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1、DIMM IntroduceDIMM Introduce知名DIMM的LOGOsmart 忆宝_香港 威刚天堂 英飞凌 现代 宇瞻 金士顿 美光 三 星适用类型 台式机内存 笔记本内存 服务器内存 内存接口类型/内存插槽类型 内存接口: 笔记本:采用144Pin、200Pin接口 台式机使用168Pin和184Pin接口 内存插槽类型 SIMM: Single Inline Memory Module 单内联内存模块单内联内存模块(8/16bit用用30pin;32bit用用72pin) DIMM: Dual Inline Memory 双内联内存模块双内联内存模块(SDRAM168pin/D
2、DR184pin) RIMM: Rambus DRAM 内存容量 内存容量是指该内存条的存储容量，是内存条的关键性参数.内存容量以MB作为单位.内存的容量一般都是2的整次方倍.系统对内存的识别是以Byte（字节）为单位,1Byte=8bit.内存容量的上限一般由主板芯片组和内存插槽决定,比如Inlel的810和815系列芯片组最高支持512MB内存.目前多数芯片组可以支持到2GB以上的内存，主流的可以支持到4GB，更高的可以到16GB 内存带宽的计算内存带宽的计算公式：公式： 内存总线宽度内存总线宽度 x 数据传输速度数据传输速度 = 最大带宽最大带宽 内存带宽内存带宽=内存等效工作频率内存等
3、效工作频率*8（MB/s） 每个DIMM模块的总线宽度為64bit=8bytes.比如:以DDR400来计算就是: 8 x 400= 3200MB/s，也就是3.2GB/s 工作频率和等效频率DDR内存和DDR2内存的频率可以用工作频率和等效频率两种方式表示 .工作频率是内存颗粒实际的工作频率.DDR内存的传输数据的等效频率是工作频率的两倍 DDR2内存的传输数据的等效频率是工作频率的四倍 例如:DDR 200/266/333/400的工作频率分别是100/133/166/200MHz，而等效频率分别是200/266/333/400MHz；DDR2 400/533/667/800的工作频率分别
4、是100/133/166/200MHz，而等效频率分别是400/533/667/800MHz。主频主频内存主频和CPU主频一样，习惯上被用来表示内存的速度，它代表着该内存所能达到的最高工作频率。单位是MHz(兆赫).内存主频越高代表着内存所能达到的速度越快. 主流的内存频率 DDR:333MHz,400MHz DDR2 533MHz和667MHz的内存 内存电压 SDRAM内存一般工作电压都在3.3伏左右，上下浮动额度不超过0.3伏；DDR SDRAM内存一般工作电压都在2.5伏左右，上下浮动额度不超过0.2伏；DDR2SDRAM内存的工作电压一般在1.8V左右. DDR3 SDRAM内存的工
5、作电压一般在1.5V左右传输标准传输标准内存传输标准有:SDRAM的PC100、PC133；DDR SDRAM的PC1600、PC2100、PC2700、PC3200、PC3500、PC3700；RDRAM的PC600、PC800和PC1066等 ECC校验校验ECC内存即纠错内存. 是Error Checking and Correcting”的简写的简写，中文名称是中文名称是“错误检查错误检查和纠正和纠正”ECC是一种能够实现是一种能够实现“错误检查和纠正错误检查和纠正”的技的技术术一般多应用在服务器及图形工作站上一般多应用在服务器及图形工作站上 颗粒封装颗粒封装封装就是将内存芯片包裹起来
6、,以避免芯片与外界接触，防止外界对芯片的损害.有DIP、POFP、TSOP、BGA、QFP、CSP等等 .DIP封装 TSOP封装 BGA封装 CSP封装 DIP封装封装70年代, DIP（Dual ln-line Package，双列直插式封装）封装.其芯片面积和封装面积之比为1：1.86 TSOP封装封装80年代,内存第二代的封装技术TSOP. TSOP是“Thin Small Outline Package”的缩写，意思是薄型小尺寸封装.TSOP内存是在芯片的周围做出引脚，采用SMT技术（表面安装技术）直接附着在PCB板的表面.优点:TSOP封装外形尺寸时，寄生参数(电流大幅度变化时，引
7、起输出电压扰动) 减小，适合高频应用，操作比较方便，可靠性也比较高 ,封装成品率高，价格便宜. TSOP封装封装缺点:焊点和PCB板的接触面积较小，使得芯片向PCB办传热就相对困难。而且TSOP封装方式的内存在超过150MHz后，会产生较大的信号干扰和电磁干扰.BGA封装封装90年代,芯片集成度不断提高.对集成电路封装的要求也更加严格.BGA是英文Ball Grid Array Package的缩写，即球栅阵列封装.BGA与TSOP相比: 1.内存在体积不变的情况下内存容量提高两到三倍. 2.具有更小的体积，更好的散热性能和电性能. 3.体积只有TSOP封装的三分之一 芯片面积与封装面积之比不
8、小于1:1.14BGA封装封装寄生参数减小，信号传输延迟小，使用频率大大提高；组装可用共面焊接，可靠性高.CSP封装 CSP (Chip Scale Package),是芯片级封装. CSP封装最新一代的内存芯片封装技术.CSP封装可以让芯片面积与封装面积之比超过1:1.14，已经相当接近1:1的理想情况，绝对尺寸也仅有32平方毫米，约为普通的BGA的1/3，仅仅相当于TSOP内存芯片面积的1/6. CSP封装CSP封装内存不但体积小，同时也更薄，其金属基板到散热体的最有效散热路径仅有0.2毫米，大大提高了内存芯片在长时间运行后的可靠性，线路阻抗显著减小，芯片速度也随之得到大幅度提高.CSP封
9、装内存芯片的中心引脚形式有效地缩短了信号的传导距离，其衰减随之减少，芯片的抗干扰、抗噪性能也能得到大幅提升，这也使得CSP的存取时间比BGA改善15%20%。 DDR内存芯片的编号 HY XX X XX XX XX X X X X X-XX 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 1：代表HY的厂标 2：为内存芯片类型5D：DDR SDRAMS 3：工艺与工作电压V：CMOS，3.3V；U:CMOS，2.5V 4：芯片容量和刷新速率64:64MB，4kref；66:64MB，2kref；28:128MB，4kref；56:256MB，8kref；12 :512MB，8kref 5: 芯
10、片结构(数据宽度)4：X4(数据宽度4bit)；8:x8；16:x16；32:x32 6：BANK数量1:2BANKs；2:4BANKs 7：I/O界面1:SSTL_3；2:SSTL_2 8：芯片内核版本空白:第一代；A:第二代；B:第三代；C:第四代 9：能量等级空白:普通；L:低能耗 10：封装形式T:TSOP；Q:TQFP；L:CSP(LF-CSP)；F:FBGA 11：工作速度33:300MHz；4:250MHz；43:233MHz；45:222MHz；5:200MHz；55:183MHz；K:DDR266A；H:DDR266B；L:DDR200 传输类型传输类型传输类型指内存所采用的
11、内存类型.不同类型的内存传输率、工作频率、工作方式、工作电压等方面都有不同.目前市场中主要的内存类型: SDRAM、 RDRAM、 DDR DDR2 DDR3 EPPSDRAM SDRAM，即Synchronous DRAM(同步动态随机存储器). SDRAM内存又分为PC66、PC100、PC133等不同规格.数字就代表着该内存最大所能正常工作系统总线速度.SDRAM采用3.3伏工作电压，168Pin的DIMM接口，宽度为64位。SDRAM不仅应用在内存上，在显存上也较为常见. RDRAMRDRAM（Rambus DRAM）是美国的RAMBUS公司开发的一种内存.它采用了串行的数据传输模式.
12、RDRAM的数据存储位宽是16位;频率可以达到400MHz,内存带宽能达到1.6Gbyte/s. DDRDDR应该叫DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM).SDRAM、DDRAM内存条的区别内存条的区别 （外观）（外观）SDRAM、DDRAM内存条的区别内存条的区别外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大, DDR为184针脚,比SDRAM多出了16个针脚，主要包含了新的控制、时钟、电源和接地等信号.DDR内存采用的是支持2.5V电压的SSTL2标准，而不是SDRAM使用的3.3V电压的LVTTL标准。 Low Voltage TTL(逻辑电平 ).DDR内存的
13、频率 DDR2DDR2（Double Data Rate 2）SDRAM DDR2内存的频率 DDR2与与DDR的区别的区别 1、延迟问题、延迟问题:也就是说DDR2的延迟要高于DDR2、封装和发热量、封装和发热量 :DDR2内存采用1.8V电压，相对于DDR标准的2.5V DDR2采用的新技术采用的新技术 DDR2还引入了三项新的技术分別是OCD,ODT和Post CAS.1.OCD（Off-Chip Driver）：）：也就是所谓的离线驱动调整，DDR II通过OCD可以提高信号的完整性.2.ODT：ODT是内建核心的终结电阻器.DIMM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电
14、阻,这样大大增加了主板的制造成本,终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率,因此在一定程度上影响信号品质. DDR2内建合适的终结电阻保证了最佳的信号波形.3.Post CAS：它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的. CAS命令可以在附加延迟（Additive Latency）后面保持有效,因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突. DDR3的產生的產生1.提升带宽提升带宽,為為CPU提供足够的匹配指标提供足够的匹配指标. DDR3的產生的產生提高预取设计位数提高预取设计位数. DDR2的预取设计位数是4Bit，也就是说DRAM内核的频率只有接口频率的1/4，所以DDR2-80
15、0内存的核心工作频率为200MHz DDR3内存的预取设计位数提升至8Bit，其DRAM内核的频率达到了接口频率的1/8，如此一来同样运行在200MHz核心工作频率的DRAM内存就可以达到1600MHz的等值频率 DDR3的產生的產生3.降低功耗降低功耗 核心工作电压从DDR2的1.8V降至1.5V .DDR3内存优势内存优势 DDR3内存拥有哪些规格内存拥有哪些规格 1.频率从频率从1066MHz起跑起跑 型号包括了DDR3 800/1066MHz /1333/1600/2000 2. 1G容量成为主流容量成为主流 3.Intel主板芯片组主板芯片组X38、P35、G33均支持均支持DDR3
16、内存内存.其他廠商其他廠商:华硕、技嘉、微星华硕、技嘉、微星. 4. DDR3价格注定从天价起步价格注定从天价起步 DDR3 1066MHz 1G内存的价格要1500元以上 DDR3内存与DDR2内存不同 (外观设计_缺口位置) DDR3与与DDR2的的不同之处不同之处 DDR3与与DDR2的的不同之处不同之处 1、逻辑Bank数量(8Bank的设计)2. 封装(Packages) 78/96球FBGA封装.而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。并且DDR3必须是绿色封装. 3. 突发长度(BL，Burst Length).由于DDR3的预取为8bit. 4. 寻址时序（Tim
17、ing）5.新增功能重置（Reset）6. 新增功能ZQ校准 7. 参考电压分成两个 一个是为命令与地址信号服务的VREFCA，另一个是为数据总线服务的VREFDQ,8. 根据温度自动自刷新（SRT，Self-Refresh Temperature） 普通的的温度范围（例如0至85),扩展温度范围:最高到95 9. 局部自刷新（RASR，Partial Array Self-Refresh）10. 点对点连接（P2P，Point-to-Point） EPP技术EPP (Enhanced Performance Profiles)技术,簡稱增强性能选项.它是nVIDIA推出的基于JEDEC SP
18、D标准上的扩展标准,可以允许内存生产商提供SPD (Serial Presence Detect)定义之外的性能参数.EPP是一项开放式标准，未来将会有更多其它主板及内存供货商将采纳这项技术.作用作用:通过这项EPP技术,极大改变系统超频和系统稳定性的测试和定义，可让用户轻易测知建置于高性能DIMM内存模组中有关内存性能的各项全新进阶性能设定，让整体PC系统性能达到更高水平.EPP技术以技术面来说，EPP除写入频率(Clock)等级外,攸关内存效能的时序(Timing)参数也可同时定义，包含tCL、tRCD、tRP、tRAS及tRC等常见项目，以及适合的工作电压(vDIMM)与各种驱动内存控制
19、器的细部参数 EPP扩展规格内存 .目前已经有五家主要内存厂商推出自己的EPP内存产品，包括Geil、Corsair、OCZ等超频内存一线品牌EPP内存型号大多为1GB版本，专为高端游戏高端游戏玩家设计玩家设计 GeIL PC2-6400 800MHz DDR2 海盗船 6400C4D DOMINATOREPP技术能使用的條件 1.需要兼容EPP技术的主板的支持2.支持EPP内存主板的BIOS,即在BIOS中有相应的接口选项. 3.內存也要有EPP的功能注意:1.开机时主板还是会以默认的SPD设置来启动，其后才会加载EPP定义中的设置. 2.EPP内存可以在任何主板上使用.EPP OCZ(饥饿
20、鲨)的内存OCZ(饥饿鲨)内存在OCZ的High Speed DDR2 Memory系列有9款分别是: XLC、Titanium、Platinum、Gold、Value、Limited、System Elite、NVIDIA SLI-Ready、ATI CrossFire等.OCZ(饥饿鲨)内存的特點:1.高阶的版本，最低也是从PC2-7200的规格起跳.2.单支以及Dual Channel双信道组合的版本.3.采用5-5-5-15的CL默认值以及2.1V的工作电压. 目前开始销售的內存:延迟设定4-5-4-11，容量规格512MB、1GB、512MB2、1GB2，价格分别为$108.93、$228.20、$228.42、$469.89 Thank y uTHE ENDTHE END
