CVD化学气相淀积实用实用教案

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1、2024/7/251（1）CVD成膜温度远低于体材料的熔点或软点。因此减轻了衬底片的热形变，减少了玷污，抑制了缺陷(quxin)生成;设备简单，重复性好；（2）薄膜的成分精确可控、配比范围大；（3）淀积速率一般高于PVD（物理气相淀积，如蒸发、溅射等）；厚度范围广，由几百埃至数毫米。且能大量生产；（4）淀积膜结构完整、致密，与衬底粘附性好。CVD工艺(gngy)特点：第1页/共54页第一页，共55页。2024/7/2526.1CVD模型(mxng)6.1.1CVD的基本过程图6.11.主要步骤反应剂气体反应室内（主气流区）通过边界层到达衬底表面（扩散方式）成为吸附原子在衬底表面发生化学反应，淀

2、积成薄膜。2.满足条件在淀积温度下，反应剂必须具备足够高蒸汽压。除淀积物外(wwi)，反应的其他产物必须是挥发性的。淀积物具有足够低的蒸汽压。薄膜淀积所用时间尽量短。淀积温度足够低化学反应的气态副产物不能进入薄膜中。化学反应发生在被加热的衬底表面。第2页/共54页第二页，共55页。2024/7/2533.CVD的激活能来源：热能(rnng)、光能、等离子体、激光等。6.1.2边界层理论第3页/共54页第三页，共55页。2024/7/254边界层1.定义：指速度受到扰动并按抛物线型变化、同时还存在反应剂浓度梯度的薄层。也称为附面层、滞流层等。2.厚度(x)：从速度为零的硅片表面到气流速度为0.9

3、9Um时的区域厚度。3.形成机制：图6.3所示定义从气流遇到(ydo)平板边界时为坐标原点，则有(x)=（x/U）1/2-气体的黏滞系数。-气体的密度第4页/共54页第四页，共55页。2024/7/255边界层的平均(pngjn)(pngjn)厚度ReRe气体的雷诺数，表示流体运动(yndng)(yndng)中惯性效应与黏滞效应的比。无量纲数。Re2000Re2000，气流为平流型反应室中沿各表面附近的气体流速足够慢。Re2000Re2000，为湍流。第5页/共54页第五页，共55页。2024/7/2566.1.3 Grove6.1.3 Grove模型(mxng)(mxng)CVD过程主要受两

4、步工艺过程控制：气相输运过程；表面化学反应过程。Grove模型认为(rnwi)控制薄膜淀积速率的两个重要环节：反应剂在边界层的输运过程；反应剂在衬底表面上的化学反应过程。Grove模型Grove模型的基本原理图6.4第6页/共54页第六页，共55页。2024/7/257薄膜淀积过程存在两种极限情况：hgkshgks， Cs Cs趋向于CgCg，淀积速率受表面化学反应速率控制。反应剂数量：主气流输运到硅片表面的表面化学反应所需要(xyo)(xyo)的 hgks hgks， Cs Cs趋于0 0，淀积速率受质量输运速率控制。反应剂数量：表面化学反应所需要(xyo)(xyo)的主气流输运到硅片表面的

5、第7页/共54页第七页，共55页。2024/7/258结论：图6.51.淀积速率与下面(ximian)两个量中的一个成正比：反应剂的浓度Cg；（没有使用稀释气体时适用）在气相反应中反应剂的摩尔百分比Y。（使用稀释气体）低浓度区域，薄膜生长速率随Cg增加而加快。2.在Cg或Y为常数时，薄膜淀积速率由hg和ks中较小的一个决定。hgksG=（CTksY）/N1hgksG=（CThsgY）/N1第8页/共54页第八页，共55页。2024/7/259淀积速率与几个参数(cnsh)的关系：1.1.淀积速率与温度的关系(gun x) (gun x) 如图6.66.6低温情况下，表面化学反应速率控制 由 k

6、s= k0e-EA/Kt ks= k0e-EA/Kt 淀积速率对温度的变化非常敏感。随温度的升高而成指数增加。高温情况下，质量输运控制 hg hg依赖于气相参数，如气体流速和气体成份等。 其输运过程通过气相扩散完成。 扩散速度正比于扩散系数DgDg及边界层内浓度梯度， DgT1.52.0DgT1.52.0 淀积速率DgDg基本不随温度变化而变化。第9页/共54页第九页，共55页。2024/7/25102.2.淀积速率与气流速率的关系 如图6.76.7条件：质量输运速率控制(kngzh)(kngzh)根据菲克第一定律和式6.56.5推导，得到气流速率1.0L/min1.0L/min，淀积速率与主

7、气流速度UmUm的平方根成正比。气流速率，可以淀积速率。气流速率持续，淀积速率达到一个极大值，与气流速率无关。气流速率大到一定程度(chngd)(chngd)，淀积速率转受表面化学反应速率控制，且与温度遵循指数关系。第10页/共54页第十页，共55页。2024/7/2511总结(zngji)Grove模型是一个简化的模型：忽略了1.反应产物的流速；2.温度梯度对气相物质输运的影响；认为3.反应速度线性依赖于表面浓度。但成功预测了：薄膜淀积过程中的两个区域（物质输运速率限制(xinzh)区域和表面反应控制限制(xinzh)区域），同时也提供了从淀积速率数据中对hg和ks值的有效估计。第11页/共

8、54页第十一页，共55页。2024/7/25126.2 6.2 化学(huxu)(huxu)气相淀积系统气态源或液态源气体(qt)输入管道气体(qt)流量控制反应室基座加热及控制系统温度控制及测量系统第12页/共54页第十二页，共55页。2024/7/25136.2.1 CVD6.2.1 CVD的气体(qt)(qt)源1.1.气态源：已被取代。2.2.液态源：更安全（但氯化物除外）输送方式(fngsh)(fngsh)：冒泡法，加热液态源，液态源直接注入法冒泡法：通过控制携带气体的流速和源瓶的温度，间接达到控制进入到反应室的反应剂浓度。存在问题：较难控制反应剂的浓度； 低气压下反应剂容易凝聚。工

9、艺改进：直接气化系统，液态源直接注入法第13页/共54页第十三页，共55页。2024/7/25146.2.2 6.2.2 质量流量控制系统直接控制气流流量包括质量流量计和阀门，位于气体源和反应室之间每分钟1cm31cm3的气体流量温度为273K273K、1 1个标准大气压下，每分钟通过体积的1cm31cm3气体。6.2.3 CVD6.2.3 CVD反应室的热源热壁式CVDCVD系统：TW=TSTW=TS冷壁式CVDCVD系统：TWTSTWTS电阻加热(ji r)(ji r)法： 利用缠绕在反应管外侧的电阻丝加热(ji (ji r)r)，形成热壁系统。由表面反应速度控制 对放置硅片的基座进行加热

10、(ji r)(ji r)，形成冷壁系统。电感加热(ji r)(ji r)或高能辐射灯加热(ji r)(ji r) 均为直接加热(ji r)(ji r)硅片和基座，形成冷壁系统 不同：电感加热(ji r)(ji r)，通过射频电源在基座上产生涡流，导致硅片和基座的温度升高。高能辐射灯加热(ji r)(ji r)，通过辐射射线加热(ji r)(ji r)淀积室侧壁。第14页/共54页第十四页，共55页。2024/7/25156.2.4 CVD6.2.4 CVD系统(xtng)(xtng)的分类3化学淀积方法(fngf):1.常压化学气相淀积APCVD2. 低压化学气相淀积LPCVD3.等离子化学气

11、相淀积PCVD第15页/共54页第十五页，共55页。2024/7/25161.常压化学(huxu)气相淀积适用于介质薄膜的淀积4第16页/共54页第十六页，共55页。2024/7/2517特点:用于SiO2的淀积，由质量输运控制淀积速率，因此必须精确控制在单位时间内到达(dod)每个硅片表面及同一表面不同位置的反应剂数量。PWS5000：SiH4+O2=SiO2+H2O100mm：10片，125mm:8片Time:15minTemp:3804506厚度(hud)均匀：5第17页/共54页第十七页，共55页。2024/7/25182.低压(dy)化学气相淀积5第18页/共54页第十八页，共55页

12、。2024/7/2519特点：气压较低（133.3Pa133.3Pa），淀积速率受表面反应控制，要精确控制温度（0.5C0.5C）, ,保证各个硅片表面上的反应剂浓度相同。应用情况：多晶硅：SiH4/Ar(He) 620SiH4/Ar(He) 620Si3N4: SiH2Cl2 +NH3 750800Si3N4: SiH2Cl2 +NH3 750800PSG: SiH4 +PH3 +O2 450 PSG: SiH4 +PH3 +O2 450 BSG: B2H6 +O2 450 BSG: B2H6 +O2 450 SiO2: SiH2Cl2 +NO2 910SiO2: SiH2Cl2 +NO2

13、910气缺现象：当气体反应剂被消耗而出现的反应剂浓度改变的现象。针对只有一端输入的反应室。避免方法：水平方向上逐渐提高温度来加快反应速度；采用分布式的气体入口；增加反应室中气流速度。缺点(qudin)(qudin)：相对低的淀积速率和相对高的工作温度。第19页/共54页第十九页，共55页。2024/7/25203.3.等离子体(dnglzt)(dnglzt)化学气相淀积叙述其他策略列出每项的优势和劣势(lish)叙述每项所需的消耗6第20页/共54页第二十页，共55页。2024/7/2521PECVDPECVD：Plasma-enhanced CVD Plasma-enhanced CVD 利

14、用非热能源的RFRF等离子体来激活(j hu)(j hu)和维持化学反应。特点：温度低 200350 200350，表面反应速率控制。通常(tngchng)(tngchng)情况下：6.665 666.5Pa,6.665 666.5Pa,频率50k13.6MHz50k13.6MHz适用于布线隔离Si3N4: SiH2Cl2 +NH3Si3N4: SiH2Cl2 +NH3PSG: SiH4 +PH3 +O2PSG: SiH4 +PH3 +O2第21页/共54页第二十一页，共55页。2024/7/25226.3 CVD6.3 CVD多晶硅特性和淀积方法(fngf)(fngf)硅的三种形态：单晶硅、

15、多晶硅和非晶硅。第22页/共54页第二十二页，共55页。2024/7/2523单晶硅（SCSSCS）：晶格规则排列。 加工(ji gng)(ji gng)方法：1 1）通过高温熔融/ /再结晶生长单晶硅圆片；2 2）外延生长硅薄膜；3 3）通过全部加热或局部加热，使多晶硅或非晶硅再结晶。多晶硅（PolysiPolysi）：有多种晶畴。每个晶畴里，晶格规则排列。但相邻区域晶向不同。晶界（畴壁）对于决定电导率、机械刚度和化学刻蚀特性很重要。 加工(ji gng)(ji gng)方法：1 1）通过LPCVDLPCVD生长；2 2）通过全部加热或局部加热，使多晶硅或非晶硅再结晶。非晶硅：晶格不规则排列

16、。 加工(ji gng)(ji gng)方法：1 1）通过CVDCVD生长。第23页/共54页第二十三页，共55页。2024/7/25246.3.1多晶硅薄膜的性质1.多晶硅的物理结构以及力学特性多晶硅薄膜由小单晶（100nm量级）的晶粒组成，存在大量的晶粒间界。晶粒间界：具有高密度缺陷和悬挂键多晶硅的两个重要(zhngyo)特性：扩散系数-晶粒间界处晶粒内部杂质分布高温时存在于晶粒内的杂质，低温发生分凝作用，使杂质从晶粒内部运动到晶粒间界，在高温下又会返回到晶粒内。第24页/共54页第二十四页，共55页。2024/7/2525半导体性质、结构和掺杂有关。a)同样的掺杂浓度（一般），电阻率：多

17、晶硅单晶硅原因如下：热处理过程中，跑到晶粒间界处的掺杂原子（As和P）不能有效地贡献自由载流子，造成晶粒内掺杂浓度降低。晶粒间界处大量的悬挂键可俘获自由载流子：自由载流子的浓度并使邻近的晶粒耗尽；引起(ynq)多晶硅内部电势的变化。（对迁移不利）2.2.多晶硅的电学特性(txng)(txng)第25页/共54页第二十五页，共55页。2024/7/2526b)多晶硅电阻的变化与掺杂浓度和晶粒尺寸间的关系同样掺杂浓度：晶粒尺寸大，电阻率较低；晶粒尺寸的大小和掺杂浓度相互作用，决定着每一个晶粒耗尽的的程度(chngd)。高阻区：晶粒尺寸很小或掺杂很低晶粒完全耗尽。低阻区：晶粒尺寸很大或掺杂很高。6.

18、3.2化学气相淀积多晶硅采用LPCVD工艺，在580650C下热分解硅烷。淀积过程：硅烷被吸附在衬底表面上：SiH4（吸附）=SiH2（吸附）+H2（气）SiH2（吸附）=Si（固）+H2（气）硅烷的热分解，中间产物：SiH2和H2，SiH4（吸附）=Si（固）+2H2（气）第26页/共54页第二十六页，共55页。2024/7/2527第27页/共54页第二十七页，共55页。2024/7/2528三族元素，如硼，掺杂使将增加空穴，它的表面吸附有助于表面呈现正电性，因而将促进多晶硅的淀积。五族元素，如磷、砷的掺杂，将有助于表面的电子积累，从而减少分子的吸附，减少浓度(nngd)，因而将降低多晶硅

19、的淀积率。第28页/共54页第二十八页，共55页。2024/7/25296.3.3 6.3.3 淀积条件对多晶硅结构及淀积速率(sl)(sl)的影响淀积温度、压力、掺杂类型、浓度(nngd)(nngd)及随后的热处理过程580 C 580 C 非晶态薄膜 580 C 580 C 多晶薄膜晶向优先方向：580- 600 C 580- 600 C ，晶向的晶粒占主导625 C 625 C 左右，晶向的晶粒占主导675 C 675 C 左右，晶向的晶粒占主导 675 C 675 C ，晶向的晶粒占主导低温下淀积的非晶态薄膜： 900- 1000 C 900- 1000 C 重新晶化时，更倾向于晶向结

20、构第29页/共54页第二十九页，共55页。2024/7/2530温度(wnd)：600650，625第30页/共54页第三十页，共55页。2024/7/2531压力(yl)第31页/共54页第三十一页，共55页。2024/7/2532第32页/共54页第三十二页，共55页。2024/7/2533硅烷浓度(nngd)600度第33页/共54页第三十三页，共55页。2024/7/2534第34页/共54页第三十四页，共55页。2024/7/25356.3.4 6.3.4 多晶硅的掺杂(chn z)(chn z)技术主要有三种工艺：扩散、离子注入、原位掺杂1.多晶硅的扩散掺杂实现温度：9001000

21、Cn型掺杂，掺杂剂：POCl3,PH3等含磷气体2.多晶硅的离子注入掺杂可精确控制(kngzh)掺入杂质的数量。3.多晶硅的原位掺杂杂质原子在薄膜淀积的同时被结合到薄膜中，即一步完成薄膜淀积和对薄膜的掺杂。第35页/共54页第三十五页，共55页。2024/7/2536SiO2SiO2的用途(yngt)(yngt)6.4 CVD6.4 CVD二氧化硅(r yng hu gu)(r yng hu gu)的特性和淀积方法第36页/共54页第三十六页，共55页。2024/7/2537CVDSiO2CVDSiO2薄膜的折射系数n n与热生长(shngzhng)(shngzhng)的折射系数1.461.4

22、6的偏差作为衡量其质量的一个指标。 n 1.46 n 1.46：该薄膜富硅； n1.46 n1.46：该薄膜低密度多孔6.4.1 6.4.1 淀积SiO2SiO2的方法: : 1.1.低温(dwn)CVD (dwn)CVD ： 500 500温度、压力、反应剂浓度、掺杂及反应腔形状都影响淀积速度1)1)硅烷为源 A A ）和氧反应: :（钝化层SiO2SiO2） SiH4( SiH4(气)+O2()+O2(气) SiO2() SiO2(固)+2H2()+2H2(气) )第37页/共54页第三十七页，共55页。2024/7/2538B B）和N2ON2O反应(fnyng):(fnyng): Si

23、H4 ( SiH4 (气)+2N2O ()+2N2O (气) SiO2 () SiO2 (固)+2N2 )+2N2 ( (气)+ 2H2 ()+ 2H2 (气) )C)C)生长磷硅玻璃PSGPSG（APCVDAPCVD） 4PH3 ( 4PH3 (气) +5O2 () +5O2 (气) 2P2O5 () 2P2O5 (固)+6H2 ()+6H2 (气) )加入磷烷PH3PH3，生长磷硅玻璃PSGPSG加入乙硼烷B2H6B2H6，生长硼硅玻璃BSGBSG掺杂P P含量：5 51515（或三氯氧磷）回流P P含量：2 28 8钝化膜 磷含量过高：腐蚀铝，吸附水汽 磷含量过低：太硬，台阶覆盖不好40

24、0第38页/共54页第三十八页，共55页。2024/7/2539（2）以正硅酸四乙脂（TEOS）为源450CSi(OC2H5)4+O2SiO2+副产物优点：薄膜具有更好的台阶覆盖和间隙填充特性淀积温度可相对降低。缺点：随着金属线间距的减小，可能会形成空隙。应用：形成多层布线(bxin)中金属层间的绝缘层淀积。实现掺杂的方法：1SiO2淀积源中加入TMB实现B的掺杂。2SiO2淀积源中加入TMP实现P的掺杂。第39页/共54页第三十九页，共55页。2024/7/25402.2.中温LPCVD LPCVD ：以TEOSTEOS为反应剂 Si(OC2H5)4 SiO2 + 4C2H4 Si(OC2H

25、5)4 SiO2 + 4C2H4 +2H2O+2H2O注意：要加入足够的氧。 Si(OC2H5)4 Si(OC2H5)4 含有C C和H H，与氧发生氧化反应生成COCO和H2OH2O，降低了氧的数量。可作为绝缘层和隔离层。3. TEOS/ O33. TEOS/ O3混合源的二氧化硅(r yng hu (r yng hu gu)gu)淀积 臭氧O3O3可提高淀积速率。应用：淀积非掺杂二氧化硅(r yng hu (r yng hu gu)gu)（USGUSG）薄膜或BPSGBPSG。问题：淀积速率依赖于薄膜淀积的表面材料；淀积的氧化层中含有Si-OHSi-OH键，易吸收水汽。解决办法： SiO2

26、 SiO2层+TEOS/ O3+TEOS/ O3氧化层+SiO2+SiO2保护层。第40页/共54页第四十页，共55页。2024/7/25413.SiO2薄膜性质(xngzh)第41页/共54页第四十一页，共55页。2024/7/25426.4.2 CVDSiO6.4.2 CVDSiO2 2薄膜的台阶覆盖保形覆盖：无论(wln)衬底表面有什么样的倾斜图形，在所有图形的上面都能淀积有相同厚度的薄膜。台阶覆盖模型到达角很小：薄膜的厚度正比于到达角的取值范围。薄膜在台阶顶部处最厚，在拐角处最薄。较长：薄膜厚度随沟槽深度的增加而降低；第42页/共54页第四十二页，共55页。2024/7/2543衬底表

27、面CVDCVD反应气体(qt)(qt)分子输运机制三种(snzhn)机制：入射角：与相关再发射：在黏滞系数1时出现的传输过程。表面迁移：反应物分子在被黏附之前在表面发生的迁移。到达角越大，黏滞系数越小，表面迁移能力越强，保形覆盖越好。第43页/共54页第四十三页，共55页。2024/7/25446.5 CVD6.5 CVD氮化硅的特性(txng)(txng)及淀积方法1.氮化硅薄膜在集成电路(jchng-dinl)中的主要应用,有三个方面:(1)用作为硅选择氧化和等平面氧化的氧化掩膜；(2)钝化膜；(3)电容介质。第44页/共54页第四十四页，共55页。2024/7/25452. 2. 低压(

28、dy)(dy)化学气相淀积氮化硅薄膜A、氮化硅的低压淀积方程式：氮化硅的低压化学气相淀积主要通过硅烷、二氯二氢硅、四氯化硅与氨在700-8500C温度范围内反应生成(shn chn)。主要反应式如下： 3SiO2+4NH3Si3N4+12H2 （式一） 3SiH2Cl2+4NH3Si3N4+6HCl+6H2 （式二） 3SiCl4+4NH3SiN4+12HCl （式三）其中以（式三）硅烷与氨反应最为常用。第45页/共54页第四十五页，共55页。2024/7/2546B、淀积过程的主要控制(kngzh)参量：低压化学气相淀积过程主要控制参量：压力、温度和温度梯度以及反应气体浓度(nngd)和比例

29、。常用系统的典型淀积条件为：温度T=8250C；压力：p=0.9*102Pa；反应物SiH4:NH3=1:6以氢气作为载气第46页/共54页第四十六页，共55页。2024/7/25473.3.等离子体增强(zngqing)(zngqing)化学气相淀积氮化硅薄膜A、等离子淀积优点及方程式：优点：淀积温度低，最常用的温度是3003500C。方程式：等离子体增强化学气相淀积氮化硅，常由SiH4与氨在氩等离子气氛下或SiH4在氮等离子气氛下反应生成，其反应式如下：SiH4+NH3SixNyHz+3H2(式四)SiH4+N22SixNyHz+3H2(式五)B、淀积过程(guchng)的控制参量：淀积薄

30、膜的性质与具体淀积条件密切相关，例如工作频率、功率、压力、样品温度、反应气体分压、反应器的几何形状、电极空间、电极材料和抽率。第47页/共54页第四十七页，共55页。2024/7/25481第48页/共54页第四十八页，共55页。2024/7/25496.6 6.6 金属(jnsh)(jnsh)的CVDCVD6.6.1 6.6.1 钨的CVDCVD用途：作为填充（钨插塞）（plugplug）用作局部互连材料（电阻率较低）CVDWCVDW薄膜的工艺： 选择性淀积和覆盖性淀积CVDWCVDW广泛(gungfn)(gungfn)用于互联的难熔金属的原因：a.a.体电阻率小；b.b.较高的热稳定性；c

31、.c.较低的应力、很好的保形台阶覆盖能力，且热扩散系数和硅相近；d.d.很强的电迁移能力和抗腐蚀性能。第49页/共54页第四十九页，共55页。2024/7/25501. CVDW 1. CVDW 的化学反应(huxu fnyng)(huxu fnyng)设备：冷壁低压系统(xtng)反应源：WF6，WCl6，W(CO)6.与Si反应2WF6(气)+3Si(固)2W(固)+3SiF4(气).与H2反应WF6(气)+3H2(气)W(固)+6HF(气).与SiH4反应2WF6(气)+3SiH4(气)2W(固)+3SiF4(气)+6H2(气)300450300第50页/共54页第五十页，共55页。20

32、24/7/25512. 2. 覆盖式CVDW CVDW 与回刻用W W 填充接触孔和通孔的工艺步骤：表面原位预清洁处理；淀积一个接触层（溅射或CVDCVD形成的TiTi膜）；淀积一个附着/ /阻挡层（溅射或CVDCVD形成的TiNTiN膜）；覆盖式CVDWCVDW（两步淀积）；第一步：在较低气压下与SiH4SiH4反应生成几十个纳米的薄钨层；第二步：在较高气压下与H2H2反应淀积剩余(shngy)(shngy)厚度钨膜。钨膜的回刻；附着层和接触层的刻蚀。第51页/共54页第五十一页，共55页。2024/7/2552常见问题：（1 1）CVDCVD钨膜的应力：导致硅片弯曲；（2 2）在晶片背面和

33、侧边的钨淀积；（3 3）CVDCVD钨过程中形成的微粒；（4 4）接触孔及通孔的钨拴的电阻： 钨膜电阻率10u.cm 10u.cm 1um 1um接触孔 0.5 0.5电阻 0.3um 0.3um接触孔 5 5电阻（5 5）覆盖式钨淀积过程中出现的失效(sh xio)(sh xio)情况。第52页/共54页第五十二页，共55页。2024/7/25536.6.2 6.6.2 硅化钨的CVDCVDWSiXWF6(气)+2SiH4(气)2WSi2(固)+6HF(气)+H2(气)反应条件：气压：50-300托温度：300-400度.若x2.0，高温过程中，易于从多晶硅上碎裂剥离；.若x2.0，硅化物薄

34、膜中含有过量硅，可避免(bmin)碎裂剥离，避免(bmin)损耗下方的多晶材料。第53页/共54页第五十三页，共55页。2024/7/2554感谢您的欣赏(xnshng)！第54页/共54页第五十四页，共55页。内容(nirng)总结2021/11/10。扩散速度正比于扩散系数Dg及边界层内浓度梯度， DgT1.52.0。淀积速率Dg基本不随温度变化而变化。Grove模型是一个简化的模型：。工艺改进：直接气化系统，液态源直接注入法。6.2.2 质量流量控制系统直接控制气流流量。100mm：10片，125mm:8片。Temp:3804506。通常情况(qngkung)下：6.665 666.5Pa,频率50k13.6MHz。感谢您的欣赏第五十五页，共55页。