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1、超级超级解解像技術像技術 S/DS/D Pattern(ChannelPattern(Channel LengthLength：3.5um)3.5um) SK-ElectronicsSK-Electronics20122012. .2 2 制作制作2012 SK-Electronics CO.,LTD. All rights reserved.SKE confidentialIntroduction(1/4)利用半导体业界中广泛应用的利用半导体业界中广泛应用的Assist PatternAssist Pattern开发开发MaskMask新产品新产品IntensityIntensity UP无
2、Assist Pattern有Assist PatternAssist PatternAssist Pattern解像极限以下的解像极限以下的SlitSlit2012 SK-Electronics CO.,LTD. All rights reserved.SKE confidentialIntroduction(2/4)利用利用HalfHalf tonetone型型PSMPSM, ,实现解像度的提升实现解像度的提升。QZPhase Shift film随随Phase ShiftPhase Shift膜膜，它的，它的波長波長将将180deg. Shift180deg. Shift。同样Phase
3、不同Phase光束的抵消现象光束的抵消现象2012 SK-Electronics CO.,LTD. All rights reserved.SKE confidentialIntroduction(3/4)IntensityIntensityBinaryHTMTOP Intensity UP两种成分合二为一，达到Intensity提高的效果透过率310%的Half Tone膜Contrast恶化2012 SK-Electronics CO.,LTD. All rights reserved.SKE confidentialIntroduction (4/4)接下来将着重介绍以下接下来将着重介绍
4、以下2 2种解像技术种解像技术。IntensityTOP ViewSide View光振幅分布ReferencePSHTPhase Shift filmHalf tone film+-+-+-Simulation ResultsSSM2012 SK-Electronics CO.,LTD. All rights reserved.SKE confidentialMask Design & ConditionMask DesignCondition初期膜厚初期膜厚 ：2.2.2 2umumREFPSMHTCrPSHTCut line2012 SK-Electronics CO.,LTD. All
5、 rights reserved.SKE confidentialSimulation Result: Intensity Round typeIntensity SimulationREFPSMHT2012 SK-Electronics CO.,LTD. All rights reserved.SKE confidentialSimulation Result: Resolution Target 0.6um(Comparison of DOSE 、Resist Profile)DOSE比較比較 (EOP)Resist ProfileUnit： mj与与RefRef相比，未发现任何差别相比，
6、未发现任何差别Cut_ line：Xsourcechanneldrain与其它相比，与其它相比，HT(8%)HT(8%)的的ContrastContrast (Taper(Taper Angle)Angle)较低较低。2012 SK-Electronics CO.,LTD. All rights reserved.SKE confidentialSimulation Result: Resolution Target 0.6um (Comparison of RTPR：Channel)PR残膜厚RangeSimulation実施。Cutline 依赖性依赖性(x、y、r)RTPR: Chann
7、el part 与与RefRef相比，没有任何差别相比，没有任何差别。2012 SK-Electronics CO.,LTD. All rights reserved.SKE confidentialSimulation Result: Resolution Target 0.6um (Comparison of RTPR：Channel、 RTPR：Source Part )PR残膜厚RangeSimulation実施。Defocus 依赖性(0、15、30um)RTPR: Channel part Source part (Top-Resist)： ： RTPR与与RefRef相比相比，R
8、TPRRTPR的变化幅度也没有因的变化幅度也没有因为为DefocusDefocus而产生差距。而产生差距。与与RefRef相比相比，还是未产生任何，还是未产生任何差距差距。未产生未产生Top-LossTop-Loss。2012 SK-Electronics CO.,LTD. All rights reserved.SKE confidential总结总结：SSMSSM总结SSMSSM类型分别和类型分别和BinaryBinary，PSMPSM，HTMHTM相比，没有任何差别相比，没有任何差别。可以利用可以利用BinaryBinary PatternPattern，足可以达到窄宽效果，足可以达到窄
9、宽效果。Simulation Results 全全解像解像 2012 SK-Electronics CO.,LTD. All rights reserved.SKE confidentialSimulation Result: Resolution Target 3.5um(Comparison of DOSE 、Resist Profile)DOSE比較比較 (EOP)Resist ProfileUnit： mj与与RefRef相比相比, ,HT(8%)HT(8%)对产生能削减对产生能削减24%Dose24%Dose的效果。同时削减了的效果。同时削减了TactTact TimeTime。Cu
10、t_ line：Xsourcechanneldrain与其它相比，与其它相比，HT(8%)HT(8%)的的ContrastContrast (Taper(Taper Angle)Angle)是比较小的是比较小的。PSMPSM和和HT(8HT(8%)%)，有些许，有些许Top-LossTop-Loss。2012 SK-Electronics CO.,LTD. All rights reserved.SKE confidentialSimulation Result: Resolution Target 3.5um (Comparison of CD：Channel、 RTPR：Source Pa
11、rt )PR残膜厚RangeSimulation実施。Defocus 依依赖性性(0、 、15、 、30um)CD: Channel part 与与RefRef相比相比，随着，随着 DefocusDefocus变化，变化，PSMPSM的的CDCD变化幅度约有的改善，而变化幅度约有的改善，而HT(8%)HT(8%)有近有近130nm130nm恶化。恶化。Source part (Top-Resist)： ： RTPR随随DefocusDefocus而产生的而产生的RTPRRTPR的变化幅度，只的变化幅度，只有对有对PSMPSM造成影响造成影响(2846(2846 ) )。而而PSMPSM和和HTMHTM，与，与RefRef相比较，存在约相比较，存在约200200 Top-LossTop-Loss。2012 SK-Electronics CO.,LTD. All rights reserved.SKE confidentialConclusion：S/D全解像(3.5um)
