触的整流特性整流特性 阻挡层和非阻挡层阻挡层和非阻挡层 扩散理论和热电子发射理论扩散理论和热电子发射理论3 3，少子的注入，少子的注入4 4，欧姆接触，欧姆接触前言前言1 17金属半导体接触金属半导体接触前言前言2 27金属半导体接触金属半导体接触通常，肖特基势垒高度是指通常，肖特基势垒高度是指q qns
2、ns。阻挡层和反阻挡层：根据肖特基模型可作如下归阻挡层和反阻挡层：根据肖特基模型可作如下归纳：纳： 当金属与当金属与n n型半导体接触时，如果型半导体接触时，如果WmWmWsWs，因电子，因电子由半导体进入金属，在半导体表面形成电子势垒，叫由半导体进入金属，在半导体表面形成电子势垒，叫阻挡层；如果阻挡层；如果WsWsWmWm，则电子将由金属进入半导体，则电子将由金属进入半导体，表面电场由金属指向半导体，表面势表面电场由金属指向半导体，表面势VsVs0 0，能带下，能带下弯，表面是电子势阱，是高电导层，叫反阻挡层。弯，表面是电子势阱，是高电导层，叫反阻挡层。 金属和金属和p p型半导体接触时，情
3、况正好相反。型半导体接触时，情况正好相反。WmWmWsWs，能带上弯，是空穴势阱，半导体表面是高电导层，能带上弯，是空穴势阱，半导体表面是高电导层，为为p p型反阻挡层；型反阻挡层；WmWmWsWs时，能带下弯，形成空穴时，能带下弯，形成空穴势垒，为势垒，为p p型阻挡层。型阻挡层。 另外还有巴丁模型另外还有巴丁模型前言前言3 37金属半导体接触金属半导体接触整流效应整流效应 单向导电性单向导电性 理论分析：扩散理论和热电子发射理论理论分析：扩散理论和热电子发射理论 应用应用: :肖特基二极管等肖特基二极管等欧姆接触欧姆接触欧姆接触欧姆接触 欧姆接触：金属欧姆接触：金属- -半导体的另一种接触
4、方式：形成非整半导体的另一种接触方式：形成非整流接触，即欧姆接触流接触，即欧姆接触 性能要求：接触电阻很小，线性的和对称的电流性能要求：接触电阻很小，线性的和对称的电流- -电压电压关系关系 应用：生产实际中实现欧姆接触的办法是利用隧道效应用：生产实际中实现欧姆接触的办法是利用隧道效应应 ：半导体一方重掺杂；：半导体一方重掺杂； 注意：重掺杂半导体和金属接触，不论注意：重掺杂半导体和金属接触，不论N N型还是型还是P P型，型，均可形成欧姆接触均可形成欧姆接触 实例：双极晶体管的制造工艺和实际剖面图实例：双极晶体管的制造工艺和实际剖面图前言前言4 49章章 异质结异质结同质结：同类材料但因不同区域导电类型相反而同质结：同类材料但因不同区域导电类型相反而形成的形成的p-np-n结结异质结：用两种不同的半导体材料组成的异质结：用两种不同的半导体材料组成的p-np-n结。结。 异质结能带图特征：异质结能带图特征： 1 1，交界面处能带出现尖峰或凹口等不连续性；，交界面处能带出现尖峰或凹口等不连续性； 2 2，界面处有不能忽略的界面态，界面处有不能忽略的界面态 前言前言5 5异质结中同时存在多种电流机构注意：1，一般说来，异质结中往往同时存在多种电流机构 前言前言6 6
