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1、微电子器件及工艺课程设计微电子器件及工艺课程设计双极晶体管结构及版图示意图氧化时间计算x0A/2 1+ (t+)/(A)/(A2 2/4B)/4B)1/21/2-1, -1, 可由图解可由图解法求解。法求解。初始条件x0（0）xi，xi为氧化前硅片上原有的SiO2厚度。可得： x02 Ax0 B（t）A=2 DSiO2 ( 1/ks +1/h); B= 2DSiO2 C*/ N1 ； = ( xi2Axi）/ B 。 A、B都是速度常数，可查表获得扩散时间计算 再扩散结深 xj4Dt lnS/Csub（3.14Dt)1/21/2S为单位面积的掺杂原子总数，s浓度（平均浓度）结深预扩散扩散长度比
2、再扩散的扩散长度小得多，预扩散分布的渗透范围小到可以忽略。设计思路：发射区扩散时间氧化层厚度基区扩散结深基区扩散时间基区掩蔽层厚度氧化时间。由于二次氧化，在考虑基区扩散深度时须对发射区掩蔽层消耗的硅进行补偿。集电结结深发射结结深基区宽度0.46发射区掩蔽层厚度。发射结结深12基区宽度。氧化层厚度二氧化硅薄膜的掩蔽效果与厚度及其膜层质量、杂质在SiO2中的扩散系数有关，还与SiO2和硅衬底中的杂质浓度、杂质在衬底中的扩散系数以及杂质在衬底与SiO2界面的分凝系数等因素有关。考虑到生产实际情况，基区氧化层厚度约为6000埃（氧化温度1100左右），发射区氧化层厚度约为7000埃，采用干氧湿氧干氧工艺。B预扩散温度：900950，再扩散1200左右（发射区氧化同时进行）P预扩散温度1120左右，主扩1120左右。
